JP3176496B2 - 光結合装置およびその製造方法 - Google Patents

光結合装置およびその製造方法

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    • H03K17/94Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、物体の通過路を挟ん
で、発光素子と受光素子とを対向配置し、物体の通過を
検知する光結合装置(フォトインタラプタ)に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来の光結合装置の構成例を図11に示
している。この光結合装置の構成を製造手順とともに説
明する。
【0003】発光側透光樹脂体60は、発光素子用のフ
レーム上に発光素子がマウント,ボンディングされた
後、透光性の樹脂材料でモールドされたものである。同
様に、受光側透光樹脂体61は、受光素子用のフレーム
上に受光素子がマウント,ボンディングされた後、透光
性の樹脂材料でモールドされたものである。発光側透光
樹脂体60のリード部60a、および受光側透光樹脂体
61のリード部61a,61bは、基板62上に、物体
の通過路63を開けた状態で半田付けされる。前記発光
素子および受光素子を外部と電気的に接続するためのコ
ネクタ64は、基板62との半田付け(半田65)によ
って接続・固定される。そして、半田付け検査を行った
後、基板62を外装ホルダ66に挿入する。外装ホルダ
66は、下端部にフック66a,66bを有しており、
このフック66a,66bによって基板62と外装ホル
ダ66自身とを固定する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記したような従来の
光結合装置は、部品点数が多く、この構成の場合では発
光側透光樹脂体60、受光側透光樹脂体61、基板6
2、コネクタ64、外装ホルダ66の部品が必要であっ
た。このため、組み立てに手間が掛かる問題があった。
また、半田付けの箇所が多く、信頼性および品質維持を
図るために半田付け検査を必要としていた。特に、基板
62とコネクタ64との接続では、両者間の強度が半田
付けによって確保される構成であるため、強固で確実な
半田付けを行う必要があった。
【0005】また、フック66a,66bのように、複
雑な構成の留め具を用いて固定を行うために、固定作業
に手間が掛かる問題、破損し易い問題があった。
【0006】この発明の目的は、部品点数の削減、組み
立ての簡素化を行うことによりコストダウンを可能に
し、また、部品としての信頼性を向上することのできる
光結合装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の光結合
装置は、発光素子、および受光素子と、前記発光素子、
受光素子の両方が搭載されるとともに、発光素子の外部
への入出力端子、および受光素子の外部への入出力端子
発光素子と受光素子とを結ぶ方向の一端に延設された
コネクタ接続部に収束されたリードフレームと、該リー
ドフレームの前記コネクタ接続部に接続されるコネクタ
と、前記発光素子、受光素子およびリードフレームを被
覆する外装ホルダと、を備えたことを特徴とする。
【0008】請求項2に記載の光結合装置は、請求項1
に記載のものにおいて、前記外装ホルダに、該外装ホル
ダを前記コネクタと接合する接合部を設けたことを特徴
とする。
【0009】請求項3に記載の光結合装置は、請求項1
または2のいずれかに記載のものにおいて、前記外装ホ
ルダの、前記リードフレーム、前記コネクタ等の他の部
品に近接する位置に熱可塑性樹脂からなる接合部を設
け、外装ホルダと前記他の部品との接合時に、該接合部
の熱かしめによって接合を行うことを特徴とする。
【0010】請求項4に記載の光結合装置の製造方法
は、請求項1〜3のいずれかに記載のものにおいて、前
記リードフレームが防錆性を有する導電性材料からな
り、かつ、該リードフレームと前記コネクタとが溶接接
続されたことを特徴とする。
【0011】請求項5に記載の光結合装置の製造装置
は、発光素子および受光素子が搭載され、これらの素子
の外部への入出力端子が一端に収束されたリードフレー
ムを使用し、該リードフレーム上に発光素子および受光
素子の両方を搭載した後、これらの素子を透光性の樹脂
でモールドし、さらにその後発光素子および受光素子を
対向させるべくリードフレームの折り曲げを行うと共
に、発光素子と受光素子とを結ぶ方向の一端にコネクタ
接続部を形成する工程と、前記リードフレームのコネク
タ接続部に、溶接によってコネクタを接続する工程と、
コネクタが接続されたリードフレームを外装ホルダに収
容する工程と、リードフレームと外装ホルダとを熱かし
