JP2005505188A - 回路装置、該回路装置を有するスイッチングモジュール、および該スイッチングモジュールの使用方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、アンテナ入力端（１）と、信号入力端（２）と、信号出力端（３）とを有する回路装置に関する。該回路装置はスイッチングユニット（４）を有し、前記アンテナ入力端（１）は静電気放電に対する第１の保護装置（６）に接続されている。前記保護装置（６）はアンテナ入力端（１１１）およびスイッチ出力端（１１２）を有し、前記アンテナ入力端（１１１）およびスイッチ出力端（１１２）は線路（１１３）によって相互に接続されている。線路（１１３）に対して並列接続で、電圧制限素子（１１４）がアース（８）に接続されている。本発明による回路装置の利点は、保護装置（６）の挿入減衰が低いことである。さらに本発明は、スイッチングモジュールと、該スイッチングモジュールをフロントエンドモジュールとして使用することにも関する。
Description
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンテナ入力端と、信号入力端と、信号出力端とを有するスイッチングユニットを備えた回路装置に関する。該スイッチングユニットはさらにコントロール線路を有し、前記コントロール線路によって、アンテナ入力端と信号入力端または信号出力端との間の接続の選択的な切り替えがコントロールされる。該回路装置のアンテナ入力端は、静電気放電に対する保護装置に接続されている。
【０００２】
冒頭に述べられた形式の回路装置はしばしば、移動電話機のためのマルチバンドフロントエンドモジュールとして使用される。このように適用される際、この回路装置のアンテナ入力端は移動電話機のアンテナと接続されている。帯電したユーザがアンテナに接触すると、静電気放電が発生するおそれがある。この静電気放電は、「Electrostatic Discharge ESD」という名称でも知られている。この静電気放電は、回路装置を破壊するのに十分なスパイクを発生させる可能性がある。このことに応じて、冒頭に述べられた形式の回路装置にＥＳＤに対する保護装置を設ける必要がある。
【０００３】
ＷＯ００／５７５１５からは、ＥＳＤに対する保護装置が設けられた、冒頭に述べられた形式の回路装置が公知である。この保護装置は電気的なハイパスフィルタによって形成されており、このハイパスフィルタでは、アンテナ入力系統に対してキャパシタンスが直列に、インダクタンスが並列に接続されている。
【０００４】
この公知の回路装置の欠点は、アンテナを介して該回路装置に直接入力されるＥＳＤパルスしかＥＳＤ保護装置によって低減できないということである。アンテナを介して該回路装置に入力されるパルスの他に、静電気放電はアース接続を介して高い電圧を該回路装置に発生させることもある。このことの原因はたとえば、スイッチにて通常使用されるコントロール入力端が高電位（high）にあるか、または低電位（low）にあるということである。ここでは高電位（high）の定義は、たとえば回路装置のアース電位を２．３Ｖ上回るということである。移動電話機でも、アンテナによる信号伝送を基礎とする他の多くの機器でも同様に、信号入力結合はアンテナからシステムのアースへと伝搬するので、冒頭に述べられた回路装置の場合であっても、静電気放電が該回路装置のアース電位に直接作用する可能性がある。条件「ハイ」によってコントロール線路とアースとが直接接続されることにより、静電気放電によって発生した電圧パルスが、アンテナ経由の該回路装置への系統の他に、コントロール線路経由の該回路装置への系統にも作用する可能性がある。このような作用に対しては、この公知の回路装置は保護されない。
【０００５】
さらに、公知の回路装置で使用されるハイパスフィルタの特性は、信号の所定の限界周波数以上のすべての周波数成分をほぼ無妨害で通過させてしまう非常に簡単な構成のフィルタであるということである。しかし、アンテナによって捕捉された信号を移動電話機でさらに処理するためには、一般的には非常に狭い周波数領域だけが重要である。たとえばＧＳＭ標準方式、ＰＣＮ標準方式またはＰＣＳ標準方式による移動電話機では、約１〜２ＧＨｚの間の周波数が使用される。アンテナによって捕捉された別のすべての周波数は、どちらかというと障害であるため、フィルタリングによって除去しなければならない。その後、冒頭に述べられた回路装置によって捕捉された信号を移動電話機のために処理可能にするためには、少なくとも１つのバンドパスフィルタが必要である。公知の回路装置内に配置されたハイパスフィルタは、限界周波数を下回る周波数しかカットオフできない。それゆえ、移動電話機に対して有利な周波数領域を、アンテナによって捕捉された信号から取り出すためには、ハイパスフィルタに少なくとも１つのフィルタリング回路も後置接続しなければならない。
【０００６】
その上、前記公知の回路装置は、ＥＳＤに対して保護するために使用されるハイパスフィルタリング回路は挿入減衰を有しているという欠点を有する。この挿入減衰によって有効信号もある程度減衰してしまうのに、伝送された周波数帯のカットオフは未だ行われない。公知の回路装置はさらに、別の必要なフィルタリングとともに作用する際には、総じて挿入減衰量が大きいという欠点を有する。
【０００７】
