JP3501695B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体発光装置
に関し、特にレーザチップが単独、または受光素子等と
共に搭載される半導体発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的にレーザチップは湿度に弱く、レ
ーザチップが搭載される半導体発光装置には高い気密性
が求められてきた。このため、従来の半導体発光装置に
は、金属製のアイレットに形成された貫通孔に挿通され
たリードピンを絶縁して固定するのに低融点ガラスが一
般的に用いられてきた。
【0003】低融点ガラスは湿度の透過性が低く、また
電気的な絶縁性にも優れるという利点があるが、材料コ
ストが高く、加工が難しく、また作業工程も複雑となる
ので半導体発光装置の製造コストを上昇させる大きな原
因となっていた。
【0004】製造コストを考慮した半導体発光装置とし
て、アイレットの貫通孔に樹脂系の接着剤を充填してア
イレットとリードピンを絶縁固定した半導体発光装置が
一般に知られている(例えば、特許第2828283号
公報および実用新案登録第2588517号公報参
照)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、アイレットの
貫通孔に樹脂系の接着剤を充填してアイレットとリード
ピンを絶縁固定した半導体発光装置では、リードピンと
外部回路を接続する際にはんだ付けを行うと、硬化済の
接着剤が軟化してしまうという問題があった。接着剤が
軟化すると、リードピンの位置にずれが生じ、アイレッ
トと接触して絶縁不良を生じたり、半導体発光装置内で
リードピンの先端とレーザチップとを電気的に接続して
いる細い金属線が断線してしまうことがあった。また、
リードピンが半導体発光装置から抜けてしまうこともあ
った。
【0006】さらに、軟化した接着剤には、その後、通
常の温度に戻る際に金属製のアイレットとの熱膨張係数
の違いによって、微細な割れを生じるという問題もあっ
た。接着剤に微細な割れが生じると、その微細な割れが
生じた部分から湿気が半導体発光装置内に侵入し、レー
ザチップを劣化させる原因となっていた。
【0007】この発明はこのような事情を考慮してなさ
れたものであり、容易にアイレットとリードピンを絶縁
して固定でき、かつ、はんだ付けによってリードピンと
外部回路を接続してもリードピンの位置がずれたり、絶
縁固定部分に微細な割れが生じたりすることのない半導
体発光装置を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明は、金属製の板
状のアイレットと、前記アイレットの上面側に突出し、
前記アイレットと一体に形成される放熱用のブロック部
と、前記ブロック部に取り付けられるレーザチップと、
前記アイレットに形成された貫通孔に挿通され、前記レ
ーザチップと電気的に接続される細長いリードピンと、
前記ブロック部、レーザチップおよびリードピンを覆っ
て前記アイレットの上面側に取り付けられるキャップ体
とを備え、前記リードピンは、前記アイレットの貫通孔
に注入される熱可塑性または熱硬化性の樹脂によって前
記アイレットと電気的に絶縁されて固定され、かつ、ア
イレットに対する固定部分に少なくとも1つの凹部を有
し、前記樹脂の熱変形温度はリードピンを外部回路に接
続するためのはんだの溶解温度よりも高いことを特徴と
する半導体発光装置を提供するものである。
【0009】
【発明の実施の形態】つまり、この発明の半導体発光装
置は、アイレットとリードピンとを絶縁して固定する熱
可塑性樹脂または熱硬化性樹脂として熱変形温度がはん
だの溶解温度(例えば、180℃)以上のものを使用す
る。このような熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂として
は、例えばガラス繊維強化耐熱樹脂が挙げられる。
【0010】このように構成することにより、アイレッ
トとリードピンとの絶縁固定部分を形成する熱可塑性樹
脂または熱硬化性樹脂の熱変形温度を向上させることが
できる。つまり、リードピンと外部回路とを例えば18
0℃程度で溶解するはんだを用いて接続してもアイレッ
トとリードピンとの絶縁固定部分が軟化することを防止
でき、さらには絶縁固定部分に微細な割れが生ずること
を防止できるのである。
【0011】また、ガラス繊維強化耐熱樹脂には、例え
ばガラス繊維強化耐熱ポリフェニレンサルファイド(以
下、強化耐熱PPSと称する)や、ガラス繊維によって
強化されたポリスチレン、ABS、ポリカーボネート、
フェノール樹脂、不飽和ポリエステル、メラミン樹脂ま
