JP2000331577A - 光電センサ並びにその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 物体の位置検出を行なう光電センサにおい
て、多くの光信号を取り込むことを可能にするととも
に、外部からの電磁気雑音やセンサ内部のインパルス性
雑音から受光素子をシールドすることにより、光電セン
サの検知性能を向上させる。 【解決手段】 光学レンズの光透過部を大きくして光信
号を多く取り入れることを可能にするとともに、光電素
子を実装するＭＩＤ内面に導電被膜を形成する一方、光
学レンズの内面に透明性導電被膜を形成し、光電素子の
周囲を導電被膜と透明性導電被膜とで包囲し、電気暗箱
構造とすることにより、外部から飛来する電磁気雑音や
内部のインパルス性雑音を排除して光電センサの検知性
能を高める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＦＡにおける物
体の搬送、検査、組み立て工程等で物体の位置決めを行
なうのに好適な光電センサに係り、特に、多くの光信号
を取り入れることができるとともに、外部から飛来して
くる電磁波雑音及び光電センサ内部で生じるインパルス
性雑音等を確実にシールドできる精度の良い光電センサ
並びにその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、ＦＡの搬送工程等では、コンベア
により搬送される物体の位置検出を行なうために光電セ
ンサが使用されることが多い。

【０００３】図１０は従来使用されている反射型光電セ
ンサの構成を示すもので、光電センサ１は、フォトＩＣ
等の受光素子２を含む信号処理回路３がプリント配線基
板４に実装され、外部から飛来する雑音からシールする
ために、金属板を曲げ加工したシールド５によりフォト
ＩＣ２を含む信号処理回路３を全面的に囲い込む構成を
採用している。また、このシールド５は、電界雑音を防
御するが、検知対象物を検知した光信号をフォトＩＣ２
に導く必要から、光導入孔６のようにごく細い孔を設け
て光は通すが雑音をシールできる最適サイズの孔を設定
してＳ／Ｎ比のバランスを保つようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、信号処理回
路３の中には、数μＶで１μＡ以下レベルの検出信号を
扱う領域と、ＬＥＤをインパルス状に点滅させるのにピ
ークで数１０ｍｍＡ〜数１００ｍｍＡの電流を駆動する
回路が同居しているケースがあり、そうした場合には自
己の回路から発生する雑音で自己の検知性能に影響を受
けることがある。

【０００５】同様に、光電センサに外部から供給される
電源が、図１１に示すように、フリー電源化されている
場合は、光電センサ回路内部での安定化を図るために、
インバータ回路（スイッチング）を内臓してこのインパ
ルスノイズが検知回路に影響されることもある。

【０００６】更に、図１２に示す交流２線式のように電
流開閉の位相差で内部に必要な電源を確保する場合に
は、商用電源の周波数毎にインパルス性のノイズを発生
させるため、常に検知回路は影響を受けているのが実情
である。

【０００７】そこで、光電センサの検知性能を更に向上
並びに安定化せさるためには、光信号諸々の電気雑音の
関係改善が必要であり、現状では対立矛盾関係をチュー
ニングして調整しているに過ぎず、これを克服するに
は、光信号を取り入れる開口部を可能な限り拡大し、か
つ外部の雑音の影響から検知回路を防御し、しかも、光
電センサ自体が発生する自己雑音からも防御することが
必要である。

【０００８】この発明は、上述のような問題点に着眼し
てなされたもので、光信号を取り入れる開口部は可能な
限り広く設定するとともに、三次元射出成形回路部品
（Molding Interconnect Device（ＭＩＤという））
に光電素子を実装してなるＭＩＤパッケージにシールド
機能をもたせることにより、外部の電磁気雑音やインパ
ルス性雑音等を確実に防御できる極めて精度の高い光電
センサ並びにその製造方法を提供することを目的として
いる。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願の請求項１に記載の発明は、ＭＩＤに投光・受
光素子を実装し、投光素子の周囲を覆うＭＩＤ内面に導
電被膜を形成してなるＭＩＤパッケージと、光信号が透
過する透過部が大きく設定され、内面に透明導電被膜を
形成した光学レンズと、上記ＭＩＤパッケージに実装し
た投光・受光素子と光学レンズの光軸をほぼ一致させ
て、ＭＩＤパッケージと光学レンズとを接合して収容す
るケースと、該ケース内に収容され、上記ＭＩＤパッケ
ージの回路部分と電気的に導通するプリント配線基板と
から構成され、光学レンズの透明導電被膜と投光素子周
囲のＭＩＤパッケージに設けられた導電被膜とで投光素
子周囲を電気暗箱化したことを特徴とする。

