JPH10223408A - チップ状回路部品とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップ状回路部品の抵抗値特性を所望の許容
範囲に収めやすく、そのため、歩留まりが高いチップ状
回路部品とその製造方法。 【解決手段】 チップ状部品素体１３の内部電極１５、
１６の外側部分を削ることにより、同素体１３のうち、
内部電極１５、１６の外側部分の電流の流路断面積が狭
くなり、チップ状回路部品の外部電極１４間で測定され
る抵抗値が増大する。このため、一部のチップ状部品素
体１３に一対の外部電極１４を形成し、その外部電極１
４の間で抵抗値を測定し、その抵抗値により他のチップ
状部品素体１３の削る量を決定し、これによって他のチ
ップ部品素体１３の一部を削ることにより、チップ状回
路部品の抵抗値が所望の許容範囲に納まるように調整す
ることが出来る。例えば、チップ状部品素体１３は、ラ
ップ研磨またはバレル研磨により削る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チップ状部品素体の端
部に外部電極を有するチップ状回路部品に関し、例え
ば、温度により抵抗値が変化し、電子機器の温度補償、
電流制御、温度検出等に使用されるサーミスタ等のよう
に、所定の抵抗値特性を要請されるチップ状回路部品と
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のサーミスタは、抵抗器、コンデ
ンサ、インダクタ等と同様にしてチップ化が進んでお
り、その多くは積層セラミックコンデンサと同様に、角
柱或は角板状のチップ状のセラミック素体の両端面に接
続用の端子、いわゆる外部電極を設けたものである。図
７は特に、セラミックの積層体からなるチップ状部品素
体１を有するチップ状回路部品を示している。

【０００３】このチップ状回路部品では、チップ状部品
素体１を構成するセラミック層４の層間に２組の内部電
極５、６が形成され、これら内部電極５、６がセラミッ
ク層４を介して対向している。各組の内部電極５、６
は、各々チップ状部品素体１の対向する端面側に導出さ
れ、チップ状部品素体１の各々の端部に形成された外部
電極２、３に導通している。このようなチップ状回路部
品において、その抵抗値はチップ状部品素体１に固有の
抵抗率と、その内部において対向した内部電極５、６の
間の距離と面積により決定される。

【０００４】このようなサーミスタは、次のようにして
製造される。まず、酸化マンガン、酸化コバルトを主成
分とし、酸化銅や酸化ニッケル等の原子価制御剤等を含
むサーミスタセラミック粉末を溶剤で溶解された樹脂バ
インダに一様に分散したセラミックスラリーを作る。こ
のセラミックスラリーをドクターブレード法等でポリエ
チレンテレフタレートフィルム等のベースフィルム上に
薄く塗布し、乾燥してセラミックグリーンシートを作
る。次に、このセラミックグリーンシート上にＰｄペー
スト等の導電ペーストを使用してサーミスタ素体複数個
分の内部電極パターンを印刷する。そして、図４のよう
に、内部電極５、６が両端側に交互にずれるようにベー
スフィルムから剥離されたセラミックグリーンシートを
順次積層し、サーミスタ素体を複数個分含む未焼成のセ
ラミック積層体を得る。その後、この積層体を裁断し、
焼成することにより、個々に分離されたチップ状部品素
体１を得る。このチップ状部品素体１の両端部に導電ペ
ーストを塗布し、これを焼き付けることにより、外部電
極２、３を形成する。これにより、図７に示すようなサ
ーミスタであるチップ状回路部品が完成する。

【０００５】

【発明が解決しようとしている課題】前記のようなチッ
プ状回路部品では、チップ状部品素体１の寸法のばらつ
きが抵抗値特性に影響を与える。例えば、積層タイプの
チップ状サーミスタの抵抗値特性は、内部電極の対向面
積、内部電極間の距離及びサーミスタ素体の固有抵抗に
よって決まる。しかし、前記チップ状回路部品では、積
層するセラミックグリーンシートの厚みのばらつき、積
層体を個々のチップ状部品素体に裁断しするときの裁断
寸法のばらつき、チップ状部品素体を焼成したときの焼
成収縮による素体寸法のばらつき等に起因して、チップ
状部品素体１に寸法のばらつきが生じる。このため、チ
ップ状回路部品の抵抗値特性にもばらつきが生じること
が避けられなかった。

【０００６】このように、チップ状回路部品の抵抗値特
性を決定する要因には様々な因子が関連しているため、
例えば、寸法精度を厳密に管理しても、所望の抵抗値特
性を有するチップ状回路部品が得られるとは限らない。
そのため、抵抗値許容差の狭いチップ状回路部品、例え
ば、±１％以下という狭い抵抗値の許容範囲を有するチ
ップ状サーミスタを製造する場合、製造されたチップ状
サーミスタのうち、その許容範囲に収まる抵抗値を有す
るものの割合が低くなり、製品としての歩留まりが低い
という課題があった。

