JPH11126704A - 積層型チップサーミスタ - Google Patents
積層型チップサーミスタInfo
- Publication number
- JPH11126704A JPH11126704A JP29063297A JP29063297A JPH11126704A JP H11126704 A JPH11126704 A JP H11126704A JP 29063297 A JP29063297 A JP 29063297A JP 29063297 A JP29063297 A JP 29063297A JP H11126704 A JPH11126704 A JP H11126704A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- length
- electrodes
- resistor
- electrode
- chip thermistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は内部電極と端子電極との間で形成さ
れる抵抗特性値に対し、端子電極の廻り込み寸法がばら
ついても、抵抗特性値のばらつきの小さい積層型チップ
サーミスタを提供することを目的とする。 【解決手段】 積層型サーミスタ抵抗体２の内部に形成
された内部電極１ａから１ｄの内、最外層内部電極１
ｃ，１ｄの長さ方向の寸法をその他の内部電極１ａ，１
ｂの長さ方向の寸法より短く、かつ端子電極３ａ，３ｂ
の廻り込み３ｃ寸法より長く更にサーミスタ抵抗体２の
長さ寸法の２分の１より短い構成とする。
れる抵抗特性値に対し、端子電極の廻り込み寸法がばら
ついても、抵抗特性値のばらつきの小さい積層型チップ
サーミスタを提供することを目的とする。 【解決手段】 積層型サーミスタ抵抗体２の内部に形成
された内部電極１ａから１ｄの内、最外層内部電極１
ｃ，１ｄの長さ方向の寸法をその他の内部電極１ａ，１
ｂの長さ方向の寸法より短く、かつ端子電極３ａ，３ｂ
の廻り込み３ｃ寸法より長く更にサーミスタ抵抗体２の
長さ寸法の２分の１より短い構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板などの表
面実装用の温度センサや温度補償に用いられる積層型チ
ップサーミスタ（以降、チップサーミスタと称する）に
関するものである。
面実装用の温度センサや温度補償に用いられる積層型チ
ップサーミスタ（以降、チップサーミスタと称する）に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップサーミスタは、図４に示す
ように相対向する両端面に、それぞれ露出する内部電極
１１ａ，１１ｂを形成したサーミスタ抵抗体１２の両端
面に端子電極１３ａ，１３ｂを設け、内部電極１１ａ，
１１ｂの重なり面積と内部電極１１ａ，１１ｂ間に介在
する抵抗体厚み１１ｃで形成される抵抗特性を端子電極
１３ａ，１３ｂを介して外部に引き出す構成となってい
た。
ように相対向する両端面に、それぞれ露出する内部電極
１１ａ，１１ｂを形成したサーミスタ抵抗体１２の両端
面に端子電極１３ａ，１３ｂを設け、内部電極１１ａ，
１１ｂの重なり面積と内部電極１１ａ，１１ｂ間に介在
する抵抗体厚み１１ｃで形成される抵抗特性を端子電極
１３ａ，１３ｂを介して外部に引き出す構成となってい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、端子電極１３ａ，１３ｂをサーミスタ抵抗
体１２の端面に形成する際、端子電極１３ａ，１３ｂの
廻り込み１３ｃ寸法のばらつきがチップサーミスタの抵
抗特性値をばらつかせる一因となっていた。即ち、端子
電極１３ａ，１３ｂの廻り込み１３ｃの寸法ばらつきが
チップサーミスタの抵抗特性値をばらつかせる理由とな
り、内部電極１１ａと端子電極１３ｂ、および内部電極
１１ｂと端子電極１３ａとの間で抵抗特性値が発生し、
内部電極１１ａの先端部と端子電極１３ｂの廻り込み１
３ｃの先端部、および内部電極１１ｂの先端部と端子電
極１３ａの廻り込み１３ｃの先端部がそれぞれ接近する
ほどチップサーミスタ全体の抵抗特性値に与える影響が
大きくなる。
の構成では、端子電極１３ａ，１３ｂをサーミスタ抵抗
体１２の端面に形成する際、端子電極１３ａ，１３ｂの
廻り込み１３ｃ寸法のばらつきがチップサーミスタの抵
抗特性値をばらつかせる一因となっていた。即ち、端子
電極１３ａ，１３ｂの廻り込み１３ｃの寸法ばらつきが
チップサーミスタの抵抗特性値をばらつかせる理由とな
り、内部電極１１ａと端子電極１３ｂ、および内部電極
１１ｂと端子電極１３ａとの間で抵抗特性値が発生し、
内部電極１１ａの先端部と端子電極１３ｂの廻り込み１
３ｃの先端部、および内部電極１１ｂの先端部と端子電
極１３ａの廻り込み１３ｃの先端部がそれぞれ接近する
ほどチップサーミスタ全体の抵抗特性値に与える影響が
大きくなる。
【０００４】本発明は内部電極１１ａ，１１ｂと端子電
極１３ａ，１３ｂの廻り込み１３ｃ寸法の間での抵抗特
性値への影響を緩和し、端子電極１３ａ，１３ｂの廻り
込み１３ｃの寸法がばらついても、安定した抵抗特性が
