JP2006269777A - 面実装型フォトインタラプタとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 プリント基板等に対して面実装できるようにした構成したフォトインタラプタにおいて,その検出精度の向上を図る。
【解決手段】 発光素子10及び受光素子15を搭載してメイン絶縁基板2の上面に,前記発光素子及び受光素子の各々が嵌まる貫通孔4,5をを備えたサブ絶縁基板を積層固着して二枚重ねの積層体に構成する一方,前記サブ絶縁基板における各貫通孔内に封止用の透明樹脂16,17を充填し,更に,前記サブ絶縁基板の上面に,前記発光素子と前記受光素子との間に被検出物が入るギャップ溝31を備え且つ前記発光素子からの光を前記ギャップ溝を横切ったのち前記受光素子に到達するように構成した不透明体製のキャップ体32を固着する。
【選択図】 図1
【解決手段】 発光素子10及び受光素子15を搭載してメイン絶縁基板2の上面に,前記発光素子及び受光素子の各々が嵌まる貫通孔4,5をを備えたサブ絶縁基板を積層固着して二枚重ねの積層体に構成する一方,前記サブ絶縁基板における各貫通孔内に封止用の透明樹脂16,17を充填し,更に,前記サブ絶縁基板の上面に,前記発光素子と前記受光素子との間に被検出物が入るギャップ溝31を備え且つ前記発光素子からの光を前記ギャップ溝を横切ったのち前記受光素子に到達するように構成した不透明体製のキャップ体32を固着する。
【選択図】 図1
Description
本発明は,発光部と受光部とを備え,その間における被検出物の有無を検出するようにしたフォトインタラプタのうち,プリント基板等に対して面実装できるようにした構成したフォトインタラプタと,その製造方法とに関するものである。
従来,この種のフォトインタラプタは,金属板製のリードフレームを使用した構成であったが,最近において,プリント基板等に対して面実装できるように面実装型に構成している。
従来,この面実装型のフォトインタラプタは,例えば,特許文献1等に記載されているように,絶縁基板の上面に,発光素子と受光素子とを搭載して,発光素子及び受光素子の各々を別々の透明樹脂にて封止する一方,前記絶縁基板の下面に,前記発光素子に対する一対の端子電極及び前記受光素子に対する一対の端子電極を形成して,これらの端子電極にてプリント基板に対して半田付けできるようにし,更に,前記絶縁基板の上面には,前記発光素子と前記受光素子との間に被検出物が入るギャップ溝を備え,発光素子からの光を前記ギャップ溝を横切ったのち前記受光素子に到達するように構成した不透明体製のキャップ体を固着するという構成にしている。
また,前記面実装型のフォトインタラプタに製造に際しては,例えば,特許文献1等に記載されているように,前記絶縁基板の複数枚を縦横に並べて一体化して成る素材基板を使用して,この素材基板の状態で,前記発光素子及び受光素子の搭載,封止用の透明樹脂の形成,更には,キャップ体の固着を行い,最後に,前記素材基板を,縦方向及び横方向へのダイシング加工にて,複数個の各フォトインタラプタごとに分割するという方法を採用している。
特開平11−274550号公報
しかし,従来における面実装型フォトインタラプタは,前記したように,絶縁基板の上面に,発光素子及び受光素子を搭載して,これら各素子を透明樹脂で封止するとともに,キャップ体を固着した構成であって,前記絶縁基板は,一枚板の構成であることにより,剛性が低くて,この絶縁基板に,外とか,或いは,前記封止用透明樹脂及び前記キャップ体との間における熱膨張差等にて歪み変形が発生するおそれが大きいと言う問題があるばかりか,発光素子における一部の光が,被検出物が入るギャップ溝を横切ることなく,絶縁基板の上面とこれに固着したキャップ体との間より直接に受光素子側に到達するおそれが大きく,その結果として,被検出物有無の検出精度が低いという問題もあった。
また,その製造に際し,前記発光素子及び受光素子に対する封止用の透明樹脂の形成を,前記素材基板の表面全体に,透明樹脂層を所定の厚さにて形成し,この透明樹脂層を,縦及び横方向の二つの方向へのダイシング加工にて,各絶縁基板における発光素子用透明樹脂及び受光素子用透明樹脂ごとに分割するようにしており,また,前記素材基板における各絶縁基板の個所の各々に,当該各絶縁基板ごとに分けて別々に製作したキャップ体を固着するようにしている。
