JP2021034674A - 光学式センサ - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子から受光素子へ直接入射される光の影響を受けず、検出物の検出を正しく行うことが可能であり、安価で簡易な構成の光学式センサを提供する。【解決手段】光を出射する発光素子１０１と、検出物が通過する空間１１０を介して発光素子１０１からの光を受光する受光素子１０３と、電子回路素子１０２とを備え、発光素子１０１からの光を空間１１０にて検出物が遮ることにより検出物の検出を行う光学式センサであって、発光素子１０１、電子回路素子１０２、受光素子１０３は、基板１０４の同一面上に実装され、電子回路素子１０２は、基板１０４の実装面において、発光素子１０１と受光素子１０３の間に配置されている。【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子と受光素子を用いて検出物の検出を行う光学式センサに関する。

従来の光学式センサとしての透過型のフォトインタラプタは、ＬＥＤなどの発光素子とフォトトランジスタなどの受光素子を用いて、前記発光素子と前記受光素子の間を検出物が通過する時に光を遮ることを検知し、検出物の検出を行う。

特許文献１に開示された透過型のフォトインタラプタは、基板の同一面上に面実装タイプの発光素子と受光素子を実装し、それらの素子が実装された基板に、内部に反射面を有する筐体を組み付けたものである。そして、発光素子から垂直方向に出射された光は、筐体の反射面で２回反射され、垂直方向から受光素子に入射される構成となっている。

このような光学式センサにおいて、発光素子と受光素子を実装した基板に、後から組み付ける筐体を、前述の内部に反射面を設けた筐体から、透明樹脂でできたライトガイドに置き換える構成も実現できる。この場合、発光素子から垂直方向に出射された光は、ライトガイドに導かれ内面反射によって、垂直方向から受光素子に入射される。

特開平１１−２７４５５０号公報

しかしながら、発光素子と受光素子を実装した基板に、内部に反射面を設けた筐体を後から組み付ける場合、発光素子からの光を受光素子に導くために、反射面を適切な位置に位置決めする必要がある。そのため、発光素子と受光素子の間において、基板と筐体との間に隙間ができてしまう。この場合、発光素子からの光が、反射面で反射されて受光素子に間接的に入射される以外に、前述の隙間から受光素子へ直接入射されてしまう。すなわち、受光素子が、前述の隙間から直接入射される光の影響を受けてしまい、検出物の有無を正しく検出できないという課題があった。

また、後付の筐体を透明樹脂でできたライトガイドに置き換えた場合は、ライトガイドは透明樹脂であるため、前述の隙間の有無に関係なく、発光素子からの光が受光素子へ直接入射されてしまい、検出物の有無を正しく検出できないという課題があった。

そこで、本発明の目的は、発光素子から受光素子へ直接入射される光の影響を受けず、検出物の検出を正しく行うことが可能であり、安価で簡易な構成の光学式センサを提供することである。

上記目的を達成するため、本発明は、光を出射する発光素子と、検出物が通過する空間を介して前記発光素子からの光を受光する受光素子と、電子回路素子とを備え、前記発光素子からの光を前記空間にて検出物が遮ることにより前記検出物の検出を行う光学式センサであって、前記発光素子、前記電子回路素子、前記受光素子は、基板の同一面上に実装され、前記電子回路素子は、前記基板の実装面において、前記発光素子と前記受光素子の間に配置されていることを特徴とする。

本発明によれば、発光素子から受光素子へ直接入射される光の影響を受けず、検出物の検出を正しく行うことができ、安価で簡易な構成の光学式センサを提供することができる。

（ａ）は実施例１における光学式センサの斜視図、（ｂ）は実施例１における光学式センサの上面図 （ａ）は比較例における光学式センサの断面図、（ｂ）は実施例１における光学式センサの断面図 実施例１における光学式センサの等価回路を示す回路図 実施例１における光学式センサの出力特性を示す図 （ａ）は実施例２における光学式センサの斜視図、（ｂ）は実施例２における光学式センサの上面図 実施例２における光学式センサの部品レイアウトを示す図 実施例３における光学式センサの断面図