【０００７】本発明は、前記従来の外部電極にメッキ膜
を有するチップ状回路部品とその製造方法の課題に鑑
み、チップ状回路部品の抵抗値特性を所望の許容範囲に
収めやすく、そのため、歩留まりが高いチップ状回路部
品とその製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前述のように、チップ状
回路部品の抵抗値特性は、内部電極の対向面積、内部電
極間の距離及びサーミスタ素体の固有抵抗によって決ま
る。本件発明者らは、チップ状回路部品の抵抗値特性に
与える影響をさらに詳細に検討して結果、チップ状回路
部品の外部電極１４、１４の間に電圧を印加したとき、
チップ状部品素体１３の内部電極１５、１６の外側の部
分には、電流密度が小さいものの、電気力線が生じ、チ
ップ状回路部品の抵抗値に影響を与えていることに着目
した。チップ状回路部品が小型化されると共に、その抵
抗値の許容差が小さくなると、チップ状部品素体１３の
内部電極１５、１６の外側の部分を流れる電流の影響が
無視できなくなってくる。

【０００９】そこで本発明では、前記の目的を達成する
ため、チップ状部品素体１３の側面を削り、その内部電
極１５、１６の外側の部分の電流密度を増大させること
により、チップ状回路部品の外部電極１４の間で測定さ
れる抵抗値を微量だけ増大させて調整するようにしたも
のである。これにより、チップ状回路部品の抵抗値特性
を精密に調整し、その抵抗値を所望の許容範囲に納める
ことが出来るようにしたものである。

【００１０】すなわち、本発明によるチップ状回路部品
は、チップ状部品素体１３と、このチップ状部品素体１
３の端部に形成された外部電極１４とを有し、前記チッ
プ状部品素体１３の少なくとも一つの側面が削られてい
ることを特徴とする。換言すると、前記チップ状部品素
体１３の内部電極１５、１６を有しない部分が削られて
いることを特徴とする。

【００１１】さらにこのようなチップ状回路部品を製造
する方法は、チップ状部品素体１３を得る工程と、この
チップ状部品素体１３の端部に外部電極１４を形成する
工程とを有し、前記チップ状部品素体１３の少なくとも
一つの側面を削った後、外部電極１４を形成することを
特徴とする。換言すると、前記チップ状部品素体１３の
内部電極１５、１６を有しないその外側部分を削った
後、外部電極１４を形成することを特徴とする。

【００１２】例えば、チップ状部品素体１３は、ラップ
研磨またはバレル研磨により削る。チップ状部品素体１
３の内部電極１５、１６の外側部分を削ることにより、
同素体１３のうち、内部電極１５、１６の外側部分の電
流の流路断面積が狭くなり、チップ状回路部品の外部電
極１４間で測定される抵抗値が増大する。このため、一
部のチップ状部品素体１３に一対の外部電極１４を形成
し、その外部電極１４の間で抵抗値を測定し、その抵抗
値により他のチップ状部品素体１３の削る量を決定し、
これによって他のチップ部品素体１３の側面を削ること
により、チップ状回路部品の抵抗値が所望の許容範囲に
納まるように調整することが出来る。なお、チップ状部
品素体１３の側面を、セラミック層の積層方向（厚さ方
向）及びそれと直行する方向（幅方向）の双方に削るこ
とにより、一方の研磨量が少なくなり、研磨精度の向上
及び研磨による抵抗調整精度の向上が図れる。

【００１３】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図２に本発明によるチップ状回路部品のチップ状部品素
体１３の積層構造の例を示す。例えば、チップ状回路部
品がサーミスタである場合、チップ状部品素体１３を構
成するセラミック層１１、１７、１８は、抵抗値に正ま
たは負の温度特性を有する酸化マンガン、酸化コバルト
を主成分とするサーミスタセラミックからなり、図示の
場合は矩形状の層からなっている。このセラミック層１
１、１７、１８のうち、中間のセラミック層１１、１１
…の表面に２種類の内部電極１５、１６が各々形成され
ている。このうち内部電極１５、１５…は、セラミック
層１１、１１…の図において両端側に形成され、それぞ
れセラミック層１１、１１…の端辺に達するように偏っ
て形成されている。また、他方のセラミック層１１、１
１…に形成された内部電極１６、１６…は、セラミック
層１１、１１…の中央部に形成され、セラミック層１
１、１１…の端辺には達していない。

【００１４】このような内部電極１５、１６が形成され
たセラミック層１１、１１…は、必要な組数だけ交互に
積層され、さらにその両側に内部電極１５、１６が形成
されていないセラミック層１７、１８が適当な数だけ積
層され、この積層体によりチップ状部品素体１３が構成
される。このように作られたチップ状部品素体１３の内
部電極１５、１６の対向状態を図５（ａ）〜（ｃ）に示
す。

