JP2000357603A - チップ型サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 抵抗値の調整範囲を広げることにより抵抗値
及びＢ定数のサーミスタ特性の範囲を拡大し、低抵抗か
つ高Ｂ定数という特性を容易に得ることができ、しかも
抵抗値のばらつきも小さく、高精度なチップ型サーミス
タを提供する。 【解決手段】 セラミックス焼結体よりなる直方体形状
のチップ状サーミスタ素体３と、チップ状サーミスタ素
体３の側面及び内部にそれぞれ形成された表面電極４
Ａ，４Ｂ及び内部電極２と、該チップ状サーミスタ素体
の両端面に形成された端子電極とを備え、表面電極４
Ａ，４Ｂ及び内部電極２は、チップ状サーミスタ素体の
両端面に形成された端子電極７Ａ，７Ｂのうちの一方に
のみ導通し、他方とは絶縁されているチップ型サーミス
タ。チップ状サーミスタ素体３は、セラミックス焼結体
よりなる複数の薄板材１Ａ，１Ｂが導電性金属層２によ
り接合されたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント回路基板
等に表面実装されるチップ型サーミスタ及びその製造方
法に係り、特に温度の上昇により抵抗値が減少する負特
性のサーミスタであって、低抵抗かつ高Ｂ定数で、抵抗
値のばらつきの小さい高精度のチップ型サーミスタ及び
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のチップ型サーミスタの製造方法
として、本出願人は、セラミックス焼結体よりなる薄板
材の表面に導電性ペーストを帯状に印刷して複数本の抵
抗値調整用電極を互いに平行に形成し、この薄板材を抵
抗値調整用電極の延在方向と直交する方向に短冊状に切
断して、角柱状体を作製し、この角柱状体を抵抗値調整
用電極の幅方向の中心線に沿って切断することにより両
端面に上記抵抗値調整用電極の一端がそれぞれ露出する
チップ状のサーミスタ素体を作製し、更にこのサーミス
タ素体の両端面に抵抗値調整用電極と電気的に接続され
る端子電極を形成するチップ型サーミスタの製造方法を
特許出願した（特開平４−１２７４０１号公報）。

【０００３】このチップ型サーミスタは具体的には次の
方法により製造される。即ち、まず、セラミックス焼結
体よりなる薄板材の両面又は片面に導電性ペーストを帯
状に間隔をあけて、スクリーン印刷法やロール転写印刷
法等にて印刷した後乾燥することにより、多数列の抵抗
値調整用電極を形成する。次いで、この薄板材の両面に
ガラス等の絶縁性無機物を含んだペーストを印刷、吹き
付け又は浸漬により塗布した後焼成することにより、絶
縁性無機物層を形成する。この両面が絶縁性無機物層に
より被覆された薄板材を上記抵抗値調整用電極の長手方
向と直交する方向に短冊状に切り出した後、得られた角
柱状体の切断面に絶縁性無機物を含んだペーストを印
刷、吹付け又は浸漬により塗布して焼成することによ
り、上記切断面にも絶縁性無機物層を形成する。次に、
このようにして、４側面に絶縁性無機物層が形成された
角柱状体をその長手方向に直交する方向に切断すること
により、チップ状のサーミスタ素体を作製し、このサー
ミスタ素体の切断面である両端面を含む両端部に導電性
ペーストを塗布して焼成することにより、焼付け電極層
を形成する。更に、この焼付け電極層の表面にめっき層
を形成することにより、両端部に焼付け電極層とめっき
層からなる端子電極を有するチップ型サーミスタを得
る。

【０００４】一方、チップ状サーミスタ素体の内部に抵
抗値調整用の内部電極を有するチップ型サーミスタも提
供されており、このチップ型サーミスタは、次のように
して製造される。

【０００５】即ち、まずキャスティング法によりセラミ
ックスグリーンシートを作製し、その所定位置に導電性
ペーストを印刷して内部電極を形成する。そして、内部
電極を形成したセラミックスグリーンシートと必要に応
じて内部電極を形成していないセラミックスグリーンシ
ートとを所要枚数積層して圧着し、これを一体焼結し、
積層体を得る。この積層体の表裏の主板面に上記と同様
にして絶縁性無機物層を形成した後、短冊状に切断し、
同様に、切断面にも絶縁性無機物層を形成する。このよ
うにして、４側面に絶縁性無機物層を形成した角柱状体
を、内部電極が切断面に表出するように、長手方向と直
交する方向にチップ状に切断し、得られたチップ状サー
ミスタ素体の内部電極が表出する両端面に上記と同様に
して端子電極を形成してチップ型サーミスタを得る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来のチップ型サ
ーミスタのうち、特開平４−１２７４０１号公報に記載
されるチップ型サーミスタでは、抵抗値調整用電極がサ
ーミスタ素体の互いに対向する２つの側面にのみ形成さ
れているため、サーミスタの抵抗値を減少するにも限度
がある。この結果、サーミスタ特性（抵抗値とＢ定数の
組合せ）の範囲が比較的狭くなるため、近年、開発の要
望が増大している低抵抗かつ高Ｂ定数のサーミスタを実
現することができないという欠点がある。

【０００７】一方、内部電極を形成した積層型のチップ
型サーミスタでは、内部電極の形成位置や形成本数を調
整することにより、抵抗値を比較的容易に調整すること
ができるため、サーミスタのＢ定数を変えることなく抵
抗値を小さくすることができる。即ち、初期抵抗値が小
さくしかもＢ定数の大きいサーミスタを得ることができ
るという利点がある。しかし、このチップ型サーミスタ
では、グリーンシートと内部電極層形成用の導電性ペー
ストとが同時に焼成されるため、焼成時のグリーンシー
トないし導電性ペーストの収縮によるばらつき等の影響
を受けて十分な寸法精度が得られず、抵抗値調整用の内
部電極間の距離がばらつき、得られるチップ型サーミス
タの抵抗値にもばらつきが発生するという問題点があっ
た。

【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決し、抵抗
値の調整範囲を広げることにより抵抗値及びＢ定数のサ
ーミスタ特性の範囲を拡大し、低抵抗かつ高Ｂ定数とい
う特性を容易に得ることができ、しかも抵抗値のばらつ
きも小さく、高精度なチップ型サーミスタを提供するこ
とを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のチップ型サーミ
スタは、セラミックス焼結体よりなる直方体形状のチッ
プ状サーミスタ素体と、該チップ状サーミスタ素体の側
面及び内部にそれぞれ形成された表面電極及び内部電極
と、該チップ状サーミスタ素体の両端面に形成された端
子電極とを備え、前記表面電極及び内部電極は、チップ
状サーミスタ素体の両端面に形成された端子電極のうち
の一方にのみ導通し、他方とは絶縁されているチップ型
サーミスタであって、前記チップ状サーミスタ素体は、
セラミックス焼結体よりなる複数の薄板材が導電性金属
層により接合されたものであることを特徴とする。

【００１０】本発明のチップ型サーミスタは、表面電極
と内部電極とを有するため、抵抗値の調整範囲を広げる
ことにより抵抗値及びＢ定数のサーミスタ特性の範囲を
拡大することができ、低抵抗かつ高Ｂ定数のチップ型サ
ーミスタを容易に実現することができる。

【００１１】しかも、本発明に係るチップ状サーミスタ
素体は、セラミックス焼結体の薄板材を導電性金属層で
接合したものであるため、焼成時の収縮の影響を受ける
ことがなく、抵抗値調整用の電極間の距離が正確なもの
となり、従って、抵抗値のばらつきも小さく、高精度な
チップ型サーミスタが得られる。

【００１２】このような本発明のチップ型サーミスタ
は、セラミックス焼結体よりなる複数の薄板材を導電性
金属層により接合して積層体を得る工程と、該積層体の
板面に所定の間隔をあけて互いに平行に複数の表面電極
を帯状に形成する工程と、該表面電極を形成した積層体
の両板面に絶縁性無機物層を形成する工程と、該絶縁性
無機物層を形成した積層体を前記表面電極の長手方向に
直交する方向に短冊状に切り出して角柱状体を得る工程
と、該角柱状体の４側面のうち絶縁性無機物層が形成さ
れていない２側面に絶縁性無機物層を形成する工程と、
該絶縁性無機物層を形成した角柱状体を長手方向と直交
する方向にチップ状に切断してチップ状サーミスタ素体
を得る工程と、該チップ状サーミスタ素体の絶縁性無機
物層が形成されていない両端面のうちの一方の端面に絶
縁性無機物層を形成した後、該両端面に端子電極を形成
する工程とを有することを特徴とするチップ型サーミス
タの製造方法により製造することができる。

【００１３】本発明のチップ型サーミスタにおいては、
チップ状サーミスタ素体を構成する複数の薄板材として
Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ａｌ及びＮｉよりなる群から
選ばれた１種又は２種以上の金属酸化物を含有するセラ
ミックス焼結体よりなり、薄板材のうちの少なくとも１
枚は、他の薄板材と前記金属酸化物の組成比が異なるも
のとすることができ、これにより、特性の異なる２種以
上のサーミスタ素体を組み合わせることでサーミスタ特
性（抵抗値及びＢ定数）の多様化を図ることが可能とな
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。

【００１５】図１は本発明のチップ型サーミスタの実施
の形態を示す断面図、図２（ａ）〜（ｅ）はこのチップ
型サーミスタの製造手順を示す斜視図である。

【００１６】図１のチップ型サーミスタ１０は、セラミ
ックス焼結体よりなる２枚の薄板材１Ａ，１Ｂが導電性
金属層（内部電極）２により接合されてチップ状サーミ
スタ素体３とされている。このチップ状サーミスタ素体
３の対向する２側面には表面電極４Ａ，４Ｂが形成さ
れ、更に４側面がガラス層５で被覆されている。表面電
極４Ａ，４Ｂは、チップ状サーミスタ素体３の一方の端
面の縁部から、他方の端面の縁部の近傍まで形成されて
おり、他方の端面の近傍部分は、表面電極４Ａ，４Ｂの
非形成部となっている。また、チップ状サーミスタ素体
３の一方の端面にはガラス層６が形成され、更に両端面
に端子電極７Ａ，７Ｂが形成されている。この端子電極
７Ａ，７Ｂは、焼付電極層７ａとその表面に形成された
Ｎｉめっき層７ｂと、更にその表面に形成されたはんだ
めっき層７ｃとで構成されている。

【００１７】次に、図２（ａ）〜（ｅ）を参照して、こ
のチップ型サーミスタを本発明の方法に従って製造する
際の製造手順を説明する。

【００１８】まず、セラミックス焼結体よりなる薄板材
１１，１２を次のようにして製造する。

【００１９】Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｎｉ等の
金属の酸化物粉末を１種又は２種以上、金属原子比が所
定の割合になるようにそれぞれ秤量し、ボールミル等に
より５〜２０時間混合して、脱水し乾燥する。次いで、
この混合物を大気圧下、５００〜１０００℃で１〜１０
時間仮焼し、再びボールミル等で粉砕して、脱水、乾燥
する。次に、この粉砕物に有機系結合剤等を加え、スプ
レードライヤ等を用いて上記粉砕物の粒径が３０〜２０
０μｍ程度になるように造粒し、油圧プレス等により直
方体に圧縮成形する。更に、この成形体を大気圧下、１
０００〜１３００℃で２〜１０時間焼成して、所定の寸
法のセラミックス焼結ブロックを作製し、このブロック
をハンドソー等を用いて所定の厚さに切断することによ
り、薄板材１１，１２を作製する。この薄板材１１，１
２のうち、一方の薄板材１２の一方の板面に導電性電極
ペースト１３を全面的に塗布し、その上に他方の薄板材
１１を重ね合わせ、０．５〜３ｋｇ／ｃｍ²程度の加圧
力を加え、乾燥した後、大気圧下、７５０〜８５０℃で
１５〜６０分焼成して接合一体化して積層体とする（図
１（ａ））。

【００２０】この電極ペースト１３としては、Ａｇ，Ｐ
ｄ，Ａｇ／Ｐｄペースト等を用いることができ、５〜１
０μｍ程度の厚さに塗布するのが好ましい。

【００２１】次に、この積層体１４の両板面（一方の板
面のみでも良い。）に、導電性電極ペーストを所定の間
隔をあけて互いに平行に印刷して乾燥した後、大気圧
下、７５０〜８５０℃で１０〜６０分程度焼成すること
により、帯状の表面電極１５を形成する（図２
（ｂ））。この表面電極１５には、Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ／
Ｐｄペースト等を用いることができ、表面電極１５は、
例えば、幅０．２〜３．０ｍｍの帯状に、幅方向に０．
１〜０．８２ｍｍの間隔をあけて、厚さ３〜１５μｍ程
度に形成される。次いで、表面電極１５を形成した積層
体１４の両板面にガラスペーストを全面的に塗布して乾
燥した後、７５０〜８５０℃で１０〜６０分焼成するこ
とにより、厚さ５〜２０μｍ程度のガラス層１６を形成
する（図２（ｃ））。

【００２２】次いで、ガラス層１６を形成した積層体１
４を、ダイシングマシン等により表面電極１５の長手方
向と直交する方向に幅０．６５〜０．９ｍｍの短冊状に
切り出し、角柱状体１７を得る（図２（ｄ））。

【００２３】この角柱状体１７のガラス層未被覆の２側
面にも上記と同様にしてガラス層を形成し、４側面をガ
ラス層で被覆した角柱状体１７’を長手方向と直交する
方向に長さ１．４５〜１．５５ｍｍ程度のチップ状に切
断してチップ状サーミスタ素体１８を得る（図２
（ｅ））。このチップ状サーミスタ素体１８のガラス層
未被覆の両端面のうち、表面電極が縁部まで形成されて
いる側の端面にのみ、ガラスペーストを塗布した後、上
記ガラス層の形成と同様の条件で焼き付けて、絶縁層と
してのガラス層を５〜２０μｍ程度の厚さに形成した
後、両端面に端子電極を形成してチップ型サーミスタを
得る。端子電極の形成に当っては、Ａｇ等の導電性電極
ペーストを塗布して乾燥し、７５０〜８５０程度で１０
〜６０分程度焼成して焼き付け、その後Ｎｉめっきを施
し、更にはんだめっきを施す。

【００２４】なお、本発明のチップ型サーミスタにおい
て、保護層としてのガラス層５の代りに、熱硬化性のエ
ポキシ系ペーストのような高分子ペーストの塗布、加熱
硬化により高分子材料層を形成しても良い。また、端子
電極として樹脂系電極を適用することもでき、これらの
材料を用いることにより、耐熱応力性を高めて機械的特
性及び信頼性の向上を図ることができる。

【００２５】図１に示すチップ型サーミスタ１０は２枚
の薄板材１Ａ，１Ｂを一層の内部電極２で接合した構造
であるが、本発明においては、３枚以上の薄板材を用
い、内部電極を２層以上形成することも可能である。ま
た、内部電極だけでなく、表面電極４Ａ，４Ｂの印刷パ
ターンを適宜設定することにより、様々なサーミスタ特
性のチップ型サーミスタを製造することができる。

【００２６】更に、本発明のチップ型サーミスタでは、
積層、接合する薄板材として、金属酸化物の組成比の異
なる薄板材、即ち、サーミスタ特性の異なる薄板材を用
いても良く、これにより、抵抗値及びＢ定数等のサーミ
スタ特性の多様化を図ることができる。

【００２７】

【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。

【００２８】実施例１ 以下の手順で図１に示すチップ型サーミスタ１０を作製
した。

【００２９】まず、炭酸マンガン、炭酸コバルト、酸化
アルミニウムを出発原料とし、これらを金属原子比が所
定の割合（Ｍｎ：Ｃｏ：Ａｌ＝３７：５６：７）になる
ようにそれぞれ秤量し、ボールミルで１６時間均一に混
合して、脱水、乾燥した。この混合物を大気圧下、９０
０℃で２時間仮焼し、再びボールミルで粉砕して、脱
水、乾燥した。この粉砕物に有機系結合剤を加え、スプ
レードライヤにより粉砕物の粒径が６０μｍ程度になる
ように造粒し、油圧プレスにより直方体に圧縮成形し
た。この成形体を大気圧下、１１００℃で４時間焼成
し、縦、横及び厚さがそれぞれ３５ｍｍ，５０ｍｍ及び
１０ｍｍのセラミック焼結ブロックを作製し、このブロ
ックをハンドソーで切断して、縦、横及び厚さがそれぞ
れ３５ｍｍ，５０ｍｍ及び０．２０ｍｍの薄板材を作製
した。