以下、図面を参照して、本発明の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。ただし、以下の実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、それらの相対配置などは、本発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものであり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

〔実施例１〕
本発明の実施例１に係る光学式センサについて図１を用いて説明する。図１（ａ）は実施例１における光学式センサの斜視図、図１（ｂ）は実施例１における光学式センサの上面図である。

実施例１に係る光学式センサ１００は、光を出射する発光素子１０１と、検出物が通過する空間１１０を介して前記発光素子１０１からの光を受光する受光素子１０３と、電子回路素子１０２とを備えている。光学式センサ１００は、前記発光素子１０１からの光を前記空間１１０にて検出物が遮ることにより受光素子１０３が受光する光量が変化して前記検出物の検出を行う。

発光素子１０１は、光を出射する発光源１０１ａを有している。ここでは発光素子１０１として、面実装タイプのＬＥＤを用いている。発光素子１０１は、基板１０４に対して垂直方向に向けて光を出射する光軸垂直型のＬＥＤである。また受光素子１０３は、光を受光する受光領域１０３ａを有している。ここでは受光素子１０３として、フォトトランジスタ（Ｐｔｒ）を用いている。受光素子１０３は、基板１０４に対して垂直方向の光を受光する光軸垂直型のフォトトランジスタである。

基板１０４には、透過型のフォトインタラプタをなす発光素子１０１と受光素子１０３以外にも、電子回路素子１０２や、ＣＰＵ１２１やメモリ１２２が同一面上に実装される。電子回路素子１０２は、基板１０４の実装面において、発光素子１０１と受光素子１０３の間に配置されている。光学式センサであるフォトインタラプタを構成する発光素子１０１と受光素子１０３は、前述の電子回路素子１０２などの他の部品と同時に基板１０４にリフロー実装される。すなわち、電子回路素子１０２は、リフロー実装可能な素子（部品）であり、基板１０４の所定位置に素子を実装する自動マウント装置（不図示）によって、発光素子１０１と受光素子１０３とともに基板１０４の同一面上に実装される。

電子回路素子１０２は、基板１０４の実装面において、発光素子１０１と受光素子１０３の間に配置されている。電子回路素子１０２は、発光素子１０１の発光源１０１ａの中心と受光素子１０３の受光領域１０３ａの中心を繋ぐ線ＤＬ上に配置されている。ここでは、電子回路素子１０２は、基板１０４に実装された発光素子１０１及び受光素子１０３とは電子的に接続されていないチップ抵抗を用いている。さらに電子回路素子１０２は、発光素子１０１に用いるＬＥＤと同等サイズのチップ抵抗を用いている。

光学式センサ１００は、導光部材としてのライトガイド１０５を備えている。ライトガイド１０５は、発光素子１０１、電子回路素子１０２、受光素子１０３がリフロー実装された基板１０４に対して、後付けで取り付けられる。ライトガイド１０５は、透明のアクリル樹脂で作られており、斜面部の内面反射により発光素子１０１から垂直方向に出射された光を受光素子１０３の垂直方向へと導く。具体的には、ライトガイド１０５は、第１の導光部１０５ａと、第２の導光部１０５ｂと、第１の導光部１０５ａと第２の導光部１０５ｂとを連結する連結部１０５ｃとが一体形成されたものである。第１の導光部１０５ａは、空間１１０を通過する方向へ発光素子１０１から出射された光を導く。第２の導光部１０５ｂは、空間１１０を介して第１の導光部１０５ａに対向して設けられ、空間１１０を通過した光を受光素子１０３に導く。連結部１０５ｃは基板１０４の実装面側が空洞になっている。電子回路素子１０２は、基板１０４の実装面において、発光素子１０１と受光素子１０３の間であって、基板１０４のライトガイド１０５の連結部１０５ｃに対応する位置に配置されている。

