JP3863777B2 - 低容量多層バリスタ - Google Patents
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Description
本発明は、セラミック基体及び間隔をおいて互いにセラミック基体上に取り付けられている2つの端子を備えた低容量多層バリスタに関する。ここで「低容量」とは、例えば10pFよりも小さい容量値と理解されるべきである。
【0002】
従来、高周波回路及びデータ線路の静電保護ないしはESD保護のために、有利にはスパークギャップが使用されており、このスパークギャップは例えば、互いに対向する2つの導体路の先端によって実現することができる。保護すべき高周波回路またはデータ線路に対して許容できない高さの電圧が生じた際には、スパークギャップは対向する2つの導体の先端の間で点弧し、その結果この許容できない高い電圧は高周波回路ないしはデータ線路には印加されない。
【0003】
スパークギャップの点弧は、例えばいわゆる気体放電特性曲線が必然的な経過を辿る所定の物理的な法則に応じて経過する。この過程は所定の持続時間を必要とし、その結果通常は、スパークギャップを電離するために必要とされる時間だけで、700psのオーダにありうるESDパルスの立ち上がり時間よりも長くなってしまう。
【0004】
このことは要約すると、スパークギャップはその不活性ゆえに高周波回路またはデータ線路のESD保護としては欠点を有するということを意味する。
【0005】
多層バリスタは、スパークギャップと比べるとそれよりも非常に短い応答時間の点で傑出している。すなわち多層バリスタの応答時間は500psのオーダにあり、このことはスパークギャップの応答時間よりもファクタ2ほど少ないということである。それにもかかわらず、従来多層バリスタは高周波回路ないしはデータ線路のESD保護として使用されていない。このことは多層バリスタの積層状の構造に起因している。この積層状の構造はすなわち寄生容量を導き、この寄生容量によって多層バリスタは100MHz以上の周波数を用いる高周波回路に使用することができない。そのような高周波回路は、例えばアンテナ入力側などの高周波入力回路である。
【0006】
図13から図15は、既存の多層バリスタを斜視図(図13を参照されたい)、断面図(図14を参照されたい)、外部へと案内された内部電極を備えた全体図(図15を参照されたい)において示したものである。
【0007】
この多層バリスタでは、セラミック基体1には向かい合う反対側の2つの面に端子8が設けられており、この端子8からそれぞれ内部電極7が出発しており、この内部電極7はセラミック基体1において間隔をおいて互いにオーバラップしている。ここでこのオーバラップ領域内には、アクティブ領域9が形成され、一方このオーバラップ領域以外には絶縁領域11が形成されている。
【0008】
図15は、図14の多層バリスタのエレメントを示す。セラミック基体1の層は2つの内部電極7の間にあり、この内部電極7はこの層においてそれぞれ金属化表面12を形成する。
【0009】
このような既存の多層バリスタは、高周波回路及びデータ線路のESD保護としては、その容量のために殆ど適していない。この容量は、設定された誘電率εを有する所定のセラミック材料では、内部電極7ないしは端子8の面積、内部電極7間のセラミック基体1の層の個数、すなわちアクティブ領域9の個数及び所望の作動電圧に基づいて形成されたセラミック層ないしはアクティブ領域9の厚さによって決定される。
【0010】
従来このような技術において製造された多層バリスタは、少なくとも30から50pFまでのオーダの容量を有し、このことはそのような多層バリスタを、応答時間が僅かであるにも関わらず例えば敏感なアンテナ入力側のESD保護のために使用することを不可能にしてきた。
【0011】
したがって本発明の課題は、例えばアンテナ入力側のような高周波回路でのESD保護のために容易に使用することができるような低容量の点で傑出している多層バリスタを提供することである。
【0012】
この課題は本発明によれば、セラミック基体及び間隔をおいて互いにセラミック基体に取り付けられている2つの端子を有する低容量多層バリスタでは、セラミック基体が薄膜技術における多層構造でもって形成されることによって解決される。ここで好適には、セラミック基体には内部電極が設けられており、この内部電極は櫛状に2つの端子から出発しており、その結果2つの端子間の方向においては電極の終端はギャップ(ないしは間隔)をおいて対向している。
【0013】
すなわち本発明による多層バリスタでは、内部電極が例えば櫛状に配置されており、その結果2つの端子からの電極はもはやオーバラップせず、むしろ互いにその終端をもって対向している。したがってこれらの対向する電極の終端の間隔、いわゆる「ギャップ」を介して、多層バリスタの低容量が設定される。ギャップが同一ないしはほぼ同一である場合には、ギャップをシリアルに配置することによって容量をさらに減らすことができる。それどころか特別な事例においては、内部電極を完全になくしたときには、バリスタ電圧をさらに高めることができまた容量を低減させることができる。この特別な事例において存在する端子ないしは外部終端部のバリスタ電圧及び容量への影響は、付加的にパシベーション層を取り付けることによって排除することができ、その結果そのような実施例でもって、所定の体積に対しては最大であるバリスタ電圧を最小容量で達成することができる。
【0014】
内部電極は、異なる長さの電極でもって形成することができる。さらに内部電極の先端を互いに、種々様々に形成することが可能である。
【0015】
内部電極がオーバラップしないことによって、本発明による多層バリスタでは電極間隔を十分大きくすることができ、このことは容量を相応に減らすことになる。内部電極が対向していることによって、本発明による多層バリスタでの電流の流れる方向は既存の多層バリスタと比べると変化しており、よってバリスタ電圧を劇的に高めることが可能となる。
【0016】
発明者の実験によって、本発明による多層バリスタでは内部電極の所定の配置によって電流経過を有利に制御することができる、という結果がでた。したがって、例えば300Vおよびそれ以上の電圧では高抵抗である非線形の電圧/電流特性曲線を有する多層バリスタを製造することが可能である。
【0017】
本発明を図面に基づき以下詳細に説明する。ここで図1は、多層バリスタの原理図をそれぞれの方向を決定するために斜視図において示したものである。図2は、櫛状に配置された内部電極を備えた本発明による多層バリスタの断面図である。図3は、電極の長さが異なる、櫛状に配置された内部電極を備えた本発明による多層バリスタの断面図である。図4は、シリアルなギャップが設けられている、櫛状に配置された内部電極を備えた本発明による多層バリスタの断面図である。図5は、シリアルなギャップが設けられている櫛状に配置された内部電極を備え、また内部電極が互いにずらされている、本発明による多層バリスタの断面図である。図6は、内部電極のない本発明による多層バリスタの断面図である。図7は、セラミック基体上に取り付けられたパシベーション層を備えた、内部電極のない本発明による多層バリスタの断面図である。図8は、先端が真っ直ぐな電極を備えた、図2の実施例に類似した多層バリスタである。図9は、図8の多層バリスタのDDに沿った断面図である。図10は、先端が凹状の電極を備えた、本発明による多層バリスタのDDに沿った断面図である。図11は、先端が凸状の電極を備えた、本発明による多層バリスタのDDに沿った断面図である。図12は、先端が尖った電極を備えた、本発明による多層バリスタのDDに沿った断面図である。図13から図15は、既存の多層バリスタを説明するための図である。
【0018】
図13から図15は既に冒頭で説明した。
【0019】
図中の互いに対応する構成部分には、同一の参照記号が与えられている。
【0020】
図1は、長さl、幅bそして高さhのセラミック基体を備えた多層バリスタの斜視図であり、ここでは電流が2つの端子間(ここでは図示されていない)の方向BBに流れる。方向CCないしはDDは方向BBに対して垂直に延びている。
【0021】
図2から8は、本発明による多層バリスタの様々な実施例のBBに沿った断面図であり、一方図9から12は、異なる電極先端を備えた本発明による多層バリスタのDDに沿った断面図である。これらの異なる電極先端は、殊に図2及び図8の実施例に対応する多層バリスタにおいて適用する事ができる。しかしながら、そのような異なる電極先端を図3から5の実施例に設けることもまた可能である。
【0022】