このために,製造工程には,前記透明樹脂層を各封止用透明樹脂ごとに分割するための二つの方向へのダイシング加工を必要とすることに加えて,素材基板における各絶縁基板の各々に,当該各絶縁基板ごとに分けて別々に製作したキャップ体を供給して固着する工程を必要とすることにより,製造工程が複雑で且つ多くなるから,製造コストが大幅にアップするという問題があった。
本発明は,これらの問題を解消した面実装型のフォトインタラプタと,その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
この技術的課題を達成するため本発明における面実装型フォトインタラプタは,請求項1にしたように,
「上面に発光素子及び受光素子を搭載し下面に前記発光素子に対する一対の端子電極及び前記受光素子に対する一対の端子電極を形成して成るメイン絶縁基板と,このメイン絶縁基板における発光素子及び受光素子の各々が嵌まる貫通孔を備えたサブ絶縁基板とを備え,前記メイン絶縁基板の上面に,前記サブ絶縁基板を積層固着して二枚重ねの積層体に構成する一方,前記サブ絶縁基板における各貫通孔内に封止用の透明樹脂を充填し,更に,前記サブ絶縁基板の上面に,前記発光素子と前記受光素子との間に被検出物が入るギャップ溝を備え且つ前記発光素子からの光を前記ギャップ溝を横切ったのち前記受光素子に到達するように構成した不透明体製のキャップ体を固着する。」
ことを特徴としている。
「上面に発光素子及び受光素子を搭載し下面に前記発光素子に対する一対の端子電極及び前記受光素子に対する一対の端子電極を形成して成るメイン絶縁基板と,このメイン絶縁基板における発光素子及び受光素子の各々が嵌まる貫通孔を備えたサブ絶縁基板とを備え,前記メイン絶縁基板の上面に,前記サブ絶縁基板を積層固着して二枚重ねの積層体に構成する一方,前記サブ絶縁基板における各貫通孔内に封止用の透明樹脂を充填し,更に,前記サブ絶縁基板の上面に,前記発光素子と前記受光素子との間に被検出物が入るギャップ溝を備え且つ前記発光素子からの光を前記ギャップ溝を横切ったのち前記受光素子に到達するように構成した不透明体製のキャップ体を固着する。」
ことを特徴としている。
また,本発明における面実装型フォトインタラプタは,請求項2にしたように,
「前記請求項1の記載において,前記メイン絶縁基板と,前記サブ絶縁基板とが同じ材料である。」
ことを特徴としている。
「前記請求項1の記載において,前記メイン絶縁基板と,前記サブ絶縁基板とが同じ材料である。」
ことを特徴としている。
次に,本発明における面実装型フォトインタラプタの製造方法は,請求項3に記載したように,
「一つのフォトインタラプタを構成するメイン絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成るメイン素材基板を製造する工程,
一つのフォトインタラプタを構成するサブ絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成るサブ素材基板を製造する工程,
前記メイン素材基板の上面のうち前記各メイン絶縁基板の各々に,発光素子及び受光素子を搭載する工程,
前記メイン素材基板の下面のうち前記各メイン絶縁基板に,前記発光素子に対する一対の端子電極及び前記受光素子に対する一対の端子電極を形成する工程,
前記メイン素材基板の上面に,前記サブ素材基板を,当該サブ素材基板のうち前記各サブ絶縁基板の個所に発光素子及び受光素子の各々を別々に収容する貫通孔を穿設した状態で積層固着する工程,
前記サブ素材基板における各貫通孔内に,封止用の透明樹脂を充填する工程,
を備え,更に,
一つのフォトインタラプタを構成する不透明製キャップ体の複数個を縦横に並べて一体化して成るキャップ体素材板を製造する工程,
このキャップ体素材板を,前記キャップ体素材板を積層固着する工程,
この工程に次いで,前記メイン素材基板,前記サブ素材基板及び前記キャップ体素材板を,縦方向の切断線に沿ってのダイシング加工及び横方向の切断線に沿ってのダイシング加工にて,前記一つのフォトインタラプタごとに分割する工程,
を備えている。」
ことを特徴としている。
「一つのフォトインタラプタを構成するメイン絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成るメイン素材基板を製造する工程,
一つのフォトインタラプタを構成するサブ絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成るサブ素材基板を製造する工程,