したがって本発明の課題は、冒頭に述べられた形式の回路装置において、静電気放電に対する保護装置の挿入減衰を小さくすることである。
【０００８】
前記目的は、請求項１に記載された回路装置によって達成される。本発明の別の有利な構成、スイッチングモジュールおよび該スイッチングモジュールの使用方法は、従属請求項に記載されている。
【０００９】
ここには、アンテナ入力端と、信号入力端と、信号出力端とを有するスイッチングユニットを備えた回路装置が記載されている。前記スイッチングユニットは、アンテナ入力端を選択的に信号入力端または信号出力端と導電接続するのに適している。さらに、前記アンテナ入力端は静電気放電に対する第１の保護装置に接続されている。
【００１０】
静電気放電に対する第１の保護装置は、アンテナ入力端およびスイッチ出力端を有し、前記スイッチ出力端は、スイッチユニットのアンテナ入力端に接続されている。前記保護装置のアンテナ入力端と該保護装置のスイッチ出力端とは、線路によって接続されている。アースに対して電圧制限素子が並列接続されており、この電圧制限素子は、たとえばバリスタ、スパークギャップまたはブリーダである。電圧制限素子は、アース接続されている。
【００１１】
電圧制限素子によって、保護装置のアンテナ入力端に印加された過電圧がアースへ導出される。このことは、保護装置の重要な機能は、スイッチングユニットのアンテナ入力端に印加される電圧を制限することであることを意味する。
【００１２】
本発明による回路装置の利点は、保護装置を特別に構成することによってフィルタリング機能が省略されるので、第１の保護装置の挿入減衰が低いということである。
【００１３】
特に、該回路装置の保護メカニズムは、電圧制限素子に対してインダクタンスを並列接続することによって改善することができる。このインダクタンスもまた、アースに接続されている。電圧制限素子に対して並列接続されたインダクタンスは、非常に低い周波数をアースへ導出するのに適している。すなわち、この保護装置によって高い周波数が変化されずに、アンテナ入力端からスイッチングユニットへ伝送される。
【００１４】
さらに有利には、アンテナ入力端と電圧制限素子との間に第１のインダクタンスが、線路に対して直列接続され、該電圧素子とスイッチ出力端との間に第２のインダクタンスが、該線路に対して直列接続されている。これら双方の付加的なインダクタンスによって該保護装置のインピーダンスが、高周波領域において通常である５０Ωの値に適合される。
【００１５】
とりわけ、インダクタンスを０〜４７ｎＨの間で適切に選択することにより、第１の保護装置の挿入減衰を＜０．３ｄＢに小さくすることができる。
【００１６】
さらにスイッチングユニットには、コントロール線路が配置される。このコントロール線路によって、該スイッチングユニットのスイッチ位置が制御される。
【００１７】
さらに、過電圧に対する保護（ＥＳＤ保護）は、該回路装置のコントロール線路を静電気放電に対する第２の保護装置と接続することによって改善される。このことによって、アース接続を介して入力結合されコントロール線路に印加される過電圧が、特に効果的に低減される。
【００１８】
静電気放電に対する保護装置は、有利にはアース接続部に接続されている。このアース接続部へ、静電気放電の過電圧が導出される。
【００１９】
スイッチングユニットは、たとえば電圧制御スイッチである。電圧制御スイッチの電力消費は低いので、電圧制御スイッチは通常、移動電話機にて使用される。とりわけスイッチングユニットとして、砒化ガリウムスイッチが考えられる。
【００２０】
スイッチングユニットは、複数の信号入力端および複数の信号出力端を有することもできる。それに相応して、複数のコントロール線路が必要になる。
【００２１】
前記砒化ガリウムスイッチには、さらにデコーダを設けることもできる。このデコーダによってコントロール線路の数が低減される。このようなデコーダは通常、電圧供給部を必要とし、この電圧供給部は給電線路を介して接続されている。この種の回路のＥＳＤ保護は、給電線路を静電気放電に対する第３の保護装置に接続することにより、一層改善される。
【００２２】
さらに、本発明による回路装置を備えたスイッチングモジュールが提供される。該スイッチングモジュールはさらに、電気的な周波数フィルタを形成する受動素子が集積された多層セラミック基板を有する。この周波数フィルタは、信号入力端ないしは信号出力端に配属されている。多層セラミック基板の上面にはスイッチングユニットが配置されており、このスイッチングユニットは、たとえばＰＩＮダイオードによって、または砒化ガリウムスイッチの形態で実現される。さらに該スイッチングモジュールには、静電気放電に対する第１の保護装置および第２の保護装置が組み込まれている。
【００２３】
該回路装置は、さらに周波数フィルタを有することができる。この周波数フィルタは、個々の信号入力端ないしは個々の信号出力端に配属される。周波数フィルタはとりわけ、信号入力端を介して伝送された、フィルタリングされた信号が移動電話機によってさらに処理されるように、アンテナによって検出された周波数を移動電話機でフィルタリングするのに適している。それに相応することが、移動電話機で形成された音声信号を、アンテナを介して受信器へ送信するために該移動電話機において使用される該回路装置の信号入力端にも当てはまる。
【００２４】
