JP4012957B2 - 化合物薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
化合物薄膜太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4012957B2 JP4012957B2 JP2002203316A JP2002203316A JP4012957B2 JP 4012957 B2 JP4012957 B2 JP 4012957B2 JP 2002203316 A JP2002203316 A JP 2002203316A JP 2002203316 A JP2002203316 A JP 2002203316A JP 4012957 B2 JP4012957 B2 JP 4012957B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light absorption
- compound
- absorption layer
- solar cell
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 17
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- BOXSVZNGTQTENJ-UHFFFAOYSA-L zinc dibutyldithiocarbamate Chemical group [Zn+2].CCCCN(C([S-])=S)CCCC.CCCCN(C([S-])=S)CCCC BOXSVZNGTQTENJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- RKQOSDAEEGPRER-UHFFFAOYSA-L zinc diethyldithiocarbamate Chemical compound [Zn+2].CCN(CC)C([S-])=S.CCN(CC)C([S-])=S RKQOSDAEEGPRER-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- DUBNHZYBDBBJHD-UHFFFAOYSA-L ziram Chemical compound [Zn+2].CN(C)C([S-])=S.CN(C)C([S-])=S DUBNHZYBDBBJHD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 claims 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- VDQVEACBQKUUSU-UHFFFAOYSA-M disodium;sulfanide Chemical compound [Na+].[Na+].[SH-] VDQVEACBQKUUSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100022068 Serine palmitoyltransferase 1 Human genes 0.000 description 1
- 102100022059 Serine palmitoyltransferase 2 Human genes 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229940048181 sodium sulfide nonahydrate Drugs 0.000 description 1
- WMDLZMCDBSJMTM-UHFFFAOYSA-M sodium;sulfanide;nonahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Na+].[SH-] WMDLZMCDBSJMTM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、一般的な化合物半導体による薄膜太陽電池の基本構造を示している。それは、ＳＬＧ（ソーダライムガラス）基板１上に裏面電極（プラス電極）となるＭｏ電極２が成膜され、そのＭｏ電極２上にｐ型の光吸収層５が成膜され、その光吸収層５上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層６を介して透明電極（マイナス電極）７が成膜されている。
【０００３】
その化合物半導体による薄膜太陽電池における光吸収層５としては、現在１８％を超す高いエネルギー変換効率が得られるものとして、Ｃｕ，（Ｉｎ，Ｇａ），ＳｅをベースとしたＩ−ＩＩＩ−ＶＩ２族系のＣｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳ薄膜が用いられている。
【０００４】
従来、この種の化合物薄膜太陽電池におけるバッファ層として、ＣＢＤ（ケミカルバスデポジション）法によって、溶液から化学的にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であるＣｄＳ膜を成長させることにより、ＣＩＳ光吸収層と最適なヘテロ接合を得ることができるようにしている（米国特許第４６１１０９１号明細書参照）。
【０００５】
また、従来、有害物質であるＣｄを含まない高い変換効率のヘテロ結合を得ることができるバッファ層として、ＣＢＤ法によってＺｎＳ膜を形成させるようにしたものがある（特開平８−３３０６１４号公報参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
解決しようとする問題点は、従来の化合物薄膜太陽電池の製造方法では、ＣＢＤ法によってバッファ層を成膜させるに際して、溶液に光吸収層を浸すと光吸収層へのＺｎまたはＣｄ成分の拡散とＺｎＳまたはＣｄＳの成膜とが同時に進行するので、光吸収層の結晶性やその表面状態によって特性のバラツキを生じやすいものになってしまうという問題がある。
【０００７】