本発明による多層バリスタは、薄膜技術における多層構造において傑出しており、この多層構造では内部電極を備えた及び内部電極の無い幾つかの層が上下に配置されており、そしてセラミック基体1を形成している。このセラミック基体1の方向BB(図1を参照されたい)における両端には、アルミニウムまたは他の金属からなる端子2、3が取り付けられている。端子2、3は例えば蒸着によって取り付けることができる。
【0023】
図2はセラミック基体1内に内部電極4、5を備えた本発明による多層バリスタの第1の実施例を示す。ここで内部電極4は端子2に接続されており、一方内部電極5は端子3と接続されている。内部電極4の終端は、内部電極5の終端からは間隔ないしは「ギャップ」dをおいて設けられている。内部電極4、5はそれぞれ櫛状に配置されており、その結果2つの端子4、5の内部電極は間隔dをおいて対向している。この間隔ないしはギャップdによって多層バリスタの低容量が設定される。
【0024】
この低容量によって、本発明による多層バリスタは容易に、SMD(SMD=「surface mounted device」)方式における、例えば敏感なアンテナ入力側のESD保護として適することが可能である。
【0025】
図2の実施例では、内部電極4、5はそれぞれ同じ長さを有する。このことは必ずしも必要とはされない。むしろ、図3の実施例に設けられているように、異なる長さの内部電極4、5を形成することが可能である。ここで、セラミック基体1の中央に配置された内部電極は、セラミック基体1の縁における内部電極よりも長いものである。
【0026】
ギャップdの長さが一定である場合には、図4の実施例に示したように、これらギャップをシリアルに配置することによって多層バリスタの容量をさらに低減させることができる。ここで、内部電極10間の個々のギャップは同様にdの長さである。しかしながら内部電極10は、セラミック基体1の内部において何度か途切れているので、その結果端子2、3と接している内部電極10のみがこれらの端子に接続されており、一方その他の内部電極は、図4に示したように、これらの端子及び他の内部電極と電気的に分離されている。図4の実施例では、内部電極10間には全部で4つのギャップが設けられている。このことは必ずしも必要とはされない。むしろ内部電極10の個々の列の間に、必要に応じて4つ以上または4つ以下のギャップを設けることも可能である。
【0027】
図5は本発明による多層バリスタの別の実施例を示し、この実施例は、ここでは同様に内部電極の複数の列に全体として4つのギャップが形成されているという点では、図4の実施例と同じである。しかしながら図4との実施例との違いは、図5の実施例では内部電極10が互いにずらされて配置されている。すなわち方向DDにおいては、異なる列の内部電極10は、様々な水平面上に配置されている。内部電極10をこの様に形成することによって、容量をさらに減らすことができる。
【0028】
特別な事例においては、完全に内部電極をなくすことによってバリスタ電圧をさらに高めることができ、また多層バリスタの容量を小さくすることできる。このことは、図6の実施例に示されており、その実施例においては端子2、3のみが多層構造におけるセラミック基体1に取り付けられている。このような構造で存在する端子2、3による外部終端部の、多層バリスタのバリスタ電圧及び容量への影響は、図7に示したように、付加的なパシベーション層6を取り付けることによって除去する事ができる。このように形成することによって、単位体積に関して、最大バリスタ電圧を最小容量において達成することができる。
【0029】
本発明において重要なことは、内部電極をなくすことにより、ないしはオーバラップしていない内部電極を利用することによって、電極の間隔を大きくすることである。セラミック基体において電流の流れる方向をこのようなことに起因して変化させることによって、所定の体積においてバリスタ電圧を著しく高めることができる。さらに、このような体積での容量は十分に低減され、その結果10pFよりも低い容量値を達成することができる。
【0030】
内部電極の先端は種々様々に形成することができ、このことは図9から図12に示されており、これらは例えば図2から図8の多層バリスタに基づいて平面BCにおける断面図ないしは方向DDからの俯瞰図(図1を参照されたい)を説明する。ここで図8は、同じ長さの内部電極が設けられているという点では図2の実施例と同一である実施例を示す。このことはしかしながら、必ずしも必要とはされない。むしろ図3の実施例の場合のように、図8の実施例では異なる長さの内部電極を設けることも可能である。