【００３０】次いで、この薄板材の全面にＡｇ電極ペー
ストをスクリーン印刷法により塗布後、その上にもう一
枚の薄板材を所定の位置になるように位置決めして積重
ね、１５０℃で１５分乾燥し、その積層体を８２０℃で
１０分間焼き付けて接合した。このとき、接合を確実に
するために、電極ペーストの乾燥前に積層された２枚の
薄板材に所定の圧力（０．５ｋｇ／ｃｍ²）を加えた。

【００３１】得られた積層体の両板面に所定のパターン
となるように、幅２．７ｍｍの帯状のＡｇ電極ペースト
を幅方向に０．２０ｍｍの間隔をあけてスクリーン印刷
法により印刷して乾燥した。このとき積層体の両面のＡ
ｇペーストが積層体を挟んで互いに対向するように（即
ち、同一位相となるように）印刷した。この積層体を８
２０℃で１５分焼成して焼き付けることにより、厚さ約
５μｍの多数列の抵抗値調整用表面電極を形成した。

【００３２】上記抵抗値調整用表面電極を形成した積層
体の両板面の全面にガラスペーストをスクリーン印刷法
により塗布し、１５０℃で１５分乾燥後、８５０℃で１
０分焼き付けてガラス層を形成した。

【００３３】この積層体をダイシングマシンにより抵抗
値調整用表面電極の長手方向と直交する方向に幅０．７
５ｍｍの短冊状に切り出し、得られた角柱状体の切断面
にもガラスペーストをスクリーン印刷法により塗布し、
上記と同様に乾燥、焼成してガラス層を形成した。この
ようにして４側面にガラス層（いずれも厚さは１０μ
ｍ）を形成した角柱状体を、各抵抗値調整用表面電極の
長手方向と直交する方向に、ダイシングマシンを用い
て、チップ状に切断し、長さ１．５２ｍｍのチップ状の
サーミスタ素体を作製した。

【００３４】このサーミスタ素体のガラス層を形成して
いない両端面のうち、一方の端面に内部電極との絶縁性
を確保するために、絶縁性ガラスペーストをディップ法
により塗布した後、８５０℃で１０分間焼き付け、厚さ
２０μｍのガラス層を形成した。

【００３５】更に、このサーミスタ素体の両端面にガラ
スフリットを含むＡｇ電極ペーストをディッピング法に
より塗布した後、８２０℃で１０分間焼き付けることに
より、サーミスタ素体の両端部に厚さ４０μｍの端子電
極層を形成し、更にこの端子電極層の表面に電解バレル
法により厚さ２〜５μｍのＮｉめっき層を形成し、この
Ｎｉめっき層の表面に厚さ３〜７μｍのはんだめっき層
を形成し、チップ型サーミスタ１０を得た。

【００３６】得られたチップ型サーミスタについて抵抗
値を測定し、結果を表１に示した。また、同様の手順で
作製した３０個のチップ型サーミスタについて、抵抗値
のばらつきを評価した。抵抗値のばらつきは標準偏差を
ｓ、抵抗値の平均値をＡｖ．としたときに、３×ｓ／Ａ
ｖ．で表される抵抗値の変動係数（％）を求めることに
より評価した。

【００３７】なお、このチップ型サーミスタの抵抗値は
１．０ｋΩでＢ定数は４４００ｋであった。

【００３８】比較例１ 実施例１において、薄板材２枚分の厚みを有するサーミ
スタ板材を用い、内部電極がなく、抵抗値調整用の表面
電極のみを有するチップ型サーミスタを作製し、その抵
抗値を測定して結果を表１に示した。

【００３９】比較例２ 比較例１において、抵抗値調整用の表面電極を形成しな
かったこと以外は同様にして、チップ型サーミスタを作
製し、その抵抗値を測定して結果を表１に示した。

【００４０】比較例３ 以下の方法により、実施例１と同形、同寸法で同材料か
らなるチップ型サーミスタを作製した。

【００４１】まず、キャスティング法によりサーミスタ
材料のセラミックスグリーンシートを作製し、その所定
位置に内部電極を印刷した。そして、内部電極を印刷し
たセラミックスグリーンシートと内部電極を形成してい
ないセラミックスグリーンシートを複数枚積層して圧着
させ、得られた積層体に表面電極及びガラス層を形成す
ると共に、チップ状に切断して焼成した後、バレル研磨
することにより、内部電極を有するチップ状サーミスタ
素体を製造した。このチップ状サーミスタ素体の両端面
に、導電性ペーストを塗布して焼成することにより、導
電性金属層を焼き付け、更に、Ｎｉめっき層及びはんだ
めっき層を形成し、内部電極を有する積層型のチップ型
サーミスタを得た。得られたチップ型サーミスタについ
て実施例１と同様にして抵抗値とそのばらつきを調べ、
結果を表１に示した。