たはエポキシ樹脂等を用いることができる。
【0012】また、この発明の半導体発光装置のアイレ
ット、ブロック部、リードピンおよびキャップ体の材料
としては、鉄、鉄合金、銅、アルミニウム等を用いるこ
とができる。
【0013】この発明の半導体発光装置においては、リ
ードピンが、アイレットに対する固定部分に少なくとも
1つの凹部を備えていてもよい。また、凹部はリードピ
ンの周囲に形成されていてもよい。このように構成する
ことにより、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂がリード
ピンの凹部に食い込んだ形になると共に、前記樹脂とリ
ードピンとの接触面積が大きくなるので、アイレットか
らリードピンが抜けてしまうことを防止できる。
【0014】また、凹部はリードピンの長手方向に延び
ていてもよい。このように構成することにより、アイレ
ットの貫通孔にリードピンを挿通し、熱可塑性樹脂また
は熱硬化性樹脂を貫通孔に注入してアイレットとリード
ピンを絶縁して固定する際にリードピンが回転してしま
うことを防止できる。これは、リードピンの上部に金属
線を超音波熱圧着併用のワイヤボンディングを行い易い
ように平面部を設け、この平面部がレーザチップの電極
面と平行となる位置を維持しながら固定する必要がある
場合に有効となる。
【0015】
【実施例】以下に図面に示す実施例に基づいてこの発明
を詳述する。なお、この実施例によってこの発明が限定
されるものではない。
【0016】実施例1 この発明の実施例1について図1および図2に基づいて
説明する。図1は実施例1の半導体発光装置の正断面図
であり、図2は実施例1のリードピンの斜視図である。
【0017】図1に符号1で示される半導体発光装置
は、円盤状のアイレット2と放熱用のブロック部3が一
体に形成されている。アイレット2とブロック部3は鉄
合金からなり、その表面には銅めっきが、さらに銅めっ
きの表面に金めっきが施されている。ブロック部3には
熱拡散を更に促進させるための銅製のサブマウント4が
ロウ付けによって接合され、サブマウント4の表面には
レーザチップ5の裏面がロウ付けによって接合されてい
る。なお、サブマウントはセラミックまたはシリコン製
とすることもできる。
【0018】また、図1に符号6で示されるのはレーザ
チップ5を保護するために抵抗溶接によってアイレット
2に取り付けられている鉄合金製のキャップであり、そ
の表面にはニッケル−錫めっきが施されている。なお、
このニッケル−錫めっきはニッケルめっきだけでもよ
い。さらにキャップ6の上部にはレーザ光を透過させる
ための窓ガラス7が低融点ガラス8によって取り付けら
れている。なお、窓ガラスを透明樹脂製とすれば、キャ
ップと窓ガラスを樹脂系接着剤で固定することもでき
る。
【0019】図1に示すレーザチップ5の表面と裏面に
は電極(図示せず)が備えられており、裏面の電極は銅
合金製のリードピン9aの平面部11aとサブマウント
4の表面とを金属線12aで接続することにより電気的
に導通されている。一方、表面の電極は、リードピン9
bの平面部11bと金属線12bで直接接続されること
により電気的に導通されている。
【0020】なお、図1に示されるようにアイレット2
の貫通孔13aおよび13bには、リードピン9aおよ
び9bが挿通された後に溶融状態の強化耐熱PPSが注
入されて絶縁固定部14aおよび14bが形成されてい
る。絶縁固定部14aおよび14bは、リードピン9a
および9bとアイレット2とを絶縁して固定すると共
に、半導体発光装置1を外部の湿気等から封止してい
る。絶縁固定部14aおよび14bの材料となる強化耐
熱PPSは、ポリフェニレンサルファイドにガラス繊維
を40%添加し、熱変形温度を300℃〜340℃に向
上させたものを用いている。
【0021】このように構成することにより、リードピ
ン9aおよび9bを外部の回路(図示せず)に接続する
際に例えば180℃で溶解するはんだを用いても、絶縁
固定部14aおよび14bを形成する強化耐熱PPSが
軟化することを防止できる。また、一旦絶縁固定部14
aおよび14bが高温になった後に常温(例えば25
℃)に戻っても絶縁固定部14aおよび14bに微細な
割れが生じることもなく、良好な封止状態を維持でき
る。
【0022】また、図1および図2に示されるように、
リードピン9aおよび9bには、4つの環状の溝で構成
される凹部10aおよび10bが形成され、凹部10a
および10bがアイレット2の貫通孔13aおよび13
b内に位置した状態で絶縁固定部14aおよび14bが
形成されている。このように構成することにより、リー
ドピン9aおよび9bと絶縁固定部14aおよび14b
