JP2017175011A - Ntcサーミスタ素子 - Google Patents

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【課題】抵抗値の製造ばらつきを低減することができ、小型化に対して有利なNTCサーミスタ素子を提供する。【解決手段】サーミスタ層と、第1内部電極層32および第2内部電極層38と、を有するサーミスタ素体と、前記サーミスタ素体の外表面に設けられる第1外部電極44および第2外部電極46と、を有しており、第1内部電極層は第1外部電極に接続しており、第2内部電極層は第2外部電極に接続しており積層方向に関して第1内部電極層より前記外表面から遠くに配置されている。サーミスタ機能領域24、26は、サーミスタ機能領域から第2外部電極までの距離が、サーミスタ機能領域から第1外部電極までの距離より長くなるように配置されている。【選択図】図3

Description

本発明は、温度の変化によって抵抗値が変化するNTCサーミスタ素子に関する。
NTCサーミスタ素子は、温度の上昇に伴い抵抗値が低くなる特性を有しており、電子機器など様々な機器に温度センサや温度補償用のセラミック電子部品として実装されている。
たとえば、チップ型のNTCサーミスタ素子としては、サーミスタ素体内部に内部電極層とサーミスタ層とが積層された構造を有するものが提案されている。このようなチップ型のNTCサーミスタ素子では、サーミスタ層の厚みなどを調整することにより内部電極層間の層間の厚みを小さくしたり、内部電極層の積層数を増やしたりすることにより、小型化を図ることができる。
特開2003−124007号公報
しかしながら、従来のチップ型NTCサーミスタ素子では、小型化を推進しようとした場合に、素子の外表面に設けられている外部電極と、当該外部電極とは極性の異なる内部電極層との距離が近くなりすぎる問題がある。外部電極と内部電極層との距離が近くなりすぎると、外部電極と内部電極層との間の距離の製造ばらつきが、チップ型NTCサーミスタ素子の抵抗値の製造ばらつきに与える影響が大きくなり、効率的な生産や歩留まりの向上の妨げとなるおそれがある。
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、抵抗値の製造ばらつきを低減することができ、小型化に対して有利なNTCサーミスタ素子を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明に係るNTCサーミスタ素子は、
NTCサーミスタ材料によりなるサーミスタ層と、前記サーミスタ層を介して互いに隔てられて積層される第1内部電極層および第2内部電極層と、を有するサーミスタ素体と、
前記サーミスタ素体の外表面のうち互いに対向する一対の端面に少なくとも一部がそれぞれ設けられている第1外部電極および第2外部電極と、を有しており、
前記第1内部電極層は前記第1外部電極に接続しており、前記第2内部電極層は前記第2外部電極に接続しており積層方向に関して前記第1内部電極層より前記外表面から遠くに配置されており、
前記積層方向から見て前記第1内部電極層と前記第2内部電極層とが重なる領域であって前記積層方向に関して前記第1内部電極層と前記第2内部電極層の間に挟まれるサーミスタ機能領域は、前記サーミスタ機能領域から前記第2外部電極までの距離が、前記サーミスタ機能領域から前記第1外部電極までの距離より長くなるように配置されていることを特徴とする。
本発明に係るNTCサーミスタ素子は、第1内部電極層と第2内部電極層との間に挟まれるサーミスタ機能領域が、第1外部電極と第2外部電極とから同じ距離にあるのではなく、第1外部電極側に近接するように、偏って配置されている。サーミスタ機能領域を、第1外部電極側にずらして配置することにより、サーミスタ機能領域を第1外部電極と第2外部電極とから等距離の位置に配置する場合に比べて、極性が互いに異なる外部電極と内部電極層間の最短距離を長くすることができる。したがって、このようなNTCサーミスタ素子は、サーミスタ機能領域の配置に製造ばらつきが生じたとしても、そのばらつきがNTCサーミスタ素子の抵抗値のばらつきに与える影響を小さくすることができる。したがって、このようなNTCサーミスタ素子は、従来と同一のサイズであっても抵抗値の製造ばらつきを低減することができ、小型化に対して有利である。
