JPH0969418A

JPH0969418A - 複合電子部品とその調整方法

Info

Publication number: JPH0969418A
Application number: JP7246810A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Oyama; 和彦大山; Junichi Fukuyama; 淳一福山; Shinichi Harada; 慎一原田
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1995-08-31
Filing date: 1995-08-31
Publication date: 1997-03-11

Abstract

(57)【要約】【課題】製造後の抵抗値の調整を可能とすると同時
に、特定の領域のみで温度−抵抗値特性を得ることがで
きるようにする。【解決手段】複合電子部品は、抵抗値が温度に依存す
るサーミスター層４、４…の積層体からなるサーミスタ
ー素体１と、このサーミスター素体１の各々のサーミス
ター層４、４…の層間に形成され、対向した複数対の内
部電極５、６と、サーミスター素体１の表面に形成さ
れ、前記内部電極５、６に各々接続された外部電極２、
３とを有する。そして、前記外部電極２、３の間に、前
記サーミスター層４、４…より抵抗値の温度に対する依
存性が低い抵抗体９を接続している。この抵抗体９は、
サーミスター素体１の表面に形成された膜状抵抗体から
なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は温度により抵抗値が
変化し、電子機器の温度補償、電流制御、温度検出等に
使用されるサーミスターと抵抗体とを組み合わせた複合
部品とその特性を調整する方法に関し、特にサーミスタ
ー層の積層体により作られる複合電子部品とその調整方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のサーミスターは、抵抗体、コン
デンサー、インダクター等と同様にしてチップ化が進ん
でいる。その多くは積層セラミックコンデンサーと同様
に、内部電極を有するセラミック層を複数積層して角柱
或は角板状のチップ状のセラミック素体を構成し、その
両端面に接続用の端子、いわゆる外部電極を設け、これ
ら外部電極を各々の内部電極に接続したものである。

【０００３】このようなサーミスターは、例えば移動通
信器等で使用される水晶発振器の温度補償回路に使用さ
れ、コンデンサーや抵抗体等の回路要素と共に温度補償
形水晶発振器（ＴＣＸＯ）に組み込まれる。この場合、
個々の水晶発振器はその温度に対する周波数特性が異な
るので、個々の水晶発振器の温度特性にマッチングした
温度特性を有するサーミスターを組み込む必要がある。
そして、実際に組み込んだサーミスターの温度特性が水
晶発振器の温度特性にマッチングしない場合、別の温度
特性を有するサーミスターと交換する必要がある。しか
し、サーミスターを交換するには手数がかかり、しかも
それだけ多くのサーミスターを用意しなければならない
という問題がある。そこで、温度−抵抗値特性を調整す
ることができるサーミスターが要望されている。

【０００４】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、従
来のサーミスターでは、その抵抗値の調整は困難であっ
た。その理由は次の通りである。すなわち、抵抗体等に
おける抵抗値の調整は、抵抗体膜をレーザービームでカ
ットしてトリミングすることにより行われているが、レ
ーザートリミングに際しては素体に熱が発生する。とこ
ろが、サーミスターは、もともと抵抗値の温度特性が大
きい素子であるため、レーザートリミングした場合、抵
抗値が大きく変動し、抵抗値を測定しながらレーザート
リミングすることは不可能である。

【０００５】また、従来のサーミスターは、所定の温度
範囲の全ての領域において温度−抵抗値特性を示すもの
であり、抵抗値が温度に依存しない領域は無い。このた
め、或る特定の領域のみで温度−抵抗値特性を得るため
には、抵抗値が温度に依存しない抵抗体をサーミスター
と並列に接続する等の手段で対応しなければならない。
本発明は、従来のサーミスターにおける前記のような課
題に鑑み、製造後の抵抗値の調整を可能とすると同時
に、特定の領域のみで温度−抵抗値特性を得ることがで
きる複合部品とその抵抗値の調整方法を提供することを
可能とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明による複合電子部
品は、抵抗値が温度に依存するサーミスター層４、４…
の積層体からなるサーミスター素体１と、このサーミス
ター素体１の各々のサーミスター層４、４…の層間に形
成され、対向した複数対の内部電極５、６と、サーミス
ター素体１の表面に形成され、前記内部電極５、６に各
々接続された外部電極２、３とを有する。そして、前記
外部電極２、３の間に、前記サーミスター層４、４…よ
り抵抗値の温度に対する依存性が低い抵抗体９を接続し
ている。この抵抗体９は、サーミスター素体１の表面に
形成された膜状抵抗体からなる。

【０００７】このような複合電子部品の外部電極２、３
の間には、サーミスタ層４、４…を介してそれら内部電
極５、６の間に形成されるサーミスター抵抗による抵抗
値と抵抗体９の抵抗値とのうち、何れか低い方の抵抗値
があわれる。例えば、使用温度範囲の全体で前記抵抗体
９の抵抗値よりサーミスター抵抗が低い場合、外部電極
２、３の間にはサーミスター抵抗により抵抗値があらわ
れる。その結果、外部電極２、３の間にあらわれる抵抗
値は、使用温度範囲の全体で温度に依存する。すなわ
ち、サーミスター素体１の温度−抵抗値特性により、使
用温度範囲の全体で外部電極２、３に抵抗値の正または
負の温度特性があらわれる。

【０００８】他方、使用温度範囲の全体で前記抵抗体９
の抵抗値がサーミスター抵抗より低い場合、外部電極
２、３の間には抵抗体９の抵抗値があらわれる。従っ
て、その抵抗値は、使用温度範囲の全体で温度に依存せ
ず、ほぼ一定である。また、全使用温度範囲の中で、或
る温度を境とする高い温度領域または低い温度領域にお
いて前記抵抗体９の抵抗値よりサーミスター抵抗による
抵抗値が低くなる場合、全使用温度範囲の中に抵抗体９
の抵抗値があらわれる領域とサーミスター抵抗による抵
抗値があらわれる領域とが混在する。その結果、外部電
極２、３の間にあらわれる抵抗値は、その或る温度領域
で温度に依存し、その他の温度領域では抵抗値が温度に
依存しない。

【０００９】このような複合電子部品のサーミスター素
体１の表面に形成された膜状抵抗体からなる抵抗体９を
トリミングし、その抵抗値を高くすると、抵抗値が温度
に依存しない抵抗体９の抵抗値のみが増大する結果、前
記のような温度の下限値や上限値、さらには全体の抵抗
値を変えることができる。本発明による他の複合電子部
品としては、前記のような複合電子部品において、一端
側が抵抗体９に接続され、他端側が一方の外部電極２ま
たは３に接続された中間導体１１を有するものである。
この中間導体１１は外部電極２または３及び抵抗体９に
一部を重ねて形成された膜状導体により形成され、その
抵抗体９に接する一端側は複数の個所で接触するのが一
般的である。

【００１０】この複合電子部品も基本的には前述のよう
な特性を有するが、この複合電子部品では抵抗体９をト
リミングすることなく、中間導体１１をトリミングする
ことにより外部電極２、３にあらわれる抵抗体９の実質
的な抵抗値を調整することができる。すなわち、サーミ
スター素体１の表面に形成された膜状導体からなる中間
導体１１は、抵抗体９の一部を短絡しているが、これを
任意の位置で切断し、その短絡部分を切断することによ
り、外部電極２、３間にあらわれる抵抗体９の抵抗値を
増加させる。この場合、中間導体１１の抵抗体９に接す
る一端側を複数の個所で接触させておくと、外部電極
２、３間にあらわれる抵抗体９の抵抗値を段階的に調整
することができる。従って、トリミングによりサーミス
ター素体１が加熱されても、中間導体１１をどこで切断
するかによって最終的に調整される抵抗値がある程度予
測できる。これにより、予め得られた複合電子部品の抵
抗値を測定してそのランク付けを行い、このランクに従
い中間導体１１をどこで切断するか決定し、切断するこ
とにより、所望の抵抗値及び所望の温度の閾値を有する
複合電子部品が得られる。

【００１１】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について具体的且つ詳細に説明する。図
３に本発明による複合電子部品のサーミスター素体１の
層構造の例を示す。サーミスター素体１を構成するサー
ミスター層４、７、８は、抵抗値に正または負の温度特
性を有するサーミスターからなり、図示の場合は矩形状
の層からなっている。このサーミスター層４、７、８の
うち、中間のサーミスター層４、４…の表面に２種類の
内部電極５、６が各々形成されている。このうち内部電
極５、５…はサーミスター層４、４…の図３において左
奥側の辺に達するように形成されている。また、他方の
サーミスター層４、４…に形成された内部電極６、６…
は、サーミスター層４、４…の図３において右手前側の
辺に達するよう形成されている。

【００１２】このような内部電極５、６が形成されたサ
ーミスター層４、４…は、必要な組数だけ交互に積層
し、さらにその両側に内部電極５、６が形成されていな
いサーミスター層７、８が適当な数だけ積層され、この
積層体によりサーミスター素体１が構成される。このサ
ーミスター素体１では、その内部で積層されたサーミス
ター層４、４…を介して一対の内部電極５、６が交互に
対向している。そして、これら内部電極５、６の引出電
極１５、１６が、サーミスター素体１の左奥側の辺と右
手前側の辺とに各々露出している。

【００１３】図１に示すように、このようなサーミスタ
ー素体１の表面、例えば図示の例では、サーミスター素
体１の上面に酸化ルテニウム等抵抗体材料からなる膜状
の抵抗体９が形成される。さらに、このサーミスター素
体１の両端面を含む端部に各々外部電極２、３が形成さ
れ、この外部電極２、３は前記抵抗体９の両端に重なり
あって接続されている。これにより、外部電極２、３が
サーミスター素体１内で対向している２組の内部電極
５、６に各々接続されると共に、抵抗体９の両端に接続
されている。

【００１４】このような複合電子部品は、前述のように
個々に積層されて製造される訳ではなく、実際は積層セ
ラミックコンデンサーと同様にして、セラミックグリー
ンシートの形成、その表面への内部電極パターンの印
刷、セラミックグリーンシートの積層、その積層体の裁
断、積層体の焼成、焼成済みの積層体への外部電極の形
成という工程を経て、多数のものが同時に製造される。
すなわち、まず酸化マンガン、酸化コバルトを主成分と
し、酸化銅等の焼結助剤や酸化アルミニウム等の原子価
制御剤等を含むサーミスターセラミック粉末を溶剤で溶
解された樹脂バインダーに一様に分散したセラミックス
ラリーを作る。このセラミックスラリーをドクターブレ
ード法等でポリエチレンテレフタレートフィルム等のベ
ースフィルム上に薄く塗布し、乾燥してセラミックグリ
ーンシートを作る。

【００１５】次に、このセラミックグリーンシート上に
Ｐｄペースト等の導電ペーストを使用してサーミスター
素体複数個分の内部電極パターンを印刷する。そして、
前記図３で示すような積層体が得られるよう、ベースフ
ィルムから剥離されたセラミックグリーンシートを順次
積層し、サーミスター素体を複数個分含む未焼成のセラ
ミック積層体を得る。その後、この積層体を裁断し、焼
成することにより、個々に分離された積層体からなるサ
ーミスター素体１を得る。このサーミスター素体１の表
面に、酸化ルテニウム等を含む抵抗体ペーストを塗布
し、これを焼き付け、図１で示された抵抗体９を形成す
る。さらに、図１に示された外部電極２、３の形状に従
って導電ペーストを塗布し、これを焼き付けることによ
り、外部電極２、３を形成する。これにより、図１に示
すような複合電子部品が完成する。

【００１６】このような複合電子部品において、使用温
度範囲の全体で前記抵抗体９の抵抗値よりサーミスター
抵抗により抵抗値が低い場合、外部電極２、３の間には
サーミスター抵抗による抵抗値があらわれ、その抵抗値
は使用温度範囲の全体で温度に依存することになる。例
えば、図４（ａ）はサーミスター素体１の抵抗値が負の
温度特性を有する場合で、図５（ａ）はサーミスター素
体１の抵抗値が正の温度特性を有する場合である。何れ
の場合も、外部電極２、３の間にあらわれる抵抗値は、
使用温度範囲の全体で温度に依存する。

【００１７】他方、使用温度範囲の全体で前記抵抗体９
の抵抗値がサーミスター抵抗より低い場合、外部電極
２、３の間には抵抗体９の抵抗値があらわれ、その抵抗
値は使用温度範囲の全体で温度に依存しない。例えば、
図４（ｂ）に実線で示すように、外部電極２、３の間に
あらわれる抵抗値は、使用温度範囲の全体で温度に依存
せず、ほぼ一定である。例えば、サーミスター素体１が
負の温度特性を有し、且つ使用温度範囲の中で、或る温
度を境とする高い温度領域において前記抵抗体９の抵抗
値よりサーミスター抵抗による抵抗値が低くなる場合
は、例えば図４（ｃ）に実線で示すようになる。すなわ
ち、外部電極２、３の間にあらわれる抵抗値は、その温
度領域でのみ温度に依存し、それ以下の温度領域では抵
抗値が温度に依存しない。

【００１８】また例えば、サーミスター素体１が正の温
度特性を有し、且つ使用温度範囲の中で、或る温度を境
とする高い温度領域で前記抵抗体９の抵抗値がサーミス
ター抵抗より低くなる場合は、例えば図５（ｂ）に実線
で示すようになる。すなわち、外部電極２、３の間にあ
らわれる抵抗値は、それ以下の温度領域でのみ温度に依
存し、それ以上の温度領域では抵抗値が温度に依存しな
い。

【００１９】このような複合電子部品のサーミスター素
体１の表面に形成された膜状抵抗体からなる抵抗体９
を、図２に示すようにトリミングし、その抵抗値を高く
すると、前記のように抵抗値が温度に依存する境界値や
全体の抵抗値を変えることができる。図２において、符
号１０はトリミング溝を示す。このようにして抵抗値が
温度に依存しない抵抗体９にトリミング溝１０を入れる
ことにより、その抵抗体９の抵抗値のみが変わる結果、
例えば、図４（ｂ）、図４（ｃ）及び図５（ｂ）に実線
で示したような特性から破線で示したような特性に変わ
る。

【００２０】次に図６で示す複合電子部品について説明
すると、この複合電子部品は、前記のような複合電子部
品の抵抗体９と共に、櫛刃状の中間導体１１を設けてい
る。この中間導体１１は、複数に分かれた先端側が抵抗
体９に重ね合わせて接続され、他端側が一方の外部電極
２に接続されている。すなわち、中間導体１１の先端側
は抵抗体９を横切るように所定の間隔で抵抗体９の下に
重ねられ、接続されている。また、この中間導体１１の
基端となる他端は、外部電極２の下に重ねて形成され、
接続されている。従って、抵抗体９の外部電極２側の一
部がこの中間導体１１によって短絡されていることにな
る。

【００２１】この複合電子部品も基本的には前述の図４
及び図５に示すような特性を有する。この複合電子部品
では、抵抗体９をトリミングすることもできるが、中間
導体１１を任意の位置でトリミングすることにより外部
電極２、３にあらわれる抵抗体９の実質的な抵抗値を調
整することもできる。すなわち、サーミスター素体１の
表面に形成された膜状導体からなる中間導体１１を図５
に二点鎖線で示す何れかの位置で切断することにより、
抵抗体９の短絡されている部分の一部または全体を切断
する。これにより、外部電極２、３間にあらわれる抵抗
体９の抵抗値を段階的に増大させることができる。従っ
て、トリミングによりサーミスター素体１が加熱されて
も、中間導体１１をどこで切断するかによって最終的に
調整される抵抗値がある程度予測できる。例えば、予め
得られた複合電子部品の抵抗値を測定してそのランク付
けを行う。そして、このランクに従い中間導体１１をど
こで切断するか決定し、切断する。これにより、或る程
度正確に抵抗体９の実質的な抵抗値を増大させて調整
し、所望の抵抗値及び所望の温度の閾値を有する複合電
子部品を得ることができる。

【００２２】前記の実施例では、サーミスター層４、４
…を介して２種類の内部電極５、６が対向している積層
体からなるサーミスター素体１を用い、その端部に外部
電極２、３を形成しているが、サーミスターの構造はこ
れに限るものではない。例えば、内部電極５、６が同じ
サーミスター層４、４…の層間で間隙をおいて突合せ状
態で対向しているものや、外部電極２、３がサーミスタ
ー素体１の端部ではなく、側面に形成されたもの等を使
用することもできる。

【００２３】

【発明の効果】以上に説明した通り、本発明によれば、
複合電子部品と抵抗体とを組み合わせたことにより、全
使用温度範囲で温度−抵抗値特性を有する複合電子部
品、全使用温度範囲で温度−抵抗値特性を有しない複合
電子部品、さらには特定の領域のみで温度−抵抗値特性
を有する複合電子部品等、様々な特性有するものが得ら
れる。さらに、これらの特性は、製造後の抵抗体のトリ
ミング調整により変えることができる。これにより、任
意の特性の複合部品が容易に得られることになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による複合部品の例を一部切断して示す
斜視図である。

【図２】同複合部品の抵抗体をトリミングした状態の斜
視図である。

【図３】同複合部品のサーミスター素体の層構造を示す
分解斜視図である。

【図４】同複合部品の温度−抵抗値特性の例を示すグラ
フである。

【図５】同複合部品の温度−抵抗値特性の例を示すグラ
フである。

【図６】本発明による複合部品の他の例を一部切断して
示す斜視図である。

【符号の説明】

１サーミスター素体２外部電極３外部電極４サーミスター層５内部電極６内部電極９抵抗体１０抵抗体のトリミング溝１１中間導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｃ 17/24 Ｈ０１Ｃ 17/24 Ｃ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】抵抗値が温度に依存するサーミスター層
（４）、（４）…の積層体からなるサーミスター素体
（１）と、このサーミスター素体（１）の各々のサーミ
スター層（４）、（４）…の層間に形成され、対向した
複数対の内部電極（５）、（６）と、サーミスター素体
（１）の表面に形成され、前記内部電極（５）、（６）
に各々接続された外部電極（２）、（３）と、前記外部
電極（２）、（３）の間に接続され、前記サーミスター
層（４）、（４）…より抵抗値の温度に対する依存性が
低い抵抗体（９）とを有することを特徴とする複合電子
部品。
【請求項２】抵抗体（９）がサーミスター素体（１）
の表面に形成されていることを特徴とする請求項１に記
載の複合電子部品。
【請求項３】一端側が抵抗体（９）に接続され、他端
側が一方の外部電極（２）または（３）に接続された中
間導体（１１）を有することを特徴とする請求項２に記
載の複合電子部品。
【請求項４】抵抗体（９）が膜状抵抗体であることを
特徴とする請求項２または３に記載の複合電子部品。
【請求項５】中間導体（１１）が膜状導体であること
を特徴とする請求項３に記載の複合電子部品。
【請求項６】中間導体（１１）の一端側が抵抗体
（９）に複数の個所で接触していることを特徴とする請
求項５に記載の複合電子部品。
【請求項７】前記請求項４に記載の複合電子部品を使
用し、そのサーミスター素体（１）の表面に形成された
膜状抵抗体からなる抵抗体（９）をトリミングしてその
抵抗値を調整することを特徴とする複合電子部品の調整
方法。
【請求項８】前記請求項５または６に記載の複合電子
部品を使用し、そのサーミスター素体（１）の表面に形
成された膜状導体からなる中間導体（１１）を任意の位
置で切断し、外部電極（２）、（３）間にあらわれる抵
抗体（９）の抵抗値を調整することを特徴とする複合電
子部品の調整方法。