JP3900300B2 - 光電センサ用検出端モジュールおよび光電センサ - Google Patents

光電センサ用検出端モジュールおよび光電センサ Download PDF

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Description

この発明は、光電センサ用検出端モジュールおよび光電センサに関する。
光電センサには、反射型と透過型があり、反射型として拡散反射型、回帰反射型、距離設定型などが知られている。また、その外形形状は、角型、円柱型など様々な形状がある。
従来の反射型の光電センサとしては、プリント配線基板と、光電機能モジュールと、それらを保持するケースとを備えるものが知られている(例えば特許文献1参照)。プリント配線基板には、信号処理回路等の必要な電子回路や動作表示灯、外部電源と接続している接続ケーブル等が設けられている。光電機能モジュールは、三次元射出成形回路部品(MID)に投光素子であるLEDチップと受光素子であるフォトICとを実装してなるMIDパッケージと光学レンズとから構成される。
特開2000−322989号公報
しかしながら、従来、光電センサは、用途に応じた外形形状に適合させて光学レンズの配置やプリント配線基板が個別に設計されているため、外形形状の変更や、センサ機能の変更をするときには、初めから設計し直す必要がある。
また、光電センサは多品種のものが少量生産されているため、個別に設計された各製品の管理部品が多く、新機種を開発するときには、従前の機種と同様に多額の開発コストがかかっている。そこで、光電センサの汎用性を拡大することにより、設計を簡素化し、開発コストを低減することが要望されている。
この発明は、このような従来の問題点に着目して成されたものであり、その目的とするところは、設計を簡素化し、開発コストを低減することが可能な光電センサの調製方法を提供することにある。
また、この発明のより具体的な目的とするところは、様々な外形寸法及び出力形式を有する3種類の光電センサ(拡散反射型の光電センサ、回帰反射型の光電センサ、距離設定型の光電センサ)を製品化するについて、設計を簡素化し、開発コストを低減することが可能な光電センサの調製方法を提供することにある。
この発明のさらに他の目的並びに作用効果については、明細書の以下の記述を参照することにより、当業者であれば容易に理解されるであろう。
本発明の光電センサの調製方法においては、以下の手順を有する。先ず、拡散反射型、回帰反射型、及び距離設定型の各光電センサのそれぞれに対応する3種類の検出端モジュール(10,20,30)を予め用意する第1のステップと、前記3種類の検出端モジュールの中から、所望の種類の光電センサに対応する1の種類の検出端モジュールを選択する第2のステップと、前記選択された1の種類の検出端モジュールに対応し、かつ所望の出力形式に対応する出力段回路を構成する出力回路組立体(55,60)を用意する第3のステップと、前記選択された1の種類の検出端モジュール及び前記用意された出力回路組立体を別途用意されたセンサケース(51,61)に収容して所望の種類の光電センサを完成する第4のステップとを含む。
また、前記第1のステップで用意される3種類の検出端モジュールのそれぞれは、光軸方向と整合する軸心を有し、かつ3種類の検出端モジュールに共通な横断面輪郭形状を有する筒状ホルダ(12,22,32)を含む。
そして、用意される3種類の検出端モジュールの一つである拡散反射型の光電センサに対応する検出端モジュール(10)は、投光素子(13)と、投光素子の前面側に位置する投光レンズ部(11)と、拡散反射光を導入するための受光レンズ部(11)と、受光レンズ部を経て到来する拡散反射光を受光する受光素子を内蔵するフォトIC(15a)と、投光素子及びフォトICを搭載しかつ検知回路組立体を構成する検知回路基板(15)とを、所定の位置決め状態にて前記筒状ホルダ(12)により一体的に保持してなる。
また、用意される3種類の検出端モジュールの一つである回帰反射型の光電センサに対応する検出端モジュール(20)は、投光素(23)子と、投光素子の前面側に位置する偏光板付きの投光レンズ部(21,27)と、回帰反射光を導入するための偏光板付きの受光レンズ部(21,28)と、偏光板付きの受光レンズ部を経て到来する回帰反射光を受光する受光素子を内蔵するフォトIC(25a)と、投光素子及びフォトICを搭載しかつ検知回路組立体を構成する検知回路基板(25)とを、所定の位置決め状態にて前記筒状ホルダ(22)により一体的に保持してなる。
また、用意される3種類の検出端モジュールの一つである距離設定型の光電センサに対応する検出端モジュール(30)は、投光素子(33)と、投光素子の前面側に位置する投光レンズ部(31a)と、反射光を導入するための受光レンズ部(31b)と、受光レンズ部を経て到来する反射光を受光する受光素子(35b)と通ずるフォトIC(35a)と、投光素子及びフォトICを搭載しかつ検知回路組立体を構成する検知回路基板(35)とを、所定の位置決め状態にて前記筒状ホルダ(32)により一体的に保持してなる。