静電気放電に対する第２の保護装置として、たとえばバリスタを使用することが考えられる。このバリスタは、コントロール線路に対して並列接続され、アース電位に接続されている。この種のバリスタのオーム抵抗は一定の限界電圧以上では非常に低いので、過電圧がアースへ導出される。とりわけ、スイッチング電圧が低いバリスタが適している。というのもこの場合には、電圧パルス時に発生し該回路装置に負荷する残留電圧は最も低いからである。それゆえ、４〜２０Ｖの間のバリスタ電圧を有するバリスタを使用することが考えられる。それに相応して、電圧パルス時に該回路装置に負荷するクランプ電圧は、約８Ｖ〜約５０Ｖである。このことにより、該回路装置を確実に、ＥＳＤパルス時の破壊から保護することができる。
【００２５】
さらに、静電気放電に対する第２の保護装置として、トリガスパークギャップまたはＺダイオードを使用することが考えられる。
【００２６】
さらに本発明では、アンテナ入力端がアンテナに接続されており、信号出力端が移動電話機の受信アンプに接続されており、信号入力端が移動電話機の送信アンプに接続されている回路装置が提供される。
【００２７】
さらに、本発明による回路装置を備えたスイッチングモジュールが提供される。該スイッチングモジュールはさらに、電気的な周波数フィルタを形成する受動素子が集積された多層セラミック基板を有する。この周波数フィルタは、信号入力端ないしは信号出力端に配属されている。多層セラミック基板の上面にはスイッチングユニットが配置されており、このスイッチングユニットは、たとえばＰＩＮダイオードによって、または砒化ガリウムスイッチの形態で実現される。さらに該スイッチングモジュールには、静電気放電に対する第１の保護装置と、場合によっては第２の保護装置とが組み込まれている。
【００２８】
該スイッチングモジュールの利点は、受動素子をセラミック基板に集積し、保護装置を該スイッチングモジュールに組み込むことにより、高い集積度を達成できることである。この高い集積度は、スイッチングモジュールの所要面積に好影響を与える。第１の保護装置と、場合によっては第２の保護装置は、たとえばこれらのコンポーネントをセラミック基板の表面上にスイッチングユニットと並んで構成することによってスイッチングモジュールに組み込まれる。
【００２９】
とりわけ、該スイッチングモジュールをフロントエンドモジュールとして移動電話機において使用すると一層有利である。
【００３０】
以下で本発明を、実施例および所属の図面に基づいてより詳細に説明する。
【００３１】
図１ 例として、本発明による回路装置を基本回路図で示している。
【００３２】
図２ 例として、本発明による別の回路装置を基本回路図で示している。
【００３３】
図３ 本発明による回路装置を移動電話機において使用する様子を、基本回路図によって示している。
【００３４】
図４ 例として、本発明によるスイッチングモジュールの縦断面を概略的に示している。
【００３５】
すべての図面に対して、同一の参照番号は同一の要素を示していることが適用される。
【００３６】
図１は、スイッチングユニット４を有する回路装置を示している。このスイッチングユニット４には、アース８が設けられている。スイッチングユニット４はアンテナ入力端１を有し、このアンテナ入力端４はアンテナ１８に接続されている。アンテナ入力端１は、静電気放電（図１では電光によって記号表示されている）に対する第１の保護装置６に接続されている。スイッチングユニット４は少なくとも１つのコントロール線路５を有し、このコントロール線路５は、アンテナ入力端１をスイッチングユニット４の信号入力端２ないしは信号出力端３と接続するスイッチングプロセスを制御する。図１には３つのコントロール線路５が示されている。これらのコントロール線路５のうち少なくとも１つには、静電気放電に対する第２の保護装置７が設けられている。この第２の保護装置７はバリスタの形態で構成されており、このバリスタはアース８に接続されている。図１に示されたスイッチングユニット４は、さらにデコーダを有している。このデコーダには給電線路１１が必要である。給電線路１１は給電電圧＋Ｖｃｃに接続されている。さらに給電線路１１は、静電気放電に対する第３の保護装置１２に接続されている。この保護装置１２はたとえばバリスタであり、アース８に接続されている。
【００３７】
第１の保護装置６は、アンテナ入力端１１１およびスイッチ出力端１１２を有する。アンテナ入力端１１１およびスイッチ出力端１１２は、線路１１３によって相互に接続されている。線路１１３に対して、２つのインダクタンスＬ１およびＬ２が直列接続されている。これらの両インダクタンスＬ１，Ｌ２は、５０Ωの値にインピーダンス適合するために使用される。インダクタンスＬ１，Ｌ２間では、線路１１３に対して並列接続で、別のインダクタンスＬ３および電圧制限素子１１４が分岐されている。電圧制限素子１１４は、たとえばバリスタである。インダクタンスＬ３およびバリスタは、該回路装置のアース８に接続されている。このバリスタによって、該回路装置４に入力結合される電圧が制限される。ここでとりわけ重要なのは、バリスタのスイッチング電圧である。このスイッチング電圧は、４〜８Ｖの間にあるべきである。バリスタのスイッチング電圧が低いほど、過電圧が良好に導出され、ひいてはスイッチングユニット４において過電圧が抑圧される。有利には、バリスタのスイッチング電圧は６Ｖ以下である。このことは、第２の保護装置７および第３の保護装置１２にも当てはまる。このバリスタのスイッチング電圧によって、高電圧パルスの消失後になお残留し保護装置を通過してスイッチングユニット４へ供給される残留電圧が指定される。