【００１０】ここで、「電気暗箱」とは、半導体素子等
の周囲を導電膜、導電フィルム等、導電層でシールドし
て、外部の電磁気からの影響を受けないようにした構成
をいう。

【００１１】従って、請求項１に記載の発明によれば、
光学レンズの光透過部が大きく設定されているため、多
くの光信号を取り入れることが可能である。また、光学
レンズの内面に透明導電被膜が形成される一方、投光素
子の周囲のＭＩＤ内面に導電被膜が形成され、ＭＩＤパ
ッケージと光学レンズとを組み付けた際、投光素子の周
囲を電気暗箱化することができるため、投光素子からの
雑音を外部に漏出させることがない。

【００１２】請求項２に記載の発明は、投光・受光素子
を実装し、受光素子の周囲を覆うＭＩＤ内面に導電被膜
を形成してなるＭＩＤパッケージと、光信号が透過する
透過部が大きく設定され、内面に透明導電被膜を形成し
てなる光学レンズと、上記ＭＩＤパッケージに実装した
投光・受光素子と光学レンズの光軸をほぼ一致させて、
ＭＩＤパッケージと光学レンズとを接合して収容するケ
ースと、該ケース内に収容され、ＭＩＤパッケージの回
路部分と電気的に導通するプリント配線基板とから構成
され、上記光学レンズの透明導電被膜と受光素子周囲の
ＭＩＤパッケージに設けられた導電被膜とで受光素子周
囲を電気暗箱化したことを特徴とする。

【００１３】従って、請求項２に記載の発明によれば、
光学レンズの光透過部が大きく設定されているため、多
くの光信号を取り入れることができるとともに、受光素
子の周囲が電気暗箱化されているため、外部から飛来す
る電磁気的雑音や光電センサ自体から発生する雑音が受
光素子に到達することがなく、受光素子に悪影響を及ぼ
さない。

【００１４】請求項３に記載の発明は、ＭＩＤに投光・
受光素子を実装し、投光・受光素子の周囲を覆うＭＩＤ
内面に導電被膜を形成してなるＭＩＤパッケージと、光
信号が透過する透過部が大きく設定され、内面に透明導
電被膜を形成してなる光学レンズと、上記ＭＩＤパッケ
ージに実装した投光・受光素子と光学レンズの光軸をほ
ぼ一致させて、ＭＩＤパッケージと光学レンズとを接合
して収容するケースと、該ケース内に収容され、ＭＩＤ
パッケージの回路部分と電気的に導通するプリント配線
基板とから構成され、上記光学レンズの透明導電被膜と
投光・受光素子周囲のＭＩＤパッケージに設けられた導
電被膜とで投光・受光素子周囲を電気暗箱化したことを
特徴とする。

【００１５】従って、請求項３に記載の発明によれば、
光学レンズの光透過部が大きく設定されているため、光
信号を多く取り入れることができるとともに、光学レン
ズ内面の透明性導電被膜とＭＩＤ内面の導電被膜とを電
気的に接合させることにより、投光素子及び受光素子の
周囲を電気暗箱化することができるため、投光素子から
の雑音が外部に漏れることがなく、しかも外部の雑音や
光電センサ自体の雑音が受光素子に及ぶことがない。

【００１６】請求項４に記載の発明は、プリント配線基
板に内装される回路をＭＩＤパッケージで包囲し、ＭＩ
Ｄ内面に上記回路を包囲する導電被膜を設けることによ
り、プリント配線基板上の回路を電気暗箱化したことを
特徴とする。

【００１７】従って、請求項４に記載の発明によれば、
投光素子、受光素子の周囲を電気暗箱化するとともに、
プリント配線基板に実装する回路も導電被膜を施したＭ
ＩＤで覆うことにより、これら回路の周囲もまた電気暗
箱化することができ、外部の電磁気雑音ばかりでなく、
インパルス性雑音を発生させることがない。