【００４２】

【表１】

【００４３】表１より次のことが明らかである。即ち、
内部電極及び表面電極のない比較例２、並びに、内部電
極がなく表面電極のみの比較例１に比べて、内部電極と
表面電極とを有する実施例１のチップ型サーミスタで
は、抵抗値を大幅に低減することができる。

【００４４】また、本発明によりセラミックス焼成体の
薄板材を接合したチップ型サーミスタは、内部電極を形
成したセラミックスグリーンシートを積層して焼成する
積層型のチップ型サーミスタに比べて、抵抗値のばらつ
きは極めて小さい。

【００４５】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型サ
ーミスタ及びその製造方法によれば、抵抗値の調整範囲
を広げることにより抵抗値及びＢ定数のサーミスタ特性
の範囲を拡大することができ、低抵抗かつ高Ｂ定数とい
う特性を容易に得ることができる。しかも、抵抗値のば
らつきも小さく、高精度なチップ型サーミスタを提供す
ることができる。

【００４６】請求項２のチップ型サーミスタによれば、
サーミスタ特性の多様化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のチップ型サーミスタの実施の形態を示
す断面図である。

【図２】本発明のチップ型サーミスタの製造手順を示す
斜視図である。

【符号の説明】

１Ａ，１Ｂ 薄板材 ２ 内部電極（導電性金属層） ３ チップ状サーミスタ素体 ４Ａ，４Ｂ 表面電極 ５，６ ガラス層 ７Ａ，７Ｂ 端子電極 ７ａ 焼付電極層 ７ｂ Ｎｉめっき層 ７ｃ はんだめっき層 １０ チップ型サーミスタ

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G030 AA25 AA27 AA28 AA29 AA31 AA36 BA06 CA08 5E034 BB01 BC01 DA02 DA07 DB04 DB14 DC01 DC03 DC06 DC09 DE05 DE20

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミックス焼結体よりなる直方体形状
   のチップ状サーミスタ素体と、該チップ状サーミスタ素
   体の側面及び内部にそれぞれ形成された表面電極及び内
   部電極と、該チップ状サーミスタ素体の両端面に形成さ
   れた端子電極とを備え、前記表面電極及び内部電極は、
   チップ状サーミスタ素体の両端面に形成された端子電極
   のうちの一方にのみ導通し、他方とは絶縁されているチ
   ップ型サーミスタであって、 前記チップ状サーミスタ素体は、セラミックス焼結体よ
   りなる複数の薄板材が導電性金属層により接合されたも
   のであることを特徴とするチップ型サーミスタ。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記複数の薄板材が
   Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ａｌ及びＮｉよりなる群から
   選ばれた１種又は２種以上の金属酸化物を含有するセラ
   ミックス焼結体よりなり、薄板材のうちの少なくとも１
   枚は、他の薄板材と前記金属酸化物の組成比が異なるこ
   とを特徴とするチップ型サーミスタ。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載されるチップ型サ
   ーミスタを製造する方法であって、 セラミックス焼結体よりなる複数の薄板材を導電性金属
   層により接合して積層体を得る工程と、 該積層体の板面に所定の間隔をあけて互いに平行に複数
   の表面電極を帯状に形成する工程と、 該表面電極を形成した積層体の両板面に絶縁性無機物層
   を形成する工程と、 該絶縁性無機物層を形成した積層体を前記表面電極の長
   手方向に直交する方向に短冊状に切り出して角柱状体を
   得る工程と、 該角柱状体の４側面のうち絶縁性無機物層が形成されて
   いない２側面に絶縁性無機物層を形成する工程と、 該絶縁性無機物層を形成した角柱状体を長手方向と直交
   する方向にチップ状に切断してチップ状サーミスタ素体
   を得る工程と、 該チップ状サーミスタ素体の絶縁性無機物層が形成され
   ていない両端面のうちの一方の端面に絶縁性無機物層を
   形成した後、該両端面に端子電極を形成する工程と、 を有することを特徴とするチップ型サーミスタの製造方
   法。