【００３８】
第１の保護装置内のインダクタンスは、有利には以下の値を有する。
【００３９】
Ｌ１＝０〜５ｎＨ
Ｌ２＝０〜５ｎＨ
Ｌ３＝０〜４７ｎＨ
とりわけ、インダクタンスを適切に選定することにより（Ｌ１＝０ｎＨ、Ｌ２＝１ｎＨ、Ｌ３＝４７ｎＨ）、第１の保護装置の挿入減衰を０．３ｄＢ未満にすることができる。
【００４０】
図２は、アンテナ入力端１を有する電圧制御式のＧａＡｓスイッチ９を示している。このＧａＡｓスイッチ９には、アンテナ１８が接続されている。ＧａＡｓスイッチ９は、送信器入力端ＴＸ１，ＴＸ２と、受信器入力端ＲＸ１，ＲＸ２およびＲＸ３とを有する。ＧａＡｓスイッチ９は、制御入力端Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５を介して制御される。この制御は、前記制御入力端Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５のうちただ１つが「ハイ」にセットされ、他の制御入力端が「ロー」にセットされるように実行される。ＧａＡｓスイッチ９に接続されたデコーダ１０によって、必要な入力端の数が削減される。デコーダ１０は、たとえば１アウトオブ５デコーダである。このデコーダ１０は、制御入力端Ｅ１，Ｅ２およびＥ３と、制御出力端Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４およびＡ５とを有する。制御出力端Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４およびＡ５は制御線路２４により、ＧａＡｓスイッチ９の制御入力端Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５に接続されている。
【００４１】
デコーダ１０の制御入力端Ｅ１，Ｅ２およびＥ３は、コントロール線路５に接続されている。
【００４２】
デコーダ１０の入力端Ｅ１，Ｅ２およびＥ３に印加された論理信号を、ＧａＡｓスイッチ９の制御に適した信号にデコーディングする一例が、以下の変換テーブルに示されている。ＧａＡｓスイッチ９の制御に適した前記信号は、該ＧａＡｓスイッチ９の制御入力端Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５に印加される。
【００４３】
テーブル１：制御入力端Ｅ１，Ｅ２およびＥ３における論理状態に依存する制御入力端Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５の論理状態。ここでは、１＝「ハイ」および０＝「ロー」である。
【００４４】
【表１】
【００４５】
送信器入力端ＴＸ１，ＴＸ２は、図１に示された信号入力端２に相応する。受信器入力端ＲＸ１，ＲＸ２およびＲＸ３は、図１に示された信号出力端３に相応する。
【００４６】
図３は、ＧａＡｓスイッチ９を有するスイッチングモジュールを示している。このＧａＡｓスイッチ９は、アンテナ入力端１と、２つの信号入力端２と、３つの信号出力端３とを有する。さらに、該スイッチングモジュールは２つのローパスフィルタ１３，１４を有する。ここでは、ローパスフィルタ１３はＧＳＭ周波数帯のために構成され、ローパスフィルタ１４はＰＣＮ／ＰＣＳ周波数帯のために構成されている。ＧａＡｓスイッチ９は選択的に、入力端２／出力端３のうち１つを該ＧａＡｓスイッチ９のアンテナ入力端１と接続する。該スイッチングモジュールは、さらにバンドパスフィルタ１５，１６，１７を有し、これらのバンドパスフィルタは信号出力端３に接続されている。バンドパスフィルタ１５はＧＳＭ周波数に適合されており、バンドパスフィルタ１６はＰＣＮ周波数に適合されており、バンドパスフィルタ１７がＰＣＳ周波数に適合されている。
【００４７】
ＧａＡｓスイッチ９の信号入力端２は、送信器アンプ１９に導電接続されている。送信器アンプ１９はローパスフィルタ１３，１４と同様に、無線周波数ＧＳＭないしはＰＣＮ／ＰＣＳに適合されている。信号出力端３は、バンドパスフィルタ１５，１６，１７を介して受信器アンプ１９ａに導電接続されており、これらの受信器アンプ１９ａは周波数帯ＧＳＭ、ＰＣＮないしはＰＣＳに適合されている。ＧａＡｓスイッチ９のアンテナ入力端１は、アンテナ１８に接続されている。アンテナ１８によって受信された信号はＧａＡｓスイッチ９により、バンドパスフィルタ１６，バンドパスフィルタ１７またはバンドパスフィルタ１５へ供給され、使用されている無線周波数に応じてフィルタリングされ、アンプ１９ａで後続処理される。送信器アンプ１９によって得られた信号はローパスフィルタ１３，１４によってフィルタリングされ、信号を送信するために選択的にアンテナ１８へ供給される。
【００４８】
図４は、多層セラミック基板２０を有するスイッチングモジュールを示している。この多層セラミック基板２０には、受動素子２１，２２，２３が集積されている。これらの受動素子２１，２２，２３は、たとえば抵抗２１，キャパシタンス２２およびインダクタンス２３である。多層セラミック基板２０は、それ自体に公知のように構成することができる。相互に積層され金属層３１によって相互に分離されたセラミック層３０を多層セラミック基板２０として使用することができる。金属層３１のうち幾つかは、セラミック層３０内に延在する貫通接触接続部３２によって相互に接続されている。セラミック基板２０の上面には、スイッチングユニット４が取り付けられている。このスイッチングユニット４はたとえば、フリップチップ技術で取り付けられる砒化ガリウムマルチプルスイッチである。