【００１８】請求項５に記載の発明は、内面に導電被膜
を形成したＭＩＤに光電素子を実装してＭＩＤパッケー
ジを形成した後、内面に透明導電被膜を形成した光学レ
ンズを上記ＭＩＤパッケージに被せてケースを成形する
射出成形金型内にインサートし、ＭＩＤパッケージと光
学レンズとをケースと一体に複合接合成形するととも
に、ＭＩＤパッケージ内面の導電被膜と光学レンズ内面
の透明導電被膜とを電気的に接触させて光電素子の周囲
を電気暗箱化したことを特徴とする。

【００１９】従って、請求項５に記載の発明によれば、
ＭＩＤ内面に導電被膜を施し、更に投光素子、受光素子
を実装したＭＩＤパッケージと、内面に透明導電被膜を
形成し、光透過部を大きく設定した光学レンズとを重ね
合わせ、ケースを成形する射出成形金型内にインサート
しておき、ＭＩＤパッケージと光学レンズとケースとを
一体化したとき、光学レンズ内面の透明導電被膜とＭＩ
Ｄ内面の導電被膜とが電気的に接触し、この状態をケー
スにより保持できるため、投光素子、受光素子周囲の電
気暗箱状態を確実に維持できる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光電センサ並
びにその製造方法の実施形態について、添付図面を参照
しながら詳細に説明する。

【００２１】図１は本発明に係る光電センサにおける第
１の実施形態の全体構成を示す断面図、図２は同光電セ
ンサにおける要部構成を示す拡大断面図、図３は同光電
センサに使用するＭＩＤを表面側から見た平面図、図４
乃至図７は本発明に係る光電センサの製造方法の概要を
示す各説明図、図８は本発明に係る光電センサにおける
第２の実施形態の要部構成を示す断面図、図９は同光電
センサに使用するＭＩＤを裏面側から見た平面図であ
る。

【００２２】図１に示すように、本発明に係る光電セン
サ１０は、反射型であり、ケース２０内にプリント配線
基板３０並び光電機能モジュール４０が内装されてい
る。

【００２３】更に詳しくは、ケース２０は、表面側ケー
ス２１と裏面側ケース２２との２分割体から構成され、
表面側ケース２１にはセンサ取付用の取付孔２３が開設
されている。

【００２４】また、ケース２０内に収容されるプリント
配線基板３０は、信号処理回路３１、ＬＥＤ駆動素子３
２、フォトＩＣ周辺部品３３がその表面側に実装されて
おり、表裏面には図示しない配線パターンが形成され、
裏面側には動作表示用ＬＥＤ３４、感度調整用バリスタ
３５、外部へ接続する接続ケーブル３６が繋がってお
り、動作表示用ＬＥＤ３４には動作表示用ライトガイド
３７が裏面側ケース２２の開口を通して外部に臨むよう
に設置され、感度調整用バリスタ３５を操作する感度調
整摘み３８が外部に臨んで操作可能に繋がっている。

【００２５】ところで、本発明に係る光電センサ１０
は、多くの光信号を取り入れることができるとともに、
外部からの雑音やセンサ自体の雑音により受光素子が影
響を受けることなく、精度の高い検知処理を行なうこと
を可能にしたもので、図２，図３に基づいてその光電機
能モジュール４０の構成について説明する。

【００２６】すなわち、光電機能モジュール４０は、Ｍ
ＩＤ４１に投光素子であるＬＥＤチップ４２及び受光素
子であるフォトＩＣ４３を実装してなるＭＩＤパッケー
ジ４４と、ＬＥＤチップ４２、フォトＩＣ４３の光軸に
対して光軸合わせをして対峙する光学レンズ４５とから
構成されており、特に、光学レンズ４５を大きく設定す
ることにより、多くの光信号を取り入れることを可能に
するとともに、電磁シールド効果を高めるために、ＭＩ
Ｄ４１の内面に導電被膜４６がめっき処理されていると
ともに、光学レンズ４５の内面に透明導電被膜４７が形
成されている。

【００２７】更に、上記ＭＩＤ４１に形成される導電被
膜４６は、図３中斜線で示すように、ワイヤボンディン
グ用パッド４８、ダイパッド４９を除いた部位に形成さ
れており、ＭＩＤ４１に実装されるＬＥＤチップ４２、
フォトＩＣ４３は、ダイパッド４９上に装着され、接合
ワイヤ５０によりワイヤボンディングされる。