また、ＣＢＤ法によるのでは、形成されるバッファ層に不純物が混入して品質が低下してしまうという問題がある。
【０００８】
そして、ＣＢＤ法によるのでは、溶液槽の内部や基材を搬送するキャリアにもＺｎＳが付着して無駄に消費されてしまうとともに、多量の廃液が生じてしまういう問題がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、ＣＢＤ法によることなく、接合性の良い特性の安定した高品質なｐｎ接合を容易に得ることができるようにするべく、光吸収層をＳｅ雰囲気中で積層プリカーサを熱処理することにより形成し、その光吸収層上にｎ型ドーパント元素を含むＳ化合物の粉体を撒積して、またはｎ型ドーパント元素を含むＳ化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を光吸収層上に塗って、Ｓ化合物の融点以上でかつ前記積層プリカーサを熱処理するときの加熱温度以下の範囲内の温度により加熱溶融することによってバッファ層を形成するようにしている。
【００１０】
【実施例】
図２および図３は、化合物薄膜太陽電池の製造過程を示している。
【００１１】
まず、図２に示すように、ＳＬＧ（ソーダライムガラス）基板１上に裏面電極としてのＭｏ電極２をスパッタリングにより成膜する。次いで、そのＭｏ電極２上にＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を作製するに際して、先にＩｎ単体ターゲットＴ１を用いた第１のスパッタ工程ＳＰＴ−１によってＩｎ層３２を成膜したうえで、その上に、Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲットＴ２を用いた第２のスパッタ工程ＳＰＴ−２によってＣｕ−Ｇａ合金層３１を成膜して、Ｉｎ層３２およびＣｕ−Ｇａ合金層３１からなる積層プリカーサ３を形成する。そして、熱処理工程ＨＥＡＴにおいて、その積層プリカーサ３をＳｅ雰囲気中で熱処理することにより、ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を作製する。
【００１２】
このように、Ｍｏ電極２上にＩｎ層３２を設けたうえで、その上にＣｕ−Ｇａ合金層３１を設けて積層プリカーサ３を形成するようにしているので、Ｍｏ電極２との界面における元素の固層拡散による合金化を抑制することができる。そして、その積層プリカーサ３をＳｅ雰囲気中で熱処理してセレン化する際に、Ｍｏ電極２側にＩｎ成分を充分に拡散させることができるとともに、拡散速度の遅いＧａがＭｏ電極２との界面に偏析して結晶性の悪いＣｕ−Ｇａ−Ｓｅ層が形成されることがないようにして、均一な結晶による高品質なＰ型半導体のＣｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳの光吸収層５を作製することができる。
【００１３】
したがって、Ｍｏ電極２との界面に、結晶性が悪くて構造的に脆く、かつ導電性を有する異層（Ｃｕ−Ｇａ−Ｓｅ層）が偏析するようなことがなくなり、Ｍｏ電極２との密着性が高くて構造的に強固な、しかもセル間でリークをきたして電池特性が劣化することのない品質の良い光吸収層を得ることができるようになる。
【００１４】
次に、図３に示すように、ｐ型の光吸収層５とのヘテロ接合をとるためにｎ型のバッファ層６を形成する。そして、そのバッファ層６上にＺｎＯ：Ａｌ，ＩＴＯなどからなる透明電極７をスパッタリングにより成膜する。
【００１５】
図４および図５は、化合物薄膜太陽電池の他の製造過程を示している。
【００１６】
この場合には、積層プリカーサ３のセレン化の熱処理時に、Ｎａ成分が光吸収層５に拡散して光電変換効率を向上させることができるように、Ｍｏ電極２上にＮａ２Ｓからなるアルカリ層８を設けるようにしている。
【００１７】
そのアルカリ層８は、例えばＮａ２Ｓ・９Ｈ２Ｏ（硫化ナトリウム９水和物）を重量濃度０．１〜５％で純水に溶かした水溶液にＭｏ電極２の成膜基板を浸して、スピンドライ乾燥させたのち、膜中残留水分の調整のために、大気中１５０℃で６０分間のベーク処理を行うことによって形成する。
【００１８】
そして、ＳＬＧ基板１とＭｏ電極２との間に、ＳＬＧ基板１に含まれるＮａ成分が光吸収層５に拡散するのを制御するＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３などからなる拡散制御層９をＣＶＤ法またはスパッタ法によって形成するようにしている。
【００１９】
本発明は、このような構成による化合物薄膜太陽電池にあって、特にバッファ層６を形成するに際して、図６に示すように、ｎ型ドーパント元素Ｚｎ（またはＣｄ）を含むＳ化合物の粉体１０を光吸収層５上に撒積して、それを加熱溶融することによってバッファ層６を形成するようにしている。
【００２０】
ｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物としては、例えば、ジ−ｎ−ブチルジチオカルバミン酸亜鉛〔（Ｃ４Ｈ９）２ＮＣＳ２〕２Ｚｎ、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛〔（Ｃ２Ｈ５）２ＮＣＳ２〕２Ｚｎまたはジメチルジチオカルバミン酸亜鉛〔（ＣＨ３）２ＮＣＳ２〕２Ｚｎが用いられる。
【００２１】
加熱処理としては、使用するｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物の融点以上で、光吸収層５を形成する際の積層プリカーサ３をＳｅ雰囲気中で熱処理してセレン化するときの加熱温度（例えば５００℃）以下の範囲内の温度で、３０〜３００分間加熱する。
【００２２】
ｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物の粉体１０を光吸収層５上に撒積する代わりに、ｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物を溶媒に溶かした液を光吸収層５上に塗って、それを加熱溶融することによってバッファ層６を形成するようにしてもよい。
【００２３】
ｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物の溶液を塗る方法としては、さじ等で光吸収層５の表面に直接溶液をたらすようにする。その他、ディップ、噴霧、スピンコート、スクリーン印刷などが広く適用される。
【００２４】
溶媒としては、トルエン、アセトンまたはエタノール等の有機溶媒が用いられる。その溶媒は、加熱することによって蒸発する。
【００２５】
形成されるバッファ層６の膜厚は、光吸収層５上に撒積するｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物の粉体１０の質量によって、または溶媒に溶かすｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物の濃度および塗布の方法などによって調整される。
【００２６】
また、光吸収層５へのＺｎ成分の拡散量は、加熱温度および加熱時間によって制御される。
【００２７】
具体的には、ジ−ｎ−ブチルジチオカルバミン酸亜鉛をアセトンまたはエタノールに溶かした０．４〜０．５ｇ／ｃｃの溶液を塗布したものを、２５０℃で３時間加熱することによって品質の良いバッファ層６が得られた。
【００２８】
加熱処理終了後に、必要に応じて、バッファ層６の表面の余分な付着物を除去するべく、塩酸などを用いたエッチングによる表面処理を行う。
【００２９】
このように、本発明によれば、何らＣＢＤ法によることなく、ｎ型ドーパント元素Ｚｎ（またはＣｄ）を含むＳ化合物による単一の物質を光吸収層５の表面に設けて、それを加熱溶融することによってＺｎＳ（またはＣｄＳ）の層を形成するようにしているので、不純物が混入することなく、純度の高いバッファ層６を形成することができるようになる。したがって、光吸収層５に対して接合性の良い特性の安定した高品質なｐｎ接合を得ることができるようになる。そして、透明電極７との間の障壁をなくして、再結合による性能劣化を防止することができるようになる。
【００３０】
【発明の効果】
以上、本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、光吸収層をＳｅ雰囲気中で積層プリカーサを熱処理することにより形成し、その光吸収層上にｎ型ドーパント元素を含むＳ化合物の粉体を撒積して、またはｎ型ドーパント元素を含むＳ化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を光吸収層上に塗って、Ｓ化合物の融点以上でかつ前記積層プリカーサを熱処理するときの加熱温度以下の範囲内の温度により加熱溶融することによってバッファ層を形成するようにしたもので、光吸収層に対して接合性の良い特性の安定した高品質なｐｎ接合を容易に得ることができるとともに、透明電極との間の障壁をなくして再結合による性能劣化を防止することができるという利点を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な化合物半導体による薄膜太陽電池の基本的な構造を示す正断面図である。
【図２】ＳＬＧ基板上に裏面電極および光吸収層を形成するまでの製造過程の一例を示す図である。
【図３】光吸収層上にバッファ層および透明電極を形成するまでの製造過程を示す図である。
【図４】ＳＬＧ基板上に拡散制御層、裏面電極、アルカリ層および積層プリカーサを形成するまでの製造過程を示す図である。
【図５】ＳＬＧ基板上に拡散制御層を介して光吸収層、バッファ層および透明電極を形成するまでの製造過程を示す図である。
【図６】本発明によって光吸収層上にバッファ層を形成するまでの製造過程を示す図である。
【符号の説明】
１ ＳＬＧ基板
２ Ｍｏ電極
５ 光吸収層
６ バッファ層
７ 透明電極
１０ ｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物の粉体
【産業上の利用分野】
本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、一般的な化合物半導体による薄膜太陽電池の基本構造を示している。それは、ＳＬＧ（ソーダライムガラス）基板１上に裏面電極（プラス電極）となるＭｏ電極２が成膜され、そのＭｏ電極２上にｐ型の光吸収層５が成膜され、その光吸収層５上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層６を介して透明電極（マイナス電極）７が成膜されている。
【０００３】
その化合物半導体による薄膜太陽電池における光吸収層５としては、現在１８％を超す高いエネルギー変換効率が得られるものとして、Ｃｕ，（Ｉｎ，Ｇａ），ＳｅをベースとしたＩ−ＩＩＩ−ＶＩ２族系のＣｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳ薄膜が用いられている。
【０００４】
従来、この種の化合物薄膜太陽電池におけるバッファ層として、ＣＢＤ（ケミカルバスデポジション）法によって、溶液から化学的にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体であるＣｄＳ膜を成長させることにより、ＣＩＳ光吸収層と最適なヘテロ接合を得ることができるようにしている（米国特許第４６１１０９１号明細書参照）。
【０００５】
また、従来、有害物質であるＣｄを含まない高い変換効率のヘテロ結合を得ることができるバッファ層として、ＣＢＤ法によってＺｎＳ膜を形成させるようにしたものがある（特開平８−３３０６１４号公報参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
解決しようとする問題点は、従来の化合物薄膜太陽電池の製造方法では、ＣＢＤ法によってバッファ層を成膜させるに際して、溶液に光吸収層を浸すと光吸収層へのＺｎまたはＣｄ成分の拡散とＺｎＳまたはＣｄＳの成膜とが同時に進行するので、光吸収層の結晶性やその表面状態によって特性のバラツキを生じやすいものになってしまうという問題がある。
