JP5243882B2 - 表面実装型フォト検出ユニットの製造方法 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 241001272720 Medialuna californiensis Species 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V8/00—Prospecting or detecting by optical means
- G01V8/10—Detecting, e.g. by using light barriers
- G01V8/12—Detecting, e.g. by using light barriers using one transmitter and one receiver
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
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Description
本発明の目的は、取付面に位置決め用ダボを形成した位置決め精度の高い表面実装型フォト検出ユニットを提供することにあり、そして、量産性のある表面実装型フォト検出器ユニットの製造方法を提供することにある。
複数の長穴状のスリットを形成し、表面に回路パターンを有し、裏面には回路パターンと電気的に接続される電極パターンが形成された大型基板の表面に、多数個の受光素子を実装して、第2集合体基板を形成する第2集合体基板形成工程と、
第1取付部及び第2取付部と、第1取付部及び第2取付部の一方の端部の間を連設する連設部とを有する略コの字形状で、連設部の取付面に位置決め用ダボを有する2個の枠体よりなり、2個の枠体が、各々の第1取付部及び第2取付部の先端同士を突き合わせた形状で一体化された2個枠体を集合枠体として形成する集合枠体形成工程と
第1集合体基板に実装された複数の発光素子に、多数個の2個枠体の第1取付部を各々位置決めし、第1集合体基板の長穴状のスリットに2個枠体の位置決め用ダボを備える取付面を合わせて、第1集合体基板の表面側と多数個の2個枠体を接着し固定する第1集合体基板枠体接着工程と、
第1集合体基板に接着し一体化された多数個の2個枠体の第2取付部に、第2集合体基板の複数の受光素子を位置決めし、第2集合体基板の長穴状のスリットに2個枠体の位置決め用ダボを備える取付面を合わせて、多数個の2個枠体と第2集合体基板の表面側を接着固定して完成集合体フォト検出ユニットを形成する第2集合体基板枠体接着工程と、
完成集合体フォト検出ユニットをダイシングにより切断して、個々のフォト検出ユニットに分離するフォト検出ユニット分離工程と、からなることを特徴とする。
そして、本発明の表面実装型フォト検出ユニットの製造方法によれば、複数の長穴状のスリットを形成した発光素子及び受光素子の大型基板と、複数の集合枠体を、接着して一体化し、次にダイシングによる切断と分離により、一度に多数個の製造が可能であるので、位置決め用ダボを具備しながらも非常に量産性の優れた製造方法が実現可能である。
以下、本発明の具体的実施形態について、図面に基づき説明する。図1乃至図3は、本発明の第1の実施形態における、表面実装型フォト検出ユニットの構成を説明する図面であり、図1は表面実装型フォト検出ユニットの外観を示す斜視図であり、図2は表面実装型フォト検出ユニットを、図1の上下面を逆さにした外観を示す斜視図である。図3は、本発明の第1の実施形態における表面実装型フォト検出ユニットを、マザーボードに実装した形態を説明する断面図である。理解しやすいように、表面実装型フォト検出ユニットのスリット部で断面にした断面図で、更に詳細に構成を説明するものである。
次に、表面実装型フォト検出ユニットの第2の実施形態について説明する。第2の実施形態と第1の実施形態の違いは、集合枠体の形状が異なるだけで、材質や他の構造、製造工程は全く同じである。従って以下の説明では主にこの相違点について説明し、同じ構成及び作用を有する他の部材については説明を割愛する。図18は、第2の実施形態における、集合枠体である列枠体の外観を示す斜視図である。
尚、列枠体60の長さは、射出成形金型の作りやすさで決定されるのであって、本発明の列枠体60の長さに限定されるものではない。
次に、表面実装型フォト検出ユニットの第3の実施形態について説明する。第3の実施形態と第2の実施形態の違いは集合枠体の形状が異なるだけで、材質や他の構造、製造工程は全く同じである。従って以下の説明では主にこの相違点について説明し、同じ構成及び作用を有する他の部材については説明を割愛する。図19は第3の実施形態における、集合枠体の行列枠体80の外観を示す斜視図であり、図20は図19に示す行列枠体80の矢視Kの図である
2 第2取付部
3 連設部
4 第1基板
5 第2基板
6 第1スリット部
7 第2スリット部
8 取付面
9 位置決め用ダボ
10 発光素子
11 受光素子
12 透光性樹脂
13 第1収納部
14 第2収納部
15 隙間
20 枠体
21 大型基板
22,23 長穴状のスリット
24 発光素子電極
25 受光素子電極
26 半月状のスルーホール
31 第1集合体基板
32 第2集合体基板
40 2個枠体
41 ダイシング分離線
42 ダイシングカッタ
43 2点差線の仮想線
44 ダボ分離線
60 列枠体
80 行列枠体
90 完成集合体フォト検出ユニット
100 表面実装型フォト検出ユニット
200 マザーボード
201 位置決め用ダボ孔
202 マザーボード発光素子電極
203 マザーボード受光素子電極
204 ハンダ
Claims (3)
- 複数の長穴状のスリットを形成し、表面に回路パターンを有し、裏面には前記回路パターンと電気的に接続される電極パターンが形成された大型基板の表面に、多数個の発光素子を実装して、第1集合体基板を形成する第1集合体基板形成工程と、
複数の長穴状のスリットを形成し、表面に回路パターンを有し、裏面には回路パターンと電気的に接続される電極パターンが形成された大型基板の表面に、多数個の受光素子を実装して、第2集合体基板を形成する第2集合体基板形成工程と、
第1取付部及び第2取付部と、前記第1取付部及び第2取付部の一方の端部の間を連設する連設部とを有する略コの字形状で、前記連設部の取付面に位置決め用ダボを有する2個の枠体よりなり、前記2個の枠体が各々の前記第1取付部及び第2取付部の先端同士を突き合わせた形状で一体化された2個枠体を、集合枠体として形成する集合枠体形成工程と
前記第1集合体基板に実装された複数の前記発光素子に、多数個の前記2個枠体の第1取付部を各々位置決めし、前記第1集合体基板の長穴状のスリットに前記2個枠体の位置決め用ダボを備える取付面を合わせて、前記第1集合体基板の表面側と多数個の前記2個枠体を接着し固定する第1集合体基板枠体接着工程と、
前記第1集合体基板に接着し一体化された多数個の前記2個枠体の第2取付部に、前記第2集合体基板の複数の前記受光素子を位置決めし、前記第2集合体基板の長穴状のスリットに前記2個枠体の位置決め用ダボを備える前記取付面を合わせて、多数個の前記2個枠体と前記第2集合体基板の表面側を接着固定して完成集合体フォト検出ユニットを形成する第2集合体基板枠体接着工程と、
前記完成集合体フォト検出ユニットをダイシングにより切断して、個々のフォト検出ユニットに分離するフォト検出ユニット分離工程と、
からなることを特徴とする表面実装型フォト検出ユニットの製造方法。 - 前記集合枠体形成工程における集合枠体は、多数個の前記2個枠体を短手方向に並べ、各々の第1取付部及び第2取付部の側面同士を突き合わせて、列状に一体にした列枠体であることを特徴とする請求項1に記載の表面実装型フォト検出ユニットの製造方法。