【００４９】
スイッチングユニット４は、たとえば接着および付加的なワイヤボンディングによって固定され、電気的に接触接続される。スイッチングユニット４として有利には、ＧａＡｓマルチプルスイッチが使用される。このようなスイッチの挿入減衰は、１〜２ＧＨｚの間の周波数領域において０．８ｄＢである。スイッチングユニット４はここでは、砒化ガリウムをベースとして製造された、ＦＥＴを有する集積回路であり、この集積回路は極小面積ではんだ付けによってセラミック基板２０と結合される。
【００５０】
スイッチングユニット４は多層セラミック基板２０上にも固定され、ワイヤボンディングによって電気的に接続される。スイッチングユニット４が付加的なケーシングとともに使用される場合、有利には、はんだ付けによる結合が適用される。
【００５１】
受動素子２１，２２，２３は、図３にて必要なフィルタ１３，１４，１５，１６，１７を形成する。
【００５２】
スイッチングユニット４の他に第１の保護装置６および第２の保護装置７も、基板２０の表面上に取り付けられている。こうすることにより、本発明によるスイッチングモジュールの集積度が高くなり、スイッチングモジュールの所要面積に好影響が及ぼされる。
【００５３】
このようなスイッチングモジュールは、たとえば移動電話機において使用される。それゆえ、本発明によるスイッチングモジュールをフロントエンドモジュールとして有利に使用することもまた、本発明の別の対象である。
【００５４】
本発明は、ここに挙げられた第２保護装置および第３の保護装置の例に制限されない。むしろ、考え得るすべての保護装置を本発明の回路装置にて使用することができる。さらに該回路装置ないしはスイッチングモジュールは、移動電話機における適用にのみ制限されない。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】例として、本発明による回路装置を基本回路図で示している。
【図２】例として、本発明による別の回路装置を基本回路図で示している。
【図３】本発明による回路装置を移動電話機において使用する様子を、基本回路図によって示している。
【図４】例として、本発明によるスイッチングモジュールの縦断面を概略的に示している。
【符号の説明】
【００５６】
１ アンテナ入力端
２ 信号入力端
３ 信号出力端
４ スイッチングユニット
５ コントロール線路
６ 第１の保護装置
７ 第２の保護装置
８ アース
９ 砒化ガリウムスイッチ
１０ デコーダ
１１ 給電線路
１２ 第３の保護装置
１３，１４ ローパスフィルタ
１５，１６，１７ バンドパスフィルタ
１８ アンテナ
１９ 送信アンプ
１９ａ 受信アンプ
２０ 多層セラミック基板
２１ 抵抗
２２ キャパシタンス
２３ インダクタンス
２４ 制御線路
３０ セラミック層
３１ 金属層
３２ 貫通接触接続部
ＴＸ１，ＴＸ２ 送信器入力端
ＲＸ１，ＲＸ２，ＲＸ３ 受信器入力端
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５ スイッチの制御入力端
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５ デコーダの制御出力端
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３ デコーダの制御入力端
Ｖｃｃ 給電電圧
１１１ アンテナ入力端
１１２ スイッチ出力端
１１３ 線路
１１４ 電圧制限素子
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３ インダクタンス
【０００１】
本発明は、アンテナ入力端と、信号入力端と、信号出力端とを有するスイッチングユニットを備えた回路装置に関する。該スイッチングユニットはさらにコントロール線路を有し、前記コントロール線路によって、アンテナ入力端と信号入力端または信号出力端との間の接続の選択的な切り替えがコントロールされる。該回路装置のアンテナ入力端は、静電気放電に対する保護装置に接続されている。
【０００２】
冒頭に述べられた形式の回路装置はしばしば、移動電話機のためのマルチバンドフロントエンドモジュールとして使用される。このように適用される際、この回路装置のアンテナ入力端は移動電話機のアンテナと接続されている。帯電したユーザがアンテナに接触すると、静電気放電が発生するおそれがある。この静電気放電は、「Electrostatic Discharge ESD」という名称でも知られている。この静電気放電は、回路装置を破壊するのに十分なスパイクを発生させる可能性がある。このことに応じて、冒頭に述べられた形式の回路装置にＥＳＤに対する保護装置を設ける必要がある。
【０００３】
ＷＯ００／５７５１５からは、ＥＳＤに対する保護装置が設けられた、冒頭に述べられた形式の回路装置が公知である。この保護装置は電気的なハイパスフィルタによって形成されており、このハイパスフィルタでは、アンテナ入力系統に対してキャパシタンスが直列に、インダクタンスが並列に接続されている。
【０００４】