【０００７】
また、ＣＢＤ法によるのでは、形成されるバッファ層に不純物が混入して品質が低下してしまうという問題がある。
【０００８】
そして、ＣＢＤ法によるのでは、溶液槽の内部や基材を搬送するキャリアにもＺｎＳが付着して無駄に消費されてしまうとともに、多量の廃液が生じてしまういう問題がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、ＣＢＤ法によることなく、接合性の良い特性の安定した高品質なｐｎ接合を容易に得ることができるようにするべく、光吸収層をＳｅ雰囲気中で積層プリカーサを熱処理することにより形成し、その光吸収層上にｎ型ドーパント元素を含むＳ化合物の粉体を撒積して、またはｎ型ドーパント元素を含むＳ化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を光吸収層上に塗って、Ｓ化合物の融点以上でかつ前記積層プリカーサを熱処理するときの加熱温度以下の範囲内の温度により加熱溶融することによってバッファ層を形成するようにしている。
【００１０】
【実施例】
図２および図３は、化合物薄膜太陽電池の製造過程を示している。
【００１１】
まず、図２に示すように、ＳＬＧ（ソーダライムガラス）基板１上に裏面電極としてのＭｏ電極２をスパッタリングにより成膜する。次いで、そのＭｏ電極２上にＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を作製するに際して、先にＩｎ単体ターゲットＴ１を用いた第１のスパッタ工程ＳＰＴ−１によってＩｎ層３２を成膜したうえで、その上に、Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲットＴ２を用いた第２のスパッタ工程ＳＰＴ−２によってＣｕ−Ｇａ合金層３１を成膜して、Ｉｎ層３２およびＣｕ−Ｇａ合金層３１からなる積層プリカーサ３を形成する。そして、熱処理工程ＨＥＡＴにおいて、その積層プリカーサ３をＳｅ雰囲気中で熱処理することにより、ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を作製する。
【００１２】
このように、Ｍｏ電極２上にＩｎ層３２を設けたうえで、その上にＣｕ−Ｇａ合金層３１を設けて積層プリカーサ３を形成するようにしているので、Ｍｏ電極２との界面における元素の固層拡散による合金化を抑制することができる。そして、その積層プリカーサ３をＳｅ雰囲気中で熱処理してセレン化する際に、Ｍｏ電極２側にＩｎ成分を充分に拡散させることができるとともに、拡散速度の遅いＧａがＭｏ電極２との界面に偏析して結晶性の悪いＣｕ−Ｇａ−Ｓｅ層が形成されることがないようにして、均一な結晶による高品質なＰ型半導体のＣｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳの光吸収層５を作製することができる。
【００１３】
したがって、Ｍｏ電極２との界面に、結晶性が悪くて構造的に脆く、かつ導電性を有する異層（Ｃｕ−Ｇａ−Ｓｅ層）が偏析するようなことがなくなり、Ｍｏ電極２との密着性が高くて構造的に強固な、しかもセル間でリークをきたして電池特性が劣化することのない品質の良い光吸収層を得ることができるようになる。
【００１４】
次に、図３に示すように、ｐ型の光吸収層５とのヘテロ接合をとるためにｎ型のバッファ層６を形成する。そして、そのバッファ層６上にＺｎＯ：Ａｌ，ＩＴＯなどからなる透明電極７をスパッタリングにより成膜する。
【００１５】
図４および図５は、化合物薄膜太陽電池の他の製造過程を示している。
【００１６】
この場合には、積層プリカーサ３のセレン化の熱処理時に、Ｎａ成分が光吸収層５に拡散して光電変換効率を向上させることができるように、Ｍｏ電極２上にＮａ２Ｓからなるアルカリ層８を設けるようにしている。
【００１７】
そのアルカリ層８は、例えばＮａ２Ｓ・９Ｈ２Ｏ（硫化ナトリウム９水和物）を重量濃度０．１〜５％で純水に溶かした水溶液にＭｏ電極２の成膜基板を浸して、スピンドライ乾燥させたのち、膜中残留水分の調整のために、大気中１５０℃で６０分間のベーク処理を行うことによって形成する。
【００１８】
そして、ＳＬＧ基板１とＭｏ電極２との間に、ＳＬＧ基板１に含まれるＮａ成分が光吸収層５に拡散するのを制御するＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３などからなる拡散制御層９をＣＶＤ法またはスパッタ法によって形成するようにしている。
【００１９】
本発明は、このような構成による化合物薄膜太陽電池にあって、特にバッファ層６を形成するに際して、図６に示すように、ｎ型ドーパント元素Ｚｎ（またはＣｄ）を含むＳ化合物の粉体１０を光吸収層５上に撒積して、それを加熱溶融することによってバッファ層６を形成するようにしている。
【００２０】
ｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物としては、例えば、ジ−ｎ−ブチルジチオカルバミン酸亜鉛〔（Ｃ４Ｈ９）２ＮＣＳ２〕２Ｚｎ、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛〔（Ｃ２Ｈ５）２ＮＣＳ２〕２Ｚｎまたはジメチルジチオカルバミン酸亜鉛〔（ＣＨ３）２ＮＣＳ２〕２Ｚｎが用いられる。
【００２１】
加熱処理としては、使用するｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物の融点以上で、光吸収層５を形成する際の積層プリカーサ３をＳｅ雰囲気中で熱処理してセレン化するときの加熱温度（例えば５００℃）以下の範囲内の温度で、３０〜３００分間加熱する。
【００２２】
ｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物の粉体１０を光吸収層５上に撒積する代わりに、ｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物を溶媒に溶かした液を光吸収層５上に塗って、それを加熱溶融することによってバッファ層６を形成するようにしてもよい。