【００２８】そして、光電機能モジュール４０は、ＭＩ
Ｄ４１内面に導電被膜４６を形成したＭＩＤパッケージ
４４と内面に透明導電被膜４７を形成した光学レンズ４
５とを光電素子と光学レンズ４５の光軸基準で合わせた
ものをケース（表面側ケース）２１を成形する金型にイ
ンサートして型締めし、射出成形により光学レンズ４５
の透明導電被膜４７とＭＩＤ４１内面の導電被膜４６が
繋がり、投光・受光素子４２、４３を囲む空間は、シー
ルド膜４６、４７で包囲された電気暗箱を形成する。

【００２９】そして、これらＭＩＤ４１の内面に形成さ
れた導電被膜４６は、ＭＩＤパッケージ４３に設けた導
電ピン５１をプリント配線基板３０のスルーホール５２
内に挿入され、グラウンドに半田付けなどの手段で接続
される。

【００３０】従って、投光素子であるＬＥＤチップ４２
は導電被膜４６並びに透明導電被膜４７により周囲が包
囲されシールドされているため、電磁気雑音が電気暗箱
ａ内から外部に漏出することがない。

【００３１】また、受光素子であるフォトＩＣ４３につ
いても電気暗箱ｂで包囲されており、外部から飛来する
電磁気雑音等がこの電気暗箱ｂ内に侵入することがな
く、検知性能に悪影響を及ぼすことがない。

【００３２】次いで、図４乃至図７に基づいて、本発明
に係る光電センサ１０における光電モジュール４０の形
成工程並びに光電機能モジュール４０とプリント配線基
板３０との接合工程等について説明する。

【００３３】まず、図４に示すように、ＭＩＤ４１は、
半導体素子の実装、あるいは半田付けで他の回路へ接続
されることから高耐熱性の液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の
樹脂を使用し、所望の形状に射出成形されており、この
ＭＩＤ４１には、所望の配線パターンが施される一方、
シールド機能を果たすべき導電被膜４６の形成は、分類
上、ワンショット法で各種提案がされている公知の選択
鍍金方法で形成する。

【００３４】そして、内面に導電被膜４６を形成したＭ
ＩＤ４１の実装部分（ダイパッド４９）にＬＥＤチップ
４２とフォトＩＣ４３に導電ペーストを転写して供給し
た上にダイボンダーにて装着して、図５に示すように、
加熱炉で硬化反応させて固着させた後、前記配線パター
ンのバッド部４８とワイヤボンディングにて半導体と光
電素子間を配線する。このようにしてＭＩＤパッケージ
４４が形成される。

【００３５】次いで、このＭＩＤパッケージ４４に接合
する光学レンズ４５は、変性アクリレート等の透明樹脂
材料を極力光学歪みを軽減した一定圧射出成形又は圧縮
成形等で加工した成形品を、電気暗箱を構成するように
内面に相当する側面に透明導電被膜４７を形成するが、
本実施形態では、ＩＴＯ（酸化インジューム・錫）蒸着
膜が形成されている。

【００３６】この樹脂表面へＩＴＯ蒸着膜を形成するの
は、遮蔽すべきノイズの周波数域によりＩＴＯ蒸着膜の
膜厚を制御することができ、ＭＩＤ４１の導電被膜４６
との合わせ面に至るまで透明導電被膜（ＩＴＯ蒸着膜）
４７が形成されている。

【００３７】そして、図６に示す光電機能モジュール４
０は、ＭＩＤパッケージ４４の上に光学レンズ４５を接
合して構成されるが、この状態で、ＭＩＤパッケージ４
４と光学レンズ４５との合わせ面は、電気的に接触して
おり、ＬＥＤチップ４２、フォトＩＣ４３を収容した空
間はそれぞれ電気暗箱ａ、ｂの状態となる。

【００３８】そして、この電気的接触をより強固で安定
した接合状態とするために、表面側ケース２１を樹脂で
成形する金型の中に前記図６に示す光電機能モジュール
４０をインサートして型締めし、射出成形することで両
者は加圧接触した状態を保持し、ＭＩＤパッケージ４４
と光学レンズ４５とが強固に接合した状態でケース２０
と一体化できる。

