JP5243882B2 - 表面実装型フォト検出ユニットの製造方法 - Google Patents

表面実装型フォト検出ユニットの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は非接触で物体の有無や通過を検出する表面実装型フォト検出ユニットとその製造方法に関する。
フォト検出ユニットは情報機器分野、即ち、車載エアコンパネル操作スイッチ・ナビコントロールユニット、DVDレコーダ、デジタルカメラ、プリンタ、PC周辺機器等、のメカニカル部の位置検出を無接触で低価格で実現出来るため広く用いられている。そして、近年、情報機器の更なる小型化、薄型化に伴い、超小型のフォト検出ユニット、即ち表面実装型のフォト検出ユニット(フォトインタラプタ)の利用が広がって来ている。
メカニカルな作動の位置検出にあたり、フォト検出ユニットを情報機器等のマザーボードに表面実装して配置する方法が取られることが多くなっている。そして、メカニカルな作動の位置検出の精度は、マザーボードに表面実装型フォト検出ユニットを取り付ける位置のバラツキが、直接影響している。従って、表面実装型フォト検出ユニットをマザーボードに精度よく位置決めする手段が必要である。
特許文献1に示す従来技術における表面実装型フォト検出ユニットは、発光素子を実装した基板と、受光素子を実装した基板と、この両基板の取付部を持つU字形状の枠体と、両素子の光路となるスリットを形成したスリット板に位置決め部材を具備して、枠体に取着し、スリット板の位置決め部材が本体から突出する構造になっている。故に、この表面実装型フォト検出ユニットは、位置決め部材がマザーボードと係合することにより、精度よく位置決めされるものであった。
特許文献2に示す従来技術における表面実装型フォト検出ユニットは、多数個の発光素子が実装された大型基板と、多数個の受光素子が実装された大型基板と、コの字形状の枠体を多数個の集合体枠体として成型し、この集合体枠体の上下面に発光素子実装の大型基板と受光素子実装の大型基板を位置決め接着して形成された集合体フォト検出ユニットを、ダイシングにより切断し個々に分離して、一度に多数個のフォト検出ユニットを製造する量産性に適した製造方法であった。
特開2000−12892(第3頁、図1) 特許第3640456(第3−4頁、図2)
しかしながら、特許文献1に示す従来の表面実装のフォト検出ユニットにおいては、スリット板に形成された位置決め部材は、マザーボードへの組み込み位置精度は実現できるにもかかわらず、別部材で形成しているため、部品点数の増加、この極小部品を一個一個組み込む製造工数アップ等で、コストアップの要因となっていた。
また特許文献2に示す従来の表面実装型フォト検出ユニットにおいては、集合枠体と、発光素子実装の大型基板と、受光素子実装の大型基板を接着により一体化し、ダイシングによる切断で分離して、一度に多数個の表面実装型フォト検出ユニットを製造する方法を採用している。しかし、マザーボード上に表面実装型フォト検出ユニットを取り付ける取付面が、ダイシングによる切断面で形成されているので、切断面には突出する位置決め用のダボや部材の形成が不可能である。そのため、位置検出器でありながら、マザーボードへの組み込み位置にバラツキが発生する問題があった。
(発明の目的)
本発明の目的は、取付面に位置決め用ダボを形成した位置決め精度の高い表面実装型フォト検出ユニットを提供することにあり、そして、量産性のある表面実装型フォト検出器ユニットの製造方法を提供することにある。
本発明の表面実装型フォト検出ユニットは、上記目的を達成するために、複数の長穴状のスリットを形成し、表面に回路パターンを有し、裏面には回路パターンと電気的に接続される電極パターンが形成された大型基板の表面に、多数個の発光素子を実装して、第1集合体基板を形成する第1集合体基板形成工程と、
複数の長穴状のスリットを形成し、表面に回路パターンを有し、裏面には回路パターンと電気的に接続される電極パターンが形成された大型基板の表面に、多数個の受光素子を実装して、第2集合体基板を形成する第2集合体基板形成工程と、
第1取付部及び第2取付部と、第1取付部及び第2取付部の一方の端部の間を連設する連設部とを有する略コの字形状で、連設部の取付面に位置決め用ダボを有する2個の枠体よりなり、2個の枠体が、各々の第1取付部及び第2取付部の先端同士を突き合わせた形状で一体化された2個枠体を集合枠体として形成する集合枠体形成工程と
第1集合体基板に実装された複数の発光素子に、多数個の2個枠体の第1取付部を各々位置決めし、第1集合体基板の長穴状のスリットに2個枠体の位置決め用ダボを備える取付面を合わせて、第1集合体基板の表面側と多数個の2個枠体を接着し固定する第1集合体基板枠体接着工程と、
第1集合体基板に接着し一体化された多数個の2個枠体の第2取付部に、第2集合体基板の複数の受光素子を位置決めし、第2集合体基板の長穴状のスリットに2個枠体の位置決め用ダボを備える取付面を合わせて、多数個の2個枠体と第2集合体基板の表面側を接着固定して完成集合体フォト検出ユニットを形成する第2集合体基板枠体接着工程と、
完成集合体フォト検出ユニットをダイシングにより切断して、個々のフォト検出ユニットに分離するフォト検出ユニット分離工程と、からなることを特徴とする。
また、集合枠体形成工程における集合枠体は、多数個の2個枠体を短手方向に並べ、各々の第1取付部及び第2取付部の側面同士を突き合わせて、列状に一体にした列枠体であることを特徴とする。
また、集合枠体形成工程における集合枠体は、複数個の列枠体を行方向に並べ、位置決め用ダボ同士を突き合わせて連設した形状で形成された行列枠体であることを特徴とする。
以上のように本発明の表面実装型フォト検出ユニットによれば、枠体の連設部の取付面に位置決め用ダボを設けたので、マザーボードに対し位置決め用ダボで位置決めすることにより、組み込み位置にバラツキがなく、精度のよい位置検出を達成することが可能となる。
そして、本発明の表面実装型フォト検出ユニットの製造方法によれば、複数の長穴状のスリットを形成した発光素子及び受光素子の大型基板と、複数の集合枠体を、接着して一体化し、次にダイシングによる切断と分離により、一度に多数個の製造が可能であるので、位置決め用ダボを具備しながらも非常に量産性の優れた製造方法が実現可能である。
(第1の実施形態)
以下、本発明の具体的実施形態について、図面に基づき説明する。図1乃至図3は、本発明の第1の実施形態における、表面実装型フォト検出ユニットの構成を説明する図面であり、図1は表面実装型フォト検出ユニットの外観を示す斜視図であり、図2は表面実装型フォト検出ユニットを、図1の上下面を逆さにした外観を示す斜視図である。図3は、本発明の第1の実施形態における表面実装型フォト検出ユニットを、マザーボードに実装した形態を説明する断面図である。理解しやすいように、表面実装型フォト検出ユニットのスリット部で断面にした断面図で、更に詳細に構成を説明するものである。
図1と図2に示すように、表面実装型フォト検出ユニット100は、略コの字形状を形成する耐熱性エンプラ等からなる枠体20が、一定間隔で対向する第1取付部1と第2取付部2と、第1取付部1及び第2取付部2の一方の端部の間を連設する連設部3からなり、赤外発光ダイオードからなる発光素子が実装されたガラスエポキシ基板からなる第1基板4が第1取付部1に、フォトトランジスタからなる受光素子が実装された第2基板5が第2取付部2に、それぞれ接着して固定されて形成されている。
第1取付部1の発光素子用の第1スリット部6と、第2取付部2の受光素子用の第2スリット部7が、光路を形成し、更に、連設部3の取付面8に位置決め用ダボ9が形成されている。第1基板4の発光素子が実装された面の裏側には、発光素子用の回路パターン(図示せず)と電気的に接続する発光素子電極24が形成され、同様に第2基板5の受光素子が実装された面の裏側には、受光素子用の回路パターン(図示せず)と電気的に接続する受光素子電極25が形成されている。
図3において、情報機器等のマザーボード200に対して、表面実装型フォト検出ユニット100は、位置決め用ダボ9がマザーボード200に設けられた位置決めダボ用孔201に嵌め込まれ、そして、枠体20の連設部3の取付面8がマザーボード200の表面に密着して配置され、リフロー炉を通して、半田付けによってマザーボードの電子回路と電気的に接続すると共に、固着して取り付けられた形態を示している。
第1基板4の表面側では、発光素子10が回路パターン(図示せず)上に配置されダイボンドやワイヤーボンド等で電気的な接続をされ、更に、エポキシ系の透光性樹脂12で封止されており、第1基板4の裏面側では、スルーホールで回路パターンと電気的に接続された発光素子用電極24が設けられている。同様に、第2基板5の表面側では、受光素子11が配置され、透光性樹脂12で封止されており、第2基板5の裏面側も同様に、受光素子用電極25を設けている。発光素子用電極24は、ハンダ204によりマザーボード200の発光素子用電極202と電気的に接続され、同様に、受光素子用電極25は、ハンダ204によりマザーボード200の受光素子用電極203に接続されている。この接続により、表面実装型フォト検出ユニット100は、対向する第1スリット6と第2スリット7の間で被検出物の有無を検出し電気信号に変換して、マザーボード200の電子回路(図示せず)に電気信号の供給が可能となる。