そして、前記センサケース(51,61)には、前記筒状ホルダの横断面輪郭形状に対応する内周輪郭を有する凹所が形成されており、さらに前記フォトIC(15a,25a,35a)には、受光信号に応じて制御出力信号を光電センサの物体検知信号として外部へと出力する信号処理回路(113)が内蔵されると共に、前記検知回路組立体を構成する検知回路基板(15,25,35)には、フォトICに接続される端子として、安定表示灯端子(SB5)と、動作表示灯端子(SB9)と、制御出力端子(SB10)と、センサ電源端子(SB6)と、GND端子(SB13)とが少なくとも設けられている。
そして、前記3種類の検出端モジュールの1つを選択しかつ検知回路基板から出力される物体検知信号を適宜に利用して出力段回路を構成することにより、同一のセンサケースのままで、新たに光学系の設計を要することなく、前記3種類の光電センサのうちの所望の種類の光電センサを任意に調製できるように構成したことを特徴とする。
本発明の実施形態においては、前記筒状ホルダ(12,22,32)における3種類の検出端モジュールに共通な横断面輪郭形状が、軸心を挟んで対向する一対の円弧部分と、それらの円弧部分を結ぶ互いに平行な一対の直線部分とを有し、それにより、矩形ケースと円筒ケースとに前記筒状ホルダを共用できるように構成したことを特徴とする。
本発明の実施の形態においては、前記フォトIC(15a,25a,35a)に内蔵される信号処理回路(113)には、自己診断回路、信号の入力に基づき自己診断回路を作動させるか否かを選択する回路、オフディレイタイマを設定する回路、センサへの入光時にセンサが物体検知の出力を行うライトON動作と、センサへの遮光時にセンサが物体検知の出力を行うダークON動作の切り替えを行う回路、受光量に対する感度を調整するメインアンプ回路と、受光量を出力するプリアンプ回路、投光素子に流れる投光電流を調整する回路、投光素子の駆動を停止する回路のいずれかを含み、検知回路組立体は、さらに自己診断選択端子(SB4)、自己診断出力端子(SB8)、オフディレイタイマ時間設定端子(SB11)、ライトON/ダークON切替端子(SB12)、メインアンプ入力端子(SB14)、およびプリアンプ出力端子(SB15)、外部診断入力端子(SB1)、投光電流調整端子(SB2)のいずれかを含んでおり、上記いずれかの端子を適宜に利用して出力段回路を構成することにより、前記回路を動作させる機能を含めるか否かを任意に調製できるように構成したことを特徴とする。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、光学組立体と検知回路組立体とが一体にモジュール化され、光学組立体と検知回路組立体とが一旦設計されれば、様々な外形形状に対応することができる。光学組立体は設計に手間がかかるので、これにより設計の簡素化を実現し、開発コストを低減できる。また、検知回路組立体を検知回路組立体が有する各端子を介して出力段回路と接続することにより、様々なセンサ機能を実現することができる。このように様々な仕様の光電センサに対して共通部品を使用することで、部品の集約化を推進して、豊富な品揃えを維持しつつ、製造コストの低減化を図ることが可能になるという利点を有する。
以下に、この発明の光電センサの好適な実施の一形態を添付図面を参照しながら詳細に説明する。尚、以下に説明する実施の形態は、本発明の一例を示すものに過ぎず、本発明の要旨とするところは、特許請求の範囲の記載によってのみ規定されるものである。
本実施形態の光電センサは、光学組立体と、検知回路組立体と、出力回路組立体と、ケースとから構成されている。光学組立体と検知回路組立体とにより、検出端モジュール(以下、単にモジュールと称す)が構成される。以下に、4タイプのモジュールを説明する。
拡散反射型モジュールの外観斜視図が図1に示されている。拡散反射型モジュール10は、図2および図3に示されるように、レンズ11と、ホルダ12と、LED13と、ブシュ14と、HIC(Hybrid Integrated Circuit)基板15と、プレートシールド16とを備えている。レンズ11は超音波ウェルダによりホルダ12に溶着されている。LED13はホルダ12に圧入され、LEDリード部13aはブシュ14を貫通してHIC基板15に半田付けされている。
HIC基板15のフォトIC15a上には、プレートシールド16が装着されている。これにより、フォトIC15aに対する外部からの電磁ノイズの悪影響を排除することができる。プレートシールド16の上面はホルダ12底部の四角の突起部(図示しない)に位置合わせして装着されている。レンズ11は、上面が平坦であり、図3(b)に示すように、それぞれ下に凸の投光レンズと受光レンズとが一体に形成されている。
回帰反射型モジュールの外観斜視図が図4に示されている。回帰反射型モジュール20は、図5および図6に示されるように、レンズ21と、ホルダ22と、LED23と、HIC基板25と、プレートシールド26と、投光側偏光板27と、受光側偏光板28とを備えている。レンズ21は超音波ウェルダによりホルダ22に溶着されている。LED23はホルダ22に圧入され、LEDリード部23aはHIC基板25に半田付けされている。
HIC基板25のフォトIC25a上には、プレートシールド26が装着されている。これにより、フォトIC25aに対する外部からの電磁ノイズの悪影響を排除することができる。プレートシールド26の上面はホルダ22底部の四角の突起部(図示しない)に位置合わせして装着されている。レンズ21は、上面が略平坦でそれぞれ下に凸の投光レンズと受光レンズとが一体に形成されている。レンズ右半分(投光側)には、図6(b)に示すように、投光側偏光板27が貼付され、レンズ左半分(受光側)には、受光側偏光板28が貼付されている。
