JPH08339905A - サーミスターとその調整方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 製造後にサーミスターの抵抗値を容易且つ正
確に調整可能とする。 【構成】 サーミスターは、温度により抵抗値が変化す
るサーミスター層１１、１１…の積層体からなるサーミ
スター素体２１と、このサーミスター素体２１の各々の
サーミスター層１１、１１…の層間に形成され、対向し
た複数対の内部電極１３、１４を有する。サーミスター
素体２１の表面には、前記内部電極１３、１４に各々導
通した引出電極１５、１６が露出して配列され、これら
各々の引出電極１５、１６は、サーミスター素体２１の
表面に形成された導体膜からなる接続電極２７、２８に
より互いに導通しており、この接続電極２７、２８は、
サーミスター素体２１の端面に形成された端子電極２
３、２５に各々導通している。この端子電極２３、２５
の間にあらわれる抵抗値は、前記接続電極２７、２８を
任意の位置で切断し、同接続電極２７、２８を通して端
子電極２３、２５に導通していた引出電極１５、１６を
切り離すことで増加し、その調整が可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は温度により抵抗値が変化
し、電子機器の温度補償、電流制御、温度検出等に使用
されるサーミスターとその抵抗を調整する方法に関し、
特にサーミスター層の積層体により作られるサーミスタ
ーとその調整方法に関する。

【０００２】この種のサーミスターは、抵抗器、コンデ
ンサー、インダクター等と同様にしてチップ化が進んで
おり、その多くは積層セラミックコンデンサーと同様
に、角柱或は角板状のチップ状のセラミック素体の両端
面に接続用の端子、いわゆる外部電極を設けたものであ
る。図７は特に、セラミックの積層体からなるサーミス
ター素体１を有するサーミスターを示している。すなわ
ち、サーミスター素体１を構成するサーミスター層４の
層間に２組の内部電極５、６が形成され、これら内部電
極５、６がサーミスター層４を介して対向している。各
組の内部電極５、６は、各々サーミスター素体１の対向
する端面側に導出され、サーミスター素体１の各々の端
部に形成された端子電極２、３に導通している。このよ
うなサーミスターにおいて、その抵抗値はセラミック素
体１に固有の抵抗率と、その内部において対向した内部
電極５、６の間の距離と面積により決定される。

【０００３】このようなサーミスターは、例えば移動通
信器等で使用される水晶発振器の温度補償回路に使用さ
れ、コンデンサーや抵抗等の回路要素と共に温度補償形
水晶発振器（ＴＣＸＯ）に組み込まれる。この場合、個
々の水晶発振器はその温度に対する周波数特性が異なる
ので、個々の水晶発振器の温度特性にマッチングした温
度特性を有するサーミスターを組み込む必要がある。そ
して、実際に組み込んだサーミスターの温度特性が水晶
発振器の温度特性にマッチングしない場合、別の温度特
性を有するサーミスターと交換する必要がある。しか
し、サーミスターを交換するには手数がかかり、しかも
それだけ多くのサーミスターを用意しなければならない
という問題がある。そこで、温度−抵抗値特性を調整す
ることができるサーミスターが要望されている。

【０００４】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、従
来のサーミスターでは、その抵抗値の調整は困難であっ
た。その理由は次の通りである。すなわち、抵抗器等に
おける抵抗値の調整は、抵抗膜をレーザービームでカッ
トしてトリミングすることにより行われているが、レー
ザートリミングに際しては素体に熱が発生する。ところ
が、サーミスターは、もともと抵抗値の温度特性が大き
い素子であるため、レーザートリミングした場合、抵抗
値が大きく変動し、抵抗値を測定しながらレーザートリ
ミングすることは不可能である。本発明は、従来のサー
ミスターにおける前記のような課題に鑑み、製造後の抵
抗値の調整が可能なサーミスターとその抵抗値の調整方
法を提供することを可能とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明では、その内部で対向する複数対の内部電極
１３、１４に各々導通した引出電極１５、１６を、サー
ミスター素体２１の表面に露出して配列し、この配列さ
れた各組の引出電極１５、１６をサーミスター素体２１
の表面に形成された導体膜からなる接続電極２７、２８
で互いに導通した。そして、この接続電極２７、２８を
任意の位置で切断することで、同接続電極２７、２８を
介して端子電極２３、２５と導通していた引出電極１
５、１６を切り離し、端子電極２３、２５の間に表れる
抵抗値を増加させることができるようにした。