第1取付部1は、外側面側に第1スリット部6と連設した第1収納部13を備え、第1基板4の発光素子10と透光性樹脂12を充分に収納可能な寸法で開口している。第2取付部2も同様に、第2スリット部7と連設した第2収納部14が、第2基板5の受光素子11と透光性樹脂12を収納する開口を備えている。
表面実装型フォト検出ユニット100の取付面8と、マザーボード200の表面が密着した状態で、第1基板4及び第2基板5の電極側の端面とマザーボード200に隙間15が形成されている。即ち、隙間15により、取付面8だけがマザーボード200に密着して、表面実装型フォト検出ユニット100を垂直に設置することを可能にしており、表面実装型フォト検出ユニットが傾くことはない。
従って、表面実装型フォト検出ユニット100は、マザーボード200の位置決め用孔201に位置決め用ダボ9を嵌入して載置し、リフロー炉に通すだけで、予め決められた位置に精度よく配置される、しかも、マザーボード200の表面に垂直に位置決めされる。その結果、メカニカルな作動の位置の検出にバラツキがなく、精度のよい位置の検出をすることが可能となる。
次に、上記構成からなる表面実装型フォト検出ユニットの製造方法について説明する。図4乃至図17は図1の表面実装型フォト検出ユニットの製造方法を示す。図4乃至図6は第1集合体基板を形成する第1集合体基板形成工程を説明する図面であり、図4は発光素子を大型基板に実装した第1集合体基板の表面側の斜視図、図5は第1集合体基板の裏面側の発光素子側電極の配置を示す斜視図、図6は、図5の発光素子側電極のA部を拡大した拡大斜視図である。図7乃至図8は集合枠体である2個枠体を形成する集合枠体形成工程を説明する図面であり、図7は2個枠体の外観の斜視図、図8は図7のB−B断面を示す断面図である。図9乃至図10は第1集合体基板と多数個の2個枠体を接着し固定する第1集合体基板枠体接着工程を説明する図面であり、図9は多数個並べられた2個枠体と第1集合体基板の位置決めと接着を模式的に示す斜視図、図10は、図9のC部分を拡大した拡大斜視図である。図11乃至図16は完成集合体フォト検出ユニットを形成する第2集合体基板枠体接着工程を説明する図面であり、図11は第1集合体基板に接着され一体化した多数個の2個枠体と、第2集合体基板との位置決めと接着の製造工程を模式的に示す斜視図、図12は図11のD部分を拡大した拡大斜視図、図13は完成集合体フォト検出ユニットの外観の斜視図、図14は、図13の2個枠体の第1、第2スリット部を通るEE断面の断面図、図15は、図14のF部分を拡大した拡大断面図、図16は、完成集合体フォト検出ユニットの矢視Gの図である。図17は完成集合体フォト検出ユニット90をダイシングによって、切断し、個々のフォト検出ユニットに分離するフォト検出ユニット分離工程を説明する斜視図である。以下各工程を詳細に説明する。
まず、図4において、大型基板21は、複数の長穴状のスリット22と、表面側に多数個の発光素子10を配置するための回路パターン(図示せず)を備えている。多数個の発光素子10が回路パターンにダイボンドされ、そして、ワイヤーボンドされて電気的な接続をされる。次に、多数個の発光素子10及びボンディングワイヤーを透光性樹脂12で封止して、第1集合体基板形成工程として第1集合体基板31が形成される。
図5は、第1集合体基板31の裏面側の斜視図である。第1集合体基板31は、大型基板21の裏面側に多数個の発光素子用電極24が長穴状のスリット22の長辺に沿って2個組みの等ピッチでパターン化されている。そして、図6のA部分の拡大した拡大斜視図に示すように、半月状のスルーホール26が長穴状のスリット22の長辺の端面に形成され、発光素子10を配置した回路パターン(図示せず)と発光素子用電極24を電気的に接続し、外部電極と接続可能に配置されている。従って、発光素子用電極24を長辺に沿ってパターン化している長穴状のスリット22の端面は、図1乃至図3に示す第1基板4、第2基板5の電極側の端面を予め形成していることになる。
次に、第2集合体基板を形成する第2集合体基板形成工程は、発光素子を受光素子に置き換えるだけで、上述の第1集合体基板形成工程とほとんど同様の製造工程で、第2集合体基板を形成するので、重複する第2集合体基板の工程の説明を省略する。