めによって接合する工程と、を含むことを特徴とする。
【0012】
【作用】請求項1に記載の光結合装置は、リードフレー
ム上に発光素子,受光素子の両方が搭載される。このリ
ードフレームは、発光素子の外部への入出力端子、およ
び受光素子の外部への入出力端子を一つのコネクタ接続
部に収束して備えているため、電気的には、リードフレ
ーム上に発光素子,受光素子を載置して接続するととも
に、リードフレームのコネクタ接続部にコネクタを接続
するだけで光結合装置としての電気配線が終了する。こ
のように、発光素子,受光素子を搭載したリードフレー
ムがコネクタへのリード部を全て備えているために、こ
のリードフレームに直接コネクタを接続することがで
き、配線箇所が少なくなる。また、リードフレームにお
いて発光素子と受光素子とを結ぶ方向の一端にコネクタ
接続部が延設されているために、その製造において高密
度に複数の装置を配列できることになり、リードフレー
ムの不要部分を低減し、かつ量産性に優れたものとな
る。
【0013】請求項2に記載の光結合装置においては、
コネクタが外装ホルダと接合される。すなわち、コネク
タが外装ホルダによって保持されるようになり、保持ポ
イントが増えるので、保持状態が強固になる。
【0014】請求項3に記載の光結合装置においては、
接合部が熱可塑性樹脂で構成されているため、熱かしめ
によって簡単に熱可塑性樹脂と他の部品(リードフレー
ム,コネクタ)との接合を行うこうとができる。
【0015】請求項4に記載の光結合装置においては、
リードフレームが防錆性を有する導電性材料で構成され
ているため、このリードフレームには防錆性のためのメ
ッキを施す必要がない。また、このリードフレームとコ
ネクタとの接続は溶接によって行われるため、半田付け
の場合には必要となるメッキを行う必要もない。すなわ
ち、リードフレームを防錆性の材料で構成し、かつ、リ
ードフレームとコネクタとを溶接接続した構成であるた
め、メッキを全く行う必要がない。なお、従来のように
基板を必要とする光結合装置の場合には、表面に絶縁層
を有しているため、コネクタとの接続を溶接にすること
はできない。つまり、リードフレームにしたことにより
溶接接続が可能となり、リードフレームのメッキを無く
すことができるようになる。
【0016】請求項5に記載の光結合装置の製造方法に
おいては、一つのリードフレーム上に発光素子,受光素
子の両方が搭載されて、樹脂モールド、リードフレーム
の折り曲げ、リードフレームへのコネクタの接続、外装
ホルダへの収容の各工程が行われるが、このとき、発光
素子,受光素子の両方が一つのリードフレーム上に搭載
されて処理されるため、モールド、配線等の作業点数が
少なくなる。また、ここで使用されるリードフレームは
一端に発光素子,受光素子の入出力端子が収束されたも
のであるため、コネクタの接続に際しては、リードフレ
ームの一端側でまとめて接続処理することができる。
た、リードフレームを折り曲げるときに発光素子と受光
素子とを結ぶ方向の一端にコネクタ接続部を形成するこ
とにより、その製造において高密度に複数の装置を配列
できることになり、リードフレームの不要部分を低減
し、かつ量産性に優れたものとなる。
【0017】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例を
説明する。
【0018】図1は、この発明の一実施例である光結合
装置を示す図であり、(A)は平面図、(B)は正面
図、(C)は底面図、(D)は右側面図、(E)は外観
斜視図である。また、図2〜図9は該光結合装置の部品
形状、製造途中の状態を示す図である。
【0019】図1において、発光部2および受光部3は
外装ホルダ5内に収容されており、物体の通過部6を挟
んで配置されている。コネクタ4は、発光部2の側方に
突出して設けられている。以下、この光結合装置の構成
を製造手順とともに説明する。
【0020】図2は発光素子,受光素子が搭載されるリ
ードフレームを示している。リードフレーム1は、防錆
性,高強度を有するニッケル系合金(例えば、42アロ
イ)で構成されている。このようにニッケル系合金材料
を用いることによって、リードフレームの表面にメッキ
処理をすることなく、錆に対する耐候性が得られる。一
つ(1個分)のリードフレーム1上には、発光素子2
1,受光素子31が搭載・固定され、ワイヤボンディン
グされる。なお、リードフレーム1のリード部の構成に
ついては後述する。
【0021】上記のように発光素子21,受光素子31
のボンディングを行った後、次に、これらの素子21,
31を透光性の樹脂でモールドする(モールド樹脂2
2,32)。このとき、この構成が、従来の発光素子,
受光素子を別々のフレームに搭載していた構成と異な
り、両素子21,31を一つのフレームに搭載する構成
であるために1回の工程で発光素子,受光素子の両方の
モールドを行うことができ、工程数が削減されるととも
に、材料費,加工費が低減される利点がある。この後、
リードフレーム1を打ち抜き(タイバーカット)、図4
に示すように不要部を除去し、部品の特性検査を行う。
【0022】ここで、一つのリードフレーム1の構成を
図5を参照して説明する。なお、図5(A)は発光素
子,受光素子が搭載されたリードフレームの平面図、図
5(B)は同正面図、図5(C)はこの光結合装置の等
価回路図である。
【0023】図において、一点鎖線は、発光素子のモー
ルド樹脂部22、および受光素子のモールド樹脂部23
を立設させて対向させるときの折り曲げ線を示してい
る。また、ハッチングで示した部分41a〜43aは後
述するコネクタ4のピン41b〜43bを接続するため
の接続部であり、この実施例では、発光部2側に収束さ
れている。なお、コネクタ接続部41a〜43aの収束
側は、受光部側であっても、また他の部分であってもよ
く、要するに一つのコネクタ4を1箇所で接続できるよ
うにまとめられていればよい。また、この実施例では発
光素子としてLED、受光素子としてフォトトランジス
タを用いた構成を示しているが、他の素子を用いてもよ
く、例えば受光素子としてフォトダイオードを用いるこ
ともできる。その場合にも、発光素子,受光素子の入出
力端子が一つのコネクタ接続部に収束されるようにすれ
ばよい。
【0024】受光素子31のコレクタ端子部33はコネ
クタの検出用端子接続部41aに接続されている。ま
た、エミッタ端子部34はコネクタのアース端子接続部
42aに接続されるとともに、発光素子21のカソード
端子部23にワイヤ接続されている。なお、この例で
は、エミッタ端子部34とカソード端子部23とをワイ
ヤで接続しているが、リードフレーム自体で接続しても
よい。発光素子21のアノード端子部24は、コネクタ
の入力端子接続部43aに接続されている。受光素子3
1のベース端子部35は開放されている。
【0025】次の工程は、折り曲げ工程である。図5に
示した一点鎖線部分で必要な部分を折り曲げて、図6に
示すように発光素子21と受光素子31とを立設させて
対向させる。このとき、折り曲げを行わない部分は、一
番外側のリード部、およびアース端子接続部42aであ
る。以上の工程で発受光体が形成される。
【0026】そして、この発受光体のコネクタ接続部4
1a〜43aにコネクタ4をセットし、リードフレーム
1とコネクタ4のピン41b〜43bとを接続する。こ
のとき、スポット溶接で接続を行うことにより、リード
フレーム1に半田付けのためのメッキを施す必要がな
く、また半田量の調整等の必要がないため、接続が容易
になる。
【0027】ここまでの工程で分かるように、発光素子
21,受光素子31の両方を搭載し、コネクタとの接続
部を有するリードフレーム1を用いたことによって、従
来の基板(図11中、52)が不要になり、発光側透光
樹脂体(同、50)、受光側透光樹脂体(同、51)を
基板52にセット,半田付けする必要も無くなった。ま
た、リードフレームを用いたことにより、コネクタ4の
ピン41b〜43bとの接続を溶接で行うことができる
ようになって作業が簡単になるとともに、強度的,熱的
な耐性を向上させることができた。
【0028】さらに、リードフレーム1部分を外装ホル
ダ5に収容する。図9は外装ホルダ5の断面構成を示し
ている。外装ホルダ5は光を透過しないように着色され
た熱可塑性樹脂により成型されている。外装ホルダ5に
は、樹脂モールドされた発光素子の収容部5aおよび受
光素子の収容部5bが設けられている。発光素子,受光
素子の収容部5a,5bには、発光素子21,受光素子
31間で光を透過させるための窓53,54が形成され
ている。外装ホルダ5の下側の中央部には、2本のピン
状の溶着ピン51が設けられている。この溶着ピン51
は、リードフレーム1の孔部(図5(A)中、11)に
挿入されたのち、熱を加えられてかしめられる。これに
よって、外装ホルダ5と、リードフレーム1とが固定さ
れる。また、外装ホルダ5のコネクタ4接続側の端部に
も溶着ピン52が設けられている。この溶着ピン52も
前記溶着ピン51と同様に、リードフレーム1のコネク
タ接続部41a,42a,43aの隙間に挿入されたの
ち、熱を加えてかしめられ、これによって、リードフレ
ーム1と、コネクタ4と、外装ホルダ5との接続を強固
にする。なお、この実施例では、外装ホルダの全体を熱
可塑性樹脂で形成しているが、熱可塑性樹脂であること
が必要な部分は、溶着ピン51,52のみであり、他の
部分は他の樹脂で構成してもよい。例えば、他の部分は
耐熱性を有する樹脂で構成し、溶着ピンのみを熱可塑性
樹脂で構成してもよい。
【0029】以上のようにして光結合装置が組み立てら
れる。図11は組み立て終了時の光結合装置の断面構成
を示している。図中、51′,52′は熱かしめ後の溶
着ピンである。
【0030】なお、上記の実施例では、外装ホルダ5と
リードフレーム1との固定、および外装ホルダ5とリー
ドフレーム1とコネクタ4との固定を行う場合に、熱可
塑性樹脂による熱かしめ方法を用いているが、外装ホル
ダを熱可塑性樹脂にしない場合には、接着剤を用いて接
着してもよい。また、外装ホルダの本体部分は熱可塑性
を有しない樹脂で構成し、溶着ピンの部分だけを熱可塑
性樹脂で形成して熱かしめしてもよい。
【0031】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、発光素
子,受光素子が一つのリードフレーム上に搭載され、し
かも、このリードフレームにはコネクタ接続部までの全
ての配線パターンが含まれているために部品点数が大幅
に低減され、組み立て工程数が削減される。例えば、発
光側透光樹脂体,受光側透光樹脂体の基板へのセット,
半田付け工程が不要になる利点や、半田付け箇所が減少
するため特性検査が簡単になる利点がある。また、リー
ドフレームにおいて発光素子と受光素子とを結ぶ方向の
一端にコネクタ接続部が延設されているために、その製
造において高密度に複数の装置を配列できることにな
り、リードフレームの不要部分を低減し、かつ量産性に
優れたものとなる。
【0032】請求項2に記載の発明によれば、コネクタ
が外装ホルダと接続されるため、従来のようにコネクタ
がリードフレームによってのみ保持されていた構成に比
べてコネクタ保持が強固になり、リードフレームとコネ
クタとの接続部の曲がり,折れ等を防止することができ
る。
【0033】請求項3に記載の発明によれば、外装ホル
ダと、リードフレーム,コネクタ等の他の部品との接合
が、熱可塑性樹脂の熱かしめによって行われるため、フ
ック等の複雑な形状の接合部を設ける必要がなく、接合
部の形状が簡単になる。また、接合時にもフック等の嵌
合ではなく、簡単な熱かしめの方法を用いることがで
き、接合処理が簡単になる。
【0034】請求項4に記載の発明によれば、メッキ処
理を施さなくてもコネクタとの接続を行うことができ、
また防錆性を得ることができるため、製造時のメッキ処
理を省略することができる。
【0035】請求項5に記載の発明によれば、一つのリ
ードフレーム上に発光素子,受光素子の両方の素子が搭
載されてモールド,配線等の作業が行われるため、モー
ルド,配線等の作業を纏めて行うことができ作業効率が
向上するとともに、作業用の工程装置を削減することが
できる。また、コネクタ接続に際しては、リードフレー
ムの一端側でまとめて接続処理できるために、作業性が
良い利点がある。また、リードフレームを折り曲げると
きに発光素子と受光素子とを結ぶ方向の一端にコネクタ
接続部を形成することにより、その製造において高密度
に複数の装置を配列できることになり、リードフレーム
の不要部分を低減し、かつ量産性に優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例である光結合装置の構成を
示す図であり、(A)平面図、(B)正面図、(C)右
側面図、(D)底面図、(E)外観斜視図である。
【図2】発光素子、受光素子を搭載したリードフレーム
の平面図である。
【図3】発光素子、受光素子のモールド後の状態を示す
平面図である。
【図4】リードフレームの不必要部の打ち抜き後の状態
を示す平面図である。
【図5】一つのリードフレームの構成を示す図であり、
(A)平面図、(B)正面図である。
【図6】発光素子部分、受光素子部分を折り曲げて対向
させた状態を示す図でる。
【図7】コネクタのセット状態を示す図である。
【図8】コネクタのセット状態を示す図である。
【図9】外装ホルダの断面構成を示す図である。
【図10】同光結合装置の断面構成を示す図である。
【図11】従来の光結合装置の断面構成を示す図であ
る。
【符号の説明】
1 リードフレーム 2 発光部 3 受光部 4 コネクタ 5 外装ホルダ 21 発光素子 31 受光素子 22,23 モールド樹脂 41a〜43a コネクタ接続部 41b〜43b コネタクのピン 51,52 溶着ピン 51′,52′ 熱かしめされた溶着ピン
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−149177(JP,A) 特開 平5−24387(JP,A) 実開 昭55−105991(JP,U) 実開 昭62−62478(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 31/12

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】発光素子、および受光素子と、 前記発光素子、受光素子の両方が搭載されるとともに、
    発光素子の外部への入出力端子、および受光素子の外部
    への入出力端子が発光素子と受光素子とを結ぶ方向の一
    端に延設されたコネクタ接続部に収束されたリードフレ
    ームと、 該リードフレームの前記コネクタ接続部に接続されるコ
    ネクタと、 前記発光素子、受光素子およびリードフレームを被覆す
    る外装ホルダと、 を備えてなる光結合装置。
  2. 【請求項2】前記外装ホルダに、該外装ホルダを前記コ
    ネクタと接合する接合部を備えたことを特徴とする、請
    求項1に記載の光結合装置。
  3. 【請求項3】前記外装ホルダの、前記リードフレーム、
    前記コネクタ等の他の部品に近接する位置に熱可塑性樹
    脂からなる接合部を備え、外装ホルダと前記他の部品と
    の接合時に、該前記接合部の熱かしめによって接合され
    ることを特徴とする、請求項1または2のいずれかに記
    載の光結合装置。
  4. 【請求項4】前記リードフレームが防錆性を有する導電
    性材料からなり、かつ、該リードフレームと前記コネク
    タとが溶接接続されてなる請求項1〜3のいずれかに記
    載の光結合装置。
  5. 【請求項5】発光素子および受光素子が搭載され、これ
    らの素子の外部への入出力端子が一端に収束されたリー
    ドフレームを使用し、該リードフレーム上に発光素子お
    よび受光素子の両方を搭載した後、これらの素子を透光
    性の樹脂でモールドし、さらにその後発光素子および受
    光素子を対向させるべくリードフレームの折り曲げを行
    と共に、発光素子と受光素子とを結ぶ方向の一端にコ
    ネクタ接続部を形成する工程と、 前記リードフレームのコネクタ接続部に、溶接によって
    コネクタを接続する工程と、 コネクタが接続されたリードフレームを外装ホルダに収
    容する工程と、 リードフレームと外装ホルダとを熱かしめによって接合
    する工程と、 を含むことを特徴とする光結合装置の製造方法。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4439838C2 (de) * 1994-11-08 1999-02-25 Telefunken Microelectron Gabelkoppler
JPH09148620A (ja) * 1995-09-20 1997-06-06 Sharp Corp 光反射型検出器及びその製造方法
JP3234924B2 (ja) * 1997-10-09 2001-12-04 ローム株式会社 二重モールドフォトインタラプタ
FR2787202B1 (fr) * 1998-12-09 2001-01-12 Genus Technologies Module de detection et dispositif de positionnement, de maintien ou de serrage de piece de carrosserie
EP1220328A4 (en) * 1999-10-07 2008-03-12 Rohm Co Ltd PHOTO BREAKER AND SEMICONDUCTOR ASSEMBLY
ITMI20012240A1 (it) * 2001-10-25 2003-04-25 Luciano Migliori Dispositivo di bloccaggio con controllo ottico di posizione
US7049636B2 (en) * 2002-10-28 2006-05-23 Universal Display Corporation Device including OLED controlled by n-type transistor
JP2005026546A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Toshiba Corp フォトインタラプタとその製造方法及び光結合装置とその製造方法
JP2005294494A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Toshiba Corp 光半導体装置及びその製造方法
JP5037011B2 (ja) * 2005-12-26 2012-09-26 株式会社リコー 光学センサ装置
JP2008135683A (ja) * 2006-10-24 2008-06-12 Sharp Corp 光結合装置およびその製造方法、並びに、光結合装置を用いた電子機器
JP2008130649A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Sharp Corp 透過型フォトインタラプタおよびその製造方法