距離設定型(BGS/FGS)モジュールの外観斜視図が図7に示されている。距離設定型モジュール30は、図8および図9に示されるように、投光レンズ31aと、受光レンズ31bと、ホルダ32と、LED33と、HIC基板35と、下部プレートシールド36aと、上部プレートシールド36bとを備えている。投光レンズ31aは超音波ウェルダによりホルダ32に溶着されている。LED33はホルダ32に圧入され、LEDリード部33aはHIC基板35に半田付けされている。
HIC基板35の下部に設けられたフォトIC35aには、下部プレートシールド36aが装着されている。これにより、フォトIC35aに対する外部からの電磁ノイズの悪影響を排除することができる。HIC基板35の上部に設けられた2分割フォトダイオード35bには、上部プレートシールド36bが装着されている。これにより、2分割フォトダイオード35bに対する外部からの電磁ノイズの悪影響を排除することができる。プレートシールド36bの上面はホルダ32底部の四角の突起部(図示しない)に位置合わせして装着されている。
投光レンズ31aおよび受光レンズ31bは、図9(b)に示すように、それぞれ上に凸であるように形成されている。ホルダ32上の投光レンズ31aおよび受光レンズ31bのセット位置の間には間仕切り32aが形成されている。受光レンズ31bを取り付ける際には、図示しないアライメント治具に受光レンズ31bをセットし、距離設定型モジュール30に通電した状態で所定の距離に設定された検出物体からの反射光に対して、2分割フォトダイオードにおけるNear側受光部とFar側受光部の出力が同じとなるような位置に受光レンズ31bを位置あわせした状態で受光レンズ31bをホルダ32に紫外線硬化型樹脂により接着する。
透過型モジュール(受光器)の外観斜視図が図10に示されている。受光器40は、図11に示されるように、受光レンズ41と、ホルダ42と、HIC基板45と、プレートシールド46とを備えている。受光レンズ41は超音波ウェルダによりホルダ42に溶着されている。HIC基板45のフォトIC45aには、プレートシールド46が装着され、プレートシールド46の上面はホルダ42底部の四角の突起部(図示しない)に位置合わせして装着されている。受光レンズ41は、上面が平坦であり、下に凸に形成されている。
上記4種類のモジュールは、出力回路組立体と共にケースに保持され、光電センサを構成する。光電センサのケースは種々の形状に構成することができる。例として、矩形ケースと円筒ケースが図12および図13に示されている。矩形ケースは、図12に示されるように、ベース51と、サイドカバー52と、上部カバー53と、下部カバー54とを備えている。モジュール50は、出力回路組立体55と共に矩形ケースに保持され、矩形ケース型光電センサを形成する。円筒ケースは、図13に示されるように、ケース本体61と、ケースレンズ62と、キャップ部63と、ベース64とを備えている。円筒ケース型光電センサは、出力回路組立体60とモジュール50とが装着されたベース64がケース本体61に格納され、ケース本体61にキャップ部63とケースレンズ62とが装着されて成る。モジュール50は、拡散反射型、回帰反射型、距離設定型、および透過型のいずれであってもよい。矩形ケースに収納される出力回路組立体55、及び円筒ケースに収納される出力回路組立体60は、モジュール50の型式に適合させたものであり、後に詳述するように、1つのモジュールに対して様々な出力回路組立体を組み合わせることにより、種々の機能を有する光電センサを実現することができる。
次に、モジュールの電気的ハードウェア構成を説明する。拡散反射型モジュール10を構成するHIC基板15(検知回路組立体)の回路図が図14に示されている。なお、この検知回路組立体15の回路図は、回帰反射型モジュール20を構成するHIC基板25(検知回路組立体)の回路図と同一である。
検知回路組立体15には15個の端子SB1〜SB15とフォトIC15aが設けられている。端子SB1は、外部診断用端子であり、フォトIC15aの21番ピンに接続されている。端子SB2は、投光電流調整端子であり、抵抗R1を介してトランジスタTR1のベースに、抵抗R2を介してトランジスタTR1のエミッタに、それぞれ接続されている。トランジスタTR1のベースは、フォトIC15aの21番ピンに接続されている。トランジスタTR1のコレクタは投光LED(D1)のカソードに接続され、投光LED(D1)のアノードは端子SB3に接続されている。端子SB3は投光LED用電源電圧(VCC)端子である。
端子SB4は自己診断選択端子であり、フォトIC15aの31番ピンに接続されている。端子SB5は安定表示灯端子であり、フォトIC15aの26番ピンに接続されている。端子SB6はセンサ電源端子であり、フォトIC15aの25番ピンに接続されている。端子SB7は内部電源端子であり、フォトIC15aの23番ピンおよび8番ピンに接続されている。端子SB8は自己診断出力端子であり、フォトIC15aの19番ピンに接続されている。端子SB9は動作表示灯端子であり、フォトIC15aの18番ピンに接続されている。端子SB10は制御出力端子であり、フォトIC15aの17番ピンに接続されている。