次に、集合体枠体が形成される集合体枠体形成工程を図7及び図8に基づき説明する。図7に示す集合枠体は、2個の枠体20を仮想線のダイシング分離線41で突き合わせた構造である、即ち、略コの字形状の枠体20の第1取付部1と第2取付部2を各々突き合せて、耐熱性のあるエンプラ樹脂からなる2個枠体40を射出成形により形成して、集合枠体を形成する集合体枠体形成工程である。従って、図8のB−B断面図に示すように、2個枠体40は、ダイシング分離線41を中心線として左右対称に各部が形成されている。即ち、第1取付部1、第2取付部2、第1スリット部6、第2スリット部7、取付面8、位置決め用ダボ9、第1収納部13、第2収納部14全てが、左右対称に形成されている。
次に、第1集合体基板枠体接着工程を図9及び図10に基づき説明する。図9及び図10において、第1集合体基板31は、多数個の発光素子電極24が配置している裏面側を上にしてセットされ、多数個の2個枠体40は、第1取付部1の側を上に、第1収納部13が上方に開口して、トレー(図示せず)に整列して配置される。トレーに配置された多数個の2個枠体40と第1集合体基板31は、多数個の発光素子10を封止した透光性樹脂12(図4参照)と2個枠体40の開口した第1収納部13の位置が一致し、かつ、長穴状のスリット22と2個枠体の位置決め用ダボ9を備える取付面8が合うように位置決めされる。この位置決め方法は、トレーと第1集合体基板をガイドピンで位置決めする方法、或いは、画像認識装置を用いて2個枠体40と第1集合体基板を位置決めする方法等が採用される。次に、2個枠体40の第1取付部1側の表面に接着剤を塗布し、第1集合体基板を矢印Z方向に移動して多数個の2個枠体と接着し固定して一体化することで第1集合体基板枠体接着工程となる。
次に完成集合体フォト検出ユニットを形成する第2集合体基板枠体接着工程を説明する。図11及び図12において、第1集合体基板31に接着され一体化した多数個の2個枠体40が第2取付部2の側を上にしてトレー(図示せず)にセットされ、第2集合体基板32は、多数個の受光素子電極25が配置している裏面側を上にして、前製造工程の第1集合体基板枠体接着工程と同様に、多数個の受光素子11を封止した透光性樹脂12と、2個枠体40の第2収納部14の位置が一致し、かつ、長穴状のスリット23と2個枠体40の位置決め用ダボ9を備える取付面8が合うように位置決めされる。次に、2個枠体40の第2取付部2の表面に接着剤を塗布し、第2集合体基板32を矢印Z方向に移動して多数個の2個枠体40と接着し固定して一体化することで、第2集合体基板枠体接着工程にて完成集合体フォト検出ユニットが形成される。
図13乃至図16において、完成集合体フォト検出ユニット90を詳細に説明する。図13において、第1集合体基板31と複数個の2個枠体40と第2集合体基板32を位置決め接着し一体化して、完成集合体フォト検出ユニット90を形成している。そして、第1集合体基板31の長穴状のスリット22と、第2集合体基板32の長穴状のスリット23が多数個の2個枠体40を挟んだ位置で対向している。
図14のEE断面の断面図において、本断面図に垂直な方向のダイシング線41を示す。長穴状のスリット22,23の長辺が、取付面8側の第1、第2基板(図1乃至図3参照)の電極側の端面を予め形成し、2個枠体40をちょうど2分するダイシング線41の切断部分が、枠体の略コの字形状の先端部分と第1、第2基板の一方の端面を形成する。従って、長穴状のスリット22,23にはダイシングによる切断を必要とせず、取付面8と位置決め用ダボ9は、切断されることなく、その形状を保持することが可能となっている。
図15は、図14のF部を拡大したもので、第1集合体基板31と第2集合体基板32と2個枠体40の関係を更に詳細に説明する拡大断面図である。発光素子10と受光素子11をそれぞれ封止する透光性樹脂12は、2個枠体40の第1収納部13と第2収納部14にそれぞれ収納されている。位置決め用ダボ9を備える取付面8は、第1、第2集合体基板31,32の長穴状のスリット22,23に位置合わせされている。そして、第1及び第2集合体基板31,32の長穴状のスリット22,23と2個枠体40の位置関係は、長穴状のスリット22,23の幅W1の値に対し、隣り合った2個枠体40の取付面8の間隔W2の値が、等しいか又は小さく設定されている。長穴状のスリット22,23は取付面8側の第1、第2基板(図1乃至図3参照)の電極側の端面を形成しているから、図3に示す様に、表面実装型フォト検出ユニットは、取付面8と第1基板4、第2基板5に隙間15が形成される形状になっている。