この公知の回路装置の欠点は、アンテナを介して該回路装置に直接入力されるＥＳＤパルスしかＥＳＤ保護装置によって低減できないということである。アンテナを介して該回路装置に入力されるパルスの他に、静電気放電はアース接続を介して高い電圧を該回路装置に発生させることもある。このことの原因はたとえば、スイッチにて通常使用されるコントロール入力端が高電位（high）にあるか、または低電位（low）にあるということである。ここでは高電位（high）の定義は、たとえば回路装置のアース電位を２．３Ｖ上回るということである。移動電話機でも、アンテナによる信号伝送を基礎とする他の多くの機器でも同様に、信号入力結合はアンテナからシステムのアースへと伝搬するので、冒頭に述べられた回路装置の場合であっても、静電気放電が該回路装置のアース電位に直接作用する可能性がある。条件「ハイ」によってコントロール線路とアースとが直接接続されることにより、静電気放電によって発生した電圧パルスが、アンテナ経由の該回路装置への系統の他に、コントロール線路経由の該回路装置への系統にも作用する可能性がある。このような作用に対しては、この公知の回路装置は保護されない。
【０００５】
さらに、公知の回路装置で使用されるハイパスフィルタの特性は、信号の所定の限界周波数以上のすべての周波数成分をほぼ無妨害で通過させてしまう非常に簡単な構成のフィルタであるということである。しかし、アンテナによって捕捉された信号を移動電話機でさらに処理するためには、一般的には非常に狭い周波数領域だけが重要である。たとえばＧＳＭ標準方式、ＰＣＮ標準方式またはＰＣＳ標準方式による移動電話機では、約１〜２ＧＨｚの間の周波数が使用される。アンテナによって捕捉された別のすべての周波数は、どちらかというと障害であるため、フィルタリングによって除去しなければならない。その後、冒頭に述べられた回路装置によって捕捉された信号を移動電話機のために処理可能にするためには、少なくとも１つのバンドパスフィルタが必要である。公知の回路装置内に配置されたハイパスフィルタは、限界周波数を下回る周波数しかカットオフできない。それゆえ、移動電話機に対して有利な周波数領域を、アンテナによって捕捉された信号から取り出すためには、ハイパスフィルタに少なくとも１つのフィルタリング回路も後置接続しなければならない。
【０００６】
その上、前記公知の回路装置は、ＥＳＤに対して保護するために使用されるハイパスフィルタリング回路は挿入減衰を有しているという欠点を有する。この挿入減衰によって有効信号もある程度減衰してしまうのに、伝送された周波数帯のカットオフは未だ行われない。公知の回路装置はさらに、別の必要なフィルタリングとともに作用する際には、総じて挿入減衰量が大きいという欠点を有する。
【０００７】
したがって本発明の課題は、冒頭に述べられた形式の回路装置において、静電気放電に対する保護装置の挿入減衰を小さくすることである。
【０００８】
前記目的は、請求項１に記載された回路装置によって達成される。本発明の別の有利な構成、スイッチングモジュールおよび該スイッチングモジュールの使用方法は、従属請求項に記載されている。
【０００９】
ここには、アンテナ入力端と、信号入力端と、信号出力端とを有するスイッチングユニットを備えた回路装置が記載されている。前記スイッチングユニットは、アンテナ入力端を選択的に信号入力端または信号出力端と導電接続するのに適している。さらに、前記アンテナ入力端は静電気放電に対する第１の保護装置に接続されている。
【００１０】
静電気放電に対する第１の保護装置は、アンテナ入力端およびスイッチ出力端を有し、前記スイッチ出力端は、スイッチユニットのアンテナ入力端に接続されている。前記保護装置のアンテナ入力端と該保護装置のスイッチ出力端とは、線路によって接続されている。アースに対して電圧制限素子が並列接続されており、この電圧制限素子は、たとえばバリスタ、スパークギャップまたはブリーダである。電圧制限素子は、アース接続されている。
【００１１】
電圧制限素子によって、保護装置のアンテナ入力端に印加された過電圧がアースへ導出される。このことは、保護装置の重要な機能は、スイッチングユニットのアンテナ入力端に印加される電圧を制限することであることを意味する。
【００１２】
本発明による回路装置の利点は、保護装置を特別に構成することによってフィルタリング機能が省略されるので、第１の保護装置の挿入減衰が低いということである。
【００１３】
特に、該回路装置の保護メカニズムは、電圧制限素子に対してインダクタンスを並列接続することによって改善することができる。このインダクタンスもまた、アースに接続されている。電圧制限素子に対して並列接続されたインダクタンスは、非常に低い周波数をアースへ導出するのに適している。すなわち、この保護装置によって高い周波数が変化されずに、アンテナ入力端からスイッチングユニットへ伝送される。
【００１４】
さらに有利には、アンテナ入力端と電圧制限素子との間に第１のインダクタンスが、線路に対して直列接続され、該電圧素子とスイッチ出力端との間に第２のインダクタンスが、該線路に対して直列接続されている。これら双方の付加的なインダクタンスによって該保護装置のインピーダンスが、高周波領域において通常である５０Ωの値に適合される。
【００１５】
とりわけ、インダクタンスを０〜４７ｎＨの間で適切に選択することにより、第１の保護装置の挿入減衰を＜０．３ｄＢに小さくすることができる。