【００２３】
ｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物の溶液を塗る方法としては、さじ等で光吸収層５の表面に直接溶液をたらすようにする。その他、ディップ、噴霧、スピンコート、スクリーン印刷などが広く適用される。
【００２４】
溶媒としては、トルエン、アセトンまたはエタノール等の有機溶媒が用いられる。その溶媒は、加熱することによって蒸発する。
【００２５】
形成されるバッファ層６の膜厚は、光吸収層５上に撒積するｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物の粉体１０の質量によって、または溶媒に溶かすｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物の濃度および塗布の方法などによって調整される。
【００２６】
また、光吸収層５へのＺｎ成分の拡散量は、加熱温度および加熱時間によって制御される。
【００２７】
具体的には、ジ−ｎ−ブチルジチオカルバミン酸亜鉛をアセトンまたはエタノールに溶かした０．４〜０．５ｇ／ｃｃの溶液を塗布したものを、２５０℃で３時間加熱することによって品質の良いバッファ層６が得られた。
【００２８】
加熱処理終了後に、必要に応じて、バッファ層６の表面の余分な付着物を除去するべく、塩酸などを用いたエッチングによる表面処理を行う。
【００２９】
このように、本発明によれば、何らＣＢＤ法によることなく、ｎ型ドーパント元素Ｚｎ（またはＣｄ）を含むＳ化合物による単一の物質を光吸収層５の表面に設けて、それを加熱溶融することによってＺｎＳ（またはＣｄＳ）の層を形成するようにしているので、不純物が混入することなく、純度の高いバッファ層６を形成することができるようになる。したがって、光吸収層５に対して接合性の良い特性の安定した高品質なｐｎ接合を得ることができるようになる。そして、透明電極７との間の障壁をなくして、再結合による性能劣化を防止することができるようになる。
【００３０】
【発明の効果】
以上、本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、光吸収層をＳｅ雰囲気中で積層プリカーサを熱処理することにより形成し、その光吸収層上にｎ型ドーパント元素を含むＳ化合物の粉体を撒積して、またはｎ型ドーパント元素を含むＳ化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を光吸収層上に塗って、Ｓ化合物の融点以上でかつ前記積層プリカーサを熱処理するときの加熱温度以下の範囲内の温度により加熱溶融することによってバッファ層を形成するようにしたもので、光吸収層に対して接合性の良い特性の安定した高品質なｐｎ接合を容易に得ることができるとともに、透明電極との間の障壁をなくして再結合による性能劣化を防止することができるという利点を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な化合物半導体による薄膜太陽電池の基本的な構造を示す正断面図である。
【図２】ＳＬＧ基板上に裏面電極および光吸収層を形成するまでの製造過程の一例を示す図である。
【図３】光吸収層上にバッファ層および透明電極を形成するまでの製造過程を示す図である。
【図４】ＳＬＧ基板上に拡散制御層、裏面電極、アルカリ層および積層プリカーサを形成するまでの製造過程を示す図である。
【図５】ＳＬＧ基板上に拡散制御層を介して光吸収層、バッファ層および透明電極を形成するまでの製造過程を示す図である。
【図６】本発明によって光吸収層上にバッファ層を形成するまでの製造過程を示す図である。
【符号の説明】
１ ＳＬＧ基板
２ Ｍｏ電極
５ 光吸収層
６ バッファ層
７ 透明電極
１０ ｎ型ドーパント元素Ｚｎを含むＳ化合物の粉体
Claims (3)
- 裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法であって、光吸収層をＳｅ雰囲気中で積層プリカーサを熱処理することにより形成し、その光吸収層上にｎ型ドーパント元素を含むＳ化合物の粉体を撒積して、Ｓ化合物の融点以上でかつ前記積層プリカーサを熱処理するときの加熱温度以下の範囲内の温度により加熱溶融することによってバッファ層を形成したことを特徴とする化合物薄膜太陽電池の製造方法。
- 裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法であって、光吸収層をＳｅ雰囲気中で積層プリカーサを熱処理することにより形成し、その光吸収層上にｎ型ドーパント元素を含むＳ化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を塗って、Ｓ化合物の融点以上でかつ前記積層プリカーサを熱処理するときの加熱温度以下の範囲内の温度により加熱溶融することによってバッファ層を形成したことを特徴とする化合物薄膜太陽電池の製造方法。
- ｎ型ドーパント元素を含むＳ化合物が、ジ−ｎ−ブチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛またはジメチルジチオカルバミン酸亜鉛であることを特徴とする請求項１または請求項２の記載による化合物薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002203316A JP4012957B2 (ja) | 2002-06-07 | 2002-06-07 | 化合物薄膜太陽電池の製造方法 |
| AU2003234778A AU2003234778A1 (en) | 2002-06-07 | 2003-05-07 | Method for manufacturing compound thin-film solar cell |