図16は、完成集合体フォト検出ユニットの矢視G方向のダイシング切断線41を示す。ダイシング切断線41は、2個枠体40が一定のスキマを持って等ピッチで配列されているから、そのピッチに一致して、かつ、そのスキマとほぼ同じ厚さのダイシングカッタ42(図17参照)を用いて、第1集合体基板31と第2集合体基板32を切断する様に設定されている。
次に、フォト検出ユニット分離工程を説明する。図17において、完成集合体フォト検出ユニット90は、ダイシング装置にセットされ、それぞれの方向から、図14、図16で示したダイシング分離線41に沿ってダイシングカッタ42で切断し分離することにより、矢印Hの先端に示すような、表面実装型フォト検出ユニット100が、一度に多数個製造される。即ち、ダイシングによる切断は、3つの面を形成し、取付面8(図2参照)を形成する4番目の面は、長穴状のスリット22,23の部分で前もって形成されているのである。
上記製造工程から明らかなように、第1、第2基板の電極端面として形成された長穴状のスリットに、集合体枠体の取付面と位置決め用ダボを配して、他の面をダイシングにより切断し分離して形成した本発明の表面実装型フォト検出ユニットは、位置決め用ダボが形成されているので、マザーボードに取り付ける位置が確実であり、従って、メカニカルな作動の位置の検出にバラツキがなく、精度のよい位置検出が可能で、しかも一度に多数個の製造が、ダイシングによる切断と分離により可能で、安価な表面実装型フォト検出ユニットが提供可能である。
(第2の実施形態)
次に、表面実装型フォト検出ユニットの第2の実施形態について説明する。第2の実施形態と第1の実施形態の違いは、集合枠体の形状が異なるだけで、材質や他の構造、製造工程は全く同じである。従って以下の説明では主にこの相違点について説明し、同じ構成及び作用を有する他の部材については説明を割愛する。図18は、第2の実施形態における、集合枠体である列枠体の外観を示す斜視図である。
図18において、集合枠体としての列枠体は、2点鎖線の仮想線43で境界を示す様に、2個枠体40を短手方向に第1取付部1、第2取付部2及び連結部3の側面同士を突き合わせて、列状に一体にした形状である。2個枠体40の取付面8は連設して広い面となるが、位置決め用ダボ9は、2個枠体40を並べた数と同数を備えることになる。列枠体60は、多数個の2個枠体40で構成されているので、第1集合体基板枠体接着工程でトレーに一度に多数個分をセッティングして、製造工数を短縮することが可能で、コストダウンに貢献する。
尚、列枠体60の長さは、射出成形金型の作りやすさで決定されるのであって、本発明の列枠体60の長さに限定されるものではない。
(第3の実施形態)
次に、表面実装型フォト検出ユニットの第3の実施形態について説明する。第3の実施形態と第2の実施形態の違いは集合枠体の形状が異なるだけで、材質や他の構造、製造工程は全く同じである。従って以下の説明では主にこの相違点について説明し、同じ構成及び作用を有する他の部材については説明を割愛する。図19は第3の実施形態における、集合枠体の行列枠体80の外観を示す斜視図であり、図20は図19に示す行列枠体80の矢視Kの図である
図19に示すように、集合枠体は、列枠体60を行方向に複数個並べ、位置決め用ダボ同士を突き合わせて連設した形状で形成された、行列枠体80である。図20において、隣り合った列枠体60が、それぞれ位置決め用ダボ9を突き合わせて連設して行列枠体80を形成する形状を示している。その為、フォト検出ユニット分離工程において、ダボ分離線44で位置決め用ダボ9の分離を行うダイシングが追加されることが、第2の実施形態と異なる点である。
本発明の行列枠体80を用いることにより、第1集合体基板枠体接着工程において、行と列方向に一度に多数個の集合枠体をトレーにセットすることが可能となり、集合枠体をセッティングする製造工数を大幅に短縮することができる。従って、位置決め用ダボを設けて位置決め精度を高めた表面実装型フォト検出ユニットでありながら、一度に多数個取りが可能なダイシングによるフォト検出ユニット分離工程で、量産性の優れた安価なフォト検出ユニットを提供することが可能となる。
尚、行列枠体80の外形形状は、射出成形金型の作りやすさで決定されるのであって、本発明の行列枠体80の外形形状に限定されるものではない。