【００１５】なお、このようなチップ状部品素体１３
は、図２に示すように個々に積層されて製造される訳で
はなく、前述したように、実際はセラミックグリーンシ
ートの形成、その表面への内部電極パターンの印刷、セ
ラミックグリーンシートの積層、その積層体の裁断、積
層体の焼成という工程を経て、多数のものが同時に製造
される。

【００１６】こうして得られたチップ状部品素体１３を
図１（ａ）〜（ｃ）に示す。このチップ状部品素体１３
では、その内部で積層されたセラミック層を介して一対
の内部電極１５、１６が交互に対向している。そして、
一方の内部電極１５、１５の端部がチップ状部品素体１
３の対向する両端面に露出している。このチップ状部品
素体１３の母集団の中から、適当な数のチップ状部品素
体１２を無作為に抽出する。図１（ｄ）に示すように、
この抽出したチップ状部品素体１３の端部表面に銀ペー
スト等の導電ペーストを塗布し、焼き付けて外部電極１
４を形成する。そして、このチップ状回路部品を所定の
温度に制御された恒温槽、例えば２５℃±０．０１℃に
温度制御されたシリコンオイルに入れ、外部電極１４、
１４の間の初期抵抗値（Ｒ₂₅）を測定する。

【００１７】次に、この初期抵抗値（Ｒ₂₅）の測定結果
から、抵抗値の平均値μとそのばらつき（標準偏差σ
_n-1／平均値μ ）を求める。また、チップ状部品素子１
３の寸法をとその初期抵抗値（Ｒ₂₅）との関係を予め求
めておく。この初期抵抗値（Ｒ₂₅）の測定結果によるデ
ータとチップ状部品素体１３の寸法と初期抵抗値
（Ｒ₂₅）との相関図から、チップ状回路部品の抵抗値が
所望の許容範囲に収まるようなチップ状部品素体１３の
削る量を求め、決定する。

【００１８】次に、この決定された削る量により、前記
母集団のチップ状部品素体１３の側面を削る。この削ら
れたチップ状部品素体１３の両端に導電ペーストを塗布
し、焼き付けて、図１（ｄ）に示すような外部電極１
４、１４を形成する。これによって、チップ状回路部品
が完成する。このようにして削るのは、図１（ｃ）に示
すように、チップ状部品素体１３の幅Ｗ及び厚さｔのう
ち、内部電極の幅Ｗ’及び厚さｔ’を除くその外側の部
分であり、図１（ｃ）の上下両側面のうち、少なくとも
一面を削る。

【００１９】既に述べた通り、チップ状部品素体１３の
内部電極１５、１６の外側の部分は、電流密度が小さい
ものの、電気力線が生じ、チップ状回路部品の抵抗値に
影響を与えている。チップ状回路部品が小型化されると
共に、その抵抗値の許容差が小さくなると、チップ状部
品素体１３の内部電極１５、１６の外側の部分を流れる
電流の影響が無視できなくなってくる。

【００２０】そこで、チップ状部品素体１３に外部電極
１４、１４を設けた時に、所望の抵抗値より低めになる
ようにチップ状部品素体１３を作っておく。そして、母
集団から無作為に抜き出した一部のチップ状部品素体１
３に一対の外部電極１４を形成し、その外部電極１４の
間で抵抗値を測定し、その抵抗値により他のチップ状部
品素体１３の削る量を決定し、これによって母集団の他
のチップ部品素体１３の側面を削る。これにより、チッ
プ状部品素体１３のうち、内部電極１５、１６の外側部
分の電流の流路断面積を狭くし、チップ状回路部品の外
部電極１４間で測定されらう抵抗値を増大させる。こう
してチップ状回路部品の抵抗値が所望の許容範囲に納ま
るように調整する。なお、図１及び図２に示した内部電
極１５、１６のパターン形状は、一例であって、例えば
図３及び図４或いは図５及び図６に示すような内部電極
１５、１６のパターン形状、さらには他の内部電極１
５、１６のパターン形状を採用することが出来ることは
言うまでもない。

【００２１】

【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について、具
体的な数値をあげて具体的且つ詳細に説明する。 （実施例１）厚さ２５μｍのサーミスタ材料を含むセラ
ミックグリーンシートを用意し、このセラミックグリー
ンシート上に図１（ａ）〜（ｃ）及び図２に示すような
２種類の内部電極１５、１６を形成するような内部電極
パターンを縦横に配列して印刷し、これらを交互に１０
層積み重ね、さらにその両側に内部電極パターンが印刷
されていないセラミックグリーンシートをそれぞれ１５
層ずつ積み重ね、圧着した後、チップ状に裁断した。そ
の後、このチップを１３００℃の温度で焼成し、チップ
状部品素体１３を得た。