【０００６】すなわち、本発明によるサーミスターは、
温度により抵抗値が変化するサーミスター層１１、１１
…の積層体からなるサーミスター素体２１と、このサー
ミスター素体２１の各々のサーミスター層１１、１１…
の層間に形成され、対向した複数対の内部電極１３、１
４と、この内部電極１３、１４に各々導通し、サーミス
ター素体２１の表面に露出して配列された引出電極１
５、１６と、各組の内部電極１３、１４に各々導通する
引出電極１５、１６を互いに導通するようサーミスター
素体２１の表面に形成された導体膜からなる接続電極２
７、２８と、この接続電極２７、２８に導通してサーミ
スター素体２１の表面に形成された端子電極２３、２５
とを有することを特徴とする。

【０００７】ここで、サーミスター層１１、１１…の層
間に形成された内部電極１３、１４は、サーミスター層
１１、１１…の厚み方向に対向していても、またサーミ
スター層１１、１１…の平面方向に対向していてもよ
い。さらに、このような引出電極１５、１６を有する内
部電極１３、１４が形成されたサーミスター層１１、１
１…の間に、引出電極１５、１６を有しておらず、且つ
双方の内部電極１３、１４が形成された領域と対向する
領域にわたって中間内部電極１９、１９…が形成された
サーミスター層１１、１１…を挿入してもよい。

【０００８】引出電極１５、１６は、サーミスター素体
２１の同じ表面に露出して配列されているのがよいが、
同じ内部電極１３、１４に導通する引出電極１５、１６
がサーミスター素体２１の異なる複数の面に導出されて
いる場合もある。また、引出電極１５、１６は、それら
の一部のみが接続電極２７、２８に覆われ、他の部分は
サーミスター素体２１の表面に露出しているのがよい。
この引出電極１５、１６に各々導通する端子電極２３、
２５は、一般にはサーミスター素体２１の両端に形成さ
れている。さらに、本発明において、前記のサーミスタ
ーの端子電極２３、２５の間にあらわれる抵抗値の調整
は、前記接続電極２７、２８を任意の位置で切断し、同
接続電極２７、２８を通して端子電極２３、２５に導通
していた引出電極１５、１６を切り離し、端子電極２
３、２５の間に表れる抵抗値を増加させることで行う。

【０００９】

【作用】前記本発明によるサーミスターでは、サーミス
ター素体２１の内部で対向する複数対の内部電極１３、
１４に各々導通した引出電極１５、１６を、サーミスタ
ー素体２１の表面に露出して配列し、この配列された各
組の引出電極１５、１６をサーミスター素体２１の表面
に形成された導体膜からなる接続電極２７、２８で互い
に導通しているので、この導体膜からなる接続電極２
７、２８を切断することで、同接続電極２７、２８を通
して端子電極２３、２５に導通していた引出電極１５、
１６を切り離すことができる。そうすると、接続電極２
７、２８を通して端子電極２３、２５に接続された内部
電極１３、１４の数が少なくなり、サーミスター素体２
１の内部で対向する内部電極１３、１４の数が実質的に
減少し、端子電極２３、２５の間に表れる抵抗値が増加
する。そして、抵抗値は切り離す内部電極１３、１４の
数により段階的に増加するので、レーザートリミングに
よりサーミスター素体２１が加熱されることでその抵抗
値が変動しても、常温に戻ったときの抵抗値を容易に予
測することが可能である。このため、或る程度正確に抵
抗値の調整が可能となる。

【００１０】このサーミスターにおいて、端子電極２
３、２５の間で得ようとする抵抗値の大小により、内部
電極１３、１４は、サーミスター層１１、１１…をサー
ミスター層１１、１１…の方向に対向させるか、サーミ
スター層１１、１１…の平面方向に対向させるかを決定
する。後者の場合は、同一のサーミスター層１１、１１
…上に対向する内部電極１３、１４を印刷して形成する
ので、抵抗値のばらつきが少なく、正確な抵抗値の調整
が可能である。さらに、このような引出電極１５、１６
を有する内部電極１３、１４が形成されたサーミスター
層１１、１１…の間に、前述のような中間内部電極１
９、１９…が形成されたサーミスター層１１、１１…を
挿入することにより、端子電極２３、２５に表れる抵抗
値を小さくすることができる。