| PCT/JP2003/005681 WO2003105241A1 (ja) | 2002-06-07 | 2003-05-07 | 化合物薄膜太陽電池の製造方法 |
| US11/005,622 US7141449B2 (en) | 2002-06-07 | 2004-12-03 | Method of fabricating a compound semiconductor thin-layer solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002203316A JP4012957B2 (ja) | 2002-06-07 | 2002-06-07 | 化合物薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004015041A JP2004015041A (ja) | 2004-01-15 |
| JP4012957B2 true JP4012957B2 (ja) | 2007-11-28 |
Family
ID=29728519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002203316A Expired - Fee Related JP4012957B2 (ja) | 2002-06-07 | 2002-06-07 | 化合物薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7141449B2 (ja) |
| JP (1) | JP4012957B2 (ja) |
| AU (1) | AU2003234778A1 (ja) |
| WO (1) | WO2003105241A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100466125C (zh) * | 2005-04-18 | 2009-03-04 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 含有有机异质结的电接触材料及其器件 |
| US8217498B2 (en) * | 2007-10-18 | 2012-07-10 | Corning Incorporated | Gallium nitride semiconductor device on SOI and process for making same |
| DE102008039337A1 (de) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Vorrichtung zum Besprühen, Verfahren dazu sowie organisches elektronisches Bauelement |
| KR101035389B1 (ko) * | 2008-03-31 | 2011-05-20 | 영남대학교 산학협력단 | 벌크 이종접합형 태양전지 및 그 제조방법 |
| JP5006245B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2012-08-22 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法およびその装置 |
| US8110738B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-02-07 | Miasole | Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells |
| US8115095B2 (en) * | 2009-02-20 | 2012-02-14 | Miasole | Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells |
| US7785921B1 (en) | 2009-04-13 | 2010-08-31 | Miasole | Barrier for doped molybdenum targets |
| US8134069B2 (en) | 2009-04-13 | 2012-03-13 | Miasole | Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials |
| US7897020B2 (en) * | 2009-04-13 | 2011-03-01 | Miasole | Method for alkali doping of thin film photovoltaic materials |
| TW201042065A (en) * | 2009-05-22 | 2010-12-01 | Ind Tech Res Inst | Methods for fabricating copper indium gallium diselenide (CIGS) compound thin films |
| US9284639B2 (en) * | 2009-07-30 | 2016-03-15 | Apollo Precision Kunming Yuanhong Limited | Method for alkali doping of thin film photovoltaic materials |
| KR101072089B1 (ko) * | 2009-09-30 | 2011-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| US8709335B1 (en) | 2009-10-20 | 2014-04-29 | Hanergy Holding Group Ltd. | Method of making a CIG target by cold spraying |
| US8709548B1 (en) | 2009-10-20 | 2014-04-29 | Hanergy Holding Group Ltd. | Method of making a CIG target by spray forming |