【００１６】
さらにスイッチングユニットには、コントロール線路が配置される。このコントロール線路によって、該スイッチングユニットのスイッチ位置が制御される。
【００１７】
さらに、過電圧に対する保護（ＥＳＤ保護）は、該回路装置のコントロール線路を静電気放電に対する第２の保護装置と接続することによって改善される。このことによって、アース接続を介して入力結合されコントロール線路に印加される過電圧が、特に効果的に低減される。
【００１８】
静電気放電に対する保護装置は、有利にはアース接続部に接続されている。このアース接続部へ、静電気放電の過電圧が導出される。
【００１９】
スイッチングユニットは、たとえば電圧制御スイッチである。電圧制御スイッチの電力消費は低いので、電圧制御スイッチは通常、移動電話機にて使用される。とりわけスイッチングユニットとして、砒化ガリウムスイッチが考えられる。
【００２０】
スイッチングユニットは、複数の信号入力端および複数の信号出力端を有することもできる。それに相応して、複数のコントロール線路が必要になる。
【００２１】
前記砒化ガリウムスイッチには、さらにデコーダを設けることもできる。このデコーダによってコントロール線路の数が低減される。このようなデコーダは通常、電圧供給部を必要とし、この電圧供給部は給電線路を介して接続されている。この種の回路のＥＳＤ保護は、給電線路を静電気放電に対する第３の保護装置に接続することにより、一層改善される。
【００２２】
さらに、本発明による回路装置を備えたスイッチングモジュールが提供される。該スイッチングモジュールはさらに、電気的な周波数フィルタを形成する受動素子が集積された多層セラミック基板を有する。この周波数フィルタは、信号入力端ないしは信号出力端に配属されている。多層セラミック基板の上面にはスイッチングユニットが配置されており、このスイッチングユニットは、たとえばＰＩＮダイオードによって、または砒化ガリウムスイッチの形態で実現される。さらに該スイッチングモジュールには、静電気放電に対する第１の保護装置および第２の保護装置が組み込まれている。
【００２３】
該回路装置は、さらに周波数フィルタを有することができる。この周波数フィルタは、個々の信号入力端ないしは個々の信号出力端に配属される。周波数フィルタはとりわけ、信号入力端を介して伝送された、フィルタリングされた信号が移動電話機によってさらに処理されるように、アンテナによって検出された周波数を移動電話機でフィルタリングするのに適している。それに相応することが、移動電話機で形成された音声信号を、アンテナを介して受信器へ送信するために該移動電話機において使用される該回路装置の信号入力端にも当てはまる。
【００２４】
静電気放電に対する第２の保護装置として、たとえばバリスタを使用することが考えられる。このバリスタは、コントロール線路に対して並列接続され、アース電位に接続されている。この種のバリスタのオーム抵抗は一定の限界電圧以上では非常に低いので、過電圧がアースへ導出される。とりわけ、スイッチング電圧が低いバリスタが適している。というのもこの場合には、電圧パルス時に発生し該回路装置に負荷する残留電圧は最も低いからである。それゆえ、４〜２０Ｖの間のバリスタ電圧を有するバリスタを使用することが考えられる。それに相応して、電圧パルス時に該回路装置に負荷するクランプ電圧は、約８Ｖ〜約５０Ｖである。このことにより、該回路装置を確実に、ＥＳＤパルス時の破壊から保護することができる。
【００２５】
さらに、静電気放電に対する第２の保護装置として、トリガスパークギャップまたはＺダイオードを使用することが考えられる。
【００２６】
さらに本発明では、アンテナ入力端がアンテナに接続されており、信号出力端が移動電話機の受信アンプに接続されており、信号入力端が移動電話機の送信アンプに接続されている回路装置が提供される。
【００２７】
さらに、本発明による回路装置を備えたスイッチングモジュールが提供される。該スイッチングモジュールはさらに、電気的な周波数フィルタを形成する受動素子が集積された多層セラミック基板を有する。この周波数フィルタは、信号入力端ないしは信号出力端に配属されている。多層セラミック基板の上面にはスイッチングユニットが配置されており、このスイッチングユニットは、たとえばＰＩＮダイオードによって、または砒化ガリウムスイッチの形態で実現される。さらに該スイッチングモジュールには、静電気放電に対する第１の保護装置と、場合によっては第２の保護装置とが組み込まれている。
【００２８】
該スイッチングモジュールの利点は、受動素子をセラミック基板に集積し、保護装置を該スイッチングモジュールに組み込むことにより、高い集積度を達成できることである。この高い集積度は、スイッチングモジュールの所要面積に好影響を与える。第１の保護装置と、場合によっては第２の保護装置は、たとえばこれらのコンポーネントをセラミック基板の表面上にスイッチングユニットと並んで構成することによってスイッチングモジュールに組み込まれる。
【００２９】
とりわけ、該スイッチングモジュールをフロントエンドモジュールとして移動電話機において使用すると一層有利である。
【００３０】
以下で本発明を、実施例および所属の図面に基づいてより詳細に説明する。
【００３１】
図１ 例として、本発明による回路装置を基本回路図で示している。
【００３２】
図２ 例として、本発明による別の回路装置を基本回路図で示している。