端子SB11はタイマ時間設定端子であり、フォトIC15aの14番ピンに接続されている。端子SB12はライトON/ダークON切替端子であり、フォトIC15aの32番ピンに接続されている。端子SB13はGND端子であり、フォトIC15aの33番ピンに接続されると共に、抵抗R3を介してフォトIC15aの30番ピンに接続されている。端子SB13はコンデンサC1を介して端子SB7に接続されている。端子SB14はメインアンプ入力端子であり、コンデンサC2を介してフォトIC15aの9番ピンに接続されている。端子SB15はプリアンプ出力端子であり、ICの7番ピンに接続されている。
検知回路組立体15に設けられたフォトIC15aの内部構成図が図15および図16に示されている。フォトIC15aは、投光駆動回路101と、自己診断/入光表示設定部102と、自己診断/入光表示出力部103と、定電圧回路104と、制御出力部105と、オフディレイタイマ設定部106と、動作モード切替部107と、メインアンプ108と、ヒステリシス設定回路109と、発振回路110と、BGSメインアンプ111と、BGSヒステリシス設定回路112と、内蔵受光素子PD2と、信号処理回路113とを備えている。BGSメインアンプ111と、BGSヒステリシス設定回路112は、距離設定型モジュールとして機能させる場合に用いる。
投光駆動回路101は、21番ピンに接続されている。自己診断/入光表示設定部102は、31番ピンに接続されている。自己診断/入光表示出力部103は19番ピンおよび20番ピンに接続されている。定電圧回路104は、25番ピンおよび23番ピンに接続され、IC15a内部に安定電圧を供給する。制御出力部105は、17番ピンおよび18番ピンに接続されている。オフディレイタイマ設定部106は14番ピンに接続されている。動作モード切替部107は32番ピンに接続されており、ライトON/ダークON切替を行う。
メインアンプ108は9番ピンに接続されている。内蔵受光素子PD2のカソードはコンデンサC10を介してオペアンプOP1の+端子に入力し、オペアンプOP1の出力端子は7番ピンに接続されている。光量禁止アンプOP2の入力端子はコンデンサC11を介して2番ピンに接続され、光量禁止アンプOP2の出力端子は6番ピンに接続されている。信号処理回路113は26番ピン、27番ピンおよび29番ピンに接続されている。差動アンプOP3の入力端子はコンデンサC12,C11を介して1番ピンと2番ピンに接続され、差動アンプOP3の出力端子は4番ピンに接続される。BGSメインアンプ111は5番ピンに接続され、BGSヒステリシス設定回路112は、10番ピンに接続される。なお、拡散反射型モジュールのフォトIC15aの場合、1番ピン〜6番ピン、10番ピンなどは不要であるため用いず、拡散反射型モジュールに必要なピンのみ検出回路組立体15において接続する。
検知回路組立体15は、フォトIC15aの動作により、自己診断機能、タイマ時間設定機能、ライトON/ダークON切替機能、受光量の感度調整機能、外部診断機能、投光電流調整機能等を果たすべく構成されている。なお、自己診断機能は、入光量状態を単独または組合せにて出力する機能であり、外部診断機能を選択するときには投光をやめる。
次に、距離設定型モジュール30を構成するHIC基板35(検知回路組立体)の回路図が図17に示されている。検知回路組立体35には15個の端子SB1〜SB15とフォトIC35aが設けられている。フォトIC35aは拡散反射型モジュールのフォトIC15aと同様のものである。ただしフォトIC15aにおいて、距離設定型モジュールに必要でないピンは用いない。
端子SB1は、投光LED駆動用端子であり、ICの21番ピンに接続されている。端子SB2は、投光電流調整端子であり、端子SB3は投光LED用電源電圧(VCC)端子である。端子SB2は、投光LED(D2)のカソードに接続され、投光LED(D2)のアノードは端子SB3に接続されている。
端子SB4はセンサ電源端子であり、ICの25番ピンに接続されている。端子SB5は接続されていない。端子SB6はタイマ時間設定端子であり、ICの14番ピンに接続されている。端子SB7はプリアンプ出力端子であり、ICの6番ピンに接続されている。端子SB8は動作表示灯端子であり、ICの18番ピンに接続されている。端子SB9はGND端子であり、ICの33番ピンに接続されると共に、抵抗R4を介してICの30番ピンに接続されている。端子SB10は制御出力端子であり、ICの17番ピンに接続されている。
端子SB11はメインアンプ入力端子であり、コンデンサC3を介してICの9番ピンに接続されている。端子SB12はライトON/ダークON切替端子であり、ICの32番ピンに接続されている。端子SB13は安定表示灯端子であり、ICの26番ピンに接続されている。端子SB14は内部電源端子であり、ICの23番ピンおよび8番ピンに接続されている。端子SB14はコンデンサC4を介して端子SB9(GND)に接続されている。端子SB15はBGS(距離設定型の中で背景物体を検出しないタイプ)/FGS(距離設定型の中で手前側を検出しないタイプ)(後で詳細に説明する)切替端子であり、ICの29番ピンに接続されている。