【００２２】このチップ状部品素体１３の図１（ｃ）に
示す断面の寸法の比は、Ｗ’／Ｗ＝０．８、ｔ’／ｔ＝
０．８であった。得られたチップ状部品素体１３の中か
ら無作為に１００個のチップ状部品素体１３を抜き取
り、その寸法を測定したところ、幅Ｗの平均値とばらつ
きは、Ｗ＝７５０μｍ±０．９％、厚さｔの平均値とば
らつきは、ｔ＝７５０μｍ±０．９％であった。この抜
き取ったチップ状部品素体１３の両端に、導電ペースト
を塗布し、焼き付けて、図１（ｄ）に示すような外部電
極１４、１４を形成した。

【００２３】この外部電極１４、１４を形成したチップ
状部品素体１３を２５℃±０．０１℃に温度制御された
シリコンオイルに入れ、外部電極１４、１４の間の初期
抵抗値（Ｒ₂₅）を測定した。その結果、抵抗値の平均値
μは９９００Ω、そのばらつき（標準偏差σ_n-1／平均
値μ ）は±１．８％であった。チップ状回路部品の目
的の抵抗値は、１００００Ωであるので、前記抽出され
たチップ状部品素体１３の抵抗値分布は、平均値におい
て１００Ωずれている。そして、チップ状部品素体１３
の抵抗値を１００００Ω±１％の許容範囲としたとき、
前記抽出されたチップ状部品素体１３の抵抗値の測定結
果から、母集団の歩留まりを推計すると、３６．９％で
ある。

【００２４】他方、チップ状部品素子１３の寸法とその
初期抵抗値（Ｒ₂₅）との関係を予め求め、相関図を作成
しておいた。例えば、比較的大きな幅Ｗ及び厚さｔの寸
法を有するチップ状部品素体１３を選び、その両端に外
部電極１４、１４を形成し、これを２５℃±０．０１℃
に温度制御されたシリコンオイルに入れ、外部電極１
４、１４の間の初期抵抗値（Ｒ₂₅）を測定する。その
後、１〜１０μｍ程度の寸法でチップ状部品素体１３の
側面を削り、その時の幅Ｗ及び厚さｔ寸法を測定すると
共に、２５℃±０．０１℃に温度下で外部電極１４、１
４の間の初期抵抗値（Ｒ₂₅）を測定する。こうして何度
か繰り返すことにより、幅Ｗまたは厚さｔと初期抵抗値
（Ｒ₂₅）との関係が求まる。チップ状部品素体１３の幅
Ｗまたは厚さｔを一定とし、他方を削っていくと、幅Ｗ
または厚さｔに変化に対し、初期抵抗値（Ｒ₂₅）はほぼ
直線的に変化する。そして、その相関、例えば直線の傾
きは、同じロットのチップ状部品素子１３では、全体と
して殆ど共通していることが確認されている。

【００２５】次に、前記の初期抵抗値（Ｒ₂₅）の測定結
果によるデータとチップ状部品素体１３の寸法と初期抵
抗値（Ｒ₂₅）との相関図から、チップ状回路部品の抵抗
値が所望の許容範囲に収まるようなチップ状部品素体１
３の幅Ｗを推計する。この実施例では、チップ状部品素
体１３の幅Ｗ＝７４０μｍと推計した。次に、前記チッ
プ状部品素体１３の母集団の中から、幅Ｗ＝７４０μｍ
±０．１％より狭い巾のものを抜き出して廃棄し、それ
より幅Ｗが広いものを、幅Ｗ＝７４μｍ±０．１％の幅
になるよう削った。また、幅Ｗ＝７４０μｍ±０．１％
の範囲にあるものは削らず、そのままとした。チップ状
部品素体１３はラップ研磨法により削り、チップ状部品
素体１３の両側面を均等に削った。

【００２６】次に、この削られたチップ状部品素体１３
の両端に導電ペーストを塗布し、焼き付けて、図１
（ｄ）に示すような外部電極１４、１４を形成した。こ
れによって、チップ状回路部品が完成した。こうして得
られたチップ状回路部品の中から無作為に１００個のチ
ップ状回路部品を抜き取り、これらを２５℃±０．０１
℃に温度制御されたシリコンオイルに入れ、外部電極１
４、１４の間の初期抵抗値（Ｒ₂₅）を測定した。その結
果、抵抗値の平均値μは１００００Ω、そのばらつき
（標準偏差σ_n-1／平均値μ ）は±１．０％であった。
この結果から、製造されたチップ状回路部品の母集団の
抵抗値を統計学的に予測すると、１００００Ω±１％の
範囲に前記母集団のうちの６８．３％が含まれることに
なり、歩留まりは６８．３％となる。なお、母集団に
は、幅Ｗ＝７４０μｍ±０．１％より狭い巾のもので、
廃棄されたものを含む。