得られる積層型チップサーミスタを提供することを目的
とするものである。
極１３ａ，１３ｂの廻り込み１３ｃ寸法の間での抵抗特
性値への影響を緩和し、端子電極１３ａ，１３ｂの廻り
込み１３ｃの寸法がばらついても、安定した抵抗特性が
得られる積層型チップサーミスタを提供することを目的
とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記、目的を達成するた
めに本発明は、内部電極と抵抗体層を交互に複数層積層
した積層型抵抗体において、前記内部電極の一端と他端
のいずれか一方を前記積層型抵抗体の対向する端面のい
ずれか一方に露出させるとともに、露出部を同端面に設
けた端子電極に電気的に接続し、前記内部電極のうち最
外層のものの長さ方向の寸法を、他の内部電極の長さ方
向の寸法より短くした構成とするものであり、これによ
って所期の目的を達成する事ができる。
めに本発明は、内部電極と抵抗体層を交互に複数層積層
した積層型抵抗体において、前記内部電極の一端と他端
のいずれか一方を前記積層型抵抗体の対向する端面のい
ずれか一方に露出させるとともに、露出部を同端面に設
けた端子電極に電気的に接続し、前記内部電極のうち最
外層のものの長さ方向の寸法を、他の内部電極の長さ方
向の寸法より短くした構成とするものであり、これによ
って所期の目的を達成する事ができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、内部電極と抵抗体層を交互に複数層積層した積層型
抵抗体において、前記内部電極の一端と他端のいずれか
一方を前記積層型抵抗体の対向する端面のいずれか一方
に露出させるとともに、この露出部を、同端面に設けた
端子電極に電気的に接続し、前記内部電極のうち最外層
のものの長さ方向の寸法を、他の内部電極の長さ方向の
寸法より短くしたことを特徴とする積層型チップサーミ
スタであって、端子電極に接する各内部電極はそれぞれ
同電位となるため、その結果として端子電極の廻り込み
寸法がばらついてもチップサーミスタ全体への抵抗特性
値に与える影響度を小さくする事ができる。
は、内部電極と抵抗体層を交互に複数層積層した積層型
抵抗体において、前記内部電極の一端と他端のいずれか
一方を前記積層型抵抗体の対向する端面のいずれか一方
に露出させるとともに、この露出部を、同端面に設けた
端子電極に電気的に接続し、前記内部電極のうち最外層
のものの長さ方向の寸法を、他の内部電極の長さ方向の
寸法より短くしたことを特徴とする積層型チップサーミ
スタであって、端子電極に接する各内部電極はそれぞれ
同電位となるため、その結果として端子電極の廻り込み
寸法がばらついてもチップサーミスタ全体への抵抗特性
値に与える影響度を小さくする事ができる。
【０００７】請求項２に記載の発明は、最外層に位置す
る内部電極の長さ方向の寸法を、前記内部電極と電気的
に接続するように端面に形成した端子電極が積層型抵抗
体の、上、下面、及び側面に廻り込んだ長さ寸法より長
く、前記積層型抵抗体の長さ寸法の２分の１より短くし
たことを特徴とする請求項１に記載の積層型チップサー
ミスタであって、この構成により最外層に位置する内部
電極と、サーミスタ抵抗体の端面に形成した端子電極の
廻り込みの長さ方向の寸法との関係を規定することによ
り、端子電極の廻り込み寸法のばらつきがチップサーミ
スタ全体の抵抗特性値に与える影響はより少なくなる。
る内部電極の長さ方向の寸法を、前記内部電極と電気的
に接続するように端面に形成した端子電極が積層型抵抗
体の、上、下面、及び側面に廻り込んだ長さ寸法より長
く、前記積層型抵抗体の長さ寸法の２分の１より短くし
たことを特徴とする請求項１に記載の積層型チップサー
ミスタであって、この構成により最外層に位置する内部
電極と、サーミスタ抵抗体の端面に形成した端子電極の
廻り込みの長さ方向の寸法との関係を規定することによ
り、端子電極の廻り込み寸法のばらつきがチップサーミ
スタ全体の抵抗特性値に与える影響はより少なくなる。
【０００８】請求項３に記載の発明は、最外層に位置す
る内部電極の幅寸法を他の内部電極の幅方向の寸法より
広くしたことを特徴とする請求項１、または請求項２に
記載の積層型チップサーミスタであって、端子電極の廻
り込み寸法のばらつきがチップサーミスタ全体の抵抗特
性値に与える影響をさらに小さくすることができる。
る内部電極の幅寸法を他の内部電極の幅方向の寸法より
広くしたことを特徴とする請求項１、または請求項２に
記載の積層型チップサーミスタであって、端子電極の廻
り込み寸法のばらつきがチップサーミスタ全体の抵抗特
性値に与える影響をさらに小さくすることができる。
【０００９】（実施の形態１）以下、本発明の一実施形
態を図を用いて説明する。
態を図を用いて説明する。
【００１０】図１に示すチップサーミスタにおいて、相
対向する両端面に露出するように、内部電極１ａ，１
ｂ，１ｃ、及び１ｄを形成したサーミスタ抵抗体２の両
端面に、端子電極３ａ，３ｂを設け、最外層内部電極１
ｃ，１ｄの長さ方向の寸法が、他の内部電極１ａ，１ｂ
の長さ方向の寸法より短い構成とした。前記構成によれ
ば、端子電極３ａと内部電極１ｄ、端子電極３ｂと内部
電極１ｃはそれぞれ同電位となり、チップサーミスタ全
体として得られる抵抗特性値は内部電極１ａと内部電極
１ｃ間、内部電極１ａと内部電極１ｂ間、及び内部電極
１ｂと内部電極１ｄ間の合成抵抗特性が支配的となる。
その結果、端子電極３ａ，３ｂの廻り込み３ｃ寸法がば
らついてもチップサーミスタ全体の抵抗特性値に与える
影響を小さくすることができる。
対向する両端面に露出するように、内部電極１ａ，１
ｂ，１ｃ、及び１ｄを形成したサーミスタ抵抗体２の両
端面に、端子電極３ａ，３ｂを設け、最外層内部電極１
ｃ，１ｄの長さ方向の寸法が、他の内部電極１ａ，１ｂ
の長さ方向の寸法より短い構成とした。前記構成によれ
ば、端子電極３ａと内部電極１ｄ、端子電極３ｂと内部
電極１ｃはそれぞれ同電位となり、チップサーミスタ全
体として得られる抵抗特性値は内部電極１ａと内部電極
１ｃ間、内部電極１ａと内部電極１ｂ間、及び内部電極
１ｂと内部電極１ｄ間の合成抵抗特性が支配的となる。
その結果、端子電極３ａ，３ｂの廻り込み３ｃ寸法がば
らついてもチップサーミスタ全体の抵抗特性値に与える
影響を小さくすることができる。
【００１１】また、図２に示す構成においても同様の効
果が得られる。図２に示すように、最外層内部電極１
ｃ，１ｄの長さ方向の寸法を、端子電極３ａ，３ｂの廻
り込み３ｃの長さ方向寸法より長く、サーミスタ抵抗体
２の長さ寸法の１／２より小さい構成とすることによ
り、最外層に位置する内部電極１ｃ，１ｄの長さ方向の
寸法を、端子電極３ａ，３ｂの廻り込み３ｃ寸法がばら
ついてもチップサーミスタ全体の抵抗特性値に与える影
響をより小さくすることのできる最適寸法を規定するも
のである。
果が得られる。図２に示すように、最外層内部電極１
ｃ，１ｄの長さ方向の寸法を、端子電極３ａ，３ｂの廻
り込み３ｃの長さ方向寸法より長く、サーミスタ抵抗体
２の長さ寸法の１／２より小さい構成とすることによ
り、最外層に位置する内部電極１ｃ，１ｄの長さ方向の
寸法を、端子電極３ａ，３ｂの廻り込み３ｃ寸法がばら
ついてもチップサーミスタ全体の抵抗特性値に与える影
響をより小さくすることのできる最適寸法を規定するも
のである。
【００１２】図３に示す構成は、図１、または図２の構
成に対し最外層内部電極１ｃ，１ｄの幅方向の寸法をそ
の他の内部電極１ａ，１ｂの幅方向の寸法より大きくす
る構成としたものである。この構成により端子電極３
ａ，３ｂの廻り込み３ｃの寸法がばらついてもチップサ
ーミスタ全体の抵抗特性値に与える影響をさらに小さく
することができる。
成に対し最外層内部電極１ｃ，１ｄの幅方向の寸法をそ
の他の内部電極１ａ，１ｂの幅方向の寸法より大きくす
る構成としたものである。この構成により端子電極３
ａ，３ｂの廻り込み３ｃの寸法がばらついてもチップサ
ーミスタ全体の抵抗特性値に与える影響をさらに小さく
することができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、内部電極と抵抗
体層を交互に複数層積層した積層型抵抗体において、前
記内部電極の一端と他端のいずれか一方を前記積層型抵
抗体の対向する端面のいずれか一方に露出させるととも
に、この露出部を、同端面に設けた端子電極に電気的に
接続し、前記内部電極のうち最外層のものの長さ方向の
寸法を、他の内部電極の長さ方向の寸法より短い構成と
することにより、端子電極に接する各内部電極はそれぞ
れ同電位となるため、その結果として端子電極の廻り込
み寸法がばらついてもチップサーミスタ全体への抵抗特
性値に与える影響度を小さくする事ができる。
体層を交互に複数層積層した積層型抵抗体において、前
記内部電極の一端と他端のいずれか一方を前記積層型抵
抗体の対向する端面のいずれか一方に露出させるととも
に、この露出部を、同端面に設けた端子電極に電気的に
接続し、前記内部電極のうち最外層のものの長さ方向の
寸法を、他の内部電極の長さ方向の寸法より短い構成と
することにより、端子電極に接する各内部電極はそれぞ
れ同電位となるため、その結果として端子電極の廻り込
み寸法がばらついてもチップサーミスタ全体への抵抗特
性値に与える影響度を小さくする事ができる。
【図１】本発明の第一の実施形態における積層型チップ
サーミスタの断面図
サーミスタの断面図
【図２】同、第二の実施形態における積層型チップサー
ミスタの断面図
ミスタの断面図
【図３】同、第三の実施形態における積層型チップサー
ミスタの断面図
ミスタの断面図
【図４】従来の積層型チップサーミスタの断面図
１ａ〜１ｄ 内部電極 ２ サーミスタ抵抗体 ３ａ，３ｂ 端子電極 ３ｃ 廻り込み １１ａ〜１１ｄ 内部電極 １２ サーミスタ抵抗体 １３ａ，１３ｂ 端子電極 １３ｃ 廻り込み
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沖本 知久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 橘井 努 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 内部電極と抵抗体層を交互に複数層積層
した積層型抵抗体において、前記内部電極の一端と他端
のいずれか一方を前記積層型抵抗体の対向する端面のい
ずれか一方に露出させるとともに、この露出部を、同端
面に設けた端子電極に電気的に接続し、前記内部電極の
うち最外層のものの長さ方向の寸法を、他の内部電極の
長さ方向の寸法より短くしたことを特徴とする積層型チ
ップサーミスタ。 - 【請求項２】 最外層に位置する内部電極の長さ方向の
寸法を、前記内部電極と電気的に接続するように端面に
形成した端子電極が積層型抵抗体の、上、下面、及び側
面に廻り込んだ長さ寸法より長く、前記積層型抵抗体の
長さ寸法の２分の１より短くしたことを特徴とする請求
項１に記載の積層型チップサーミスタ。 - 【請求項３】 最外層に位置する内部電極の幅寸法を他
の内部電極の幅方向の寸法より広くしたことを特徴とす
る請求項１、または請求項２に記載の積層型チップサー
ミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29063297A JPH11126704A (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | 積層型チップサーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29063297A JPH11126704A (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | 積層型チップサーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126704A true JPH11126704A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17758498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29063297A Pending JPH11126704A (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | 積層型チップサーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11126704A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004507069A (ja) * | 1999-07-06 | 2004-03-04 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 低容量多層バリスタ |
| US8910363B2 (en) | 1999-11-19 | 2014-12-16 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | Compliant implantable medical devices and methods of making same |
| JP2017175011A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Tdk株式会社 | Ｎｔｃサーミスタ素子 |
-
1997
- 1997-10-23 JP JP29063297A patent/JPH11126704A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004507069A (ja) * | 1999-07-06 | 2004-03-04 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 低容量多層バリスタ |
| US8910363B2 (en) | 1999-11-19 | 2014-12-16 | Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. | Compliant implantable medical devices and methods of making same |
| US10106884B2 (en) | 1999-11-19 | 2018-10-23 | Vactronix Scientific, Llc | Compliant implantable medical devices and methods of making same |
| US10745799B2 (en) | 1999-11-19 | 2020-08-18 | Vactronix Scientific, Llc | Compliant implantable medical devices and methods of making same |
| JP2017175011A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Tdk株式会社 | Ｎｔｃサーミスタ素子 |
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