【００３９】その後、図７に示すように、すでに光電セ
ンサ１０として必要な電子回路が実装されたプリント配
線基板３０にＭＩＤパッケージ４４の導電ピン５１を差
し込み、半田付けの手段でシールド用の導電被膜４６の
端子とプリント配線基板３０のグランド端子を電気的に
接続した後、表面側ケース２１と裏面側ケース２２とを
接合固定すれば、光電センサ１０の製造が完了する。

【００４０】次いで、図８、図９は本発明に係る光電セ
ンサ１０の別の実施形態の構成、並びに図９はＭＩＤ４
１の裏面をそれぞれ示すもので、更に光電センサ１０自
体のインパルス性ノイズを有効に遮断できるものであ
る。

【００４１】すなわち、プリント配線基板３０には、Ｌ
ＥＤ駆動素子３２やフォトＩＣ周辺部品３３が実装され
るケースが多く、プリント配線基板３０にＭＩＤパッケ
ージ４４を組み付ける際、プリント配線基板３０のＬＥ
Ｄ駆動素子３２やフォトＩＣ周辺部品３３を覆うように
ＭＩＤ４１の裏面に凹部５３を形成するとともに、凹部
５３の内面においても、図９中斜線で示す導電被膜４６
がメッキ処理されている。

【００４２】従って、プリント配線基板３０に光電機能
モジュール４０を実装した状態では、ＬＥＤ駆動素子３
２とフォトＩＣ周辺部品３３がそれぞれ電気暗箱ｃ、ｄ
内に収容された状態となり、特に、光電センサ自体から
発生するインパルス性ノイズを外部に放射するのを有効
に抑えることができ、電磁シールド効果をより高めるこ
とができる。

【００４３】以上説明した実施形態は本発明に係る光電
センサを反射型光電センサ１０に適用したが、図示はし
ないが透過型光電センサに適用することもでき、その場
合は、受光部ユニットにおける受光用ＭＩＤの内面に導
電被膜を形成するとともに、受光用レンズの内面に透明
導電被膜を形成し、フォトＩＣ等の受光素子を導電被膜
と透明導電被膜により、周囲を包囲する電気暗箱構造と
すれば良い。

【００４４】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明に係る光電セ
ンサによれば、光信号を取り入れる光透過部は光学レン
ズサイズにまで可能な限り拡大してより多くの光信号を
取り込むことができるとともに、外部から飛来してくる
電磁気雑音には、光学レンズ内面に設けた透明導電被膜
とＭＩＤ内面に設けた導電被膜とで形成される電気暗箱
内に光電素子を収容することにより、外部からの電磁気
雑音を有効にシールすることができ、Ｓ／Ｎ比を飛躍的
に向上させることができるという効果を有する。

【００４５】更に、光電センサの電気回路自体から発生
するインパルス性ノイズに対しては、微弱な信号処理回
路部を防御できるように比較的大きい電流開閉を行なう
部品を収容する電気暗箱と、微弱な信号処理部品を収容
する電気暗箱を分離して配置することで、光電センサ内
部で発生するノイズに対しても有効にシールが可能とな
り、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができるという効果
を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光電センサにおける第１の実施形
態の全体構成を示す断面図である。