【００１１】引出電極１５、１６がサーミスター素体２
１の同じ表面に露出して配列されていると、接続電極２
７、２８のトリミングがサーミスター素体２１の同じ面
で行えるので、調整が容易である。また、引出電極１
５、１６の一部のみが接続電極２７、２８に覆われ、他
の部分はサーミスター素体２１の表面に露出している
と、その露出した引出電極１５、１６を目安に接続電極
２７、２８をカットできるので、やはり調整が容易に行
える。さらに、同じ内部電極１３、１４に導通する引出
電極１５、１６がサーミスター素体２１の異なる複数の
面に導出されていると、接続電極２７、２８をサーミス
ター素体２１の任意の面に設けることができる。この引
出電極１５、１６に各々導通する端子電極２３、２５を
サーミスター素体２１の両端に形成すると、サーミスタ
ーを積層セラミックコンデンサー等の他のチップ状回路
部品と同様にして回路基板上に搭載し、接続することが
できる。

【００１２】

【実施例】次に、図面を参照しながら、本発明の実施例
について具体的且つ詳細に説明する。図１（ａ）に本発
明の実施例によるサーミスターのサーミスター素体２１
の層構造を示す。サーミスター素体２１を構成するサー
ミスター層１１、１７、１８は、抵抗値に正または負の
温度特性を有するサーミスターからなり、図示の場合は
矩形状の層からなっている。このサーミスター層１１、
１７、１８のうち、中間のサーミスター層１１、１１…
の表面に２種類の内部電極１３、１４が各々形成されて
いる。このうち内部電極１３、１３…は、サーミスター
層１１、１１…の図において手前側の辺の一方側に寄っ
て引出電極１５、１５…が形成されている。また、他方
のサーミスター層１１、１１…に形成された内部電極１
４、１４…は、サーミスター層１１、１１…の図におい
て手前側の辺の他方側に寄って引出電極１６、１６…が
形成されている。

【００１３】このような内部電極１３、１４が形成され
たサーミスター層１１、１１…は、必要な組数だけ交互
に積層し、さらにその両側に内部電極１３、１４が形成
されていないサーミスター層１７、１８が適当な数だけ
積層され、この積層体により図１（ｂ）で示すようなサ
ーミスター素体２１が構成されている。このサーミスタ
ー素体２１では、その内部で積層されたサーミスター層
１１、１１…を介して一対の内部電極１３、１４が交互
に対向している。そして、これら内部電極１３、１４の
引出電極１５、１６が、サーミスター素体２１の同じ側
面に二列に並んでその積層方向に配列されている。

【００１４】図１（ｃ）に完成したサーミスターの外観
を示すが、この図に示すように、積層体からなるサーミ
スター素体２１の側面と端面に各々接続電極２７、２８
と端子電極２３、２５が形成されている。接続電極２
７、２８は、前記の引出電極１５、１６が導出された側
の側面に、これら引出電極１５、１６の外側のみを各々
覆うように形成された帯状の導体膜により形成されてい
る。この接続電極２７、２８により、サーミスター素体
２１の側面に二列に配列された前記引出電極１５、１６
が各々互いに接続されている。接続電極２７、２８によ
り覆われてない引出電極１５、１６の内側部分は、サー
ミスター素体２１の側面に露出している。さらに、これ
ら接続電極２７、２８は、サーミスター素体２１の両端
に形成された導体膜からなる端子電極２３、２５に各々
一体に連なって導通している。これにより、端子電極２
３、２５は、接続電極２７、２８及び引出電極１５、１
６を介して各々内部電極１３、１４に接続し、サーミス
タ層１１、１１…を介してそれら内部電極１３、１４の
間に形成される抵抗値が端子電極２３、２５に表れる。

【００１５】このようなサーミスターは、前述のように
個々に積層されて製造される訳ではなく、実際は積層セ
ラミックコンデンサーと同様にして、セラミックグリー
ンシートの形成、その表面への内部電極パターンの印
刷、セラミックグリーンシートの積層、その積層体の裁
断、積層体の焼成、焼成済みの積層体への外部電極の形
成という工程を経て、多数のものが同時に製造される。
すなわち、まず酸化マンガン、酸化コバルトを主成分と
し、酸化銅等の焼結助剤や酸化アルミニウム等の原子価
制御剤等を含むサーミスターセラミック粉末を溶剤で溶
解された樹脂バインダーに一様に分散したセラミックス
ラリーを作る。このセラミックスラリーをドクターブレ
ード法等でポリエチレンテレフタレートフィルム等のベ
ースフィルム上に薄く塗布し、乾燥してセラミックグリ
ーンシートを作る。次に、このセラミックグリーンシー
ト上にＰｄペースト等の導電ペーストを使用してサーミ
スター素体複数個分の内部電極パターンを印刷する。そ
して、前記図１（ａ）で示すような積層体が得られるよ
う、ベースフィルムから剥離されたセラミックグリーン
シートを順次積層し、サーミスター素体を複数個分含む
未焼成のセラミック積層体を得る。その後、この積層体
を裁断し、焼成することにより、個々に分離された図１
（ｂ）で示すようなサーミスター素体２１を得る。この
サーミスター素体２１の表面に、図１（ｃ）で示された
接続電極２７、２８及び端子電極２３、２５の形状に従
って導電ペーストを塗布し、これを焼き付けることによ
り、接続電極２７、２８及び端子電極２３、２５を形成
する。これにより、図１（ｃ）に示すようなサーミスタ
ーが完成する。

【００１６】このようなサーミスターは、例えば温度補
償形水晶発振器を構成する回路基板上に接続電極２７、
２８を上側にして搭載し、組み込む。そして、水晶発振
器とサーミスターとの温度特性のマッチングを検査し、
これをもとに接続電極２７、２８を図１（ｃ）で二点鎖
線で示す如くカットし、いくつかの内部電極１３、１４
を端子電極２３、２５と切り離す。これにより、端子電
極２３、２５に表れる抵抗値が増大し、その調整が行わ
れる。この調整は、切り離す内部電極１３、１４の数に
より増大する抵抗値を予め予測しながら、サーミスター
の抵抗値が水晶発振器の温度特性に最適にマッチングす
るように行う。接続電極２７、２８のカットは、通常レ
ーザビームを接続電極２７、２８に照射してカットす
る、いわゆるレーザートリミングにより行う。

【００１７】次に、図２に示す実施例について説明する
と、前記図１の実施例では、二組の内部電極１３、１４
がサーミスター素体２１を構成するサーミスター層１
１、１１…を介して対向していた。この実施例では、同
じサーミスター層１１、１１…に二種類の内部電極１
３、１４が共に形成されており、これらが各サーミスタ
ー層１１、１１…の平面方向に対向している。図２
（ａ）は、サーミスター素体２１を構成するサーミスタ
ー層１１、１１…の層構造を示し、同図（ｂ）は、完成
したサーミスターの外観を示す。この実施例によるサー
ミスターでは、同じサーミスター層１１、１１…に二種
類の内部電極１３、１４を共に印刷して積層するため、
内部電極１３、１４の間の位置ずれ等が起こりにくく、
得られる抵抗値のバラツキが小さいという利点がある。

【００１８】次に、図３で示す実施例について説明する
と、同図（ａ）に示すように、この実施例では前記図２
の実施例において、内部電極１３、１４の引出電極１
５、１６を各サーミスター層１１、１１…の対向する二
辺に導出したものである。このため、図３（ｂ）で示す
完成したサーミスターでは、サーミスター素体２１の図
において隠れた裏面側にも引出電極１５、１６が配列さ
れることになる。この実施例では、サーミスター素体２
１の二つの側面の何れかに接続電極２７、２８を形成で
きるので、製造が容易である。なお、サーミスター素体
２１の二つの側面に接続電極２７、２８を形成してしま
うと、その両側面の接続電極２７、２８を共にトリミン
グしないと抵抗値の調整ができないことになる。それで
は、サーミスターを回路基板上に搭載した状態ではトリ
ミングが不可能になってしまうので、接続電極２７、２
８はサーミスター素体２１の二つの側面の何れか一方に
形成する。