| JP2011091229A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Kyocera Corp | 光電変換体の製造方法および光電変換装置の製造方法 |
| US20110162696A1 (en) * | 2010-01-05 | 2011-07-07 | Miasole | Photovoltaic materials with controllable zinc and sodium content and method of making thereof |
| TWI422045B (zh) * | 2010-07-08 | 2014-01-01 | Gcsol Tech Co Ltd | Ｃｉｇｓ太陽能電池製程之設備及方法 |
| JP5418463B2 (ja) * | 2010-10-14 | 2014-02-19 | 住友金属鉱山株式会社 | Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US8048707B1 (en) | 2010-10-19 | 2011-11-01 | Miasole | Sulfur salt containing CIG targets, methods of making and methods of use thereof |
| US9169548B1 (en) | 2010-10-19 | 2015-10-27 | Apollo Precision Fujian Limited | Photovoltaic cell with copper poor CIGS absorber layer and method of making thereof |
| US7935558B1 (en) | 2010-10-19 | 2011-05-03 | Miasole | Sodium salt containing CIG targets, methods of making and methods of use thereof |
| JP2012109558A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-06-07 | Kyocera Corp | 光電変換素子および光電変換装置ならびに光電変換素子の製造方法 |
| US10043921B1 (en) | 2011-12-21 | 2018-08-07 | Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. | Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof |
| US9130113B2 (en) | 2012-12-14 | 2015-09-08 | Tsmc Solar Ltd. | Method and apparatus for resistivity and transmittance optimization in TCO solar cell films |
| US9105799B2 (en) * | 2013-06-10 | 2015-08-11 | Tsmc Solar Ltd. | Apparatus and method for producing solar cells using light treatment |
| TWI502762B (zh) * | 2014-12-22 | 2015-10-01 | Ind Tech Res Inst | 化合物太陽能電池與硫化物單晶奈米粒子薄膜的製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4343881A (en) * | 1981-07-06 | 1982-08-10 | Savin Corporation | Multilayer photoconductive assembly with intermediate heterojunction |
| US4611091A (en) | 1984-12-06 | 1986-09-09 | Atlantic Richfield Company | CuInSe2 thin film solar cell with thin CdS and transparent window layer |
| JPH05218473A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ＣｄＳ／ＣｄＴｅ系太陽電池用ＣｄＳ膜の製造方法 |
| JP3249342B2 (ja) * | 1995-05-29 | 2002-01-21 | 昭和シェル石油株式会社 | ヘテロ接合薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| JPH09162429A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Japan Energy Corp | 光電変換素子の製造方法 |
| JP3681870B2 (ja) * | 1997-09-05 | 2005-08-10 | 松下電池工業株式会社 | 化合物半導体膜の製造方法および太陽電池 |
| JPH11121778A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 化合物半導体膜の製造方法および太陽電池 |
| JP3777280B2 (ja) * | 1999-09-07 | 2006-05-24 | 新光電気工業株式会社 | 化合物半導体太陽電池の製造方法 |
| JP4662616B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2011-03-30 | パナソニック株式会社 | 太陽電池 |