なお、フォトIC35aの1番ピンおよび2番ピンには、外付けの2分割フォトダイオードPD1のアノードが接続され、2分割フォトダイオードPD1のカソードはコンデンサC5を介して端子SB9(GND)に接続されている。なお、2分割フォトダイオードPD1は、Near側受光部とFar側受光部に2分割されている。なお、7番ピンは、内蔵受光素子PD2に接続されるピンであるため、このような距離設定型モジュールの場合に不要であるピンは用いず、距離設定型モジュールに必要なピンのみ検出回路組立体35において接続する。図9に戻って、2分割フォトダイオード35bはHIC基板35の上部に設けられ、フォトIC35aはHIC基板35bの下部に設けられ、互いにHIC基板35のスルーホールを介して電気的に接続されている。
検知回路組立体35は、フォトIC35aの動作により、BGS/FGS切替機能、タイマ設定機能、ライトON/ダークON切替機能、受光量の感度調整機能、投光電流調整機能等を果たすべく構成されている。
透過型光電モジュール40(受光器)を構成するHIC基板45(検知回路組立体)の回路図が図18に示されている。検知回路組立体45には15個の端子SB1〜SB15とフォトIC45aとが設けられている。フォトIC45aは、拡散反射型モジュールのフォトIC15aと同様のものである。検知回路組立体45は、端子SB1〜SB3が接続されていない点を除いて、拡散反射型光電モジュールの検知組立体15と基本的に同一の構成である。
拡散反射型モジュール10の全機能を使用するべく、検知回路組立体15に接続される出力回路組立体10bの回路図が図19に示されている。出力回路組立体10bは、検知回路組立体15の端子に対応して端子SB1〜SB15を備えている。
外部診断入力端子T1は、抵抗R5を介してトランジスタTR2のベースに接続されている。トランジスタTR2のコレクタは端子SB1に接続されている。トランジスタTR2のエミッタは端子SB13(GND)に接続されている。センサ電源端子T2は電源回路201の入力端子に接続され、電源回路201の出力端子は端子SB6に接続されている。センサ電源端子T2は抵抗R6を介して端子SB3に接続されている。
安定表示灯D3のアノードは電源回路201の出力端子に接続され、安定表示灯D3のカソードは抵抗R7を介して端子SB5に接続されている。動作表示灯D4のアノードは電源回路201の出力端子に接続され、動作表示灯D4のカソードは端子SB9に接続されている。IC202の入力端子は端子SB10に接続され、IC202のPNP出力端子とNPN出力端子とは、スイッチSWを介して制御出力端子T4に接続されている。ICはセンサ電源端子T2および端子SB13に接続する端子が設けられている。
安定表示灯は、センサの動作状態が安定動作状態にあるか否かを表示する機能を有し、具体的には、受光信号の信号レベルを所定の闘値と比較し、結果が所定の範囲内であれば、安定表示灯を点灯する。尚、安定動作の定義はこの態様に限定されるものではない。
動作表示灯は、物体検知の有無を表示する機能を有するものであり、又、受光信号の有無(受光素子への入光の有無)を示す入光表示灯として機能させることもできる。
自己診断出力端子T3は、トランジスタTR3のコレクタに接続されている。トランジスタTR3のベースは端子SB8に接続されている。トランジスタTR3のエミッタは抵抗R8を介して端子SB13(GND)に接続されている。ライトON/ダークON切替端子T5は抵抗R9を介してトランジスタTR4のベースに接続されている。トランジスタTR4のエミッタは端子SB13(GND)に接続されている。トランジスタTR4のコレクタは、端子SB12に接続されると共に、抵抗R10を介して端子SB7に接続されている。端子SB7は端子SB4に接続されている。
自己診断機能は、センサの動作状態が安定動作状態にあるか否かを自ら診断し、その結果を外部へ出力する機能である。具体的には、受光信号の信号レベルを所定の闘値と比較し、結果が所定の範囲内であれば、自己診断出力を行う態様が考えられるが、これに限定されるものではない。
コンデンサC5は端子SB11と端子SB13の間に接続されている。可変抵抗R11は両端がそれぞれ端子SB15およびSB13に接続され、分圧端子VRが端子SB14に接続されている。端子SB2は抵抗R12を介して端子SB13およびGND端子T6に接続されている。
拡散反射型モジュール10と出力回路組立体10bとで構成される光電センサは、自己診断機能、タイマ設定機能、ライトON/ダークON切替機能、受光量の感度調整機能、外部診断機能、投光電流調整機能等を備えている。
自己診断機能は、端子SB4の電位を変更することにより選択することができる。すなわち、端子SB4の電位をGNDとすることにより入光表示がなされ、端子SB4をOPEN又はVccとすることにより自己診断なしとされる。また、端子SB4をIC内部安定電圧Vrefとすることにより自己診断ありとされる。これに伴って、自己診断なしの場合、端子SB8はOPENとする。
タイマ設定機能は、コンデンサC5の容量に基づいてオフディレイタイマ時間を設定できるものであり、コンデンサC5の容量を変更することにより、オフディレイタイマ時間を変更することができる。
ライトON/ダークONは、端子SB12の電位を変更することにより切り替えられる。すなわち、端子SB12をGNDにすることによりダークONとなり、端子SB12をOPENにするか、IC内部安定電圧VrefとすることによりライトONとなる。