また、例えば、前記第2外部電極は、前記サーミスタ素体の一方の前記端面に設けられる第2電極端面部と、前記第2電極端面部に接続しており前記サーミスタ素体において前記端面に垂直な側面に設けられる第2電極側面部と、を有しており、
前記第2電極側面部は、前記側面の両辺に位置する2つの第2電極辺部が、前記側面における前記第2電極辺部の間に位置する第2電極中央部に比べて、前記サーミスタ素体の他方の前記端面へ向かってせり出していてもよい。
外部電極が側面部を有しているNTCサーミスタ素子は、表面実装等に好適に用いることができるが、一方で、サーミスタ機能領域の外縁を規定する内部電極層と外部電極との距離が近くなる問題がある。また、仮に2つの第2電極辺部と第2電極中央部とを結ぶラインが他方の端面と平行である場合、第1内部電極層と第2外部電極との距離が最も短くなる部分が、第2電極中央部付近に生じると考えられる。しかし、第2電極側面部の面積が同じである場合、第2電極辺部が第2電極中央部に比べて他方の端面へせり出しているNTCサーミスタ素子は、2つの第2電極辺部と第2電極中央部とを結ぶラインが他方の端面と平行であるものに比べて、第2電極中央部付近と第1内部電極層との距離が長くなる。したがって、このようなNTCサーミスタ素子は、極性が互いに異なる外部電極と内部電極層間の最短距離を長くすることができ、NTCサーミスタ素子の抵抗値の製造ばらつきを低減することができる。
また、前記サーミスタ機能領域は、前記積層方向および一対の前記端面を接続する第1方向に垂直な第2方向から見て、前記第1外部電極および前記第2外部電極とは重ならなくてもよい。
第2方向から見てサーミスタ機能領域と第1外部電極および第2外部電極とが重ならないように配置されたNTCサーミスタ素子は、第1内部電極層および第2内部電極層における第2方向の端部と第2外部電極または第1外部電極との距離が短くなりすぎることを防止できる。したがって、このようなNTCサーミスタ素子は、極性が互いに異なる外部電極と内部電極層間の最短距離が短くなることを防止することができ、NTCサーミスタ素子の抵抗値の製造ばらつきを低減することができる。
また、例えば、第1内部電極層の前記積層方向および一対の前記端面を接続する第1方向に垂直な第2方向の長さをW1とし、前記サーミスタ素体の前記第2方向の長さをW2とし、前記積層方向に関する前記第1内部電極層から前記外表面までの距離をaとした場合、W1≦W2−2aであってもよい。
第1内部電極層の第2方向の長さを、サーミスタ素体の第2方向の長さに対して、このような関係とすることにより、第2内部電極層の周縁部と第1外部電極との距離が短くなりすぎることを効果的に防止できる。したがって、このようなNTCサーミスタ素子は、極性が互いに異なる外部電極と内部電極層間の最短距離が短くなることを防止することができ、NTCサーミスタ素子の抵抗値の製造ばらつきを低減することができる。
また、たとえば、前記サーミスタ素体は、2層の前記第1内部電極層と、前記積層方向に関して2層の前記第1内部電極層の間に挟まれる1層の前記第2内部電極層と、を有してもよい。
サーミスタ素体に含まれる第1内部電極層および第2内部電極層の数は、特に限定されないが、例えば2層の第1内部電極層およびその間に挟まれる1層の第2内部電極層を有するNTCサーミスタ素子は、小型化に有利である。また、このようなNTCサーミスタ素子では、2層の第1外部電極層が接続する第1外部電極側へサーミスタ機能領域が近接することにより、熱応答性が向上する。