上記の実施形態は一対の発光素子と受光素子からなる表面実装型フォト検出ユニットで説明したものであるが、位相検出用の表面実装型フォト検出ユニットのように複数の素子を配置するものについても適用可能であることは言うまでもない。そして、位置決めダボの形状においても、矩形が突出して形成されているが、長円、小判形状等が突出して形成された形状及び円筒形であっても適用可能であることは言うまでもない。
本発明の第1の実施形態における表面実装型フォト検出ユニットの外観を示す斜視図である。 本発明の第1の実施形態における表面実装型フォト検出ユニットを、図1の上下面を逆さにした外観を示す斜視図である。 本発明の第1の実施形態における表面実装型フォト検出ユニットを、マザーボードに実装した形態を示す断面図である。 本発明の第1の実施形態における発光素子を大型基板に実装した第1集合体基板の表面側の斜視図である。 本発明の第1の実施形態における第1集合体基板の裏面側の発光素子側電極の配置を示す斜視図である。 本発明の第1の実施形態における図5の発光素子側電極のA部を拡大した拡大斜視図である。 本発明の第1の実施形態における2個枠体の外観の斜視図である。 本発明の第1の実施形態における図7のB−B断面を示す断面図である。 本発明の第1の実施形態における多数個並べられた2個枠体と第1集合体基板の位置決めと接着を模式的に示す斜視図である。 本発明の第1の実施形態における図9のC部分を拡大した拡大斜視図である。 本発明の第1の実施形態における第1集合体基板に接着され一体化した多数個の2個枠体と第2集合体基板の、位置決めと接着の工程を模式的に示す斜視図である。 本発明の第1の実施形態における図11のD部分を拡大した拡大斜視図である。 本発明の第1の実施形態における完成集合体フォト検出ユニットの外観の斜視図である。 本発明の第1の実施形態における図13のEE断面の断面図である。 本発明の第1の実施形態における図14のF部分を拡大した拡大断面図である。 本発明の第1の実施形態における完成集合体フォト検出ユニットの矢視Gの図である。 本発明の第1の実施形態におけるフォト検出ユニット分離工程を示す斜視図である。 本発明の第2の実施形態における集合枠体である列枠体の外観を示す斜視図である。 本発明の第3の実施形態における集合枠体の行列枠体の外観を示す斜視図である。 本発明の第3の実施形態における図19に示す行列枠体の矢視Iの図である。
符号の説明
1 第1取付部
2 第2取付部
3 連設部
4 第1基板
5 第2基板
6 第1スリット部
7 第2スリット部
8 取付面
9 位置決め用ダボ
10 発光素子
11 受光素子
12 透光性樹脂
13 第1収納部
14 第2収納部
15 隙間
20 枠体
21 大型基板
22,23 長穴状のスリット
24 発光素子電極
25 受光素子電極
26 半月状のスルーホール
31 第1集合体基板
32 第2集合体基板
40 2個枠体
41 ダイシング分離線
42 ダイシングカッタ
43 2点差線の仮想線
44 ダボ分離線
60 列枠体
80 行列枠体
90 完成集合体フォト検出ユニット
100 表面実装型フォト検出ユニット
200 マザーボード
201 位置決め用ダボ孔
202 マザーボード発光素子電極
203 マザーボード受光素子電極
204 ハンダ

Claims (3)

  1. 複数の長穴状のスリットを形成し、表面に回路パターンを有し、裏面には前記回路パターンと電気的に接続される電極パターンが形成された大型基板の表面に、多数個の発光素子を実装して、第1集合体基板を形成する第1集合体基板形成工程と、
    複数の長穴状のスリットを形成し、表面に回路パターンを有し、裏面には回路パターンと電気的に接続される電極パターンが形成された大型基板の表面に、多数個の受光素子を実装して、第2集合体基板を形成する第2集合体基板形成工程と、
    第1取付部及び第2取付部と、前記第1取付部及び第2取付部の一方の端部の間を連設する連設部とを有する略コの字形状で、前記連設部の取付面に位置決め用ダボを有する2個の枠体よりなり、前記2個の枠体が各々の前記第1取付部及び第2取付部の先端同士を突き合わせた形状で一体化された2個枠体を、集合枠体として形成する集合枠体形成工程と
    前記第1集合体基板に実装された複数の前記発光素子に、多数個の前記2個枠体の第1取付部を各々位置決めし、前記第1集合体基板の長穴状のスリットに前記2個枠体の位置決め用ダボを備える取付面を合わせて、前記第1集合体基板の表面側と多数個の前記2個枠体を接着し固定する第1集合体基板枠体接着工程と、