受光量の感度調整機能は、メインアンプ入力端子、およびプリアンプ出力端子に接続される感度調整回路により受光量の感度調整を行うものであり、可変抵抗R11の値を変更することにより、受光感度を調整することができる。
外部診断機能は、端子SB1の電位を変更することにより選択することができる。すなわち、端子SB1の電位をGNDとすることにより投光を停止し、端子SB1をOPENとすることにより投光する。
投光電流調整機能は、抵抗R12の抵抗値により投光電流を調整し、その結果、検出距離を可変することができるものであり、抵抗R12の抵抗値を変更することにより投光電流を調整できる。
出力回路組立体10bは、スイッチSWをIC202のPNP出力端子に切り替えることにより、制御出力をPNP出力とすることができ、スイッチSWをNPN出力端子に切り替えることにより、制御出力をNPN出力とすることができる。IC202はPNP型トランジスタとNPN型トランジスタとが集積されたICである。従って、出力回路組立体10bは、PNP出力とNPN出力とを共用するので、部品の集約化を推進し、製造コストの低減化を図ることが可能となる。
拡散反射型モジュール10の一部の機能(機能A)を使用するべく、検知回路組立体15に接続される出力回路組立体10cの回路図が図20に示されている。出力回路組立体10cは、検知回路組立体15の端子に対応して端子SB1〜SB15を備えている。この出力回路組立体10cは、拡散反射型モジュールの全機能を使用するタイプの出力回路組立体10bと基本的に同一の構成なので、異なる点のみ説明する。
この出力回路組立体10cは、外部診断機能、自己診断機能、タイマ設定機能を使用しない。端子SB4は入光表示灯の機能を働かせるため、端子SB4は端子SB13に接続されており、端子SB1およびSB11は接続されていない。動作表示灯D4を入光表示灯の機能として働かせるため、動作表示灯D4のアノードは電源回路201の出力端子に接続され、動作表示灯D4のカソードは抵抗R13を介してトランジスタTR5のコレクタに接続されている。トランジスタTR5のベースは端子SB8に接続され、トランジスタTR5のエミッタは抵抗R14を介して端子SB13に接続されている。これにより、端子SB8の出力状態により、動作表示灯D4の状態を変化させ、入光表示灯の機能として働かせることができる。
拡散反射型モジュール10と出力回路組立体10cとで構成される光電センサは、ライトON/ダークON切替機能、受光量の感度調整機能、投光電流調整機能等を備えている。
拡散反射型モジュール10の一部の機能(機能B)を使用するべく、検知回路組立体15に接続される出力回路組立体10dの回路図が図21に示されている。出力回路組立体10dは、検知回路組立体15の端子に対応して端子SB1〜SB15を備えている。この出力回路組立体10dは、拡散反射型モジュールの全機能を使用するタイプの出力回路組立体10bと基本的に同一の構成であり、外部診断機能、自己診断機能、タイマ設定機能を使用しない。そのため、端子SB1,SB4,SB8,SB11は接続されていない。拡散反射型モジュール10と出力回路組立体10dとで構成される光電センサは、ライトON/ダークON切替機能、受光量の感度調整機能、投光電流調整機能等を備えている。
なお、出力回路組立体10b〜10dは、回帰反射型モジュール20の検知回路組立体25(拡散反射型モジュールの検知回路組立体15)にも使用することができる。また、透過型光電モジュール40(受光器)の検知回路組立体45に対しても使用することができる。
距離設定型モジュール30の全機能を使用するべく、検知回路組立体35に接続される出力回路組立体30bの回路図が図22に示されている。出力回路組立体30bは、検知回路組立体35の端子に対応して端子SB1〜SB15を備えている。
ライトON/ダークON切替端子T11は、抵抗R15を介してトランジスタTR6のベースに接続されている。トランジスタTR6のコレクタは端子SB12に接続されると共に、抵抗R16を介して端子SB14に接続されている。トランジスタTR6のエミッタは端子SB9(GND)に接続されている。
BGS/FGS切替端子T12は、抵抗R17を介してトランジスタTR7のベースに接続されている。トランジスタTR7のコレクタは端子SB15に接続されると共に、抵抗R18を介して端子SB14に接続されているトランジスタTR7のエミッタは端子SB9(GND)に接続されている。
センサ電源端子T13は電源回路301の入力端子に接続されている。電源回路301の出力端子は端子SB4に接続されると共に、抵抗R19を介して端子SB3に接続されている。安定表示灯D5のアノードは電源回路301の出力端子に接続され、安定表示灯D5のカソードは抵抗R20を介して端子SB13に接続されている。動作表示灯D6のアノードは電源回路301の出力端子に接続され、動作表示灯D6のカソードは端子SB8に接続されている。
IC302の入力端子は端子SB10に接続され、IC302のPNP出力端子とNPN出力端子とは、スイッチSWを介して制御出力端子T14に接続されている。IC302はセンサ電源端子T13および端子SB9に接続する端子が設けられている。トランジスタTR8のコレクタは端子SB2に接続され、ベースは端子SB1に接続され、エミッタは抵抗R21を介して端子SB9(GND)に接続されている。コンデンサC6は端子SB6と端子SB9の間に接続されている。端子SB7,SB11は抵抗R22を介して端子SB9およびGND端子T15に接続されている。端子SB5は接続されていない。