図1は、本発明の第1実施形態に係るNTCサーミスタ素子を表す外観図である。 図2は、図1に示すNTCサーミスタ素子における内部電極層の配置を表す上面図である。 図3は、図1に示すNTCサーミスタ素子における内部電極層の配置を表す側面図である。 図4は、図1に示すNTCサーミスタ素子の断面図である。 図5は、第2実施形態に係るNTCサーミスタ素子における内部電極層の配置を表す上面図である。 図6は、第3実施形態に係るNTCサーミスタ素子の断面図である。 図7は、実施例に係るNTCサーミスタ素子の内部構造を表す模式図および抵抗値を表すグラフである。
以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
第1実施形態
図1は、本発明の第1実施形態に係るNTCサーミスタ素子10を表す外観図である。NTCサーミスタ素子10は、略直方体の外形状を有するサーミスタ素体20と、サーミスタ素体20の外表面21に形成された第1外部電極44および第2外部電極46を有する。第1外部電極44および第2外部電極46は、サーミスタ素体20の外表面21のうち互いに対向する一対の端面である第1端面21aおよび第2端面21bに、少なくとも一部がそれぞれ設けられている。
なお、NTCサーミスタ素子10の説明においては、一対の端面である第1端面21aと第2端面21bとを接続する第1方向をX方向、サーミスタ層22を介して積層される内部電極層32、34、38(図4を参照して後述)の積層方向をZ方向、積層方向および第1方向に垂直な第2方向をY方向として説明を行う。
NTCサーミスタ素子10の寸法は特に限定されないが、たとえば第1方向(X方向)が(0.2〜2mm)、第2方向(Y方向)が(0.1〜1.25mm)、積層方向(Z方向)が(0.05〜1mm)程度であり、より具体的には0.4mm×0.2mm×0.1mm等を挙げることができるが、特に限定されない。
第2外部電極46は、サーミスタ素体20の一方の端面である第2端面21bに設けられる第2電極端面部46bと、第2電極端面部46bに接続しておりサーミスタ素体20において第2端面21bに垂直な面である側面21cに設けられる第2電極側面部46cとを有する。第2電極側面部46cは、サーミスタ素体20の4つの側面21cに設けられており、サーミスタ素体20における第2端面21b側の端部を覆っている。
第1外部電極44は、サーミスタ素体20の他方の端面である第1端面21aに設けられる第1電極端面部44bと、第1電極端面部44bに接続しており第1端面21aに対して垂直な面である側面21cに設けられる第1電極側面部44cとを有する。第1電極側面部44cも、第2外部電極46の第2電極側面部46cと同様に、サーミスタ素体20の4つの側面21cに設けられており、サーミスタ素体20における第1端面21a側の端部を覆っている。
第1外部電極44と第2外部電極46とはつながっておらず、サーミスタ素体20のX方向(第1方向)中央は、第1外部電極44および第2外部電極46から露出している。後述するように、サーミスタ素体20の側面21cは絶縁材料で構成されているため、第1外部電極44と第2外部電極46とは絶縁されている。
第1外部電極44および第2外部電極46の材質としては、特に限定されないが、たとえばAg、Pd、Au、Pt等の貴金属およびこれらの合金(Ag−pdなど)、あるいはCu、Ni等の卑金属およびこれらの合金などが挙げられる。また、第1外部電極44および第2外部電極46は、少量(たとえば10重量%以下)のガラスを含んでいてもよい。また、第1外部電極44および第2外部電極46は、はんだによる表面実装を好適に行えるように、表面にNi層とSn層を備えていてもよい。
図4は、図1に示すNTCサーミスタ素子10の断面図である。図4に示すサーミスタ素体20の内部構造から理解できるように、サーミスタ素体20は、サーミスタ層22と、第1内部電極層32、34および第2内部電極層38とを有する。
サーミスタ層22は、NTCサーミスタとして機能し得るNTCサーミスタ材料によりなる。サーミスタ層22の材質は、半導体セラミックであれば特に限定されないが、たとえば、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄などの遷移金属元素の中から選ばれる2種あるいはそれ以上の元素を有し、スピネル構造を有する複合酸化物を主成分として含む材料で構成される。サーミスタ材料には、特性向上等のために副成分が含有されていてもよい。主成分および副成分の組成および含有量は、NTCサーミスタ素子10に求められる特性に応じて適宜決定される。
図4に示すように、サーミスタ素体20は、2層の第1内部電極層32、34と、積層方向(Z方向)に関して2層の第1内部電極層32、34の間に挟まれる1層の第2内部電極層38を有している。第1内部電極層32、34および第2内部電極層38は、サーミスタ層22を介して互いに隔てられて積層されている。第2内部電極層38は、積層方向(Z方向)に関してサーミスタ素体20の中央付近に配置されており、積層方向に関して、第1内部電極層32、34よりサーミスタ素体20の外表面21から遠くに配置されている。
第1内部電極層32、34の一方の端部(X正方向の端部)は、サーミスタ素体20の第1端面21aに露出しており、第1端面21aで第1外部電極44に接続している。また、第2内部電極層38の他方の端部(X負方向の端部)は、サーミスタ素体20の第2端面21bに露出しており、第2端面21bで第2外部電極46に接続している。第1内部電極層32、34の他方の端部(X負方向の端部)は、第2内部電極層38の一方の端部(X正方向の端部)より第2端面21bに近い位置まで延びており、第1内部電極層32、34の一部は、第2内部電極層38の一部に対して、サーミスタ素体20の内部においてサーミスタ層22を介して対向している。
第1内部電極層32、34および第2内部電極層38の材質としては、特に限定されないが、第1外部電極44および第2外部電極46と同様に、たとえばAg、Pd、Au、Pt等の貴金属およびこれらの合金(Ag−pdなど)、あるいはCu、Ni等の卑金属およびこれらの合金などが挙げられる。
図2は、NTCサーミスタ素子10を積層方向(Z正方向側)から見た上面図であり、サーミスタ素体20における第1内部電極層32と第2内部電極層38の配置を透視して表したものである。図2に示すように、サーミスタ素体20には、積層方向から見て第1内部電極層32と第2内部電極層38とが重なる領域であって、図4に示すように積層方向に関して第1内部電極層32と第2内部電極層38の間に挟まれるサーミスタ機能領域24が形成されている。さらに、サーミスタ素体20には、積層方向から見て第1内部電極層34と第2内部電極層38とが重なる領域であって、積層方向に関して第1内部電極層34と第2内部電極層38の間に挟まれるサーミスタ機能領域26が形成されている。NTCサーミスタ素子10は、これらのサーミスタ領域24、26に存在するサーミスタ層22の抵抗値の温度変化を利用することにより、サーミスタとして機能する。
図4に示すように、サーミスタ機能領域24は、第1外部電極44と第2外部電極46から等距離の位置に配置されておらず、第1方向(X方向)に関して、一方の端面である第1端面21a側に偏って配置されている。すなわち、サーミスタ機能領域24は、サーミスタ機能領域24から第2外部電極46までの距離D1が、サーミスタ機能領域24から第1外部電極44までの距離D2より長くなるように設けられている。また、サーミスタ機能領域26についても、サーミスタ機能領域24と同様に、サーミスタ機能領域26から第2外部電極46までの距離が、サーミスタ機能領域26から第1外部電極44までの距離より長くなるように配置されている。
このようなNTCサーミスタ素子10では、同サイズのサーミスタ機能領域をサーミスタ素体20の中央に配置する場合に比べて、サーミスタ機能領域24における第1方向の第2端面21b側(X負方向側)端部を規定する第1内部電極層32の第2端面21b側端部を、第2外部電極46から離すことができる。NTCサーミスタ素子10を小型化していくと、極性が互いに異なる外部電極と内部電極層との間の距離(例えば第2外部電極46と第1内部電極層32との間の距離)が小さくなり、寸法公差内でのNTCサーミスタ素子10の抵抗値のばらつきが大きくなる問題が生じやすくなる。