【００２７】（実施例２）前記実施例１において、チッ
プ状回路部品の抵抗値が所望の許容範囲に収まるような
チップ状部品素体１３の幅Ｗ及び厚さｔを何れも７４５
μｍと推計し、母集団のチップ状部品素体１３が、幅Ｗ
＝７４５μｍ±０．１％、厚さｔ＝７４５μｍ±０．１
％になるよう、同素体１３の側面をその幅方向及び厚さ
方向の双方にラップ研磨した。こうして得られたチップ
状回路部品の中から無作為に１００個のチップ状回路部
品を抜き取り、これらを２５℃±０．０１℃に温度制御
されたシリコンオイルに入れ、外部電極１４、１４の間
の初期抵抗値（Ｒ₂₅）を測定した。その結果、抵抗値の
平均値μは１００００Ω、そのばらつき（標準偏差σ
_n-1／平均値μ ）は±０．２％であった。この結果か
ら、製造されたチップ状回路部品の母集団の抵抗値を統
計学的に予測すると、１００００Ω±１％の範囲に前記
母集団のうちの全体、すなわち１００％が含まれること
になり、歩留まりは１００％となる。この実施例では、
チップ状部品素体１３の側面を、セラミック層の積層方
向及びそれと直行する方向の双方で削るので、一方の研
磨量が少なくなり、研磨精度の向上及び研磨による抵抗
調整精度の向上が期待される。

【００２８】（実施例３）前記実施例１において、チッ
プ状部品素体１３の内部電極１５、１６の寸法を変える
ことにより、図１（ｃ）に示す断面の寸法を、Ｗ’／Ｗ
＝０．６、ｔ’／ｔ＝０．６としたこと、チップ状部品
素体１３の母集団から無作為に抜き取った１００個のチ
ップ状部品素体１３の２５℃±０．０１℃の温度下にお
ける外部電極１４、１４の間の初期抵抗値（Ｒ₂₅）の平
均値とそのばらつきがμ＝９９００Ω±１．４％であっ
たこと以外は、前記実施例２と同様にしてチップ状部品
素体１３の側面をラップ研磨した。ここでは、チップ状
回路部品の抵抗値が所望の許容範囲に収まるようなチッ
プ状部品素体１３の幅Ｗ及び厚さｔを何れも７４３μｍ
と推計し、母集団のチップ状部品素体１３が、幅Ｗ＝７
４３μｍ±０．１％、厚さｔ＝７４３μｍ±０．１％に
なるよう削った。

【００２９】こうして得られたチップ状回路部品の中か
ら無作為に１００個のチップ状回路部品を抜き取り、こ
れらを２５℃±０．０１℃に温度制御されたシリコンオ
イルに入れ、外部電極１４、１４の間の初期抵抗値（Ｒ
₂₅）を測定した。その結果、抵抗値の平均値μは１００
００Ω、そのばらつき（標準偏差σ_n-1／平均値μ ）は
±０．２％であった。この結果から、製造されたチップ
状回路部品の母集団の抵抗値を統計学的に予測すると、
１００００Ω±１％の範囲に前記母集団のうちの全体、
すなわち１００％が含まれることになり、歩留まりは１
００％となる。この実施例では、チップ状部品素体１３
の図１（ｃ）に示す断面の寸法の比、が、Ｗ’／Ｗ＝
０．６、ｔ’／ｔ＝０．６と、実施例２に比べて小さい
ため、同じ抵抗値に納めるためには、切削量をより大き
くする必要がある。

【００３０】（実施例４）前記実施例１において、チッ
プ状部品素体１３の内部電極１５、１６の寸法を変える
ことにより、図１（ｃ）に示す断面の寸法を、Ｗ’／Ｗ
＝０．４、ｔ’／ｔ＝０．４としたこと、チップ状部品
素体１３の母集団から無作為に抜き取った１００個のチ
ップ状部品素体１３の２５℃±０．０１℃の温度下にお
ける外部電極１４、１４の間の初期抵抗値（Ｒ₂₅）の平
均値とそのばらつきがμ＝９９００Ω±１．４％であっ
たこと以外は、前記実施例２と同様にしてチップ状部品
素体１３の側面をラップ研磨した。ここでは、チップ状
回路部品の抵抗値が所望の許容範囲に収まるようなチッ
プ状部品素体１３の幅Ｗ及び厚さｔを何れも７３５μｍ
と推計し、母集団のチップ状部品素体１３が、幅Ｗ＝７
３５μｍ±０．１％、厚さｔ＝７３５μｍ±０．１％に
なるよう削った。

【００３１】こうして得られたチップ状回路部品の中か
ら無作為に１００個のチップ状回路部品を抜き取り、こ
れらを２５℃±０．０１℃に温度制御されたシリコンオ
イルに入れ、外部電極１４、１４の間の初期抵抗値（Ｒ
₂₅）を測定した。その結果、抵抗値の平均値μは１００
００Ω、そのばらつき（標準偏差σ_n-1／平均値μ ）は
±０．１％であった。この結果から、製造されたチップ
状回路部品の母集団の抵抗値を統計学的に予測すると、
１００００Ω±１％の範囲に前記母集団のうちの全体、
すなわち１００％が含まれることになり、歩留まりは１
００％となる。