前記メイン素材基板の上面のうち前記各メイン絶縁基板の各々に,発光素子及び受光素子を搭載する工程,
前記メイン素材基板の下面のうち前記各メイン絶縁基板に,前記発光素子に対する一対の端子電極及び前記受光素子に対する一対の端子電極を形成する工程,
前記メイン素材基板の上面に,前記サブ素材基板を,当該サブ素材基板のうち前記各サブ絶縁基板の個所に発光素子及び受光素子の各々を別々に収容する貫通孔を穿設した状態で積層固着する工程,
前記サブ素材基板における各貫通孔内に,封止用の透明樹脂を充填する工程,
を備え,更に,
一つのフォトインタラプタを構成する不透明製キャップ体の複数個を縦横に並べて一体化して成るキャップ体素材板を製造する工程,
このキャップ体素材板を,前記キャップ体素材板を積層固着する工程,
この工程に次いで,前記メイン素材基板,前記サブ素材基板及び前記キャップ体素材板を,縦方向の切断線に沿ってのダイシング加工及び横方向の切断線に沿ってのダイシング加工にて,前記一つのフォトインタラプタごとに分割する工程,
を備えている。」
ことを特徴としている。
また,本発明における製造方法は,請求項4に記載したように,
「前記請求項3の記載において,前記メイン素材基板の上面への発光素子及び受光素子の搭載を,当該メイン素材基板の上面にサブ素材基板を積層固着した後において行う。」
ことを特徴としている。
「前記請求項3の記載において,前記メイン素材基板の上面への発光素子及び受光素子の搭載を,当該メイン素材基板の上面にサブ素材基板を積層固着した後において行う。」
ことを特徴としている。
更にまた,本発明における製造方法は,請求項5に記載したように,
「前記請求項3又は4の記載において,前記縦方向の切断線と,前記横方向の切断線との交点に,前記メイン素材基板の上面における発光素子及び受光素子とメイン素材基板の下面における各端子電極との相互間を電気的に接続するためのスルーホールを位置する。」ことを特徴としている。
「前記請求項3又は4の記載において,前記縦方向の切断線と,前記横方向の切断線との交点に,前記メイン素材基板の上面における発光素子及び受光素子とメイン素材基板の下面における各端子電極との相互間を電気的に接続するためのスルーホールを位置する。」ことを特徴としている。
前記請求項1に記載したように,メイン絶縁基板の上面に,サブ絶縁基板を積層固着して二枚重ねの積層体に構成したことにより,この積層体における剛性を大幅に向上できるから,この積層体に,外力とか,透明樹脂及びキャップ体との間における熱膨張差によって歪み変形が発生することを,従来のように,絶縁基板が一枚である場合よりも,確実に低減できる。
また,発光素子及び受光素子を,前記サブ絶縁基板に穿設した貫通孔内に位置し,この貫通孔において透明樹脂に封止したことにより,発光素子における光が,キャップ体におけるギャップ溝を通過することなく直接に受光素子に到達することを,前記サブ絶縁基板によって確実に阻止できる。
従って,本発明によると,絶縁基板の歪み変形を低減できることと,発光素子から受光素子への直接の光の到達を阻止できることとが相俟って,検出精度を大幅に向上できる効果を有する。
この場合,請求項2に記載したように,メイン絶縁基板とサブ絶縁基板とを同じ材料製にすることにより,この間に,熱膨張による歪み変形が発生することを回避できるから,検出精度の向上をより助長できる。
一方,請求項3に記載した製造方法によると,前記発光素子及び受光素子の各々を封止する透明樹脂を,サブ絶縁基板における貫通孔内への充填によって形成することができるから,前記従来のように,この封止用の透明樹脂を形成するための縦及び横の二つの方向へのダイシング加工を必要としないのであり,しかも,前記キャップ体の固着を,このキャップ体の複数個を一体化して成るキャップ体素材板の状態で,一挙に行うことができる。
従って,本発明による製造方法によると,製造工程を従来の場合よりも少なくできるとともに,キャップ体を固着することに要する手数を少なくできるから,前記した効果を有するフォトインタラプタを低いコストが製造できる効果を有する。
この製造方法においては,請求項4に記載したように,前記メイン素材基板の上面への発光素子及び受光素子の搭載を,当該メイン素材基板の上面にサブ素材基板を積層固着した後において行うことにより,前記発光素子及び受光素子の搭載に際してのチップのダイボンディング及びワイヤボンディングを,メイン絶縁基板における歪み変形が小さい状態で,容易に的確に行うことができる利点がある。
また,前記した製造方法においては,請求項5に記載したように,前記縦方向の切断線と,前記横方向の切断線との交点に,前記メイン素材基板の上面における発光素子及び受光素子と,メイン素材基板の下面における各端子電極とを電気的に接続するスールホールを位置することにより,前記メイン素材基板に設けるスルーホールの数を少なくできるから,製造コストをより低減できる利点がある。
以下,本発明の実施の形態を図面について説明する。
図1〜図4は,本発明の実施の形態による面実装型フォトインタラプタ1を示す。
この面実装型フォトインタラプタ1は,例えば,カラスエポキシ等の絶縁体によるメイン絶縁基板2と,前記メイン絶縁基板2と同じ絶縁材料,つまり,カラスエポキシ等によるサブ絶縁基板3とを備え,前記メイン絶縁基板2の上面に,前記サブ絶縁基板3が重ねて積層固着されている。
前記サブ絶縁基板3には,平面視において長溝孔に構成した左右一対の貫通孔4,5が穿設されている。
前記メイン絶縁基板2における上面のうち前記一方の貫通孔4内の個所には,一対の電極パターン6,7と,この両電極パターン6,7のうち一方の電極パターン6にダイボンディングした発光ダイオードチップ8と,この発光ダイオードチップ8と他方の電極パターン7との間をワイヤボンディングした金属線9とによって構成して成る発光素子10が設けられている。
前記メイン絶縁基板2における上面のうち前記他方の貫通孔5内の個所には,一対の電極パターン11,12と,この両電極パターン11,12のうち一方の電極パターン11にダイボンディングした受光チップ13と,この受光チップ13と他方の電極パターン12との間をワイヤボンディングした金属線14とによって構成して成る受光素子15が設けられている。
前記サブ絶縁基板3における両貫通孔4,5内には,エポキシ樹脂等の封止用透明樹脂16,17が充填されている。
前記メイン絶縁基板2における下面のうち前記発光素子10の側の部分には,前記発光素子9における一方の電極パターン6にスルーホール18内の導体19を介して電気的に導通する端子電極20と,前記発光素子10における他方の電極パターン7にスルーホール21内の導体22を介して電気的に導通する端子電極23とが各々形成されている。
更に,前記メイン絶縁基板2における下面のうち前記受光素子15の側の部分には,前記受光素子15における一方の電極パターン11にスルーホール24内の導体25を介して電気的に導通する端子電極26と,前記受光素子15における他方の電極パターン12にスルーホール27内の導体28を介して電気的に導通する端子電極29が各々形成されている。
そして,前記サブ絶縁基板3の上面には,前記発光素子10と前記受光素子15との間に被検出物30が入るギャップ溝31を備えて成る不透明体製のキャップ体32を固着している。
このキャップ体32は,当該キャップ体32のうち前記発光素子10の部分を,天井に光反射面33aを有する第1中空部33bに形成する一方,当該キャップ体32のうち前記受光素子15の部分を,天井に光反射面34aを有する第2中空部34bに形成することにより,前記発光素子10において発光した光を,前記第1中空部33bにおける光反射面33aで反射して,前記ギャップ溝31を横切ったのち,第2中空部34bにおける光反射面34aで反射して前記受光素子15に到達するように構成しており,前記ギャップ溝31の左右両内側面には,光が通過するスリット孔33c,34cが穿設されている。
この構成のフォトインタラプタ1は,各種電気機器におけるプリント基板に対して,そのメイン絶縁基板2の下面における各端子電極20,23,26,29を半田付けすることによって実装される。
前記ギャップ溝31内に,被検出物30が存在しないときには,前記発光素子10における光は,前記ギャップ溝31を横切って前記受光素子15に到達することになるが,前記ギャップ溝31内に被検出物30が存在するときには,前記受光素子15への光の到達が前記被検出物30にて遮られることになるから,これによって,前記ギャップ溝31内における被検出物30の有無を検出することができる。
この場合において,メイン絶縁基板2の上面に,サブ絶縁基板3を積層固着して二枚重ねの積層体に構成したことにより,この積層体に,外力及び熱膨張差等による歪み変形が発生することを,従来のように,絶縁基板が一枚である場合よりも,確実に低減できる。
この場合,メイン絶縁基板2とサブ絶縁基板3とが同じ材料であることにより,その間における熱膨張差による歪み変形が発生することを回避できる。
また,発光素子10及び受光素子15を,前記サブ絶縁基板3に穿設した貫通孔4,5内に位置し,この貫通孔4,5において透明樹脂16,17にて封止したことにより,発光素子10における光が,キャップ体32におけるギャップ溝31を横切るように通過することなく直接に受光素子15に到達することを,前記サブ絶縁基板3によって確実に阻止できる。
次に,前記した構成による面実装型フォトインタラプタ1の製造方法について説明する。
先ず,図5,図6及び図7に示すように,前記メイン絶縁基板2の複数枚を縦及び横に並べて一体化して成るメイン素材基板Aと,同じく,前記サブ絶縁基板3の複数枚を縦及び横に並べて一体化して成るサブ素材基板Bとを,ガラスエポキシ板より製作する。
なお,これらメイン素材基板A及びサブ素材基板Bは,詳しくは後述するように,縦方向の切断線C1及び横方向の切断線C2に沿ってのダイシング加工によって,各メイン絶縁基板2及びサブ絶縁基板3ごとに分割される。
前記メイン素材基板Aのうち前記各メイン絶縁基板2の個所ごとに,上面における電極パターン6,7,11,12の形成,及び,下面における端子電極20,23,26,29の形成,並びに,スルーホールの穿設とその内部における導体の形成を行う。
一方,前記サブ素材基板Bには,その各サブ絶縁基板2の個所ごとに貫通孔4,5を穿設する。
次いで,図8,図9及び図10に示すように,前記メイン素材基板Aの上面に,前記サブ素材基板Bを重ねて,積層固着したのち,前記サブ素材基板Bにおける各貫通孔4,5内の各々に,発光ダイオードチップ8及び受光チップ13のダイボンディングと,金属線9,14によるワイヤボンディングとを行う。
なお,この発光ダイオードチップ8及び受光チップ13のダイボンディングと,金属線9,14によるワイヤボンディングとは,前記サブ素材基板Bを積層固着する前の段階において行うようにしても良いが,前記したように,前記サブ素材基板Bを積層固着した後の段階において行うようにした場合には,これらのダイボンディング及びワイヤボンディングを,素材基板A,Bにおける剛性が高くてその歪み変形が小さい状態で的確に行うことができる利点がある。
次いで,図11〜図14に示すように,前記サブ素材基板Bにおける各貫通孔4,5内の各々に,透明なエポキシ樹脂等を液体の状態で充填したのち,乾燥又は硬化することにより,封止用透明樹脂16,17を形成する。
次いで,前記サブ素材基板Bの上面に,予め,前記キャップ体32の複数個を,縦及び横方向に並べて一体化するようにして製作して成るキャップ体素材板Dを重ねて積層固着する。
次いで,前記した三者,つまり,メイン素材基板A,サブ素材基板B及びキャップ体素材板Dとからなる積層物を,前記縦方向の切断線C1に沿ってのタイシング加工にて切断するとともに,前記横方向の切断線C2に沿ってのダイシング加工にて切断することにより,前記図1〜図4に示す構成通りの面実装型フォトインタラプタ1を得ることができる。
また,別の製造方法においては,前記メイン素材基板Aにおける各スルーホールを,図20に示すように,縦方向の切断線C1と,横方向の切断線C2との交点に位置することができる。
このようにすることにより,スルーホールは,隅部に位置することになるから,前記メイン素材基板Aに設けるスルーホールの数を,前記した実施の形態の場合よりも少なくできる。
1 フォトインタラプタ
2 メイン絶縁基板
3 サブ絶縁基板
4,5 貫通孔
10 発光素子
15 受光素子
16,17 封止用透明樹脂
32 キャップ体
31 ギャップ溝
30 被検出物
A メイン素材基板
B サブ素材基板
C1 縦方向の切断線
C2 横方向の切断線
D キャップ体素材板
2 メイン絶縁基板
3 サブ絶縁基板
4,5 貫通孔
10 発光素子
15 受光素子
16,17 封止用透明樹脂
32 キャップ体
31 ギャップ溝
30 被検出物
A メイン素材基板
B サブ素材基板
C1 縦方向の切断線
C2 横方向の切断線
D キャップ体素材板
Claims (5)
- 上面に発光素子及び受光素子を搭載し下面に前記発光素子に対する一対の端子電極及び前記受光素子に対する一対の端子電極を形成して成るメイン絶縁基板と,このメイン絶縁基板における発光素子及び受光素子の各々が嵌まる貫通孔を備えたサブ絶縁基板とを備え,前記メイン絶縁基板の上面に,前記サブ絶縁基板を積層固着して二枚重ねの積層体に構成する一方,前記サブ絶縁基板における各貫通孔内に封止用の透明樹脂を充填し,更に,前記サブ絶縁基板の上面に,前記発光素子と前記受光素子との間に被検出物が入るギャップ溝を備え且つ前記発光素子からの光を前記ギャップ溝を横切ったのち前記受光素子に到達するように構成した不透明体製のキャップ体を固着することを特徴とする面実装型フォトインタラプタ。
- 前記請求項1の記載において,前記メイン絶縁基板と,前記サブ絶縁基板とが同じ材料であることを特徴とする面実装型フォトインタラプタ。
- 一つのフォトインタラプタを構成するメイン絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成るメイン素材基板を製造する工程,
一つのフォトインタラプタを構成するサブ絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成るサブ素材基板を製造する工程,
前記メイン素材基板の上面のうち前記各メイン絶縁基板の各々に,発光素子及び受光素子を搭載する工程,
前記メイン素材基板の下面のうち前記各メイン絶縁基板に,前記発光素子に対する一対の端子電極及び前記受光素子に対する一対の端子電極を形成する工程,
前記メイン素材基板の上面に,前記サブ素材基板を,当該サブ素材基板のうち前記各サブ絶縁基板の個所に発光素子及び受光素子の各々を別々に収容する貫通孔を穿設した状態で積層固着する工程,
前記サブ素材基板における各貫通孔内に,封止用の透明樹脂を充填する工程,
を備え,更に,
一つのフォトインタラプタを構成する不透明製キャップ体の複数個を縦横に並べて一体化して成るキャップ体素材板を製造する工程,
このキャップ体素材板を,前記キャップ体素材板を積層固着する工程,
この工程に次いで,前記メイン素材基板,前記サブ素材基板及び前記キャップ体素材板を,縦方向の切断線に沿ってのダイシング加工及び横方向の切断線に沿ってのダイシング加工にて,前記一つのフォトインタラプタごとに分割する工程,
を備えていることを特徴とする面実装型フォトインタラプタの製造方法。 - 前記請求項3の記載において,前記メイン素材基板の上面への発光素子及び受光素子の搭載を,当該メイン素材基板の上面にサブ素材基板を積層固着した後において行うことを特徴とする面実装型フォトインタラプタの製造方法。
- 前記請求項3又は4の記載において,前記縦方向の切断線と,前記横方向の切断線との交点に,前記メイン素材基板の上面における発光素子及び受光素子とメイン素材基板の下面における各端子電極との相互間を電気的に接続するためのスルーホールを位置することを特徴とする面実装型フォトインタラプタの製造方法。
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JP2016213504A (ja) * | 2011-08-08 | 2016-12-15 | ローム株式会社 | フォトインタラプタおよびフォトインタラプタの実装構造 |
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JPH0927635A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Shichizun Denshi:Kk | 表面実装型フォトリフレクタ及びフォトインタラプタ |
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JP2005044947A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Toshiba Corp | 光結合半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
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JPH0749815Y2 (ja) * | 1990-07-23 | 1995-11-13 | シャープ株式会社 | 表面実装型光結合装置 |
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