との接触面積が大きくなり、アイレット2からリードピ
ン9aおよび9bが抜けてしまうことを防止できる。な
お、図1に示されるリードピン9aと9bは材質および
形状ともに全く同一のものである。
【0023】実施例2 次に、この発明の実施例2について、図3〜図5に基づ
いて説明する。実施例2は、実施例1のリードピンを変
更したものである。図3は実施例2の半導体発光装置の
正断面図、図4は実施例2のリードピンの斜視図、図5
は実施例2のリードピンの凹部の横断面図である。
【0024】図4および図5に示されるリードピン29
aには、リードピン29aの長手方向に伸びる4つの窪
みから構成される凹部30aが形成されている。また、
リードピン29aの上部には金属線が接続し易いように
平面部31aが形成されている。なお、図3に示される
リードピン29aと29bは材質および形状ともに全く
同一のものである。
【0025】図3に示されるように、リードピン29a
および29bを用いると、リードピン29aおよび29
bが挿通されたアイレット22の貫通孔33aおよび3
3bに溶融状態の強化耐熱PPSを注入して絶縁固定部
34aおよび34bを形成する際に、リードピン29a
および29bが回転してしまうことを防止できる。つま
り、サブマウント24の前面とリードピン29aの平面
部31a、レーザチップ25の表面の電極(図示せず)
とリードピン29bの平面部31bとをそれぞれ平行に
維持し、金属線32aおよび32bを接続し易いように
することができるのである。その他の構成は上述の実施
例1の半導体発光装置と同じである。
【0026】
【発明の効果】この発明によれば、容易にアイレットと
リードピンを絶縁して固定でき、かつ、はんだを用いて
リードピンと外部回路を接続してもリードピンの位置が
ずれたり、絶縁固定部分に微細な割れが生じたりするこ
とを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1の形態を示す正断面図であ
る。
【図2】実施例1のリードピンの斜視図である。
【図3】この発明の実施例2の形態を示す正断面図であ
る。
【図4】実施例2のリードピンの斜視図である。
【図5】実施例2のリードピンの凹部の横断面図であ
る。
【符号の説明】
1・・・半導体発光装置 2・・・アイレット 3・・・ブロック部 4・・・サブマウント 5・・・レーザチップ 6・・・キャップ 7・・・ガラス窓 8・・・低融点ガラス 9a,9b・・・リードピン 10a,10b・・・凹部 11a,11b・・・平面部 12a,12b・・・金属線 13a,13b・・・貫通孔 14a,14b・・・絶縁固定部

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属製の板状のアイレットと、前記アイ
    レットの上面側に突出し、前記アイレットと一体に形成
    される放熱用のブロック部と、前記ブロック部に取り付
    けられるレーザチップと、前記アイレットに形成された
    貫通孔に挿通され、前記レーザチップと電気的に接続さ
    れる細長いリードピンと、前記ブロック部、レーザチッ
    プおよびリードピンを覆って前記アイレットの上面側に
    取り付けられるキャップ体とを備え、前記リードピン
    は、前記アイレットの貫通孔に注入される熱可塑性また
    は熱硬化性の樹脂によって前記アイレットと電気的に絶
    縁されて固定され、かつ、アイレットに対する固定部分
    に少なくとも1つの凹部を有し、前記樹脂の熱変形温度
    はリードピンを外部回路に接続するためのはんだの溶解
    温度よりも高いことを特徴とする半導体発光装置。
  2. 【請求項2】 前記樹脂が、ガラス繊維強化耐熱樹脂で
    あることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装
    置。
  3. 【請求項3】 ガラス繊維強化耐熱樹脂が、ガラス繊維
    強化耐熱ポリフェニレンサルファイドであることを特徴
    とする請求項2に記載の半導体発光装置。
  4. 【請求項4】 凹部がリードピンの長手方向に延びてい
    ることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載
    の半導体発光装置。
  5. 【請求項5】 凹部がリードピンの周囲に形成されるこ
    とを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半
    導体発光装置。
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