【００３２】この実施例では、チップ状部品素体１３の
図１（ｃ）に示す断面の寸法の比、がＷ’／Ｗ＝０．
４、ｔ’／ｔ＝０．４と、実施例２に比べて小さいた
め、同じ抵抗値に納めるためには、切削量をより大きく
する必要がある。すなわち、チップ状部品素体１３の内
部電極１５、１６の外側の電気力線は、内部電極１５、
１６に近い部分で電流密度が大きく、遠い部分で電流密
度が小さい。このため、チップ状部品素体１３の側面を
削ったとき、チップ状部品素体１３の図１（ｃ）に示す
断面の寸法の比Ｗ’／Ｗ、ｔ’／ｔによって、チップ状
回路部品の抵抗値の変化が異なってくる。具体的には、
チップ状部品素体１３の図１（ｃ）に示す断面の寸法の
比Ｗ’／Ｗ、ｔ’／ｔが小さいものは、大きいものに比
べて、チップ状部品素体１３の側面を削ったときの、チ
ップ状回路部品の抵抗値の増加が少ない。また、チップ
状部品１３の表面側では、側面を削っても抵抗値の増加
が緩やかで、内部に研削が進むに従って、抵抗値の増加
する割合が大きくなる。

【００３３】（実施例５）前記実施例１において、チッ
プ状部品素体１３の内部電極１５、１６の寸法を変える
ことにより、図１（ｃ）に示す断面の寸法を、Ｗ’／Ｗ
＝０．４、ｔ’／ｔ＝０．４としたこと、チップ状部品
素体１３の母集団から無作為に抜き取った１００個のチ
ップ状部品素体１３の２５℃±０．０１℃の温度下にお
ける外部電極１４、１４の間の初期抵抗値（Ｒ₂₅）の平
均値とそのばらつきがμ＝９９００Ω±１．４％であっ
たこと、及びチップ状部品素体１３の側面をバレル研磨
したこと以外は、前記実施例１と同様にしてチップ状回
路部品を製造した。ここでは、チップ状回路部品の抵抗
値が所望の許容範囲に収まるようなチップ状部品素体１
３の幅Ｗ及び厚さｔを何れも７３６μｍと推計し、母集
団のチップ状部品素体１３が、幅Ｗ＝７３６μｍ±０．
９％、厚さｔ＝７３６μｍ±０．９％になるよう研磨し
た。

【００３４】こうして得られたチップ状回路部品の中か
ら無作為に１００個のチップ状回路部品を抜き取り、こ
れらを２５℃±０．０１℃に温度制御されたシリコンオ
イルに入れ、外部電極１４、１４の間の初期抵抗値（Ｒ
₂₅）を測定した。その結果、抵抗値の平均値μは１００
００Ω、そのばらつき（標準偏差σ_n-1／平均値μ ）は
±０．９％であった。この結果から、製造されたチップ
状回路部品の母集団の抵抗値を統計学的に予測すると、
１００００Ω±１％の範囲に前記母集団のうちの全体、
すなわち７３．３％が含まれることになり、歩留まりは
７３．３％となる。この実施例では、チップ状部品素体
１３をバレル研磨しているため、チップ状部品素体１３
の全側面の他、角部も削られ、全体に丸みを帯びたチッ
プ状部品素体１３が得られる。そのため、外部電極１
４、１４を形成するため、チップ状部品素体１３の端部
に塗布される導電ペーストの塗布量も増大する効果があ
る。

【００３５】（実施例６）前記実施例１において、チッ
プ状部品素体１３の内部電極１５、１６のパターンを、
図３及び図４に示すパターンとし、且つその寸法を変え
ることにより、図３（ｃ）に示す断面の寸法を、Ｗ’／
Ｗ＝０．４、ｔ’／ｔ＝０．４としたこと、チップ状部
品素体１３の母集団から無作為に抜き取った１００個の
チップ状部品素体１３の２５℃±０．０１℃の温度下に
おける外部電極１４、１４の間の初期抵抗値（Ｒ₂₅）の
平均値とそのばらつきがμ＝９９００Ω±０．７％であ
ったこと以外は、前記実施例５と同様にしてチップ状部
品素子１３をバレル研磨し、チップ状回路部品を製造し
た。ここでは、チップ状回路部品の抵抗値が所望の許容
範囲に収まるようなチップ状部品素体１３の幅Ｗ及び厚
さｔを何れも７３０μｍと推計し、母集団のチップ状部
品素体１３が、幅Ｗ＝７３０μｍ±０．９％、厚さｔ＝
７３０μｍ±０．９％になるよう研磨した。