しかし、本実施形態に係るNTCサーミスタ素子10は、サーミスタ機能領域24の位置を第1外部電極44側に偏らせることにより、第1内部電極層32と第2外部電極42との距離を長くして、抵抗値の製造ばらつきを低減することができる。したがって、このようなNTCサーミスタ素子10は、従来と同一のサイズであっても抵抗値の製造ばらつきを低減することができ、小型化に対して有利である。
なお、図4に示すように、サーミスタ機能領域24を第2外部電極46から遠ざけると、第2内部電極層38における第1方向の第1端面21a側の端部が、第1外部電極44に近づく。しかし、第2内部電極層38は、第1内部電極層32に比べて外表面21から離れており、また、積層方向に関しては第1外部電極44との間に第1内部電極層32が配置されている。したがって、NTCサーミスタ素子10においては、第1内部電極層32と第2外部電極46との距離が長くなって抵抗値のばらつきを低減する効果が、第2内部電極層38が第1外部電極44に近づくことによる逆効果を上回る。
第1内部電極層34と第2内部電極層38に挟まれるサーミスタ機能領域26についても、サーミスタ機能領域24と同様に第2外部電極46から離れて配置されることで、サーミスタ機能領域24と同様の作用が生じる。
図3は、NTCサーミスタ素子10を第2方向(Y負方向側)から見た側面図であり、図2と同様に、サーミスタ素体20におけるサーミスタ機能領域24、26の配置を透視して表したものである。図3に示すように、NTCサーミスタ素子10では、サーミスタ機能領域24、26は、積層方向(Z方向)および第1方向(X方向)に垂直な第2方向(Y方向)から見て第1外部電極44、第2外部電極46とは重ならないように配置されている。
このような配置とすることにより、NTCサーミスタ素子10は、第1内部電極層32、34および第2内部電極層38における第2方向(Y方向)の端部と第2外部電極46または第1外部電極44との距離が短くなることを回避し、NTCサーミスタ素子10の抵抗値の製造ばらつきが大きくなることを防止できる。
また、図2に示すように、第1内部電極層32の第2方向(Y方向)の長さをW1とし、サーミスタ素体20の第2方向(Y方向)の長さをW2とし、積層方向(Z方向)に関する第1内部電極層32から外表面21までの距離をaとした場合、W1≦W2−2aとなっている。このようなNTCサーミスタ素子10は、第1内部電極層32の第2方向の端部と第2外部電極46との距離D3が短くなることを回避し、NTCサーミスタ素子の抵抗値の製造ばらつきが大きくなることを防止できる。なお、NTCサーミスタ素子10において、第2内部電極層38の第2方向(Y方向)の長さは、第1内部電極層32のそれと同様であり、サーミスタ素体20の第2方向の長さW2および第1内部電極層32から外表面21までの距離aに対して、同様の関係を有する。
また、NTCサーミスタ素子10は、図4に示すように、2層の第1内部電極層32、34が接続する第1外部電極44側へ、サーミスタ機能領域24、26が近接している。これにより、サーミスタ機能領域24、26へ熱を伝えるパスが、サーミスタ機能領域24、26が第1方向(X方向)中央に配置される場合より短くなる。したがって、NTCサーミスタ素子10は、サーミスタ機能領域を中央に配置するNTCサーミスタ素子に比べて、応答性に優れている。
図1〜図4に示すNTCサーミスタ素子10は、例えば以下のようにして製造することができる。まず、サーミスタ素体20を製造するためのグリーンシートを準備する。この際、第1内部電極層32、34や第2内部電極層38となる導体パターンが形成されたグリーンシートと、導体パターンが形成されていないグリーンシートとが準備される。
サーミスタ素体20を製造するためのグリーンシートは、公知の技術によって製造できる。たとえば、NTCサーミスタ材料を含む原材料を湿式混合等の手段によって混合した後、乾燥させる。次に、所定の焼成条件で原材料を仮焼成したのち、仮焼成粉を湿式粉砕する。さらに、粉砕された仮焼成粉末にバインダを加えてスラリー化した後、ドクターブレード法やスクリーン印刷法等の手段によってスラリーをシート化し、その後乾燥させてグリーンシートを得る。
導体パターンが形成されたグリーンシートは、上述のようにして得たグリーンシートの表面に、印刷法等の手段により内部電極層ペーストを塗布することで形成される。内部電極層ペーストには、内部電極層の材料となる導電材料の粉末が含まれている。
次に、準備したグリーンシートを重ね合わせた後に圧力を加えて圧着し、乾燥工程等の経たのちダイシングソー等で切断することで、グリーン状態の素子本体を得る。さらに、グリーン状態のサーミスタ素体を所定条件で熱処理することで、図4に示すようなサーミスタ素体20を得る。
最後に、サーミスタ素体20の外表面21に、メッキ等により第1外部電極44および第2外部電極46を形成することにより、NTCサーミスタ素子10を得る。
第2実施形態
図5は、本発明の第2実施形態に係るNTCサーミスタ素子100を積層方向(Z軸正方向側)から見た上面図である。NTCサーミスタ素子100は、第1外部電極144および第2外部電極146の形状と、第2内部電極層138の形状が異なる点で図2等に示すNTCサーミスタ素子10とは異なるが、その他の部分についてはNTCサーミスタ素子10と同様である。NTCサーミスタ素子100の説明では、第1実施形態に係るNTCサーミスタ素子10との相違点のみを説明し、共通点については説明を省略する。
NTCサーミスタ素子100の第2外部電極146は、図2に示すサーミスタ10とは異なり、その第2電極側面部146cの第1方向第1端面側(X正方向側)の端部が湾曲している。すなわち、第2電極側面部146cは、サーミスタ素体120における側面121cの両辺に位置する2つの第2電極辺部146cbが、側面121cにおける第2電極辺部146cbの間に位置する第2電極中央部146ccに比べて、サーミスタ素体120cの第1端面側(X正方向側)へ向かってせり出している。このような第2電極側面部146cの形状は、図5に表示されていない第2外部電極146における他の3つの第2電極側面部146cについても同様である。
図5に示すように第2電極辺部146cbのX正方向端部が湾曲しているNTCサーミスタ素子100は、同様の部分がY方向に直線的に延びているNTCサーミスタ素子10(図2参照)に比べて、第2電極側面部146cの面積が同じであれば、第2外部電極146と第1内部電極層32との距離(最短距離)を長くすることができる。なぜなら、図2に示すNTCサーミスタ素子10では、第2電極側面部46cのY方向中央部付近において、第2外部電極46と第1内部電極層32との距離が最も短くなるからである。
なお、NTCサーミスタ素子100の第1外部電極144は、第2外部電極146と対称な形状を有しているが、第1外部電極144における第1電極側面部144cの形状は特に限定されない。
また、図5に示すNTCサーミスタ素子100は、第2内部電極層138の第2方向(Y方向)の長さW3が、第1内部電極層132の第2方向(Y方向)の長さW1より短くなっている。このようなNTCサーミスタ素子100は、第2内部電極層138の第2方向(Y方向)の端部と第1外部電極44との距離D4が短くなることを回避できる。このため、NTCサーミスタ素子100は、NTCサーミスタ素子10に比べて、さらにサーミスタ機能領域124を第1外部電極144側に偏らせて配置することができる。
このように、第2実施形態に係るNTCサーミスタ素子100は、極性の互いに異なる外部電極と内部電極層の距離が、サーミスタ素体20の中で近くなりすぎる問題を効果的に回避することができるため、抵抗値の製造ばらつきを低減することができる。したがって、このようなNTCサーミスタ素子100は、小型化に対して有利である。
第3実施形態
図6は、本発明の第3実施形態に係るNTCサーミスタ素子200の断面図である。NTCサーミスタ素子200は、サーミスタ素体220が第1ダミー内部電極層233および第2ダミー内部電極層239を有する点で図4に示すNTCサーミスタ素子10と異なるが、それ以外の部分についてはNTCサーミスタ素子10と同様である。