空間１１０は、対向して設けられた第１の導光部１０５ａと第２の導光部１０５ｂとの間にあり、発光素子１０１から垂直方向に出射された光が受光素子１０３へ導かれる光路上にある。この空間１１０に検出物があると光路が遮られるため、発光素子１０１から垂直方向に出射された光が受光素子１０３に届かなくなる。これにより、受光素子１０３が受光する光量が変化して、検出物が検出される。

図２は光学式センサの断面図を示す。図２（ａ）は比較例の光学式センサの断面図であり、発光素子と受光素子の間に電子回路素子が無い構成を示す。図２（ｂ）は実施例１の光学式センサの断面図であり、発光素子と受光素子の間に電子回路素子が有る構成を示す。図において、実線で示す矢印は発光素子１０１から垂直方向に出射された光が受光素子１０３へ導かれる光路を示す。破線で示す矢印は発光素子１０１から水平方向に出射された光が受光素子１０３へ向かう光路を示す。

発光素子１０１である光軸垂直型のＬＥＤの場合、出射された光の大部分が垂直方向に出射されるものの、垂直方向以外にも光が出射される。また受光素子１０３である光軸垂直型のフォトトランジスタは、垂直方向から入射される光に対する感度が高いものの、垂直方向以外から入射される光にも感度がある。

図２（ａ）に破線矢印で示す通り、基板１０４の実装面において、発光素子１０１と受光素子１０３の間に電子回路素子が無い場合は、発光素子１０１から水平方向に出射された光は、空間１１０の検出物の有無に関係なく、受光素子１０３へ入射される。

図２（ｂ）に破線矢印で示す通り、基板１０４の実装面において、発光素子１０１と受光素子１０３の間に電子回路素子１０２が有る場合は、発光素子１０１から水平方向に出射された光は、電子回路素子１０２に遮られ、受光素子１０３へは入射されない。

図３、図４を用いて、本実施例における光学式センサの等価回路及び出力特性について説明する。図３は実施例１における光学式センサの等価回路を示す回路図である。図４は実施例１における光学式センサの出力特性を示す図である。

図３に示すように、発光素子１０１はＬＥＤであり、アノードは電流制限抵抗１１１を介してＤＣ電源に、カソードはＧＮＤに接続される。受光素子１０３はフォトトランジスタ（Ｐｔｒ）であり、コレクタはプルアップ抵抗１１２を介して電源に、エミッタはＧＮＤに接続される。

電圧出力部１１３は受光素子１０３であるフォトトランジスタのコレクタに接続されており、フォトトランジスタのコレクタ端子とＧＮＤの間の電圧を示す。電圧出力部１１３は受光素子１０３であるフォトトランジスタがオンしている状態、フォトトランジスタに光が入射している状態では出力Ｌとなる。一方、電圧出力部１１３は受光素子１０３であるフォトトランジスタがオフしている状態、フォトトランジスタに光が入射していない状態では出力Ｈとなる。

図４に示す横軸は発光素子１０１に流れる電流（ｍＡ）を示す。発光素子１０１の発光光量は流れる電流に比例する。図４に示す縦軸は電圧出力部１１３の電圧（Ｖ）を示す。ここでは、実験時、ＤＣ入力電圧は３．３Ｖ、ＬＥＤは定格５０ｍＡ品を使用した。なお、実験時、ＬＥＤは４０ｍＡで使用した。

図４において、実線で示すデータは、光学式センサの空間１１０に検出物が「無」、発光素子１０１と受光素子１０３の間に電子回路素子１０２が「有」の状態を示す。破線データは、光学式センサの空間１１０に検出物が「有」、発光素子１０１と受光素子１０３の間に電子回路素子１０２が「無」の状態を示す。点線データは、光学式センサの空間１１０に検出物が「有」、発光素子１０１と受光素子１０３の間に電子回路素子１０２が「無」の状態を示す。