【００１９】次に、図４で示す実施例について説明する
と、同図（ａ）に示すように、この実施例では前記図３
の実施例において、内部電極１３、１４の引出電極１
５、１６を各サーミスター層１１、１１…の対向する二
辺に導出したのに加え、それと直交する辺にも引出電極
１５、１６を導出したものである。このため、図４
（ｂ）で示す完成したサーミスターでは、サーミスター
素体２１の図において隠れた裏面側の他、それと直交す
る側面にも引出電極１５、１６が配列されている。な
お、図４（ｂ）においてセラミック素体２１の陰に隠れ
た側面にある引出電極１６は図示されていない。この実
施例では、サーミスター素体２１の四つの側面の何れか
に接続電極２７、２８を形成できるので、製造が容易で
ある。なお、サーミスター素体２１の四つの側面の全て
に接続電極２７、２８を形成してしまうと、それら側面
の接続電極２７、２８を全てトリミングしないと抵抗値
の調整ができないことになるのは、前記図３の実施例と
同様である。それでは、サーミスターを回路基板上に搭
載した状態ではトリミングが不可能になってしまうと共
に、トリミングも面倒になる。そこで、接続電極２７、
２８はサーミスター素体２１の双方の引出電極１５、１
６が導出された二つの側面の何れか一方或は、各々の引
出電極１５、１６が導出された対向する二つの側面に形
成する。

【００２０】次に、図５で示す実施例について説明する
と、同図（ａ）、（ｂ）に示すように、この実施例で
は、前記図１に示された実施例と同様に、二つの種類の
内部電極１３、１４が異なるサーミスター層１１、１１
…に形成され、これらの内部電極１３、１４がサーミス
ター層１１、１１…を介して対向している。そして、一
方の内部電極１３は他方の内部電極１４より狭く、且つ
内部電極１４がセラミック層１１…の表面に占める領域
より内側の領域に形成されている。このため、内部電極
１３、１４に多少の印刷ずれ、積層ずれ等が生じても、
それらの実質的な対向面積が変わらないようになってい
る。これにより、製品間の抵抗値のバラツキが生じにく
い。

【００２１】次に、図６で示す実施例について説明する
と、この実施例では、図２に示した実施例と同様に、同
じサーミスター層１１、１１…に二種類の内部電極１
３、１４が共に形成されており、これらが各サーミスタ
ー層１１、１１…の平面方向に対向しているが、これら
内部電極１３、１４が形成されたサーミスター層１１、
１１…の間に引出電極１５、１６を有しておらず、且つ
双方の内部電極１３、１４が形成された領域と対向する
領域にわたって中間内部電極１９、１９…が形成された
サーミスター層１１、１１…が挿入されている。このよ
うな中間内部電極１９、１９…を挿入することにより、
端子電極２３、２５に表れる抵抗値を小さくすることが
できる。以上の実施例において、内部電極１３、１４、
１９は、中間内部電極１９を含めて３種類であったが、
それ以上の種類の内部電極を有していてもよい。特に引
出電極１５、１６を有する内部電極が３種類以上設けら
れることもある。

【００２２】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明のよるサーミ
スターとその調整方法では、サーミスターの抵抗値を容
易且つ正確に調整することができるので、サーミスター
を組み込んだ回路の温度特性のマッチングが悪い場合で
も、必要に応じてサーミスターをその都度交換すること
なく、その抵抗値の調整により対応できる。これによ
り、サーミスターを組み込んだ回路機器の組立や調整が
容易となり、サーミスターの無駄も省けるので、製品の
製造が容易となり、その生産性の向上やコストの低減等
を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例によるサーミスターのサーミス
ター素体の層構造を示す分解斜視図、そのサーミスター
素体の外観斜視図及び完成したサーミスターの外観斜視
図である。

【図２】本発明の他の実施例によるサーミスターのサー
ミスター素体の層構造を示す分解斜視図及び完成したサ
ーミスターの外観斜視図である。

【図３】本発明の他の実施例によるサーミスターのサー
ミスター素体の層構造を示す分解斜視図及び完成したサ
ーミスターの外観斜視図である。

【図４】本発明の他の実施例によるサーミスターのサー
ミスター素体の層構造を示す分解斜視図及び完成したサ
ーミスターの外観斜視図である。

【図５】本発明の他の実施例によるサーミスターのサー
ミスター素体の層構造を示す分解斜視図及び完成したサ
ーミスターの外観斜視図である。

【図６】本発明の他の実施例によるサーミスターのサー
ミスター素体の層構造を示す分解斜視図及び完成したサ
ーミスターの外観斜視図である。

【図７】従来例によるサーミスターの一部切断斜視図図
である。

【符号の説明】

１１ サーミスター素体を構成するサーミスター層 １３ 内部電極 １４ 内部電極 １５ 引出電極 １６ 引出電極 １９ 中間内部電極 ２１ サーミスター素体 ２３ 端子電極 ２５ 端子電極 ２７ 接続電極 ２８ 接続電極

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 温度により抵抗値が変化するサーミスタ
   ー層（１１）、（１１）…の積層体からなるサーミスタ
   ー素体（２１）と、このサーミスター素体（２１）の各
   々のサーミスター層（１１）、（１１）…の層間に形成
   され、対向した複数対の内部電極（１３）、（１４）と
   を有するサーミスターにおいて、前記内部電極（１
   ３）、（１４）に各々導通し、サーミスター素体（２
   １）の表面に露出して配列された引出電極（１５）、
   （１６）と、各組の内部電極（１３）、（１４）に各々
   導通する引出電極（１５）、（１６）を互いに導通する
   ようサーミスター素体（２１）の表面に形成された導体
   膜からなる接続電極（２７）、（２８）と、この接続電
   極（２７）、（２８）に導通してサーミスター素体（２
   １）の表面に形成された端子電極（２３）、（２５）と
   を有することを特徴とするサーミスター。
2. 【請求項２】 サーミスター層（１１）、（１１）…の
   層間に形成された内部電極（１３）、（１４）は、サー
   ミスター層（１１）、（１１）…の厚み方向に対向して
   いることを特徴とする前記請求項１に記載のサーミスタ
   ー。
3. 【請求項３】 サーミスター層（１１）、（１１）…の
   層間に形成された内部電極（１３）、（１４）は、サー
   ミスター層（１１）、（１１）…の平面方向に対向して
   いることを特徴とする前記請求項１に記載のサーミスタ
   ー。
4. 【請求項４】 引出電極（１５）、（１６）は、サーミ
   スター素体（２１）の同じ表面に露出して配列されてい
   ることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のサー
   ミスター。
5. 【請求項５】 同じ内部電極（１３）、（１４）に導通
   する引出電極（１５）、（１６）がサーミスター素体
   （２１）の異なる複数の面に導出されていることを特徴
   とする請求項１〜４の何れかに記載のサーミスター。
6. 【請求項６】 引出電極（１５）、（１６）は、それら
   の一部のみが接続電極（２７）、（２８）に覆われ、他
   の部分はサーミスター素体（２１）の表面に露出してい
   ることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のサー
   ミスター。
7. 【請求項７】 端子電極（２３）、（２５）は、サーミ
   スター素体（２１）の両端に形成されていることを特徴
   とする請求項１〜６の何れかに記載のサーミスター。
8. 【請求項８】 引出電極（１５）、（１６）を有する内
   部電極（１３）、（１４）が形成されたサーミスター層
   （１１）、（１１）の間に、引出電極（１５）、（１
   ６）を有しておらず、且つ双方の内部電極（１３）、
   （１４）が形成された領域と対向する領域にわたって中
   間内部電極（１９）、（１９）…が形成されたサーミス
   ター層（１１）、（１１）…が挿入されていることを特
   徴とする請求項１〜７の何れかに記載のサーミスター。
9. 【請求項９】 温度により抵抗値が変化するサーミスタ
   ー素体（２１）の内部で対向した複数対の内部電極（１
   ３）、（１４）と各々導通する端子電極（２３）、（２
   ５）の間の抵抗値を調整する方法において、サーミスタ
   ー層（１１）、（１１）…の積層体からなるサーミスタ
   ー素体（２１）と、このサーミスター素体（２１）の各
   々のサーミスター層（１１）、（１１）…の層間に形成
   され、対向した複数対の内部電極（１３）、（１４）
   と、これらの内部電極（１３）、（１４）に各々導通
   し、サーミスター素体（２１）の表面に露出して配列さ
   れた引出電極（１５）、（１６）と、各組の内部電極
   （１３）、（１４）に各々導通する引出電極（１５）、
   （１６）を互いに導通するようサーミスター素体（２
   １）の表面に形成された導体膜からなる接続電極（２
   ７）、（２８）と、この接続電極（２７）、（２８）に
   導通してサーミスター素体（２１）の表面に形成された
   端子電極（２３）、（２５）とを有するサーミスターに
   ついて、前記接続電極（２７）、（２８）を任意の位置
   で切断し、同接続電極（２７）、（２８）を通して端子
   電極（２３）、（２５）に導通していた引出電極（１
   ５）、（１６）を切り離し、端子電極（２３）、（２
   ５）の間に表れる抵抗値を調整することを特徴とするサ
   ーミスターの調整方法。