第1ダミー内部電極層233は、サーミスタ素体220の第1端面221aで第1外部電極44に接続しており、第2内部電極層38と同一平面状に配置されている。しかし、第1ダミー内部電極層233は、積層方向(Z方向)に関して第2内部電極層38と対向しておらず、サーミスタ機能領域24、26を形成しない。
また、第2ダミー内部電極層239は、サーミスタ素体220の第2端面221bで第2外部電極46に接続しており、第1内部電極層32、34と同一平面状に配置されている。しかし、第2ダミー内部電極層239は、積層方向(Z方向)に関して第1内部電極層32、34と対向しておらず、第1ダミー内部電極層と同様、サーミスタ機能領域24、26を形成しない。
このように、NTCサーミスタ素子200は、サーミスタ機能領域24、26を形成しない第1ダミー内部電極層233および第2ダミー内部電極層239を有しているが、図4に示すNTCサーミスタ素子10と同様の効果を奏する。
なお、上述の実施形態では、第1内部電極層が2層、第2内部電極層が1層のものを例に本発明を説明したが、内部電極層の数はこれに限定されず、変形例では、第1内部電極層と第2内部電極層とを各1層ずつ有していてもよく、第1内部電極層と第2内部電極層とをそれぞれ2層以上有していてもよい。第1内部電極層と第2内部電極層とが4層以上積層されている場合は、外表面に最も近い第1内部電極層およびその第1内部電極層に最も近い第2内部電極層の間に形成されるサーミスタ機能領域が、第2外部電極側に偏って配置されていることが好ましい。
また、図4の断面図等において、第1内部電極層32から側面21cまでの積層方向(Z正方向)の距離と、第1内部電極層34から側面21cまでの積層方向(Z負方向)の距離とは等しいが、NTCサーミスタ素子10の断面構造はこれに限定されない。たとえば、いずれか一方の距離を長くし、サーミスタ機能領域24、26をZ方向に偏らせて配置することにより、NTCサーミスタ素子10の抗折強度を高めることができる。
実施例
次に、上述の実施形態を具体化した実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
表1および図7に示すように、サーミスタ機能領域の第1方向(X方向、図4参照)の配置を変更したNTCサーミスタ素子を7試料準備し、各試料について25℃における抵抗R25を測定した。
Figure 2017175011
各試料は、以下の製造条件により、実施形態で説明した製造方法で製造した。
サーミスタ材料:四三酸化マンガン(Mn3O4)、酸化ニッケル、酸化アルミニウム
グリーンシート用スラリー:サーミスタ材料100重量部、ポリビニルブチラール樹脂10重量部、ジオクチルフタレート(DOP)5重量部、アルコール100重量部を混合して作製
内部電極ペースト:Pdペースト
グリーンシートの作製:ドクターブレード法
グリーンシートへの導体パターンの形成:スクリーン印刷法
グリーン状態の素子本体への熱処理条件:(1)脱バインダ 昇温速度30℃/時間、保持温度300〜400℃、保持時間8時間、雰囲気 空気中 (2)焼成 昇温速度200℃/時間、保持温度1000〜1400℃、保持時間2時間、雰囲気 空気中 (3)アニール 昇温速度200℃/時間、保持温度600〜800℃、保持時間2時間、雰囲気 空気中
外部電極の形成:サーミスタ素体20の側面をSiO2被膜(スパッタ)で覆った後、両端部にAg電極を形成し、さらにNiメッキ層およびSnメッキ層を形成
外形寸法:0.4mm(X方向)×0.2mm(Y方向)×0.09mm(Z方向)
第1外部電極、第2外部電極のX方向長さ:0.1mm
サーミスタ機能領域の寸法:0.12mm(X方向)×0.07mm(Y方向)×0.1mm(Z方向)
サーミスタ機能領域のX方向位置(X/Y):0.47〜2.14(ただし、XはX負方向側の素子端面からサーミスタ機能領域までの距離、YはX正方向側の素子端面からサーミスタ機能領域までの距離(図7参照))