【００３６】こうして得られたチップ状回路部品の中か
ら無作為に１００個のチップ状回路部品を抜き取り、こ
れらを２５℃±０．０１℃に温度制御されたシリコンオ
イルに入れ、外部電極１４、１４の間の初期抵抗値（Ｒ
₂₅）を測定した。その結果、抵抗値の平均値μは１００
００Ω、そのばらつき（標準偏差σ_n-1／平均値μ ）は
±０．７％であった。この結果から、製造されたチップ
状回路部品の母集団の抵抗値を統計学的に予測すると、
１００００Ω±１％の範囲に前記母集団のうちの全体、
すなわち８４．７％が含まれることになり、歩留まりは
８４．７％となる。

【００３７】（実施例７）前記実施例１において、チッ
プ状部品素体１３の内部電極１５、１６のパターンを、
図５及び図６に示すパターンとし、且つその寸法を変え
ることにより、図５（ｃ）に示す断面の寸法を、Ｗ’／
Ｗ＝０．４、ｔ’／ｔ＝０．４としたこと、チップ状部
品素体１３の母集団から無作為に抜き取った１００個の
チップ状部品素体１３の２５℃±０．０１℃の温度下に
おける外部電極１４、１４の間の初期抵抗値（Ｒ₂₅）の
平均値とそのばらつきがμ＝９９００Ω±０．８％であ
ったこと以外は、前記実施例２と同様にしてチップ状部
品素子１３をラップ研磨し、チップ状回路部品を製造し
た。ここでは、チップ状回路部品の抵抗値が所望の許容
範囲に収まるようなチップ状部品素体１３の幅Ｗ及び厚
さｔを何れも７４１μｍと推計し、母集団のチップ状部
品素体１３が、幅Ｗ＝７４１μｍ±０．１％、厚さｔ＝
７４１μｍ±０．１％になるよう研磨した。

【００３８】こうして得られたチップ状回路部品の中か
ら無作為に１００個のチップ状回路部品を抜き取り、こ
れらを２５℃±０．０１℃に温度制御されたシリコンオ
イルに入れ、外部電極１４、１４の間の初期抵抗値（Ｒ
₂₅）を測定した。その結果、抵抗値の平均値μは１００
００Ω、そのばらつき（標準偏差σ_n-1／平均値μ ）は
±０．２％であった。この結果から、製造されたチップ
状回路部品の母集団の抵抗値を統計学的に予測すると、
１００００Ω±１％の範囲に前記母集団のうちの全体、
すなわち１００％が含まれることになり、歩留まりは１
００％となる。

【００３９】（比較例）厚さ２５μｍのサーミスタ材料
を含むセラミックグリーンシートを用意し、このセラミ
ックグリーンシート上に図１（ａ）〜（ｃ）及び図２に
示すような２種類の内部電極１５、１６を形成するよう
な内部電極パターンを形成し、これらを交互に１０層積
み重ね、さらにその両側に内部電極パターンが印刷され
ていないセラミックグリーンシートをそれぞれ１５層ず
つ積み重ね、圧着した後、チップ状に裁断した。その
後、このチップを１３００℃の温度で焼成し、チップ状
部品素体１３を得た。

【００４０】このチップ状部品素体１３の図１（ｃ）に
示す断面の寸法は、Ｗ’／Ｗ＝０．８、ｔ’／ｔ＝０．
８であった。また、得られたチップ状部品素体１３の中
から無作為に１００個のチップ状部品素体１３を抜き取
り、その寸法を測定したところ、幅Ｗの平均値とばらつ
きは、Ｗ＝７５０μｍ±０．９％、厚さｔの平均値とば
らつきは、ｔ＝７５０μｍ±０．９％であった。この抜
き取ったチップ状部品素体１３の両端に、導電ペースト
を塗布し、焼き付けて、図１（ｄ）に示すような外部電
極１４、１４を形成した。

【００４１】この外部電極１４、１４を形成したチップ
状部品素体１３を２５℃±０．０１℃に温度制御された
シリコンオイルに入れ、外部電極１４、１４の間の初期
抵抗値（Ｒ₂₅）を測定した。その結果、抵抗値の平均値
μは９９００Ω、そのばらつき（標準偏差σ_n-1／平均
値μ ）は±１．８％であった。チップ状回路部品の目
的の抵抗値は、１００００Ωであるので、前記抽出され
たチップ状部品素体１３の抵抗値分布は、平均値におい
て１００Ωずれている。そして、チップ状部品素体１３
の抵抗値を１００００Ω±１％の許容範囲としたとき、
前記抽出されたチップ状部品素体１３の抵抗値の測定結
果から、母集団の歩留まりを推計すると、３６．９％で
ある。