光学式センサは、空間１１０に検出物が有る場合は、発光素子１０１からの光が検出物に遮られるため、受光素子１０３は光が入射していない状態となり、出力Ｈとなる。一方、空間１１０に検出物が無い場合は、発光素子１０１からの光が検出物に遮られることがないため、受光素子１０３は光が入射している状態となり、出力Ｌになる。光学式センサは、発光素子１０１の発光光量に依存せずに、検出物の有無に応じた出力を出す必要がある。

実線で示すデータは、発光素子１０１からの光のうち、発光素子１０１から水平方向に出射された光は、発光素子１０１と受光素子１０３の間の電子回路素子１０２に遮られる（図２参照）。そのため、受光素子１０３が受光する光の光量は、発光素子１０１であるＬＥＤに流れる電流、即ち、発光素子の発光光量に依存せずに、出力Ｌとなっている。そのため、光学式センサは、検出物の無を判別することができる。

破線で示すデータは、発光素子１０１からの光が、ライトガイド１０５の内面反射によって反射されて受光素子１０３に間接的に入射される以外に、発光素子１０１から水平方向に出射された光が受光素子１０３に直接入射されてしまう。そのため、受光素子１０３が受光する光の光量は、発光素子１０１に流れる電流、即ち、発光素子１０１の発光光量に依存して、出力Ｈ、出力Ｌが変化する。そのため、光学式センサは、発光素子から受光素子へ直接入射される光の影響を受けてしまい、検出物の有無を判別することができない。

点線で示すデータは、発光素子１０１からの光のうち、発光素子１０１から水平方向に出射された光は、発光素子１０１と受光素子１０３の間の電子回路素子１０２に遮られる（図２参照）。そのため、受光素子１０３が受光する光の光量は、発光素子１０１であるＬＥＤに流れる電流、即ち、発光素子の発光光量に依存せずに、出力Ｈとなっている。そのため、光学式センサは、検出物の有を判別することができる。

電圧出力部１１３の電圧は通常ロジックＩＣに接続され、ロジックＩＣ内部のリファレンス電圧と比較して出力Ｈ、出力Ｌの２値に判別される。例えば、３．３Ｖ入力で動作するロジックＩＣは、２．６Ｖ以上を出力Ｈ、０．６Ｖ以下を出力Ｌとして認識し、０．６Ｖ〜２．６Ｖは出力Ｈ、出力Ｌを正しく認識できない。

発光素子１０１の発光光量は周囲温度条件や累積点灯時間によって変化する。発光素子１０１の発光光量は、他にも、発光素子１０１の発光効率のばらつき、光軸のばらつき、受光素子１０３の感度のばらつき、クリアモールドであるライトガイドの内面反射のばらつき等がある。そのため、発光素子１０１の発光光量に依存せずに、検出物の有無に応じた出力を出す必要がある。

しかし、前述したように、光学式センサにおいて、発光素子１０１から受光素子１０３へ直接入射される光が有ると、空間１１０の検出物の有無を正しく判別することができない（図４に破線で示すデータ参照）。

そこで、発光素子１０１と受光素子１０３の間に電子回路素子１０２を配置し、発光素子１０１から受光素子１０３へ直接入射される光を電子回路素子１０２によって遮ることが有効であることが分かる。

本実施例のように、電子回路素子１０２をチップ抵抗で構成すれば、基板１０４に自動機である自動マウント装置によって、発光素子１０１、受光素子１０３を実装する際に電子回路素子１０２を同時に実装し、そのままリフロー炉に通すことが可能である。また、汎用のチップ抵抗は安価に入手可能であり、様々なサイズを選択可能という利点がある。そのため、基板の実装面（同一面）において発光素子と受光素子の間に電子回路素子を配置することで、発光素子から受光素子へ直接入射される光の影響を受けず、検出物の検出を正しく行うことができ、安価で簡易な構成の光学式センサを提供することができる。