図7のグラフは、横軸をX/Yとし、縦軸をR25として、各試料をプロットしたものである。図7からは、サーミスタ機能領域が第1外部電極および第2外部電極に対して等距離となる試料No.4より左側の領域で、サーミスタ機能領域の位置変化に対応する抵抗値の変化が大きく、試料No.4より右側の領域で、サーミスタ機能領域の位置変化に対応する抵抗値の変化が小さいことが理解できる。したがって、サーミスタ機能領域を第1外部電極側へ近づけて配置することにより、製造ばらつきによる抵抗値の変化を抑制できることが理解できる。
10、100、220…NTCサーミスタ素子
20、120、220…サーミスタ素体
21…外表面
21a、221a…第1端面
21b、221b…第2端面
21c、121c…側面
24、26、124…サーミスタ機能領域
32、34、132…第1内部電極層
38、138…第2内部電極層
44、144…第1外部電極
44b…第1電極端面部
44c、144c…第1電極側面部
46、146…第2外部電極
46b、146b…第2電極端面部
46c、146c…第2電極側面部
146cb…第2電極辺部
146cc…第2電極中央部
233…第1ダミー内部電極層
239…第2ダミー内部電極層

Claims (5)

  1. NTCサーミスタ材料によりなるサーミスタ層と、前記サーミスタ層を介して互いに隔てられて積層される第1内部電極層および第2内部電極層と、を有するサーミスタ素体と、
    前記サーミスタ素体の外表面のうち互いに対向する一対の端面に少なくとも一部がそれぞれ設けられている第1外部電極および第2外部電極と、を有しており、
    前記第1内部電極層は前記第1外部電極に接続しており、前記第2内部電極層は前記第2外部電極に接続しており積層方向に関して前記第1内部電極層より前記外表面から遠くに配置されており、
    前記積層方向から見て前記第1内部電極層と前記第2内部電極層とが重なる領域であって前記積層方向に関して前記第1内部電極層と前記第2内部電極層の間に挟まれるサーミスタ機能領域は、前記サーミスタ機能領域から前記第2外部電極までの距離が、前記サーミスタ機能領域から前記第1外部電極までの距離より長くなるように配置されていることを特徴とするNTCサーミスタ素子。
  2. 前記第2外部電極は、前記サーミスタ素体の一方の前記端面に設けられる第2電極端面部と、前記第2電極端面部に接続しており前記サーミスタ素体において前記端面に垂直な側面に設けられる第2電極側面部と、を有しており、
    前記第2電極側面部は、前記側面の両辺に位置する2つの第2電極辺部が、前記側面における前記第2電極辺部の間に位置する第2電極中央部に比べて、前記サーミスタ素体の他方の前記端面へ向かってせり出していることを特徴とする請求項1に記載のNTCサーミスタ素子。
  3. 前記サーミスタ機能領域は、前記積層方向および一対の前記端面を接続する第1方向に垂直な第2方向から見て前記第1外部電極および前記第2外部電極とは重ならないことを特徴とする請求項1または2に記載のNTCサーミスタ素子。
  4. 前記第1内部電極層の前記積層方向および一対の前記端面を接続する第1方向に垂直な第2方向の長さをW1とし、前記サーミスタ素体の前記第2方向の長さをW2とし、前記積層方向に関する前記第1内部電極層から前記外表面までの距離をaとした場合、W1≦W2−2aであることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかに記載のNTCサーミスタ素子。
  5. 前記サーミスタ素体は、2層の前記第1内部電極層と、前記積層方向に関して2層の前記第1内部電極層の間に挟まれる1層の前記第2内部電極層と、を有することを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかに記載のNTCサーミスタ素子。
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