JP4202386B2 (ja) * 2006-12-14 2008-12-24 シャープ株式会社 光結合装置およびその製造方法、並びに、光結合装置を用いた電子機器
TW200829945A (en) * 2007-01-15 2008-07-16 Everlight Electronics Co Ltd Photo interrupter device and manufacture method thereof
JP5243882B2 (ja) * 2008-08-06 2013-07-24 シチズン電子株式会社 表面実装型フォト検出ユニットの製造方法
TWI383129B (zh) * 2008-11-19 2013-01-21 Everlight Electronics Co Ltd 對立式光編碼器
US8779361B2 (en) 2009-06-30 2014-07-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical proximity sensor package with molded infrared light rejection barrier and infrared pass components
US8957380B2 (en) * 2009-06-30 2015-02-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
US9525093B2 (en) 2009-06-30 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
US8716665B2 (en) 2009-09-10 2014-05-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Compact optical proximity sensor with ball grid array and windowed substrate
US9733357B2 (en) * 2009-11-23 2017-08-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared proximity sensor package with improved crosstalk isolation
US8841597B2 (en) * 2010-12-27 2014-09-23 Avago Technologies Ip (Singapore) Pte. Ltd. Housing for optical proximity sensor
US9103709B2 (en) * 2013-05-08 2015-08-11 Flow Management Devices, Llc Optical switch system for a prover
JP2016183893A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 セイコーエプソン株式会社 電子部品搬送装置、電子部品検査装置、電子部品搬送装置の位置決め装置および電子部品搬送装置の位置決め方法
WO2017183090A1 (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 三菱電機株式会社 コネクタ装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6241768U (ja) * 1985-08-28 1987-03-12
JPH0638514B2 (ja) * 1985-11-21 1994-05-18 日本電気株式会社 フオトインタラプタ
JP2877403B2 (ja) * 1989-12-29 1999-03-31 三洋電機株式会社 ホトインタラプタ
JP3169597B2 (ja) * 1990-05-16 2001-05-28 エヌイーシーソフト株式会社 マルチタスク実行時間アカウント方法とその機構
US5304812A (en) * 1990-11-21 1994-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Optoelectronic device, information apparatus and data transmission system using optoelectronic device for simplifying wirings and reducing size, and method of controlling the optoelectronic device

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