また、基板にライトガイドを後から組み付ける構成において、発光素子から受光素子へ水平方向に直接入射される光を防止するための機構を導光部材であるライトガイドに設ける必要がないため、ライトガイドを安価で簡易な構成にすることができる。

なお、本実施例では、電子回路素子１０２として、基板の同一面上に実装されるチップ抵抗を例示したが、これに限定されるものではない。発光素子や受光素子に電子的に接続されないチップセラコン、チップビーズ、コネクタ、コイル、チップジャンパなどの電子回路素子や、電子回路素子以外でも耐熱性の部品など、自動マウント装置で実装可能であり、リフロー炉に通せる部品で光を遮る部品であれば良い。

また、発光素子１０１と受光素子１０３の間に配置する電子回路素子１０２は、前記基板の実装面において前記発光素子と前記受光素子の間の一部を遮る構成であれば効果は得られる。しかし、前記電子回路素子１０２は、発光素子１０１もしくは受光素子１０３の高さよりも厚い部材を選択することが好ましい。

また基板に後付けされる導光部材として透明樹脂からなるライトガイドを採用した場合も、発光素子から受光素子へ水平方向に直接入射する光を防止するための機構をライトガイドに設ける必要がない。そのため、光学式センサを安価で簡易な構成で提供することができる。

〔実施例２〕
図５、図６を用いて、本発明の実施例２に係る光学式センサについて説明する。実施例２において、実施例１と同様の構成のものに関しては説明を省略する。図５（ａ）は実施例２における光学式センサの斜視図、図５（ｂ）は実施例２における光学式センサの上面図である。図６は実施例２における光学式センサの部品レイアウト及び配線パターンを示す図である。

実施例２における光学式センサの等価回路図は、実施例１で図３も用いて説明した内容と同じなので省略する。

実施例２では、発光素子１０１と受光素子１０３の間に配置する電子回路素子は、発光素子１０１もしくは受光素子１０３を駆動する駆動回路を構成する部品の一部である。具体的には、発光素子１０１の電流制限抵抗１１１と、受光素子１０３のプルアップ抵抗１１２が、発光素子１０１と受光素子１０３の間に配置する電子回路素子を兼ねている。図５、図６に示すように、基板１０４には、発光素子１０１、電流制限抵抗１１１、プルアップ抵抗１１２、受光素子１０３以外にも、ＣＰＵ１２１やメモリ１２２が同一面に実装される。電子回路素子である電流制限抵抗１１１及びプルアップ抵抗１１２は、基板１０４の実装面（同一面）において、発光素子１０１と受光素子１０３の間に配置されている。実施例２においては、電流制限抵抗１１１及びプルアップ抵抗１１２が、発光素子１０１から受光素子１０３へ直接入射する光を遮る電子回路素子として機能する。

また実施例２では、発光素子１０１と受光素子１０３の間に配置する電子回路素子を複数有している。複数の電子回路素子である電流制限抵抗１１１とプルアップ抵抗１１２は、発光素子１０１と受光素子１０３の間において異なる位置に配置されている。具体的には、電流制限抵抗１１１とプルアップ抵抗１１２は、図６の上下方向に位置をずらして実装されている。電流制限抵抗１１１とプルアップ抵抗１１２は、発光素子１０１の発光源１０１ａの中心と受光素子１０３の受光領域１０３ａの中心を繋ぐ線ＤＬに対して交差する方向において、異なる位置に配置されている。ここでは電流制限抵抗１１１とプルアップ抵抗１１２を前記繋ぐ線ＤＬに対して交差する位置に配置した構成を例示したが、これに限定されるものではない。複数の電子回路素子を、発光素子１０１の発光源１０１ａの中心と受光素子１０３の受光領域１０３ａの中心を繋ぐ線ＤＬに対して交差する方向において、異なる位置に配置する場合、発光素子と受光素子の間において少なくとも１つの電子回路素子を前記繋ぐ線上に配置すればよい。また、本実施例で用いる電流制限抵抗１１１、プルアップ抵抗１１２は、発光素子１０１及び受光素子１０３よりサイズが小さい部品を用いている。電流制限抵抗１１１、プルアップ抵抗１１２の位置をずらして基板１０４の同一面上に実装することで、発光素子１０１から水平方向に出射された光が、受光素子１０３に水平方向から入射する光路を遮る構成になっている。