    前記第1集合体基板に接着し一体化された多数個の前記2個枠体の第2取付部に、前記第2集合体基板の複数の前記受光素子を位置決めし、前記第2集合体基板の長穴状のスリットに前記2個枠体の位置決め用ダボを備える前記取付面を合わせて、多数個の前記2個枠体と前記第2集合体基板の表面側を接着固定して完成集合体フォト検出ユニットを形成する第2集合体基板枠体接着工程と、
    前記完成集合体フォト検出ユニットをダイシングにより切断して、個々のフォト検出ユニットに分離するフォト検出ユニット分離工程と、
    からなることを特徴とする表面実装型フォト検出ユニットの製造方法。
  2. 前記集合枠体形成工程における集合枠体は、多数個の前記2個枠体を短手方向に並べ、各々の第1取付部及び第2取付部の側面同士を突き合わせて、列状に一体にした列枠体であることを特徴とする請求項1に記載の表面実装型フォト検出ユニットの製造方法。
  3. 前記集合枠体形成工程における集合枠体は、複数個の前記列枠体を行方向に並べ、前記位置決め用ダボ同士を突き合わせて連設した形状で形成された行列枠体であることを特徴とする請求項2に記載の表面実装型フォト検出ユニットの製造方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20140161468A1 (en) * 2012-12-07 2014-06-12 General Electric Company Optical isolation system and assembly
KR102547206B1 (ko) * 2021-01-04 2023-06-23 주식회사 에이유이 케이스 일체형 포토인터럽트 광센서 및 그 제조 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6122372U (ja) * 1984-07-14 1986-02-08 シャープ株式会社 ホトインタラプタ
KR940007588B1 (ko) * 1990-11-13 1994-08-20 가부시키가이샤 도시바 반도체 광전변환장치
JP3176496B2 (ja) * 1993-12-27 2001-06-18 シャープ株式会社 光結合装置およびその製造方法
JP3640456B2 (ja) * 1996-01-31 2005-04-20 株式会社シチズン電子 フォトインタラプタ
JP2000012892A (ja) * 1998-06-17 2000-01-14 Shichizun Denshi:Kk フォトインタラプタ
JP2000200918A (ja) * 1998-12-28 2000-07-18 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型フォトインタラプタ
JP2005026546A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Toshiba Corp フォトインタラプタとその製造方法及び光結合装置とその製造方法
TWI373149B (en) * 2005-03-24 2012-09-21 Rohm Co Ltd Surface mount type photo interrupter and method for manufacturing the same
JP2006278902A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Rohm Co Ltd 面実装型フォトインタラプタとその製造方法
JP2007059713A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Sharp Corp 光結合装置及びそれを備える電子機器
KR100773471B1 (ko) * 2005-12-30 2007-11-05 한국 고덴시 주식회사 포토 인터럽터
FR2912782B1 (fr) 2007-02-19 2009-05-22 Snecma Sa Procede de prelevement d'energie auxiliaire sur un turboreacteur d'avion et turboreacteur equipe pour mettre en oeuvre un tel procede

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