| AU2003275239A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-23 | Miasole | Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells |
-
2002
- 2002-06-07 JP JP2002203316A patent/JP4012957B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-05-07 AU AU2003234778A patent/AU2003234778A1/en not_active Abandoned
- 2003-05-07 WO PCT/JP2003/005681 patent/WO2003105241A1/ja active Application Filing
-
2004
- 2004-12-03 US US11/005,622 patent/US7141449B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2003234778A1 (en) | 2003-12-22 |
| WO2003105241A1 (ja) | 2003-12-18 |
| JP2004015041A (ja) | 2004-01-15 |
| US20050161076A1 (en) | 2005-07-28 |
| US7141449B2 (en) | 2006-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4012957B2 (ja) | 化合物薄膜太陽電池の製造方法 | |
| US6534704B2 (en) | Solar cell | |
| JP4055053B2 (ja) | 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| US5112410A (en) | Cadmium zinc sulfide by solution growth | |
| JP4471855B2 (ja) | カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP4264801B2 (ja) | 化合物薄膜太陽電池の製造方法 | |
| US20110287575A1 (en) | Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method | |
| KR101094326B1 (ko) | 태양전지용 Ｃｕ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｓｎ－（Ｓｅ，Ｓ）계 박막 및 이의 제조방법 | |
| JP5928612B2 (ja) | 化合物半導体太陽電池 | |
| WO2005109525A1 (ja) | カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP4110515B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP5564688B2 (ja) | Ｃｚｔｓ系半導体用ｃｂｄ溶液、ｃｚｔｓ系半導体用バッファ層の製造方法及び光電素子 | |
| JP4320529B2 (ja) | 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP4549570B2 (ja) | ヘテロ接合薄膜太陽電池の製造方法 | |
| US20110180135A1 (en) | Buffer layer manufacturing method and photoelectric conversion device | |
| JP2004047917A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2000332273A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2003258278A (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
| JP2003008039A (ja) | 化合物太陽電池の製造方法 | |
| TW201427054A (zh) | 光電變換元件及其製造方法、光電變換元件的緩衝層的製造方法與太陽電池 | |
| JP2831200B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP2000174306A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2012028650A (ja) | 光電素子及びその製造方法 | |
| JP3311286B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JPH07263735A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060718 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060914 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070807 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070809 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130921 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140921 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |