JP4165670B2 - 表面実装型フォトインタラプタ及びその製造方法 - Google Patents
表面実装型フォトインタラプタ及びその製造方法 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は被検出物の有無を無接点で検出する表面実装型フォトインタラプタ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ファクシミリ、プリンター、フロッピディスクドライブ等に、非接触で物体の有無を検出してスイッチング信号を得ることができるフォトインタラプタが広く使用されている。一般的なフォトインタラプタの構造は図１４に示すように、フォトインタラプタ１はケース２の対向する部分に発光素子３（例えば、赤外ＬＥＤ）と受光素子４（例えば、フォトトランジスタ、以下、Ｐ−Ｔｒと呼ぶ）とを取り付け、発光素子３からの光をギャップＧを介して受光素子４が受光するように構成されている。上記構成によりギャップＧ内に被検出物が入り光が遮断されると受光素子４側の出力が変化し、この出力変化をスイッチング信号として使用するものである。
【０００３】
前記フォトインタラプタの構造において、前記ケース２はプラスチックのモールドで形成され、対向する素子収納部に発光素子３と受光素子４を収納した後、スリット内を通る光軸の位置調整を行い、光軸が一致する位置を保持しながらエポキシ樹脂で前記素子収納部を封止し、固着したものであった。従って、モールド成形では検出精度を決めるスリット内の光軸の位置調整精度を高めることが非常に困難であった。
【０００４】
そこで、前記検出精度を決めるスリット内の光軸の位置調整精度を向上するために金属のスリット板を用いたフォトインタラプタの製造方法の技術が特開平５−１１０１２９号公報に開示されている。図１５及び図１６にてその概要を説明する。
【０００５】
図１５はフォトインタラプタの斜視図、図１６は受発光側の各１次モールド体及びスリット板を２次モールド金型内にインサートした状態を示す断面図である。図において、リード端子５へ発光素子であるＬＥＤ３又は受光素子であるＰ−Ｔｒ４をダイボンドし、他方のリード端子６へ金線等のボンディングワイヤー７でワイヤーボンドし、熱硬化性の封止樹脂８、例えば、エポキシ樹脂で注型又はトランスファーモールド方式により受発光側の各１次モールド体を形成する。
【０００６】
次に、金属板で光の通路となるスリット９ａを備えたスリット板９を形成する。該スリット板９は２次モールド金型へインサート成形するための折り曲げられたリード部９ｂを備えている。前記受発光側の各１次モールド体とスリット板とを位置決めして２次モールド金型内へ挿入し、熱可塑性の遮光性樹脂１０、例えば、ポリフェニレンサルファイドで射出成形を行い、各１次モールド体とスリット板とを一体化する。射出成形後、２次モールド金型より離型して、切断、分離して、図１５のような単体のフォトインタラプタ１１が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したフォトインタラプタの製造方法には次のような問題点がある。ＬＥＤ、Ｐ−Ｔｒの製造工程を別々に行わなければならないため、１次モールド体と２次モールド体を組合せる時、光軸の位置調整が困難であり、製造コストも高価であった。また、更にモールド金型が複雑になると共に、スリット板の曲げ精度も起因してモールド体のスリットの位置精度が低下した。モールド成形のための金型製作コスト及び金型維持費が必要となった。モールド本体へのＬＥＤ及びＰ−Ｔｒのインサート成形が必要となるため工数の増加及び製造コストが高価であった。また二度のモールド工程の加熱によりＬＥＤ、Ｐ−Ｔｒへ熱応力等のストレスが加わり信頼性に悪影響を及ぼす等の課題があった。
【０００８】
本発明は上記従来の課題に鑑みなされたものであり、その目的は、高精度、高分解能を実現し、小型で高寿命、高信頼性の生産性に優れた極めて安価な表面実装型フォトインタラプタ及びその製造方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明における表面実装型フォトインタラプタは、発光素子からの光をギャップを介して受光素子が受光して被検出物の有無を無接点で検出する表面実装型フォトインタラプタにおいて、前記発光素子及び受光素子を絶縁基板に実装し封止樹脂で封止したフォトインタラプタ単体と、両素子の光路となる光の反射面とスリット及び外部への遮光と所定のギャップをプレス加工にて形成した金属薄板の筐体とを組み合わせ固着した構成を有することを特徴とするものである。
【００１２】
また、前記筐体に形成した両素子の光路となる光の反射面にメッキ層を形成して反射効率をアップしたことを特徴とするものである。
【００１３】
また、前記メッキ層は、ニッケルメッキであることを特徴とするものである。
【００１６】
また、発光素子からの光をギャップを介して受光素子が受光して被検出物の有無を無接点で検出する表面実装型フォトインタラプタの製造方法において、絶縁基板で形成した多数個取りする集合回路基板に複数列のスルーホールを穴明けするスルーホール加工工程と、前記集合回路基板の上面に複数列の実装用電極パターン及び前記スルーホールにスルーホール電極を形成する電極パターン形成工程と、前記集合回路基板上に複数個の発光素子及び受光素子を実装する実装工程と、前記スルーホール上にマスク部材を貼付後封止樹脂を充填しキュアして硬化させる樹脂封止工程と、前記集合回路基板を直交するカットラインに沿って単体の回路基板に分割してフォトインタラプタ単体を形成する切断工程と、前記両素子の光路となる光の反射面とスリット及び外部への遮光部分や所定のギャップを金属薄板で形成した筐体のプレス加工工程と、前記フォトインタラプタ単体に前記筐体を被せて組合せ接着剤等の固着手段で一体化する固着工程と、より構成されたことを特徴とするものである。
【００１７】
また、発光素子からの光をギャップを介して受光素子が受光して被検出物の有無を無接点で検出する表面実装型フォトインタラプタの製造方法において、絶縁基板で形成した多数個取りする集合回路基板に複数列のスルーホールを穴明けするスルーホール加工工程と、前記集合回路基板の上面に複数列の実装用電極パターン及び前記スルーホールにスルーホール電極を形成する電極パターン形成工程と、前記集合回路基板上に複数個の発光素子及び受光素子を実装する実装工程と、前記スルーホール上にマスク部材を貼付後封止樹脂を充填しキュアして硬化させる樹脂封止工程と、前記両素子の光路となる光の反射面とスリット及び外部への遮光部分や所定のギャップを金属薄板で形成した筐体集合体を加工するプレス加工工程と、前記集合回路基板に前記筐体集合体を被せて組合せ接着剤等の固着手段で一体化する固着工程と、前記一体化した集合回路基板と筐体集合体を直交するカットラインに沿って個々のフォトインタラプタに分割する切断工程と、からなることを特徴とするものである。
【００１８】
また、表面実装型フォトインタラプタの製造方法において、更に前記筐体の反射面にメッキ層を形成するメッキ工程を有することを特徴とするものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下図面に基づいて本発明における表面実装型フォトインタラプタ及びその製造方法について説明する。図１及び図２は本発明の第１の実施の形態であり、図１は、表面実装型フォトインタラプタ単体の断面図、図２は、図１の斜視図である。図において、従来技術と同一部材は同一符号で示す。
【００２０】
図１及び図２において、２０は表面実装型フォトインタラプタであり、その構成は、平面が略矩形形状をした絶縁基板のガラスエポキシ樹脂等よりなる回路基板２１の同一面上に形成された電極パターン２３ａ及び２３ｂにそれぞれ発光素子であるＬＥＤ３及び受光素子であるＰ−Ｔｒ４をダイボンド及びワイヤーボンド実装されている。前記電極パターン２３a及び２３ｂは側面に形成された外部接続電極となるスルーホール電極２２ａ及び２２ｂと連通し、前記ＬＥＤ３及びＰ−Ｔｒ４のそれぞれはエポキシ樹脂等よりなる封止樹脂８で封止され、フォトインタラプタ単体２０Ａを形成する。
【００２１】
一方、２４は、筺体であり、Ｂｓ材、Ａｌ材、ＳｕＳ材等の金属薄板をプレス加工で、スリット部の穴明けや本体部を絞り加工で形成する。若しくは、プラスチック材料で金型を使って射出成形加工で成形する。前記いずれかの方法で成形した筺体２４は、外部への遮光と、両素子の光路となるスリット２４ａ、２４ｂとギャップＧを挟み左右が略対称に約４５°傾斜した光の反射面２４ｃ、２４ｄとを備えている。尚、必要に応じて前記反射面２４ｃ、２４ｄには、図示しないメッキ層を形成することにより、更に反射効率をアップさせることができる。
【００２２】
次に、前述したフォトインタラプタ単体２０Ａの回路基板２１の外周縁部又は前記筺体２４の下部内周縁部の接合面に接着剤を塗布又は印刷し、フォトインタラプタ単体２０Ａと筺体２４を組合せ接着することで表面実装型フォトインタラプタ２０が完成される。
【００２３】
以上の構成による表面実装型フォトインタラプタ２０は、ＬＥＤ３からの光が筺体２４の略４５°傾斜した内面側の反射面２４ｃで略９０度反射してスリット２４ａを通過しギャップＧを介してスリット２４ｂを通過、更に反射面２４ｄで略９０度反射して、Ｐ−Ｔｒ４が受光する。このとき光の通路であるギャップＧ内に被検出物が入り光が遮断されると、Ｐ−Ｔｒ４の出力が変化して被検出物の有無を検出する。
【００２４】
従って、従来の方法では、ＬＥＤ３とＰ−Ｔｒ４をそれぞれ別工程で、１次モールド体として形成し、２次モールド体にインサート成形で光軸の位置調整を保持しながら行う等工数面、精度面、金型の複雑さ、或いは二度の成形による素子への熱応力、ストレスでの信頼性、コスト面等多くの課題を抱えていたが、本発明では、ＬＥＤ３とＰ−Ｔｒ４を回路基板２１の同一面上で同時形成するため、製造工数も少なく、また上述のようにプレス加工やプラ成形加工の金型精度でスリット２４ａ、２４ｂの位置精度や加工ギャップＧの精度を正確に出すことができる。更に、反射を利用しているため、光軸位置調整も特別に必要ない等、従来に比べて工数、精度、信頼性、コスト面で優れている。
【００２５】
次に、表面実装型フォトインタラプタの製造方法について説明する。図３〜図８は、前記筺体が単体の場合の製造方法で、図３は、集合回路基板にスルーホール加工及び電極パターン形成工程を示す斜視図である。図４は、ＬＥＤ及びＰ−Ｔｒのダイボンド及びワイヤーボンド実装工程を示す斜視図である。図５は、樹脂封止工程を示す斜視図である。図６は、実装から樹脂封止工程迄を終了した集合回路基板の切断工程後の分割されたフォトインタラプタ単体の斜視図である。図７は、筺体の外観斜視図である。図８は、筺体の裏面側から見た外観斜視図である。
【００２６】
図３において、スルーホール加工工程は、絶縁基板のガラスエポキシ樹脂等よりなる１００ｍｍ〜２００ｍｍ角程度の集合回路基板２１Ａに回路基板２１を多数個取りするための各列毎同ピッチでＮＣ切削又はプレス等の加工手段で穴明けし、スルーホール２２を形成する。
【００２７】
次に、メッキ工程において、前記スルーホール２２の壁面を含む集合回路基板２１Ａの全表面を洗浄した後、集合回路基板２１Ａの全表面に無電解メッキで銅メッキ層を形成後、電極パターン形成工程に移り、マスク合わせ、露光、現像、エッチング、レジスト塗布、マスク合わせ、露光、現像等の各工程を経て、銅の電極パターンを形成し、最終に電解メッキでＮｉメッキ、その上にＡｕメッキを施して完了する。こうして前記集合回路基板２１Ａの上面にＬＥＤ３及びＰ−Ｔｒ４の実装用の電極パターン２３ａ及び２３ｂと、スルーホール電極２２ａ（２２ｂ）が形成される。
【００２８】
図４は、実装工程の説明図で、ダイボンド工程において、前記実装用電極パターン２３ａ及び２３ｂ上に異方性導電シート又は異方性導電接着剤、或いは導電性接着剤を塗布又は印刷する。例えば、銀ペーストの場合は、ＬＥＤ３又はＰ−Ｔｒ４の各素子を銀ペースト上に搭載し、その後キュア炉に入れて銀ペーストを硬化させて固着する。
【００２９】
ワイヤーボンド工程では、前記固着されたＬＥＤ３及びＰ−Ｔｒ４のファースト側から金線等のボンディングワイヤー７で決められたセカンド側パターンにワイヤーボンド接続する。
【００３０】
図５は、樹脂封止工程を示す図で、先ず、前記集合回路基板２１Ａのスルーホール２２上に樹脂がスルーホール内へ流れ込むのを防止するため、粘着テープ等のマスク部材２５を貼付する。次に、所定のギャップＧを確保するため、取り個数に応じた複数列の図示しない型枠をセットし、エポキシ樹脂等の封止樹脂８を型枠に充填後、キュアして硬化させる。封止樹脂８が硬化した後、前記型枠を取り除く。
【００３１】
前記集合回路基板２１Ａの材質がガラスエポキシ樹脂、封止樹脂８がエポキシ樹脂で、共に同じエポキシ系であるため線膨張係数も同じでキュア等の高温時における基板と樹脂の剥離や反りが少なく、密着強度の高い信頼性に優れた樹脂封止後の集合回路基板２１Ａが得られる。
【００３２】
切断工程は、前述した実装から樹脂封止工程迄終了した集合回路基板２１Ａを、直交するＸ、Ｙのカットライン２６、２７に沿ってダイシング又はスライシングマシン等で切断し、図６に示すようなフォトインタラプタ単体２０Ａに分割する。前記Ｘ方向のカットライン２６はスルーホール２２上を通るので、分割断面には半円状をしたＬＥＤ３側のスルーホール電極２２ａと、Ｐ−Ｔｒ４側のスルーホール電極２２ｂがそれぞれの列毎に現れ、図６の如く単体に分割されたとき対称位置に各電極がきてマザーボード等と接続する外部接続電極となる。
【００３３】
図７及び図８に示すように、筺体の加工工程は、前述したように、Ｂｓ材、Ａｌ材、ＳｕＳ材等の金属薄板をプレス加工でスリット部の穴明けや本体部に絞り加工で成形する。若しくはプラスチック材料で金型を使って射出成形加工で成形する。これらいずれかの方法で成形した筺体２４は、外部への遮光と両素子の光路となるスリット２４ａ、２４ｂとギャップＧを挟み左右が略対称に約４５°傾斜した光の反射面２４ｃ、２４ｄ備えている。尚、必要に応じて前記反射面２４ｃ、２４ｄには、例えば無電解Ｎｉメッキ等のメッキ層（図示しない）を形成することにより更に反射率をアップさせることが出来る。
【００３４】
最終工程となる一体化するための接着工程は、前述したフォトインタラプタ単体２０Ａの回路基板２１の外周縁部又は前記筺体２４の下部内周縁部の接合面に、接着剤を塗布又は印刷し、フォトインタラプタ単体２０Ａと筺体２４を組合せ接着することで一体化し、図１及び図２に示すような表面実装型フォトインタラプタ２０が完成する。
【００３５】
次に、表面実装型フォトインタラプタの第２の実施の形態について説明する。前述した製造方法ではフォトインタラプタ単体と筺体単体とを接着して表面実装型フォトインタラプタを形成する方法を述べたが、ここではフォトインタラプタ集合体と筺体集合体とを接着し、最終工程で切断、分割することで表面実装型フォトインタラプタを得る製造方法について述べる。
【００３６】
図９及び図１０は、フォトインタラプタ集合体と筺体集合体それぞれの製造方法を説明する図であって、図９は、集合回路基板にスルーホール加工、電極パターン形成、ＬＥＤ及びＰ−Ｔｒをダイボンド及びワイヤーボンド実装、樹脂封止の各工程を経たフォトインタラプタ集合体を示す斜視図である。図１０は、筺体集合体の斜視図である。
【００３７】
図９において、ガラスエポキシ樹脂等よりなる多数個取りする集合回路基板２１Ａに、ＬＥＤ３とＰ−Ｔｒ４を別々にして、フォトインタラプタ１個毎の相当位置の各列毎に、スルーホール加工工程で、前述と同様に、マザーボード等のプリント基板と接続するスルーホール電極を形成するスルーホール２２を穴明けする。電極パターン形成工程で、前記集合回路基板２１Ａの上面にＬＥＤ３及びＰ−Ｔｒ４の実装用電極パターン２３ａ及び２３ｂと、この電極パターンと接続するスルーホール電極２２ａ及び２２ｂを形成する。実装工程は、前記集合回路基板２１Ａ上のＬＥＤ３及びＰ−Ｔｒ４をダイボンド及びワイヤーボンドする。樹脂封止工程は、前記スルーホール２２上に図示しない粘着シート等のカバー部材を貼付し、ＬＥＤ３及びＰ−Ｔｒ４がそれぞれ独立した島状になる如く型枠をセットし、エポキシ樹脂等の封止樹脂８を型枠に充填し、キュアして硬化させる。以上によりフォトインタラプタ集合体２０Ｂが構成される。尚、フォトインタラプタ集合体２０Ｂの隅部には、後述する筺体集合体と位置決めするためのガイド穴２１ａが、少なくとも、対角の位置に２個形成されている。
【００３８】
図１０において、筺体集合体２４Ａは、前述のフォトインタラプタ集合体２０Ｂと後工程で一体化される。従って、筺体集合体２４Ａを構成する各筺体部と前記フォトインタラプタ集合体２０Ｂを構成する各フォトインタラプタ単体とが一致するように筺体集合体２０Ａが設計されている。そして、その加工方法には、プレス加工或いはプラスチック成形加工の２通りがある。プレス加工は、ＢＳ材、アルミ材、ＳＵＳ材等の金属薄板２４Ｂをプレス機でスリット部の穴明けや本体部の絞り加工等で行って成形する。また、プラスチック成形加工は、プラスチック材料を金型を使って射出成形機で諸形状を成形する。これらいずれかの方法で成形した筺体集合体２４Ａの各筺体部は、各部への遮光と両素子の光路となるスリット２４ａ、２４ｂとギャップＧを挟み、左右が略対称に約４５°傾斜した光の反射面２４ｃ、２４ｄを備えている。また、前記反射面２４ｃ、２４ｄには更に反射効率をアップさせるため、例えば無電解Ｎｉメッキ等のメッキ層（図示しない）を形成する。尚、筺体集合体２４Ａの隅部には、ガイド穴２４ｅが前記フォトインタラプタ集合体２０Ｂに形成したガイド穴２１ａと同様に少なくとも、対の位置に２個形成されている。次工程でガイド穴同志が重なって位置決めされる。
【００３９】
一体化工程は、前記フォトインタラプタ集合体２０Ｂと筺体集合体２４Ａの両方又は一方の各要部に接着剤を塗布又は印刷し、前記両者のガイド穴２１ａと２４ｅとを合致させて位置決めし、両者を固着して表面実装型フォトインタラプタ２０の集合体を形成する。
【００４０】
最終工程となる切断工程は、前工程の前記一体化工程で形成した表面実装型フォトインタラプタ２０の集合体を直交するＸ、Ｙのカットライン２６、２７に沿って、ダイシング又はスライシングマシン等で単体にカット分割することで図１、図２に示すような表面実装型フォトインタラプタ２０が完成する。
【００４１】
以上、筺体が単体の場合と集合体の場合の２つの製造方法について説明したが、いずれの場合においても、ＬＥＤとＰ−Ｔｒが多数個取りする集合回路基板の同一面上で各工程毎に一括処理されるため効率が高く、また１００ｍｍ〜２００ｍｍ角程度の集合回路基板におけるフォトインタラプタ取り個数が約１０００個前後可能で製造コストを極めて安価にすることができる。
【００４２】
図１１〜図１３は、本発明の第１、第２の実施の形態に係わり、図１１は筺体の外観斜視図、図１２は筺体の裏面側の斜視図、図１３は表面実装型フォトインタラプタの断面図である。
【００４３】
前述した第１、第２の実施の形態で説明した筺体と異なるところは、回路基板２１と相対し、且つ平行な前記筺体き上面頂部２４ｅの形状を、表面積を広く略四角形状としたことである。筺体２４の上面頂部２４ｅを広くすることにより、マウント機での頂部吸着が確実となり、表面実装型フォトインタラプタのマザーボード等への供給安定性が向上する。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板及び筺体は集合体で製造するので多数個取りが可能でり、また、製造工程の大半は集合状態のままで進められるので製造コストは極めて安価である。また、光軸合わせが極めて容易となる。
【００４５】
更に、絶縁基板である集合回路基板の材質がガラス繊維入りエポキシ樹脂基板であり、封止樹脂にエポキシ樹脂を使用するので双方が同じエポキシ系で線膨張係数も同一なため、高温、低温、湿度等における相互の固定力が強く信頼性が高い。
【００４６】
また、筺体は金属板のプレス加工或いはプラスチック成形加工のため、金型によるスリット位置やギャップ幅を高精度に加工でき、信頼性が向上する。
【００４７】
また、必要により前記筺体の反射面である内面にメッキ等の表面処理を施すことにより反射効率をアップすることができる。
【００４８】
また、筺体の頂部の面積を広く形成することにより、マウント機での頂部の吸着が確実となり、表面実装型フォトインタラプタのマザーボード等への供給安定性が向上する。
【００４９】
また、それぞれの集合体の一体化は従来のように複雑な２次モールド金型を使用することがないため、発光素子及び受光素子が熱応力や機械的応力等の悪影響を受けることがなく高信頼性、高精度が実現できる。
【００５０】
以上のように、超小型で、しかも高精度、高分解能を実現可能で、更に市場が要求している小型、ＳＭＤ及び高寿命、高信頼性で、極めて安価な表面実装型フォトインタラプタ及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わる表面実装型フォトインタラプタの断面図である。
【図２】図１の表面実装型フォトインタラプタの外観を示す斜視図である。
【図３】本発明の表面実装型フォトインタラプタの製造方法に係わり、集合回路基板にスルーホール加工及び電極パターン形成工程を示す斜視図である。
【図４】図３の集合回路基板に、ＬＥＤ及びＰ−Ｔｒをダイボンド及びワイヤーボンド実装工程を示す斜視図である。
【図５】図４の集合回路基板の樹脂封止工程を示す斜視図である。
【図６】図５の集合回路基板をダイシング工程にて分割した単体のフォトインタラプタの斜視図である。
【図７】本発明の筺体単体の外観斜視図である。
【図８】図７の筺体の裏面側の斜視図である。
【図９】本発明の表面実装型フォトインタラプタの第２の実施の形態に係わり、集合回路基板にスルーホール加工、電極パターン形成、ＬＥＤ及びＰ−Ｔｒをダイボンド及びワイヤーボンド実装、樹脂封止の工程を経たフォトインタラプタ集合体の斜視図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係わる筺体を集合体で製造する場合の斜視図である。
【図１１】本発明の第１、第２の実施の形態に係わる筺体の外観斜視図である。
【図１２】図１１の裏面側の斜視図である。
【図１３】本発明の第１、第２の実施の形態に係わる表面実装型フォトインタラプタの断面図である。
【図１４】一般的なフォトインタラプタの回路構成図である。
【図１５】従来のフォトインタラプタの斜視図である。
【図１６】図１５のＡ−Ａ線断面図である。
【符号の説明】
３ ＬＥＤ（発光素子）
４ Ｐ−Ｔｒ（受光素子）
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
２０ 表面実装型フォトインタラプタ
２０Ａ フォトインタラプタ単体
２０Ｂ フォトインタラプタ集合体
２１ 回路基板
２１ａ、２４ｅ ガイド穴
２１Ａ 集合回路基板
２２ スルーホール
２２ａ、２２ｂ スルーホール電極
２３ａ、２３ｂ 電極パターン
２４ 筺体
２４ａ、２４ｂ スリット
２４ｃ、２４ｄ 反射面
２４ｅ 頂部
２５ マスク部材
２６ Ｘ方向カットライン
２７ Ｙ方向カットライン
Ｇ ギャップ
【発明の属する技術分野】
本発明は被検出物の有無を無接点で検出する表面実装型フォトインタラプタ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ファクシミリ、プリンター、フロッピディスクドライブ等に、非接触で物体の有無を検出してスイッチング信号を得ることができるフォトインタラプタが広く使用されている。一般的なフォトインタラプタの構造は図１４に示すように、フォトインタラプタ１はケース２の対向する部分に発光素子３（例えば、赤外ＬＥＤ）と受光素子４（例えば、フォトトランジスタ、以下、Ｐ−Ｔｒと呼ぶ）とを取り付け、発光素子３からの光をギャップＧを介して受光素子４が受光するように構成されている。上記構成によりギャップＧ内に被検出物が入り光が遮断されると受光素子４側の出力が変化し、この出力変化をスイッチング信号として使用するものである。
【０００３】
前記フォトインタラプタの構造において、前記ケース２はプラスチックのモールドで形成され、対向する素子収納部に発光素子３と受光素子４を収納した後、スリット内を通る光軸の位置調整を行い、光軸が一致する位置を保持しながらエポキシ樹脂で前記素子収納部を封止し、固着したものであった。従って、モールド成形では検出精度を決めるスリット内の光軸の位置調整精度を高めることが非常に困難であった。
【０００４】
そこで、前記検出精度を決めるスリット内の光軸の位置調整精度を向上するために金属のスリット板を用いたフォトインタラプタの製造方法の技術が特開平５−１１０１２９号公報に開示されている。図１５及び図１６にてその概要を説明する。
【０００５】
図１５はフォトインタラプタの斜視図、図１６は受発光側の各１次モールド体及びスリット板を２次モールド金型内にインサートした状態を示す断面図である。図において、リード端子５へ発光素子であるＬＥＤ３又は受光素子であるＰ−Ｔｒ４をダイボンドし、他方のリード端子６へ金線等のボンディングワイヤー７でワイヤーボンドし、熱硬化性の封止樹脂８、例えば、エポキシ樹脂で注型又はトランスファーモールド方式により受発光側の各１次モールド体を形成する。
【０００６】
次に、金属板で光の通路となるスリット９ａを備えたスリット板９を形成する。該スリット板９は２次モールド金型へインサート成形するための折り曲げられたリード部９ｂを備えている。前記受発光側の各１次モールド体とスリット板とを位置決めして２次モールド金型内へ挿入し、熱可塑性の遮光性樹脂１０、例えば、ポリフェニレンサルファイドで射出成形を行い、各１次モールド体とスリット板とを一体化する。射出成形後、２次モールド金型より離型して、切断、分離して、図１５のような単体のフォトインタラプタ１１が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したフォトインタラプタの製造方法には次のような問題点がある。ＬＥＤ、Ｐ−Ｔｒの製造工程を別々に行わなければならないため、１次モールド体と２次モールド体を組合せる時、光軸の位置調整が困難であり、製造コストも高価であった。また、更にモールド金型が複雑になると共に、スリット板の曲げ精度も起因してモールド体のスリットの位置精度が低下した。モールド成形のための金型製作コスト及び金型維持費が必要となった。モールド本体へのＬＥＤ及びＰ−Ｔｒのインサート成形が必要となるため工数の増加及び製造コストが高価であった。また二度のモールド工程の加熱によりＬＥＤ、Ｐ−Ｔｒへ熱応力等のストレスが加わり信頼性に悪影響を及ぼす等の課題があった。
【０００８】
本発明は上記従来の課題に鑑みなされたものであり、その目的は、高精度、高分解能を実現し、小型で高寿命、高信頼性の生産性に優れた極めて安価な表面実装型フォトインタラプタ及びその製造方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明における表面実装型フォトインタラプタは、発光素子からの光をギャップを介して受光素子が受光して被検出物の有無を無接点で検出する表面実装型フォトインタラプタにおいて、前記発光素子及び受光素子を絶縁基板に実装し封止樹脂で封止したフォトインタラプタ単体と、両素子の光路となる光の反射面とスリット及び外部への遮光と所定のギャップをプレス加工にて形成した金属薄板の筐体とを組み合わせ固着した構成を有することを特徴とするものである。
【００１２】
また、前記筐体に形成した両素子の光路となる光の反射面にメッキ層を形成して反射効率をアップしたことを特徴とするものである。
【００１３】
また、前記メッキ層は、ニッケルメッキであることを特徴とするものである。
【００１６】
また、発光素子からの光をギャップを介して受光素子が受光して被検出物の有無を無接点で検出する表面実装型フォトインタラプタの製造方法において、絶縁基板で形成した多数個取りする集合回路基板に複数列のスルーホールを穴明けするスルーホール加工工程と、前記集合回路基板の上面に複数列の実装用電極パターン及び前記スルーホールにスルーホール電極を形成する電極パターン形成工程と、前記集合回路基板上に複数個の発光素子及び受光素子を実装する実装工程と、前記スルーホール上にマスク部材を貼付後封止樹脂を充填しキュアして硬化させる樹脂封止工程と、前記集合回路基板を直交するカットラインに沿って単体の回路基板に分割してフォトインタラプタ単体を形成する切断工程と、前記両素子の光路となる光の反射面とスリット及び外部への遮光部分や所定のギャップを金属薄板で形成した筐体のプレス加工工程と、前記フォトインタラプタ単体に前記筐体を被せて組合せ接着剤等の固着手段で一体化する固着工程と、より構成されたことを特徴とするものである。
【００１７】
また、発光素子からの光をギャップを介して受光素子が受光して被検出物の有無を無接点で検出する表面実装型フォトインタラプタの製造方法において、絶縁基板で形成した多数個取りする集合回路基板に複数列のスルーホールを穴明けするスルーホール加工工程と、前記集合回路基板の上面に複数列の実装用電極パターン及び前記スルーホールにスルーホール電極を形成する電極パターン形成工程と、前記集合回路基板上に複数個の発光素子及び受光素子を実装する実装工程と、前記スルーホール上にマスク部材を貼付後封止樹脂を充填しキュアして硬化させる樹脂封止工程と、前記両素子の光路となる光の反射面とスリット及び外部への遮光部分や所定のギャップを金属薄板で形成した筐体集合体を加工するプレス加工工程と、前記集合回路基板に前記筐体集合体を被せて組合せ接着剤等の固着手段で一体化する固着工程と、前記一体化した集合回路基板と筐体集合体を直交するカットラインに沿って個々のフォトインタラプタに分割する切断工程と、からなることを特徴とするものである。
【００１８】
また、表面実装型フォトインタラプタの製造方法において、更に前記筐体の反射面にメッキ層を形成するメッキ工程を有することを特徴とするものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下図面に基づいて本発明における表面実装型フォトインタラプタ及びその製造方法について説明する。図１及び図２は本発明の第１の実施の形態であり、図１は、表面実装型フォトインタラプタ単体の断面図、図２は、図１の斜視図である。図において、従来技術と同一部材は同一符号で示す。
【００２０】
図１及び図２において、２０は表面実装型フォトインタラプタであり、その構成は、平面が略矩形形状をした絶縁基板のガラスエポキシ樹脂等よりなる回路基板２１の同一面上に形成された電極パターン２３ａ及び２３ｂにそれぞれ発光素子であるＬＥＤ３及び受光素子であるＰ−Ｔｒ４をダイボンド及びワイヤーボンド実装されている。前記電極パターン２３a及び２３ｂは側面に形成された外部接続電極となるスルーホール電極２２ａ及び２２ｂと連通し、前記ＬＥＤ３及びＰ−Ｔｒ４のそれぞれはエポキシ樹脂等よりなる封止樹脂８で封止され、フォトインタラプタ単体２０Ａを形成する。
【００２１】
一方、２４は、筺体であり、Ｂｓ材、Ａｌ材、ＳｕＳ材等の金属薄板をプレス加工で、スリット部の穴明けや本体部を絞り加工で形成する。若しくは、プラスチック材料で金型を使って射出成形加工で成形する。前記いずれかの方法で成形した筺体２４は、外部への遮光と、両素子の光路となるスリット２４ａ、２４ｂとギャップＧを挟み左右が略対称に約４５°傾斜した光の反射面２４ｃ、２４ｄとを備えている。尚、必要に応じて前記反射面２４ｃ、２４ｄには、図示しないメッキ層を形成することにより、更に反射効率をアップさせることができる。
【００２２】
次に、前述したフォトインタラプタ単体２０Ａの回路基板２１の外周縁部又は前記筺体２４の下部内周縁部の接合面に接着剤を塗布又は印刷し、フォトインタラプタ単体２０Ａと筺体２４を組合せ接着することで表面実装型フォトインタラプタ２０が完成される。
【００２３】
以上の構成による表面実装型フォトインタラプタ２０は、ＬＥＤ３からの光が筺体２４の略４５°傾斜した内面側の反射面２４ｃで略９０度反射してスリット２４ａを通過しギャップＧを介してスリット２４ｂを通過、更に反射面２４ｄで略９０度反射して、Ｐ−Ｔｒ４が受光する。このとき光の通路であるギャップＧ内に被検出物が入り光が遮断されると、Ｐ−Ｔｒ４の出力が変化して被検出物の有無を検出する。
【００２４】
従って、従来の方法では、ＬＥＤ３とＰ−Ｔｒ４をそれぞれ別工程で、１次モールド体として形成し、２次モールド体にインサート成形で光軸の位置調整を保持しながら行う等工数面、精度面、金型の複雑さ、或いは二度の成形による素子への熱応力、ストレスでの信頼性、コスト面等多くの課題を抱えていたが、本発明では、ＬＥＤ３とＰ−Ｔｒ４を回路基板２１の同一面上で同時形成するため、製造工数も少なく、また上述のようにプレス加工やプラ成形加工の金型精度でスリット２４ａ、２４ｂの位置精度や加工ギャップＧの精度を正確に出すことができる。更に、反射を利用しているため、光軸位置調整も特別に必要ない等、従来に比べて工数、精度、信頼性、コスト面で優れている。
【００２５】
次に、表面実装型フォトインタラプタの製造方法について説明する。図３〜図８は、前記筺体が単体の場合の製造方法で、図３は、集合回路基板にスルーホール加工及び電極パターン形成工程を示す斜視図である。図４は、ＬＥＤ及びＰ−Ｔｒのダイボンド及びワイヤーボンド実装工程を示す斜視図である。図５は、樹脂封止工程を示す斜視図である。図６は、実装から樹脂封止工程迄を終了した集合回路基板の切断工程後の分割されたフォトインタラプタ単体の斜視図である。図７は、筺体の外観斜視図である。図８は、筺体の裏面側から見た外観斜視図である。
【００２６】
図３において、スルーホール加工工程は、絶縁基板のガラスエポキシ樹脂等よりなる１００ｍｍ〜２００ｍｍ角程度の集合回路基板２１Ａに回路基板２１を多数個取りするための各列毎同ピッチでＮＣ切削又はプレス等の加工手段で穴明けし、スルーホール２２を形成する。
【００２７】
次に、メッキ工程において、前記スルーホール２２の壁面を含む集合回路基板２１Ａの全表面を洗浄した後、集合回路基板２１Ａの全表面に無電解メッキで銅メッキ層を形成後、電極パターン形成工程に移り、マスク合わせ、露光、現像、エッチング、レジスト塗布、マスク合わせ、露光、現像等の各工程を経て、銅の電極パターンを形成し、最終に電解メッキでＮｉメッキ、その上にＡｕメッキを施して完了する。こうして前記集合回路基板２１Ａの上面にＬＥＤ３及びＰ−Ｔｒ４の実装用の電極パターン２３ａ及び２３ｂと、スルーホール電極２２ａ（２２ｂ）が形成される。
【００２８】
図４は、実装工程の説明図で、ダイボンド工程において、前記実装用電極パターン２３ａ及び２３ｂ上に異方性導電シート又は異方性導電接着剤、或いは導電性接着剤を塗布又は印刷する。例えば、銀ペーストの場合は、ＬＥＤ３又はＰ−Ｔｒ４の各素子を銀ペースト上に搭載し、その後キュア炉に入れて銀ペーストを硬化させて固着する。
【００２９】
ワイヤーボンド工程では、前記固着されたＬＥＤ３及びＰ−Ｔｒ４のファースト側から金線等のボンディングワイヤー７で決められたセカンド側パターンにワイヤーボンド接続する。
【００３０】
図５は、樹脂封止工程を示す図で、先ず、前記集合回路基板２１Ａのスルーホール２２上に樹脂がスルーホール内へ流れ込むのを防止するため、粘着テープ等のマスク部材２５を貼付する。次に、所定のギャップＧを確保するため、取り個数に応じた複数列の図示しない型枠をセットし、エポキシ樹脂等の封止樹脂８を型枠に充填後、キュアして硬化させる。封止樹脂８が硬化した後、前記型枠を取り除く。
【００３１】
前記集合回路基板２１Ａの材質がガラスエポキシ樹脂、封止樹脂８がエポキシ樹脂で、共に同じエポキシ系であるため線膨張係数も同じでキュア等の高温時における基板と樹脂の剥離や反りが少なく、密着強度の高い信頼性に優れた樹脂封止後の集合回路基板２１Ａが得られる。
【００３２】
切断工程は、前述した実装から樹脂封止工程迄終了した集合回路基板２１Ａを、直交するＸ、Ｙのカットライン２６、２７に沿ってダイシング又はスライシングマシン等で切断し、図６に示すようなフォトインタラプタ単体２０Ａに分割する。前記Ｘ方向のカットライン２６はスルーホール２２上を通るので、分割断面には半円状をしたＬＥＤ３側のスルーホール電極２２ａと、Ｐ−Ｔｒ４側のスルーホール電極２２ｂがそれぞれの列毎に現れ、図６の如く単体に分割されたとき対称位置に各電極がきてマザーボード等と接続する外部接続電極となる。
【００３３】
図７及び図８に示すように、筺体の加工工程は、前述したように、Ｂｓ材、Ａｌ材、ＳｕＳ材等の金属薄板をプレス加工でスリット部の穴明けや本体部に絞り加工で成形する。若しくはプラスチック材料で金型を使って射出成形加工で成形する。これらいずれかの方法で成形した筺体２４は、外部への遮光と両素子の光路となるスリット２４ａ、２４ｂとギャップＧを挟み左右が略対称に約４５°傾斜した光の反射面２４ｃ、２４ｄ備えている。尚、必要に応じて前記反射面２４ｃ、２４ｄには、例えば無電解Ｎｉメッキ等のメッキ層（図示しない）を形成することにより更に反射率をアップさせることが出来る。
【００３４】
最終工程となる一体化するための接着工程は、前述したフォトインタラプタ単体２０Ａの回路基板２１の外周縁部又は前記筺体２４の下部内周縁部の接合面に、接着剤を塗布又は印刷し、フォトインタラプタ単体２０Ａと筺体２４を組合せ接着することで一体化し、図１及び図２に示すような表面実装型フォトインタラプタ２０が完成する。
【００３５】
次に、表面実装型フォトインタラプタの第２の実施の形態について説明する。前述した製造方法ではフォトインタラプタ単体と筺体単体とを接着して表面実装型フォトインタラプタを形成する方法を述べたが、ここではフォトインタラプタ集合体と筺体集合体とを接着し、最終工程で切断、分割することで表面実装型フォトインタラプタを得る製造方法について述べる。
【００３６】
図９及び図１０は、フォトインタラプタ集合体と筺体集合体それぞれの製造方法を説明する図であって、図９は、集合回路基板にスルーホール加工、電極パターン形成、ＬＥＤ及びＰ−Ｔｒをダイボンド及びワイヤーボンド実装、樹脂封止の各工程を経たフォトインタラプタ集合体を示す斜視図である。図１０は、筺体集合体の斜視図である。
【００３７】
図９において、ガラスエポキシ樹脂等よりなる多数個取りする集合回路基板２１Ａに、ＬＥＤ３とＰ−Ｔｒ４を別々にして、フォトインタラプタ１個毎の相当位置の各列毎に、スルーホール加工工程で、前述と同様に、マザーボード等のプリント基板と接続するスルーホール電極を形成するスルーホール２２を穴明けする。電極パターン形成工程で、前記集合回路基板２１Ａの上面にＬＥＤ３及びＰ−Ｔｒ４の実装用電極パターン２３ａ及び２３ｂと、この電極パターンと接続するスルーホール電極２２ａ及び２２ｂを形成する。実装工程は、前記集合回路基板２１Ａ上のＬＥＤ３及びＰ−Ｔｒ４をダイボンド及びワイヤーボンドする。樹脂封止工程は、前記スルーホール２２上に図示しない粘着シート等のカバー部材を貼付し、ＬＥＤ３及びＰ−Ｔｒ４がそれぞれ独立した島状になる如く型枠をセットし、エポキシ樹脂等の封止樹脂８を型枠に充填し、キュアして硬化させる。以上によりフォトインタラプタ集合体２０Ｂが構成される。尚、フォトインタラプタ集合体２０Ｂの隅部には、後述する筺体集合体と位置決めするためのガイド穴２１ａが、少なくとも、対角の位置に２個形成されている。
【００３８】
図１０において、筺体集合体２４Ａは、前述のフォトインタラプタ集合体２０Ｂと後工程で一体化される。従って、筺体集合体２４Ａを構成する各筺体部と前記フォトインタラプタ集合体２０Ｂを構成する各フォトインタラプタ単体とが一致するように筺体集合体２０Ａが設計されている。そして、その加工方法には、プレス加工或いはプラスチック成形加工の２通りがある。プレス加工は、ＢＳ材、アルミ材、ＳＵＳ材等の金属薄板２４Ｂをプレス機でスリット部の穴明けや本体部の絞り加工等で行って成形する。また、プラスチック成形加工は、プラスチック材料を金型を使って射出成形機で諸形状を成形する。これらいずれかの方法で成形した筺体集合体２４Ａの各筺体部は、各部への遮光と両素子の光路となるスリット２４ａ、２４ｂとギャップＧを挟み、左右が略対称に約４５°傾斜した光の反射面２４ｃ、２４ｄを備えている。また、前記反射面２４ｃ、２４ｄには更に反射効率をアップさせるため、例えば無電解Ｎｉメッキ等のメッキ層（図示しない）を形成する。尚、筺体集合体２４Ａの隅部には、ガイド穴２４ｅが前記フォトインタラプタ集合体２０Ｂに形成したガイド穴２１ａと同様に少なくとも、対の位置に２個形成されている。次工程でガイド穴同志が重なって位置決めされる。
【００３９】
一体化工程は、前記フォトインタラプタ集合体２０Ｂと筺体集合体２４Ａの両方又は一方の各要部に接着剤を塗布又は印刷し、前記両者のガイド穴２１ａと２４ｅとを合致させて位置決めし、両者を固着して表面実装型フォトインタラプタ２０の集合体を形成する。
【００４０】
最終工程となる切断工程は、前工程の前記一体化工程で形成した表面実装型フォトインタラプタ２０の集合体を直交するＸ、Ｙのカットライン２６、２７に沿って、ダイシング又はスライシングマシン等で単体にカット分割することで図１、図２に示すような表面実装型フォトインタラプタ２０が完成する。
【００４１】
以上、筺体が単体の場合と集合体の場合の２つの製造方法について説明したが、いずれの場合においても、ＬＥＤとＰ−Ｔｒが多数個取りする集合回路基板の同一面上で各工程毎に一括処理されるため効率が高く、また１００ｍｍ〜２００ｍｍ角程度の集合回路基板におけるフォトインタラプタ取り個数が約１０００個前後可能で製造コストを極めて安価にすることができる。
【００４２】
図１１〜図１３は、本発明の第１、第２の実施の形態に係わり、図１１は筺体の外観斜視図、図１２は筺体の裏面側の斜視図、図１３は表面実装型フォトインタラプタの断面図である。
【００４３】
前述した第１、第２の実施の形態で説明した筺体と異なるところは、回路基板２１と相対し、且つ平行な前記筺体き上面頂部２４ｅの形状を、表面積を広く略四角形状としたことである。筺体２４の上面頂部２４ｅを広くすることにより、マウント機での頂部吸着が確実となり、表面実装型フォトインタラプタのマザーボード等への供給安定性が向上する。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板及び筺体は集合体で製造するので多数個取りが可能でり、また、製造工程の大半は集合状態のままで進められるので製造コストは極めて安価である。また、光軸合わせが極めて容易となる。
【００４５】
更に、絶縁基板である集合回路基板の材質がガラス繊維入りエポキシ樹脂基板であり、封止樹脂にエポキシ樹脂を使用するので双方が同じエポキシ系で線膨張係数も同一なため、高温、低温、湿度等における相互の固定力が強く信頼性が高い。
【００４６】
また、筺体は金属板のプレス加工或いはプラスチック成形加工のため、金型によるスリット位置やギャップ幅を高精度に加工でき、信頼性が向上する。
【００４７】
また、必要により前記筺体の反射面である内面にメッキ等の表面処理を施すことにより反射効率をアップすることができる。
【００４８】