距離設定型モジュール30と出力回路組立体30bとで構成される光電センサは、BGS/FGS切替機能、タイマ設定機能、ライトON/ダークON切替機能、受光量の感度調整機能、投光電流調整機能等を備えている。
BGS(Background Suppression)は設定距離よりも背景側を検出しない(OFF)機能を、FGS(Foreground Suppression)は設定距離よりも手前側を検出しない(OFF)機能をそれぞれ示している。
BGS/FGS切替機能は、端子SB15の電位を変更することにより切り替えることができる。すなわち、端子SB15の電位をGNDとすることによりFGSとし、端子SB15をIC内部安定電圧VrefとすることによりBGSとする。また、タイマ設定機能は、コンデンサC6の数値を変更するものであり、これにより、オフディレイタイマ時間を変更することができる。
距離設定型モジュール30の一部の機能を使用するべく、検知回路組立体35に接続される出力回路組立体30cの回路図が図23に示されている。この出力回路組立体30cは、距離設定型モジュール30の全機能を使用するタイプの出力回路組立体30bと基本的に同一の構成なので、異なる点のみ説明する。
ライトON/ダークON切替端子T11は、抵抗R15を介してトランジスタTR6のベースに接続されている。トランジスタTR6のコレクタは端子SB12に接続されると共に、抵抗R16を介して端子SB14,SB15に接続されている。トランジスタTR6のエミッタは端子SB9(GND)に接続されている。出力回路組立体30cはBGS/FGS切替機能、およびタイマ設定機能を使用しない。また、端子SB5,SB6は接続されていない。
距離設定型モジュール30と出力回路組立体30cとで構成される光電センサは、ライトON/ダークON切替機能、受光量の感度調整機能、投光電流調整機能等を備えている。
以上説明したように、本実施形態の光電センサ用検出端モジュールに、種々の出力回路組立体を組み合わせることにより、1つのモジュールに対して種々の機能を有する光電センサを実現することができる。また、光学組立体と検知回路組立体をモジュール化したので、種々の外形形状のケースに適合させることができる。これにより、部品を集約化し、豊富な品揃えを維持しつつ、製造コストの低減化を図ることが可能になる。
上記実施形態では、拡散反射型、回帰反射型、距離設定型、透過型の光電センサとしたが、本発明はその他の型式の光電センサに適用するようにしてもよい。
拡散反射型モジュールの外観斜視図である。 拡散反射型モジュールの分解斜視図である 拡散反射型モジュールの内部構造を示す図である 回帰反射型モジュールの外観斜視図である。 回帰反射型モジュールの分解斜視図である 回帰反射型モジュールの内部構造を示す図である 距離設定型モジュールの外観斜視図である。 距離設定型モジュールの分解斜視図である 距離設定型モジュールの内部構造を示す図である 透過型モジュールの外観斜視図である。 透過型モジュールの分解斜視図である。 矩形ケース型光電センサの分解斜視図である。 円筒ケース型光電センサの分解斜視図である。 回帰型・拡散型モジュールの検知回路組立体の回路図である。 フォトICの内部構成図(左半分)である。 フォトICの内部構成図(右半分)である。 距離設定型モジュールの検知回路組立体の回路図である。 透過型の受光器の検知回路組立体の回路図である。 回帰型・拡散型モジュールに接続される出力回路組立体の回路図(全機能)である。 回帰型・拡散型モジュールに接続される出力回路組立体の回路図(機能A)である。 回帰型・拡散型モジュールに接続される出力回路組立体の回路図(機能B)である。 距離設定型モジュールに接続される出力回路組立体の回路図(全機能)である。 距離設定型モジュールに接続される出力回路組立体の回路図(一部機能)である。
符号の説明
10 拡散反射型光電モジュール
10b 出力回路組立体
10c 出力回路組立体
10d 出力回路組立体
11 レンズ
12 ホルダ
13 LED
13a LEDリード部
14 ブシュ
15 HIC基板
15a フォトIC
16 プレートシールド
20 回帰反射型光電モジュール
21 レンズ
22 ホルダ
23 LED
23a LEDリード部
25 HIC基板
25a フォトIC
26 プレートシールド
27 投光側偏光板
28 受光側偏光板
30 距離設定型光電モジュール
30b 出力回路組立体
30c 出力回路組立体
31a 投光レンズ
31b 受光レンズ
32 ホルダ
32a 間仕切り
33 LED
33a LEDリード部
35 HIC基板
35a フォトIC
35b 2分割フォトダイオード
36a 下部プレートシールド
36b 上部プレートシールド
40 受光器
41 受光レンズ
42 ホルダ
45 HIC基板
45a フォトIC
46 プレートシールド
50 モジュール
51 ベース
52 サイドカバー
53 上部カバー
54 下部カバー
55 出力回路組立体
60 出力回路組立体
61 ケース本体
62 ケースレンズ
63 キャップ部
64 ベース
101 投光駆動回路
102 自己診断/入光表示設定部
103 自己診断/入光表示出力部
104 定電圧回路
105 制御出力部
106 オフディレイタイマ設定部
107 動作モード切替部
108 メインアンプ
109 ヒステリシス設定回路
110 発振回路
111 BGSメインアンプ
112 BGSヒステリシス設定回路
113 信号処理回路
201 電源回路
202 IC
301 電源回路
303 IC

Claims (3)

  1. 拡散反射型、回帰反射型、及び距離設定型の各光電センサのそれぞれに対応する3種類の検出端モジュール(10,20,30)を予め用意する第1のステップと、
    前記3種類の検出端モジュールの中から、所望の種類の光電センサに対応する1の種類の検出端モジュールを選択する第2のステップと、
    前記選択された1の種類の検出端モジュールに対応し、かつ所望の出力形式に対応する出力段回路を構成する出力回路組立体(55,60)を用意する第3のステップと、
    前記選択された1の種類の検出端モジュール及び前記用意された出力回路組立体を別途用意されたセンサケース(51,61)に収容して所望の種類の光電センサを完成する第4のステップとを含み、
    前記第1のステップで用意される3種類の検出端モジュールのそれぞれは、光軸方向と整合する軸心を有し、かつ3種類の検出端モジュールに共通な横断面輪郭形状を有する筒状ホルダ(12,22,32)を含み、
    前記拡散反射型の光電センサに対応する検出端モジュール(10)は、投光素子(13)と、投光素子の前面側に位置する投光レンズ部(11)と、拡散反射光を導入するための受光レンズ部(11)と、受光レンズ部を経て到来する拡散反射光を受光する受光素子を内蔵するフォトIC(15a)と、投光素子及びフォトICを搭載しかつ検知回路組立体を構成する検知回路基板(15)とを、所定の位置決め状態にて前記筒状ホルダ(12)により一体的に保持してなり、
    前記回帰反射型の光電センサに対応する検出端モジュール(20)は、投光素子(23)と、投光素子の前面側に位置する偏光板付きの投光レンズ部(21,27)と、回帰反射光を導入するための偏光板付きの受光レンズ部(21,28)と、偏光板付きの受光レンズ部を経て到来する回帰反射光を受光する受光素子を内蔵するフォトIC(25a)と、投光素子及びフォトICを搭載しかつ検知回路組立体を構成する検知回路基板(25)とを、所定の位置決め状態にて前記筒状ホルダ(22)により一体的に保持してなり、
    前記距離設定型の光電センサに対応する検出端モジュール(30)は、投光素子(33)と、投光素子の前面側に位置する投光レンズ部(31a)と、反射光を導入するための受光レンズ部(31b)と、受光レンズ部を経て到来する反射光を受光する2分割受光素子(35b)と、2分割受光素子(35b)に通ずるフォトIC(35a)と、投光素子、2分割受光素子及びフォトICを搭載しかつ検知回路組立体を構成する検知回路基板(35)とを、所定の位置決め状態にて前記筒状ホルダ(32)により一体的に保持してなり、
    前記センサケース(51,61)には、前記筒状ホルダの横断面輪郭形状に対応する内周輪郭を有する凹所が形成されており、さらに
    前記フォトIC(15a,25a,35a)には、受光信号に応じて制御出力信号を光電センサの物体検知信号として外部へと出力する信号処理回路(113)が内蔵されると共に、前記検知回路組立体を構成する検知回路基板(15,25,35)には、フォトICに接続される端子として、安定表示灯端子(SB5)と、動作表示灯端子(SB9)と、制御出力端子(SB10)と、センサ電源端子(SB6)と、GND端子(SB13)とが少なくとも設けられており、
    それにより、前記3種類の検出端モジュールの1つを選択するだけで、完成される光電センサの種別が決定されるように構成したことを特徴とする光電センサの調製方法。
  2. 前記筒状ホルダ(12,22,32)における3種類の検出端モジュールに共通な横断面輪郭形状が、軸心を挟んで対向する一対の円弧部分と、それらの円弧部分を結ぶ互いに平行な一対の直線部分とを有し、
    それにより、矩形ケースと円筒ケースとに前記筒状ホルダを共用できるように構成したことを特徴とする請求項1に記載の光電センサの調製方法。
  3. 前記フォトIC(15a,25a,35a)に内蔵される信号処理回路(113)には、
    自己診断回路、信号の入力に基づき自己診断回路を作動させるか否かを選択する回路、オフディレイタイマを設定する回路、センサへの入光時にセンサが物体検知の出力を行うライトON動作と、センサへの遮光時にセンサが物体検知の出力を行うダークON動作の切り替えを行う回路、受光量に対する感度を調整するメインアンプ回路と、受光量を出力するプリアンプ回路、投光素子に流れる投光電流を調整する回路、投光素子の駆動を停止する回路のいずれかを含み、
    検知回路組立体は、さらに自己診断選択端子(SB4)、自己診断出力端子(SB8)、オフディレイタイマ時間設定端子(SB11)、ライトON/ダークON切替端子(SB12)、メインアンプ入力端子(SB14)、およびプリアンプ出力端子(SB15)、外部診断入力端子(SB1)、投光電流調整端子(SB2)のいずれかを含んでおり、
    上記いずれかの端子を適宜に利用して出力段回路を構成することにより、前記回路を動作させる機能を含めるか否かを任意に決定できるように構成したことを特徴とする請求項1に記載の光電センサの調製方法。
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