【００４２】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、チ
ップ状部品素体１３の側面を削り、その内部電極１５、
１６の外側の部分の電流密度を増大させることにより、
チップ状回路部品の外部電極１４の間で測定される抵抗
値を微量だけ増大させて調整するようにしたので、チッ
プ状回路部品の抵抗値特性を精密に調整し、その抵抗値
を所望の許容範囲に納めることが出来るようになる。こ
れによって、所望の抵抗値特性を有するチップ状回路部
品が得られ、製品としての歩留まりを向上させることが
出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明によるチップ状回路部品のチ
ップ状部品素体の例の縦断側面図、（ｂ）は、同チップ
状部品素体の例の平面図、（ｃ）は、図(a)のＡ−Ａ線
断面図、（ｄ）は、同チップ状部品素体より作られたチ
ップ状回路部品の例を示す縦断側面図である。

【図２】前記チップ状回路部品のチップ状部品素体の積
層構造の例を示すセラミック層の分解斜視図である。

【図３】（ａ）は、本発明によるチップ状回路部品のチ
ップ状部品素体の他の例の縦断側面図、（ｂ）は、同チ
ップ状部品素体の例の平面図、（ｃ）は、図(a)のＢ−
Ｂ線断面図、（ｄ）は、同チップ状部品素体より作られ
たチップ状回路部品の例を示す縦断側面図である。

【図４】前記チップ状回路部品のチップ状部品素体の積
層構造の例を示すセラミック層の分解斜視図である。

【図５】（ａ）は、本発明によるチップ状回路部品のチ
ップ状部品素体の他の例の縦断側面図、（ｂ）は、同チ
ップ状部品素体の例の平面図、（ｃ）は、図(a)のＣ−
Ｃ線断面図、（ｄ）は、同チップ状部品素体より作られ
たチップ状回路部品の例を示す縦断側面図である。

【図６】前記チップ状回路部品のチップ状部品素体の積
層構造の例を示すセラミック層の分解斜視図である。

【図７】積層形チップ状回路部品の従来例を示す一部断
面斜視図である。

【符号の説明】

１３ チップ状部品素体 １４ 外部電極 １５ 内部電極 １６ 内部電極

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チップ状部品素体（１３）と、このチッ
   プ状部品素体（１３）の端部に形成された外部電極（１
   ４）とを有するチップ状回路部品において、前記チップ
   状部品素体（１３）の少なくとも一つの側面が削られて
   いることを特徴とするチップ状回路部品。
2. 【請求項２】 導体膜からなる内部電極（１５）、（１
   ６）を有するチップ状部品素体（１３）と、このチップ
   状部品素体（１３）の端部に形成された外部電極（１
   ４）とを有するチップ状回路部品において、前記チップ
   状部品素体（１３）の内部電極（１５）、（１６）を有
   しない部分が削られていることを特徴とするチップ状回
   路部品。
3. 【請求項３】 チップ状部品素体（１３）を得る工程
   と、このチップ状部品素体（１３）の端部に外部電極
   （１４）を形成する工程とを有するチップ状回路部品の
   製造方法において、前記チップ状部品素体（１３）の少
   なくとも一つの側面を削った後、外部電極（１４）を形
   成することを特徴とするチップ状回路部品の製造方法。
4. 【請求項４】 導体膜からなる内部電極（１５）、（１
   ６）を有するチップ状部品素体（１３）を得る工程と、
   このチップ状部品素体（１３）の端部に外部電極（１
   ４）を形成する工程とを有するチップ状回路部品の製造
   方法において、前記チップ状部品素体（１３）の内部電
   極（１５）、（１６）を有しない部分を削った後、外部
   電極（１４）を形成することを特徴とするチップ状回路
   部品の製造方法。
5. 【請求項５】 チップ状部品素体（１３）をラップ研磨
   により削ることを特徴とする請求項３または４に記載の
   チップ状回路部品の製造方法。
6. 【請求項６】 チップ状部品素体（１３）をバレル研磨
   により削ることを特徴とする請求項３または４に記載の
   チップ状回路部品の製造方法。
7. 【請求項７】 チップ状部品素体（１３）の側面を、セ
   ラミック層の積層方向及びそれと直行する方向の双方で
   削ることを特徴とする請求項３〜６の何れかに記載のチ
   ップ状回路部品の製造方法。
8. 【請求項８】 チップ状部品素体（１３）の側面を削る
   ことにより、チップ状回路部品の外部電極（１４）間の
   抵抗値を調整することを特徴とする請求項３〜７の何れ
   かに記載のチップ状回路部品の製造方法。
9. 【請求項９】 一部のチップ状部品素体（１３）に一対
   の外部電極（１４）を形成し、その外部電極（１４）の
   間で抵抗値を測定し、その抵抗値により他のチップ状部
   品素体（１３）の削る量を決定することを特徴とする請
   求項３〜８の何れかに記載のチップ状回路部品の製造方
   法。