- 前記集合枠体形成工程における集合枠体は、複数個の前記列枠体を行方向に並べ、前記位置決め用ダボ同士を突き合わせて連設した形状で形成された行列枠体であることを特徴とする請求項2に記載の表面実装型フォト検出ユニットの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008202596A JP5243882B2 (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | 表面実装型フォト検出ユニットの製造方法 |
DE102009012538.8A DE102009012538B4 (de) | 2008-08-06 | 2009-03-10 | Lichtschranke und Verfahren zur Herstellung einer Lichtschranke |
US12/401,010 US8044378B2 (en) | 2008-08-06 | 2009-03-10 | Method of manufacturing photo interrupter including a positioning member with at least one positioning pin integrally provided with a connecting part, and photo interrupter manufactured thereby |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008202596A JP5243882B2 (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | 表面実装型フォト検出ユニットの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010040800A JP2010040800A (ja) | 2010-02-18 |
JP5243882B2 true JP5243882B2 (ja) | 2013-07-24 |
Family
ID=41501444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008202596A Expired - Fee Related JP5243882B2 (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | 表面実装型フォト検出ユニットの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8044378B2 (ja) |
JP (1) | JP5243882B2 (ja) |
DE (1) | DE102009012538B4 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140161468A1 (en) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | General Electric Company | Optical isolation system and assembly |
KR102547206B1 (ko) * | 2021-01-04 | 2023-06-23 | 주식회사 에이유이 | 케이스 일체형 포토인터럽트 광센서 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6122372U (ja) * | 1984-07-14 | 1986-02-08 | シャープ株式会社 | ホトインタラプタ |
KR940007588B1 (ko) * | 1990-11-13 | 1994-08-20 | 가부시키가이샤 도시바 | 반도체 광전변환장치 |
JP3176496B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2001-06-18 | シャープ株式会社 | 光結合装置およびその製造方法 |
JP3640456B2 (ja) * | 1996-01-31 | 2005-04-20 | 株式会社シチズン電子 | フォトインタラプタ |
JP2000012892A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Shichizun Denshi:Kk | フォトインタラプタ |
JP2000200918A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型フォトインタラプタ |
JP2005026546A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Toshiba Corp | フォトインタラプタとその製造方法及び光結合装置とその製造方法 |
TWI373149B (en) * | 2005-03-24 | 2012-09-21 | Rohm Co Ltd | Surface mount type photo interrupter and method for manufacturing the same |
JP2006278902A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Rohm Co Ltd | 面実装型フォトインタラプタとその製造方法 |
JP2007059713A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Sharp Corp | 光結合装置及びそれを備える電子機器 |
KR100773471B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-11-05 | 한국 고덴시 주식회사 | 포토 인터럽터 |
FR2912782B1 (fr) | 2007-02-19 | 2009-05-22 | Snecma Sa | Procede de prelevement d'energie auxiliaire sur un turboreacteur d'avion et turboreacteur equipe pour mettre en oeuvre un tel procede |
-
2008
- 2008-08-06 JP JP2008202596A patent/JP5243882B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-10 US US12/401,010 patent/US8044378B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-10 DE DE102009012538.8A patent/DE102009012538B4/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010040800A (ja) | 2010-02-18 |
US8044378B2 (en) | 2011-10-25 |
DE102009012538B4 (de) | 2016-05-19 |
DE102009012538A1 (de) | 2010-02-11 |
US20100032592A1 (en) | 2010-02-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110610 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121129 |
|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130405 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160412 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |