JPH0845777A - チップ形積層セラミックコンデンサ - Google Patents
チップ形積層セラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JPH0845777A JPH0845777A JP6183341A JP18334194A JPH0845777A JP H0845777 A JPH0845777 A JP H0845777A JP 6183341 A JP6183341 A JP 6183341A JP 18334194 A JP18334194 A JP 18334194A JP H0845777 A JPH0845777 A JP H0845777A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic capacitor
- chip
- monolithic ceramic
- type monolithic
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 過度な機械的ストレスが印加されてクラック
が発生した際、オープン状態となる構造を有するチップ
形積層セラミックコンデンサを提供することを目的とす
る。 【構成】 本発明は、チップ形積層セラミックコンデン
サの積層体１Ａの表面に溝３を設け、かつ相重なる内部
電極層４のそれぞれ遊端がセラミック誘電体１表面に設
けた溝３より端面側に入り込まないようにしたものであ
る。
が発生した際、オープン状態となる構造を有するチップ
形積層セラミックコンデンサを提供することを目的とす
る。 【構成】 本発明は、チップ形積層セラミックコンデン
サの積層体１Ａの表面に溝３を設け、かつ相重なる内部
電極層４のそれぞれ遊端がセラミック誘電体１表面に設
けた溝３より端面側に入り込まないようにしたものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は広く電子機器に用いられ
るチップ形積層セラミックコンデンサに関するものであ
る。
るチップ形積層セラミックコンデンサに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】チップ形積層セラミックコンデンサは図
４，図５に示すように複数のセラミック誘電体層１と複
数の内部電極層４を交互に積層した積層体１Ａと、その
両端に設けた内部電極層４と接続した外部電極２からな
る構造である。
４，図５に示すように複数のセラミック誘電体層１と複
数の内部電極層４を交互に積層した積層体１Ａと、その
両端に設けた内部電極層４と接続した外部電極２からな
る構造である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、チップ形積層セ
ラミックコンデンサは、比体積当たりの静電容量を大き
くすることが要望されている。このためにセラミック誘
電体層１の高誘電率化、セラミック誘電体層１間の薄層
化、内部電極層４の重なり面積の拡大等の技術開発が行
われている。しかし、それに伴って、内部電極層４の重
なり面積を高精度な切断技術をもって拡大し、ギリギリ
のマージンとした設計を行っているため、積層後のセラ
ミック誘電体層１相互の接触面積の減少が生ずる。この
ため、チップ形積層セラミックコンデンサの抗折強度、
耐基板曲げ強度が低下し、回路基板に実装する際あるい
はチップ形積層セラミックコンデンサの周辺に異種電子
部品を実装する際、さらにチップ形積層セラミックコン
デンサの実装済み回路基板を分割する際に生じる機械的
ストレスにより、チップ形積層セラミックコンデンサは
破壊し、内部のセラミック誘電体層１にクラックが発生
する。この場合、チップ形積層セラミックコンデンサは
コンデンサとしての性能を失い、クラックが対向する内
部電極層４間にまたがり、ショート状態となる可能性が
高い。さらには、回路基板の焼損、発火に至る可能性を
有している。本発明はチップ形積層セラミックコンデン
サが破壊してもショート状態に至らず、オープン状態と
なるチップ形積層セラミックコンデンサを提供すること
を目的とするものである。
ラミックコンデンサは、比体積当たりの静電容量を大き
くすることが要望されている。このためにセラミック誘
電体層１の高誘電率化、セラミック誘電体層１間の薄層
化、内部電極層４の重なり面積の拡大等の技術開発が行
われている。しかし、それに伴って、内部電極層４の重
なり面積を高精度な切断技術をもって拡大し、ギリギリ
のマージンとした設計を行っているため、積層後のセラ
ミック誘電体層１相互の接触面積の減少が生ずる。この
ため、チップ形積層セラミックコンデンサの抗折強度、
耐基板曲げ強度が低下し、回路基板に実装する際あるい
はチップ形積層セラミックコンデンサの周辺に異種電子
部品を実装する際、さらにチップ形積層セラミックコン
デンサの実装済み回路基板を分割する際に生じる機械的
ストレスにより、チップ形積層セラミックコンデンサは
破壊し、内部のセラミック誘電体層１にクラックが発生
する。この場合、チップ形積層セラミックコンデンサは
コンデンサとしての性能を失い、クラックが対向する内
部電極層４間にまたがり、ショート状態となる可能性が
高い。さらには、回路基板の焼損、発火に至る可能性を
有している。本発明はチップ形積層セラミックコンデン
サが破壊してもショート状態に至らず、オープン状態と
なるチップ形積層セラミックコンデンサを提供すること
を目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、積層体表面に溝を設け、かつ内部電極層４
のそれぞれ遊端がセラミック誘電体表面に設けた溝より
端面側方向に入り込まない構造とするものである。
に本発明は、積層体表面に溝を設け、かつ内部電極層４
のそれぞれ遊端がセラミック誘電体表面に設けた溝より
端面側方向に入り込まない構造とするものである。
【０００５】
【作用】この構成により、過度な機械的ストレスの印加
によりチップ形積層セラミックコンデンサにクラックが
生じた際、その表面に設けた溝を起点としてクラックが
発生し、さらにクラックの伝搬方向はクラックの発生部
分よりチップ形積層セラミックコンデンサの端面方向に
入り込み、対向する内部電極間にまたがらない構造とす
ることにより、常にオープン状態となる。さらに溝を設
けることにより、外部電極の塗布精度の向上にも効果を
示す。その結果、従来の製品と異なり、チップ形積層セ
ラミックコンデンサの内部にクラックが生じた際、コン
デンサ機能は失うもののオープン状態となり、回路基板
が焼損および発火することがなく、周辺部品に及ぼす影
響を必要最低限におさえることが可能となる。
によりチップ形積層セラミックコンデンサにクラックが
生じた際、その表面に設けた溝を起点としてクラックが
発生し、さらにクラックの伝搬方向はクラックの発生部
分よりチップ形積層セラミックコンデンサの端面方向に
入り込み、対向する内部電極間にまたがらない構造とす
ることにより、常にオープン状態となる。さらに溝を設
けることにより、外部電極の塗布精度の向上にも効果を
示す。その結果、従来の製品と異なり、チップ形積層セ
ラミックコンデンサの内部にクラックが生じた際、コン
デンサ機能は失うもののオープン状態となり、回路基板
が焼損および発火することがなく、周辺部品に及ぼす影
響を必要最低限におさえることが可能となる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例について説明する。
図１は本発明の一実施例におけるチップ形積層セラミッ
クコンデンサの概略図である。図１において１Ａはセラ
ミック誘電体の積層体、２は外部電極層、３は溝を示
す。次に図２は本発明の一実施例におけるチップ形積層
セラミックコンデンサの内部構造を示す断面図である。
図２において１はセラミック誘電体層、２は外部電極、
３は溝、Ｉ−Ｉ線およびII−II線は内部電極層４の遊端
位置の限界線、４は内部電極層を示す。次に図３は本発
明の一実施例におけるチップ形積層セラミックコンデン
サの表面構造を示す平面図を示し、図２に示す溝３より
発生したクラックを誘導するために溝３を曲面状とした
場合の構造を示す。図４は従来のチップ形積層セラミッ
クコンデンサの内部構造を示す断面図を示し、図５はチ
ップ形積層セラミックコンデンサの積層状態を表した分
解斜視図である。
図１は本発明の一実施例におけるチップ形積層セラミッ
クコンデンサの概略図である。図１において１Ａはセラ
ミック誘電体の積層体、２は外部電極層、３は溝を示
す。次に図２は本発明の一実施例におけるチップ形積層
セラミックコンデンサの内部構造を示す断面図である。
図２において１はセラミック誘電体層、２は外部電極、
３は溝、Ｉ−Ｉ線およびII−II線は内部電極層４の遊端
位置の限界線、４は内部電極層を示す。次に図３は本発
明の一実施例におけるチップ形積層セラミックコンデン
サの表面構造を示す平面図を示し、図２に示す溝３より
発生したクラックを誘導するために溝３を曲面状とした
場合の構造を示す。図４は従来のチップ形積層セラミッ
クコンデンサの内部構造を示す断面図を示し、図５はチ
ップ形積層セラミックコンデンサの積層状態を表した分
解斜視図である。
【０００７】さらに詳しく説明すると、図１は本発明に
よるチップ形積層セラミックコンデンサのセラミック誘
電体層１の表面に設ける溝３について説明するための、
概略図であり、外部電極２の末端付近に沿って溝３を設
けた状態を示している。なお、溝３の設定位置は任意で
あるが外部電極２の末端付近が望ましい。外部電極２の
塗布精度の向上にも効果を示す。また、図２は焼結後の
内部構造を示す断面図である。セラミック誘電体層１に
内部電極層４を印刷したものを図５のように複数枚交互
に積層し、さらに焼成して積層体１Ａとする。この積層
体１ＡにＡｇペーストを塗布、焼付けを行い外部電極２
を形成する。また溝３（傷）を結ぶＩ−Ｉ線およびII−
II線は本発明によるチップ形積層セラミックコンデンサ
の内部電極層４の遊端位置の限界線を示し、積層体１Ａ
にクラックが生じた際に対向する内部電極層４間にクラ
ックがまたがらないような設計をするための限界線を示
す。図３は表面に設ける溝３について説明するための、
焼結後の平面図を示し、一実施例としてクラックの伝搬
を誘導する曲線状の誘導用の溝３を設けることによっ
て、クラックが対向する内部電極層４間にまたがらない
ようにしている。
よるチップ形積層セラミックコンデンサのセラミック誘
電体層１の表面に設ける溝３について説明するための、
概略図であり、外部電極２の末端付近に沿って溝３を設
けた状態を示している。なお、溝３の設定位置は任意で
あるが外部電極２の末端付近が望ましい。外部電極２の
塗布精度の向上にも効果を示す。また、図２は焼結後の
内部構造を示す断面図である。セラミック誘電体層１に
内部電極層４を印刷したものを図５のように複数枚交互
に積層し、さらに焼成して積層体１Ａとする。この積層
体１ＡにＡｇペーストを塗布、焼付けを行い外部電極２
を形成する。また溝３（傷）を結ぶＩ−Ｉ線およびII−
II線は本発明によるチップ形積層セラミックコンデンサ
の内部電極層４の遊端位置の限界線を示し、積層体１Ａ
にクラックが生じた際に対向する内部電極層４間にクラ
ックがまたがらないような設計をするための限界線を示
す。図３は表面に設ける溝３について説明するための、
焼結後の平面図を示し、一実施例としてクラックの伝搬
を誘導する曲線状の誘導用の溝３を設けることによっ
て、クラックが対向する内部電極層４間にまたがらない
ようにしている。
【０００８】なお、図２，図３に示すように、溝３はチ
ップ形コンデンサ内部に向かって幅が狭くなるようにＶ
字形にすることが望ましい。また、図３に示すように、
外部電極側に弓形に形成したが、クラックが生じたと
き、内部電極層４間にクラックが入り込まないような形
状にすればよい。
ップ形コンデンサ内部に向かって幅が狭くなるようにＶ
字形にすることが望ましい。また、図３に示すように、
外部電極側に弓形に形成したが、クラックが生じたと
き、内部電極層４間にクラックが入り込まないような形
状にすればよい。
【０００９】
【発明の効果】以上のように本発明は機械的ストレスが
チップ形積層セラミックコンデンサに加わると表面に設
けた溝を起点としてクラックが発生する。クラックの伝
搬方向はクラックの発生部分より端面方向に入り込み、
対向する内部電極層間の遊端がセラミック誘電体表面に
設けた溝より端面側に入り込まない構造としているの
で、常にオープン状態となる。その結果、従来の製品と
異なり、チップ形積層セラミックコンデンサの内部にク
ラックが生じた際、コンデンサ機能は失うもののオープ
ン状態となり、回路基板が焼損あるいは発火するのを防
ぐと共に周辺部品に及ぼす影響を必要最低限におさえる
ことが可能となり、産業機器や電装機器対応部品として
使用に大きな効果が得られるものである。
チップ形積層セラミックコンデンサに加わると表面に設
けた溝を起点としてクラックが発生する。クラックの伝
搬方向はクラックの発生部分より端面方向に入り込み、
対向する内部電極層間の遊端がセラミック誘電体表面に
設けた溝より端面側に入り込まない構造としているの
で、常にオープン状態となる。その結果、従来の製品と
異なり、チップ形積層セラミックコンデンサの内部にク
ラックが生じた際、コンデンサ機能は失うもののオープ
ン状態となり、回路基板が焼損あるいは発火するのを防
ぐと共に周辺部品に及ぼす影響を必要最低限におさえる
ことが可能となり、産業機器や電装機器対応部品として
使用に大きな効果が得られるものである。
【図１】本発明の一実施例におけるチップ形積層セラミ
ックコンデンサの斜視図
ックコンデンサの斜視図
【図２】本発明の一実施例におけるチップ形積層セラミ
ックコンデンサの断面図
ックコンデンサの断面図
【図３】本発明の他の実施例におけるチップ形積層セラ
ミックコンデンサの平面図
ミックコンデンサの平面図
【図４】従来のチップ形積層セラミックコンデンサの断
面図
面図
【図５】チップ形積層セラミックコンデンサの内部構造
を説明するための、分解斜視図
を説明するための、分解斜視図
１ セラミック誘電体層 １Ａ 積層体 ２ 外部電極 ３ 溝 ４ 内部電極層
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミック誘電体層と導電性内部電極層
とを、前記導電性内部電極層が相対向する端面に導出す
るように、交互に積層した積層体と、前記積層体の前記
端面に設けた外部電極とを備え、前記積層体の表面に
は、前記導電性内部電極層の遊端よりも外側に溝を設け
たチップ形積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6183341A JPH0845777A (ja) | 1994-08-04 | 1994-08-04 | チップ形積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6183341A JPH0845777A (ja) | 1994-08-04 | 1994-08-04 | チップ形積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845777A true JPH0845777A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16134034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6183341A Pending JPH0845777A (ja) | 1994-08-04 | 1994-08-04 | チップ形積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845777A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101141402B1 (ko) * | 2011-03-09 | 2012-05-03 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
| JP2012191163A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| US20140211368A1 (en) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer capacitor, taping multilayer capacitor series, and mounting structure of multilayer capacitor |
| JP2017175011A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Tdk株式会社 | Ｎｔｃサーミスタ素子 |
-
1994
- 1994-08-04 JP JP6183341A patent/JPH0845777A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101141402B1 (ko) * | 2011-03-09 | 2012-05-03 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
| US20120229952A1 (en) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing the same |
| JP2012191163A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| US8824119B2 (en) | 2011-03-09 | 2014-09-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor having increased overlapping area between inner electrodes and method of manufacturing same |
| US9196422B2 (en) * | 2011-03-09 | 2015-11-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor having high capacity and method of manufacturing the same |
| US9779873B2 (en) | 2011-03-09 | 2017-10-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing multilayer ceramic capacitor having groove portion on top and/or bottom surface |
| US10431379B2 (en) | 2011-03-09 | 2019-10-01 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor |
| US10629376B2 (en) | 2011-03-09 | 2020-04-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor having side members |
| US20140211368A1 (en) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer capacitor, taping multilayer capacitor series, and mounting structure of multilayer capacitor |
| CN103971931A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-06 | 株式会社村田制作所 | 层叠电容器、带载式层叠电容器串及层叠电容器的安装构造 |
| US9490071B2 (en) * | 2013-01-25 | 2016-11-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer capacitor, taping multilayer capacitor series, and mounting structure of multilayer capacitor |
| JP2017175011A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Tdk株式会社 | Ｎｔｃサーミスタ素子 |
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