【図２】図１に示す光電センサにおける要部構成を示す
断面図である。

【図３】図１に示す光電センサに使用するＭＩＤを表面
側から見た平面図である。

【図４】本発明に係る光電センサの製造方法におけるＭ
ＩＤ内面への光電素子の実装工程を示す説明図である。

【図５】本発明に係る光電センサの製造方法におけるＭ
ＩＤパッケージの形成工程を示す説明図である。

【図６】本発明に係る光電センサの製造方法における光
電機能モジュールの形成工程を示す説明図である。

【図７】本発明に係る光電センサの製造方法における光
電機能モジュールとプリント配線基板との実装工程を示
す説明図である。

【図８】本発明に係る光電センサの第２の実施形態の要
部構成を示す断面図である。

【図９】図８に示す光電センサに使用するＭＩＤを裏面
側から見た平面図である。

【図１０】従来の反射型光電センサの構成を示す断面図
である。

【図１１】従来の直流型のスイッチ内蔵式光電センサの
回路図である。

【図１２】従来の交流２線タイプの光電センサの回路図
である。

【符号の説明】

１０ 光電センサ（反射型） ２０ ケース ２１ 表面側ケース ２２ 裏面側ケース ３０ プリント配線基板 ３１ 信号処理回路 ３２ ＬＥＤ駆動素子 ３３ フォトＩＣ周辺部品 ４０ 光電機能モジュール ４１ ＭＩＤ ４２ ＬＥＤチップ ４３ フォトＩＣ ４４ ＭＩＤパッケージ ４５ 光学レンズ ４６ 導電被膜 ４７ 透明導電被膜 ４８ ワイヤボンディングパッド ４９ ダイパッド ５０ 接合ワイヤ ５１ 導電ピン ５３ 凹部

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＭＩＤに投光・受光素子を実装し、投光
   素子の周囲を覆うＭＩＤ内面に導電被膜を形成してなる
   ＭＩＤパッケージと、光信号が透過する透過部が大きく
   設定され、内面に透明導電被膜を形成した光学レンズ
   と、上記ＭＩＤパッケージに実装した投光・受光素子と
   光学レンズの光軸をほぼ一致させて、ＭＩＤパッケージ
   と光学レンズとを接合して収容するケースと、該ケース
   内に収容され、上記ＭＩＤパッケージの回路部分と電気
   的に導通するプリント配線基板とから構成され、光学レ
   ンズの透明導電被膜と投光素子周囲のＭＩＤパッケージ
   に設けられた導電被膜とで投光素子周囲を電気暗箱化し
   たことを特徴とする光電センサ。
2. 【請求項２】 投光・受光素子を実装し、受光素子の周
   囲を覆うＭＩＤ内面に導電被膜を形成してなるＭＩＤパ
   ッケージと、光信号が透過する透過部が大きく設定さ
   れ、内面に透明導電被膜を形成してなる光学レンズと、
   上記ＭＩＤパッケージに実装した投光・受光素子と光学
   レンズの光軸をほぼ一致させて、ＭＩＤパッケージと光
   学レンズとを接合して収容するケースと、該ケース内に
   収容され、ＭＩＤパッケージの回路部分と電気的に導通
   するプリント配線基板とから構成され、上記光学レンズ
   の透明導電被膜と受光素子周囲のＭＩＤパッケージに設
   けられた導電被膜とで受光素子周囲を電気暗箱化したこ
   とを特徴とする光電センサ。
3. 【請求項３】 ＭＩＤに投光・受光素子を実装し、投光
   ・受光素子の周囲を覆うＭＩＤ内面に導電被膜を形成し
   てなるＭＩＤパッケージと、光信号が透過する透過部が
   大きく設定され、内面に透明導電被膜を形成してなる光
   学レンズと、上記ＭＩＤパッケージに実装した投光・受
   光素子と光学レンズの光軸をほぼ一致させて、ＭＩＤパ
   ッケージと光学レンズとを接合して収容するケースと、
   該ケース内に収容され、ＭＩＤパッケージの回路部分と
   電気的に導通するプリント配線基板とから構成され、上
   記光学レンズの透明導電被膜と投光・受光素子周囲のＭ
   ＩＤパッケージに設けられた導電被膜とで投光・受光素
   子周囲を電気暗箱化したことを特徴とする光電センサ。
4. 【請求項４】 プリント配線基板に内装される回路をＭ
   ＩＤパッケージで包囲し、ＭＩＤ内面に上記回路を包囲
   する導電被膜を設けることにより、プリント配線基板上
   の回路を電気暗箱化したことを特徴とする請求項１乃至
   ３のいずれかに記載の光電センサ。
5. 【請求項５】 内面に導電被膜を形成したＭＩＤに光電
   素子を実装してＭＩＤパッケージを形成した後、内面に
   透明導電被膜を形成した光学レンズを上記ＭＩＤパッケ
   ージに被せてケースを成形する射出成形金型内にインサ
   ートし、ＭＩＤパッケージと光学レンズとをケースと一
   体に複合接合成形するとともに、ＭＩＤパッケージ内面
   の導電被膜と光学レンズ内面の透明導電被膜とを電気的
   に接触させて光電素子の周囲を電気暗箱化したことを特
   徴とする光電センサの製造方法。