JPS5969902A - 三端子型積層バリスタ - Google Patents
三端子型積層バリスタInfo
- Publication number
- JPS5969902A JPS5969902A JP18092682A JP18092682A JPS5969902A JP S5969902 A JPS5969902 A JP S5969902A JP 18092682 A JP18092682 A JP 18092682A JP 18092682 A JP18092682 A JP 18092682A JP S5969902 A JPS5969902 A JP S5969902A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- varistor
- material film
- voltage
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、積層型バリスタに関する。
従来、積層型バリスタは、第１図（ａ）に示すように、
例えばＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分とする電圧非直線性
材料膜１２上の片側端面に電極端１３を形成しかつ該電
極端１３から電圧非直線性材料膜１２上に電極面１４を
他の端面１２ａに到達しないよう形成した層°１５と、
第１図０））に示すように、電圧非直線性材料膜１２′
上の端面で、前記の電極端１３と異なる位置に電極端１
６を形成しかつ電極端１６から該電圧非直線性材料膜１
２′上に少なくとも一部分前記電極面１４と重なるよう
にかつ該電極端１３の位置まで到達しないように電極面
１７を形成した層１８とを、交互に、積層し、電極端１
３及び１６を集合して接続すべく第２図のような外部電
極１９．２０を例えばＡｇ塗膜で形成して同図の如き積
層形状に構成している。
例えばＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分とする電圧非直線性
材料膜１２上の片側端面に電極端１３を形成しかつ該電
極端１３から電圧非直線性材料膜１２上に電極面１４を
他の端面１２ａに到達しないよう形成した層°１５と、
第１図０））に示すように、電圧非直線性材料膜１２′
上の端面で、前記の電極端１３と異なる位置に電極端１
６を形成しかつ電極端１６から該電圧非直線性材料膜１
２′上に少なくとも一部分前記電極面１４と重なるよう
にかつ該電極端１３の位置まで到達しないように電極面
１７を形成した層１８とを、交互に、積層し、電極端１
３及び１６を集合して接続すべく第２図のような外部電
極１９．２０を例えばＡｇ塗膜で形成して同図の如き積
層形状に構成している。
一般に、バリスタを実使用する場合、例えば電子交換機
の避雷器のような回路にあっては、第３図に示すように
、バリスタ２４．２８を直列に接続し、中点２５をアー
ス端子としている。２１は抵抗体、２３は放電管である
。この場合両バリスタ２４↓２８の性能が均一であるこ
とが必要とされる。ところが従来のような積層型バリス
タを使用した場合１．２個の積層型バリスタをそれぞれ
実装しなければならないため、実装コストの増大をまね
くとともに、２個の積層型バリスタの性能の均一化が困
難となる欠点を有していた。
の避雷器のような回路にあっては、第３図に示すように
、バリスタ２４．２８を直列に接続し、中点２５をアー
ス端子としている。２１は抵抗体、２３は放電管である
。この場合両バリスタ２４↓２８の性能が均一であるこ
とが必要とされる。ところが従来のような積層型バリス
タを使用した場合１．２個の積層型バリスタをそれぞれ
実装しなければならないため、実装コストの増大をまね
くとともに、２個の積層型バリスタの性能の均一化が困
難となる欠点を有していた。
本発明の目的は、実装コストの低減および前述のように
２犯で直列に使用されるバリスタ間の性能の均一化を図
った三端子型積層バリスタを提供することにある。
２犯で直列に使用されるバリスタ間の性能の均一化を図
った三端子型積層バリスタを提供することにある。
本発明に係る三端子型積層バリスタは、電圧非直線性材
料膜上に互いに重ならずに対向した一対の電極を形成し
た層と、電圧非直線性材料膜上に１つの電極を形成した
層とを交互に積層して成るものである。
料膜上に互いに重ならずに対向した一対の電極を形成し
た層と、電圧非直線性材料膜上に１つの電極を形成した
層とを交互に積層して成るものである。
次に、本発明をその実施例について図面を参照して説明
する。
する。
第４図（ａ） 、 （ｂ）に本発明による三端子型積層
バリスタの第１の層の断面図および平面図を、また第５
図（ａ）、Φ）に本発明による三端子型積層バリスタの
第２の層の断面図および平面図を示す。第４図（ａ）
、 （ｔ））を参照すると、本発明に係る第１の層６は
、ＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分とする２０〜５０μｍ厚
の＋ａをドクターブレード法等により作製し、目的とす
るバリスタ電圧（ＶｉｍＡ；即ち１ｍＡの電流を流すた
めに要する電圧）に適当な枚数積層した電圧非直線性材
料膜１上の両端面に、電極端２．３ン形成し、かつ両該
電極端２．３から膜１上に電極面４．５を、両者を短絡
させないよう延在させて構成しである。ここで、電極面
４．５は、例えばＰｔ （白金）ベーストを厚膜印刷す
ることによって形成する。一方、第５図（ａ）、Φ）に
示すように、本発明の第２の層９は、上記したのと同様
にｚｎＯを主成分とする２０〜５０μｍ厚の膜をドクタ
ーブレード法等により形成し、目的とするバリスタ電圧
に適当な枚数積層した電圧非直線性材料膜１′を作製し
、該電圧非直線性材料１′上の端面で上記層６の電極端
２．３と重ならない位置に電極端７を形成し、かつ該電
極端７から膜１′上に電極面８を、上記電極面４，５と
少なくとも一部重なる様延在させて構成する。ここで電
極面８は、例えばｐｉ（白金）ペーストを厚膜印刷する
ことによって形成する。次に、第６図（ａ）に示すよう
に、第１の層６及び第２の層９を交互に積層する。積層
数は、バリスタとして必要な電流容量あるいは静電容量
の制限等によって適宜窓める。次に、各層の電極端２，
３．７のそれぞれの集合を各々接続するように、外部電
極１０．１１．１２を、例えばＡｇペーストの厚膜印刷
法により形成して本発明の三端子型積層バリスタを得る
。第６図（ｂ）はその外観斜視図である。このようにし
て作製した三端子型積層バリスタを、例えば第３図の回
路上では第６図（ａ） 、 （ｂ）の外部電極１２を中
点２５に接続して共通アースと成し、また外部電極１０
．１１をそれぞれ回路端子２６．２７に接続して使用す
る。このようにして作製した三端子型積層バリスタは、
従来のように２個の積層型バリスタを実装する場合に比
べ実装コストが低減できる効果と共に、同一の電圧非直
性材料膜上に２個のバリスタが形成された構造となって
いるため、両バリスタの性能に差異が生じないという効
果が得られる。
バリスタの第１の層の断面図および平面図を、また第５
図（ａ）、Φ）に本発明による三端子型積層バリスタの
第２の層の断面図および平面図を示す。第４図（ａ）
、 （ｔ））を参照すると、本発明に係る第１の層６は
、ＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分とする２０〜５０μｍ厚
の＋ａをドクターブレード法等により作製し、目的とす
るバリスタ電圧（ＶｉｍＡ；即ち１ｍＡの電流を流すた
めに要する電圧）に適当な枚数積層した電圧非直線性材
料膜１上の両端面に、電極端２．３ン形成し、かつ両該
電極端２．３から膜１上に電極面４．５を、両者を短絡
させないよう延在させて構成しである。ここで、電極面
４．５は、例えばＰｔ （白金）ベーストを厚膜印刷す
ることによって形成する。一方、第５図（ａ）、Φ）に
示すように、本発明の第２の層９は、上記したのと同様
にｚｎＯを主成分とする２０〜５０μｍ厚の膜をドクタ
ーブレード法等により形成し、目的とするバリスタ電圧
に適当な枚数積層した電圧非直線性材料膜１′を作製し
、該電圧非直線性材料１′上の端面で上記層６の電極端
２．３と重ならない位置に電極端７を形成し、かつ該電
極端７から膜１′上に電極面８を、上記電極面４，５と
少なくとも一部重なる様延在させて構成する。ここで電
極面８は、例えばｐｉ（白金）ペーストを厚膜印刷する
ことによって形成する。次に、第６図（ａ）に示すよう
に、第１の層６及び第２の層９を交互に積層する。積層
数は、バリスタとして必要な電流容量あるいは静電容量
の制限等によって適宜窓める。次に、各層の電極端２，
３．７のそれぞれの集合を各々接続するように、外部電
極１０．１１．１２を、例えばＡｇペーストの厚膜印刷
法により形成して本発明の三端子型積層バリスタを得る
。第６図（ｂ）はその外観斜視図である。このようにし
て作製した三端子型積層バリスタを、例えば第３図の回
路上では第６図（ａ） 、 （ｂ）の外部電極１２を中
点２５に接続して共通アースと成し、また外部電極１０
．１１をそれぞれ回路端子２６．２７に接続して使用す
る。このようにして作製した三端子型積層バリスタは、
従来のように２個の積層型バリスタを実装する場合に比
べ実装コストが低減できる効果と共に、同一の電圧非直
性材料膜上に２個のバリスタが形成された構造となって
いるため、両バリスタの性能に差異が生じないという効
果が得られる。
本発明は以上説明したように、電圧非直線性材料膜上に
、互いに対向するように一対の電極を形成した層と電圧
非直線性材料膜上に１つの電極を形成した層とを交互に
積層した構成をとることにより、実装コストの低減およ
び２組で直列に使用されるバリスタ間の性能の均一化を
図り得る効果がある。
、互いに対向するように一対の電極を形成した層と電圧
非直線性材料膜上に１つの電極を形成した層とを交互に
積層した構成をとることにより、実装コストの低減およ
び２組で直列に使用されるバリスタ間の性能の均一化を
図り得る効果がある。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は従来の積層型バリスタの各
層の構成を示す断面図、第２図は従来の積層型バリスタ
を示す断面図、第３図は゛ｉＬ子交゛換様の避雷器を示
す回路図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の実施例
に係名三端子型積層バリスタの第１の層の構成を示す断
面図及び平面図、第５図（ａ） 、 （ｂ）は本発明に
係る積層型バリスタの第２の層の構成を示す断面図及び
平面図、第６図（ａ）、Φ）はそれぞれ本発明の実施例
を示す断面図及び斜視図である。 １．１２・・・電圧非直線性材料膜、 ２．３，７，１３．１６・・・電極端、４．５，８．１
４．１７・・・電極面、６・・・第１の層、９・・・第
２のｊ響、 １５．１８・・・電極が形成された電圧非直性材料層、
１０．１１，１２，１９．２０・・・外部電極、２１・
・・抵抗体、２３・・・放電管、２４．２８・・・バリ
スタ。 代理人 弁理士 染 川 利 吉
層の構成を示す断面図、第２図は従来の積層型バリスタ
を示す断面図、第３図は゛ｉＬ子交゛換様の避雷器を示
す回路図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の実施例
に係名三端子型積層バリスタの第１の層の構成を示す断
面図及び平面図、第５図（ａ） 、 （ｂ）は本発明に
係る積層型バリスタの第２の層の構成を示す断面図及び
平面図、第６図（ａ）、Φ）はそれぞれ本発明の実施例
を示す断面図及び斜視図である。 １．１２・・・電圧非直線性材料膜、 ２．３，７，１３．１６・・・電極端、４．５，８．１
４．１７・・・電極面、６・・・第１の層、９・・・第
２のｊ響、 １５．１８・・・電極が形成された電圧非直性材料層、
１０．１１，１２，１９．２０・・・外部電極、２１・
・・抵抗体、２３・・・放電管、２４．２８・・・バリ
スタ。 代理人 弁理士 染 川 利 吉
Claims (1)
- 電圧非直線性材料膜上に互いに対向するように一対の電
極を形成した第１の層と、電圧非直線性材料膜上に１つ
の電極を形成した第２の層とを交互に積層したことを特
徴とする三端子型積層バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18092682A JPS5969902A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 三端子型積層バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18092682A JPS5969902A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 三端子型積層バリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969902A true JPS5969902A (ja) | 1984-04-20 |
Family
ID=16091691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18092682A Pending JPS5969902A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 三端子型積層バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969902A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6466907A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Murata Manufacturing Co | Voltage-dependent nonlinear resistor |
| JPS6466908A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Murata Manufacturing Co | Voltage-dependent nonlinear resistor |
| JPH04125902A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Nec Corp | 三端子積層チップバリスタ |
| KR100436020B1 (ko) * | 2002-01-11 | 2004-06-12 | (주) 래트론 | 적층형 배리스터 |
| JP2007288140A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-11-01 | Tdk Corp | バリスタ素子 |
| WO2022138515A1 (ja) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 積層バリスタ |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP18092682A patent/JPS5969902A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6466907A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Murata Manufacturing Co | Voltage-dependent nonlinear resistor |
| JPS6466908A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Murata Manufacturing Co | Voltage-dependent nonlinear resistor |
| JPH04125902A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Nec Corp | 三端子積層チップバリスタ |
| KR100436020B1 (ko) * | 2002-01-11 | 2004-06-12 | (주) 래트론 | 적층형 배리스터 |
| JP2007288140A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-11-01 | Tdk Corp | バリスタ素子 |
| WO2022138515A1 (ja) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 積層バリスタ |
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