また、筺体の頂部の面積を広く形成することにより、マウント機での頂部の吸着が確実となり、表面実装型フォトインタラプタのマザーボード等への供給安定性が向上する。
【００４９】
また、それぞれの集合体の一体化は従来のように複雑な２次モールド金型を使用することがないため、発光素子及び受光素子が熱応力や機械的応力等の悪影響を受けることがなく高信頼性、高精度が実現できる。
【００５０】
以上のように、超小型で、しかも高精度、高分解能を実現可能で、更に市場が要求している小型、ＳＭＤ及び高寿命、高信頼性で、極めて安価な表面実装型フォトインタラプタ及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わる表面実装型フォトインタラプタの断面図である。
【図２】図１の表面実装型フォトインタラプタの外観を示す斜視図である。
【図３】本発明の表面実装型フォトインタラプタの製造方法に係わり、集合回路基板にスルーホール加工及び電極パターン形成工程を示す斜視図である。
【図４】図３の集合回路基板に、ＬＥＤ及びＰ−Ｔｒをダイボンド及びワイヤーボンド実装工程を示す斜視図である。
【図５】図４の集合回路基板の樹脂封止工程を示す斜視図である。
【図６】図５の集合回路基板をダイシング工程にて分割した単体のフォトインタラプタの斜視図である。
【図７】本発明の筺体単体の外観斜視図である。
【図８】図７の筺体の裏面側の斜視図である。
【図９】本発明の表面実装型フォトインタラプタの第２の実施の形態に係わり、集合回路基板にスルーホール加工、電極パターン形成、ＬＥＤ及びＰ−Ｔｒをダイボンド及びワイヤーボンド実装、樹脂封止の工程を経たフォトインタラプタ集合体の斜視図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係わる筺体を集合体で製造する場合の斜視図である。
【図１１】本発明の第１、第２の実施の形態に係わる筺体の外観斜視図である。
【図１２】図１１の裏面側の斜視図である。
【図１３】本発明の第１、第２の実施の形態に係わる表面実装型フォトインタラプタの断面図である。
【図１４】一般的なフォトインタラプタの回路構成図である。
【図１５】従来のフォトインタラプタの斜視図である。
【図１６】図１５のＡ−Ａ線断面図である。
【符号の説明】
３ ＬＥＤ（発光素子）
４ Ｐ−Ｔｒ（受光素子）
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
２０ 表面実装型フォトインタラプタ
２０Ａ フォトインタラプタ単体
２０Ｂ フォトインタラプタ集合体
２１ 回路基板
２１ａ、２４ｅ ガイド穴
２１Ａ 集合回路基板
２２ スルーホール
２２ａ、２２ｂ スルーホール電極
２３ａ、２３ｂ 電極パターン
２４ 筺体
２４ａ、２４ｂ スリット
２４ｃ、２４ｄ 反射面
２４ｅ 頂部
２５ マスク部材
２６ Ｘ方向カットライン
２７ Ｙ方向カットライン
Ｇ ギャップ
Claims (6)
- 発光素子からの光をギャップを介して受光素子が受光して被検出物の有無を無接点で検出する表面実装型フォトインタラプタにおいて、前記発光素子及び受光素子を絶縁基板に実装し封止樹脂で封止したフォトインタラプタ単体と、両素子の光路となる光の反射面とスリット及び外部への遮光と所定のギャップをプレス加工にて形成した金属薄板の筐体とを組み合わせ固着した構成を有することを特徴とする表面実装型フォトインタラプタ。
- 前記筐体に形成した両素子の光路となる光の反射面にメッキ層を形成して反射効率をアップしたことを特徴とする請求項１記載の表面実装型フォトインタラプタ。
- 前記メッキ層は、ニッケルメッキであることを特徴とする請求項２記載の表面実装型フォトインタラプタ。
- 発光素子からの光をギャップを介して受光素子が受光して被検出物の有無を無接点で検出する表面実装型フォトインタラプタの製造方法において、絶縁基板で形成した多数個取りする集合回路基板に複数列のスルーホールを穴明けするスルーホール加工工程と、前記集合回路基板の上面に複数列の実装用電極パターン及び前記スルーホールにスルーホール電極を形成する電極パターン形成工程と、前記集合回路基板上に複数個の発光素子及び受光素子を実装する実装工程と、前記スルーホール上にマスク部材を貼付後封止樹脂を充填しキュアして硬化させる樹脂封止工程と、前記集合回路基板を直交するカットラインに沿って単体の回路基板に分割してフォトインタラプタ単体を形成する切断工程と、前記両素子の光路となる光の反射面とスリット及び外部への遮光部分や所定のギャップを金属薄板で形成した筐体のプレス加工工程と、前記フォトインタラプタ単体に前記筐体を被せて組合せ接着剤等の固着手段で一体化する固着工程と、より構成されたことを特徴とする表面実装型フォトインタラプタの製造方法。
- 発光素子からの光をギャップを介して受光素子が受光して被検出物の有無を無接点で検出する表面実装型フォトインタラプタの製造方法において、絶縁基板で形成した多数個取りする集合回路基板に複数列のスルーホールを穴明けするスルーホール加工工程と、前記集合回路基板の上面に複数列の実装用電極パターン及び前記スルーホールにスルーホール電極を形成する電極パターン形成工程と、前記集合回路基板上に複数個の発光素子及び受光素子を実装する実装工程と、前記スルーホール上にマスク部材を貼付後封止樹脂を充填しキュアして硬化させる樹脂封止工程と、前記両素子の光路となる光の反射面とスリット及び外部への遮光部分や所定のギャップを金属薄板で形成した筐体集合体を加工するプレス加工工程と、前記集合回路基板に前記筐体集合体を被せて組合せ接着剤等の固着手段で一体化する固着工程と、前記一体化した集合回路基板と筐体集合体を直交するカットラインに沿って個々のフォトインタラプタに分割する切断工程と、からなることを特徴とする表面実装型フォトインタラプタの製造方法。
- 表面実装型フォトインタラプタの製造方法において、更に前記筐体の反射面にメッキ層を形成するメッキ工程を有することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の表面実装型フォトインタラプタの製造方法。
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