【0031】
ここで内部電極4、5に対して、真っ直ぐな電極先端(図9を参照されたい)、凹状の電極先端(図10を参照されたい)、凸状の電極先端(図11を参照されたい)または「尖った」電極先端(図12を参照されたい)を設けることが可能である。電極先端をこのように種々様々に形成することは、必要に応じて図4及び5の実施例にも適用することもでき、よってここでは内部電極10を内部電極4、5と同様のやり方で形成することが可能である。
【0032】
本発明による多層バリスタでは、内部電極の配置によって、2つの端子2、3間の電流密度の経過を好適に制御することができ、よって薄膜技術に起因する多層構造に基づいて、約300Vの電圧では高抵抗である非線形の電圧/電流特性曲線を有する構成素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 多層バリスタの原理図をそれぞれの方向を決定するために斜視図において示したものである。
【図2】 櫛状に配置された内部電極を備えた本発明による多層バリスタの断面図である。
【図3】 電極の長さが異なる、櫛状に配置された内部電極を備えた本発明による多層バリスタの断面図である。
【図4】 シリアルなギャップが設けられている、櫛状に配置された内部電極を備えた本発明による多層バリスタの断面図である。
【図5】 シリアルなギャップが設けられている櫛状に配置された内部電極を備え、また内部電極が互いにずらされている、本発明による多層バリスタの断面図である。
【図6】 内部電極のない本発明による多層バリスタの断面図である。
【図7】 セラミック基体上に取り付けられたパシベーション層を備えた、内部電極のない本発明による多層バリスタの断面図である。
【図8】 先端が真っ直ぐな電極を備えた、図2の実施例に類似した多層バリスタである。
【図9】 図8の多層バリスタのDDに沿った断面である。
【図10】 先端が凹状の電極を備えた、本発明による多層バリスタのDDに沿った断面である。
【図11】 先端が凸状の電極を備えた、本発明による多層バリスタのDDに沿った断面である。
【図12】 先端が尖った電極を備えた、本発明による多層バリスタのDDに沿った断面である。
【図13】 既存の多層バリスタを説明するための図である。
【図14】 既存の多層バリスタを説明するための図である。
【図15】 既存の多層バリスタを説明するための図である。
Claims (5)
- 低容量多層バリスタにおいて、
薄膜技術における多層構造でもって形成されているセラミック基体(1)を有し、
間隔をおいて互いに前記セラミック基体(1)に取り付けられている2つの端子(2,3)を有し、
櫛状に前記2つの端子(2,3)から出発する内部電極(4,5;10)を有し、該内部電極(4,5;10)は前記2つの端子(2,3)間の方向においては、内部電極(4,5;10)の終端が間隔をおいて対向しており、且つ異なる端子と接続されている内部電極間にオーバラップが生じないように構成されており、
同一の端子に接続されている内部電極は異なる電極の長さを有し、
前記2つの端子(2,3)の一方の端子(2)に接続されている第1の内部電極(4)及び前記2つの端子(2,3)の他方の端子(3)に接続されている第2の内部電極(5)は前記セラミック基体(1)の中央に向かうに連れ長くなることを特徴とする、多層バリスタ。 - 前記内部電極(4、5;10)は、複数のギャップのシリアルな配置において形成する、請求項1記載の多層バリスタ。
- 前記内部電極(4、5;10)の先端は種々様々に形成されている、請求項1または2記載の多層バリスタ。
- 前記セラミック基体には、パシベーション層(6)が設けられている、請求項1から3のいずれか1項記載の多層バリスタ。
- 上下に配置されて第1の端子(2)に接続されている第1の内部電極(4)が第1の積層体を形成し、上下に配置されて第2の端子(3)に接続されている第2の内部電極(5)が第2の積層体を形成し、
前記積層体は一貫して金属化されていない領域によって相互に分離されており、
種々の第1の内部電極(4)は異なる長さを有し、
種々の第2の内部電極(5)は異なる長さを有する、請求項1記載の多層バリスタ。
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