以上説明した通り、発光素子１０１と受光素子１０３を駆動する駆動回路を構成する部品である電流制限抵抗１１１とプルアップ抵抗１１２を、発光素子１０１と受光素子１０３の間に配置する電子回路素子を兼ねる構成とする。これにより、電子回路素子を追加することによるコストアップを無くすことができる。

また、複数の電子回路素子である電流制限抵抗１１１、プルアップ抵抗１１２の位置をずらして基板１０４の同一面上に実装する。これにより、電流制限抵抗１１１、プルアップ抵抗１１２に発光素子１０１及び受光素子１０３よりサイズが小さい部品を採用した場合でも、発光素子１０１と受光素子１０３の間に配置する電子回路素子として機能させることができる。

〔実施例３〕
図７を用いて、本発明の実施例３に係る光学式センサについて説明する。実施例３において、実施例１、２と同様の構成のものに関しては説明を省略する。図７は本実施例における光学式センサの断面図である。

実施例３における光学式センサは、基板に後付けされる導光部材であるライトガイドの代わりに、反射面１０９ａ，１０９ｂを備える黒色の筐体１０８を備えている。以下、詳しく説明する。

実施例３では、基板１０４の同一面上に、発光素子１０１、電子回路素子１０２、受光素子１０３を先に実装し、後から筐体１０８を基板１０４に取り付ける。黒色の筐体１０８は、第１の反射面１０９ａを有する第１の中空部１０８ａと、第２の反射面１０９ｂを有する第２の中空部１０８ｂと、第１の中空部１０８ａと第２の中空部１０８ｂとを連結する連結部１０８ｃとが一体形成されたものである。第１の中空部１０８ａは、発光素子１０１から出射された光を反射する第１の反射面１０９ａと、第１の反射面１０９ａで反射された光を空間１１０に向けて通過させる第１のスリット１０８ｄとを有する。第２の中空部１０８ｂは、空間１１０を介して第１の中空部１０８ａに対向して設けられている。第２の中空部１０８ｂは、空間１１０を通過した光を受け入れる第２のスリット１０８ｅと、第２のスリット１０８ｅを通過した光を受光素子１０３に向けて反射させる第２の反射面１０９ｂとを有する。

基板１０４に対して反射面１０９ａ，１０９ｂを備えた筐体１０８を後から組み付ける場合、発光素子１０１からの光を受光素子１０３に導くために、反射面１０９ａ，１０９ｂを適切な位置に位置決めする必要がある。そのため、基板１０４に対して筐体１０８を後付けする場合、図７に示す通り、筐体１０８の連結部１０８ｃと基板１０４の間に隙間が生じる。隙間が生じないように組み付けるためには、筐体１０８の形状を工夫する必要があり容易でない。筐体１０８の連結部１０８ｃと基板１０４との間に隙間が有ると、図７の点線で示すように、発光素子１０１から水平方向に出射された光が、前述の隙間を通って受光素子１０３へ直接入射される経路ができる。

前記した通り、光学式センサにおいて、発光素子１０１から受光素子１０３へ直接入射される光が有ると、空間１１０の検出物の有無を正しく判別することができない。

そこで、実施例３における光学式センサは、基板１０４の実装面（同一面）において、電子回路素子１０２を、発光素子１０１と受光素子１０３の間に実装する。これにより、電子回路素子１０２により発光素子１０１から受光素子１０３へ直接入射される光の経路を遮蔽することができる。

以上説明した通り、基板の同一面上に発光素子、受光素子を実装した後に、後付けで筐体を組み付ける構成において、電子回路素子を発光素子と受光素子の間に実装する。これにより、基板と筐体の連結部の間に隙間が生じた場合でも迷光の影響を受けない光学式センサを安価で簡易な構成で実現することができる。

また、発光素子から受光素子へ水平方向に直接入射する光を防止するための機構を筐体に設ける必要がないため、筐体を安価で簡易な構成にすることができる。

１００ …光学式センサ
１０１ …発光素子
１０１ａ …発光源
１０２ …電子回路素子
１０３ …受光素子
１０３ａ …受光領域
１０４ …基板
１０５ …ライトガイド
１０５ａ …第１の導光部
１０５ｂ …第２の導光部
１０５ｃ …連結部
１０８ …筐体
１０８ａ …第１の中空部
１０８ｂ …第２の中空部
１０８ｃ …連結部
１０８ｄ …第１のスリット
１０８ｅ …第２のスリット
１０９ａ …第１の反射面
１０９ｂ …第２の反射面
１１０ …空間
１１１ …電流制限抵抗
１１２ …プルアップ抵抗

Claims (7)

1. 光を出射する発光素子と、
   検出物が通過する空間を介して前記発光素子からの光を受光する受光素子と、
   電子回路素子と、
   を備え、前記発光素子からの光を前記空間にて検出物が遮ることにより前記検出物の検出を行う光学式センサであって、
   前記発光素子、前記電子回路素子、前記受光素子は、基板の同一面上に実装され、前記電子回路素子は、前記基板の実装面において、前記発光素子と前記受光素子の間に配置されていることを特徴とする光学式センサ。
2. 前記電子回路素子を複数有し、複数の電子回路素子は、前記基板の実装面において、前記発光素子の発光源の中心と前記受光素子の受光領域の中心を繋ぐ線に対して交差する方向において、異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光学式センサ。
3. 前記空間を通過する方向へ前記発光素子から出射された光を導く第１の導光部と、
   前記空間を介して前記第１の導光部に対向して設けられ前記空間を通過した光を前記受光素子に導く第２の導光部と、
   前記第１の導光部と前記第２の導光部とを連結する連結部とが一体形成された導光部材と、
   を備え、
   前記電子回路素子は、前記発光素子と前記受光素子の間であって、前記連結部に対応する位置に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学式センサ。
4. 前記発光素子から出射された光を反射する第１の反射面と前記第１の反射面で反射された光を前記空間に向けて通過させる第１のスリットとを有する第１の中空部と、
   前記空間を介して前記第１の中空部に対向して設けられ前記空間を通過した光を受け入れる第２のスリットと前記第２のスリットを通過した光を前記受光素子に向けて反射させる第２の反射面とを有する第２の中空部と、
   前記第１の中空部と前記第２の中空部とを連結する連結部とが一体形成された黒色の筐体と、
   を備え、
   前記電子回路素子は、前記発光素子と前記受光素子の間であって、前記基板と前記筐体の連結部との間に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学式センサ。
5. 前記発光素子は光を出射する発光源を有し、
   前記受光素子は光を受光する受光領域を有し、
   前記電子回路素子は、前記発光素子の発光源の中心と前記受光素子の受光領域の中心を繋ぐ線上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光学式センサ。
6. 前記電子回路素子は、リフロー実装可能な素子であり、発光素子もしくは受光素子を駆動する駆動回路を構成する部品の一部であることを特徴とする請求項５に記載の光学式センサ。
7. 前記発光素子は面実装タイプのＬＥＤであり、前記受光素子は面実装タイプのフォトトランジスタであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光学式センサ。

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