【００３３】
図３ 本発明による回路装置を移動電話機において使用する様子を、基本回路図によって示している。
【００３４】
図４ 例として、本発明によるスイッチングモジュールの縦断面を概略的に示している。
【００３５】
すべての図面に対して、同一の参照番号は同一の要素を示していることが適用される。
【００３６】
図１は、スイッチングユニット４を有する回路装置を示している。このスイッチングユニット４には、アース８が設けられている。スイッチングユニット４はアンテナ入力端１を有し、このアンテナ入力端４はアンテナ１８に接続されている。アンテナ入力端１は、静電気放電（図１では電光によって記号表示されている）に対する第１の保護装置６に接続されている。スイッチングユニット４は少なくとも１つのコントロール線路５を有し、このコントロール線路５は、アンテナ入力端１をスイッチングユニット４の信号入力端２ないしは信号出力端３と接続するスイッチングプロセスを制御する。図１には３つのコントロール線路５が示されている。これらのコントロール線路５のうち少なくとも１つには、静電気放電に対する第２の保護装置７が設けられている。この第２の保護装置７はバリスタの形態で構成されており、このバリスタはアース８に接続されている。図１に示されたスイッチングユニット４は、さらにデコーダを有している。このデコーダには給電線路１１が必要である。給電線路１１は給電電圧＋Ｖｃｃに接続されている。さらに給電線路１１は、静電気放電に対する第３の保護装置１２に接続されている。この保護装置１２はたとえばバリスタであり、アース８に接続されている。
【００３７】
第１の保護装置６は、アンテナ入力端１１１およびスイッチ出力端１１２を有する。アンテナ入力端１１１およびスイッチ出力端１１２は、線路１１３によって相互に接続されている。線路１１３に対して、２つのインダクタンスＬ１およびＬ２が直列接続されている。これらの両インダクタンスＬ１，Ｌ２は、５０Ωの値にインピーダンス適合するために使用される。インダクタンスＬ１，Ｌ２間では、線路１１３に対して並列接続で、別のインダクタンスＬ３および電圧制限素子１１４が分岐されている。電圧制限素子１１４は、たとえばバリスタである。インダクタンスＬ３およびバリスタは、該回路装置のアース８に接続されている。このバリスタによって、該回路装置４に入力結合される電圧が制限される。ここでとりわけ重要なのは、バリスタのスイッチング電圧である。このスイッチング電圧は、４〜８Ｖの間にあるべきである。バリスタのスイッチング電圧が低いほど、過電圧が良好に導出され、ひいてはスイッチングユニット４において過電圧が抑圧される。有利には、バリスタのスイッチング電圧は６Ｖ以下である。このことは、第２の保護装置７および第３の保護装置１２にも当てはまる。このバリスタのスイッチング電圧によって、高電圧パルスの消失後になお残留し保護装置を通過してスイッチングユニット４へ供給される残留電圧が指定される。
【００３８】
第１の保護装置内のインダクタンスは、有利には以下の値を有する。
【００３９】
Ｌ１＝０〜５ｎＨ
Ｌ２＝０〜５ｎＨ
Ｌ３＝０〜４７ｎＨ
とりわけ、インダクタンスを適切に選定することにより（Ｌ１＝０ｎＨ、Ｌ２＝１ｎＨ、Ｌ３＝４７ｎＨ）、第１の保護装置の挿入減衰を０．３ｄＢ未満にすることができる。
【００４０】
図２は、アンテナ入力端１を有する電圧制御式のＧａＡｓスイッチ９を示している。このＧａＡｓスイッチ９には、アンテナ１８が接続されている。ＧａＡｓスイッチ９は、送信器入力端ＴＸ１，ＴＸ２と、受信器入力端ＲＸ１，ＲＸ２およびＲＸ３とを有する。ＧａＡｓスイッチ９は、制御入力端Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５を介して制御される。この制御は、前記制御入力端Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５のうちただ１つが「ハイ」にセットされ、他の制御入力端が「ロー」にセットされるように実行される。ＧａＡｓスイッチ９に接続されたデコーダ１０によって、必要な入力端の数が削減される。デコーダ１０は、たとえば１アウトオブ５デコーダである。このデコーダ１０は、制御入力端Ｅ１，Ｅ２およびＥ３と、制御出力端Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４およびＡ５とを有する。制御出力端Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４およびＡ５は制御線路２４により、ＧａＡｓスイッチ９の制御入力端Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５に接続されている。
【００４１】
デコーダ１０の制御入力端Ｅ１，Ｅ２およびＥ３は、コントロール線路５に接続されている。
【００４２】
デコーダ１０の入力端Ｅ１，Ｅ２およびＥ３に印加された論理信号を、ＧａＡｓスイッチ９の制御に適した信号にデコーディングする一例が、以下の変換テーブルに示されている。ＧａＡｓスイッチ９の制御に適した前記信号は、該ＧａＡｓスイッチ９の制御入力端Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５に印加される。
【００４３】
テーブル１：制御入力端Ｅ１，Ｅ２およびＥ３における論理状態に依存する制御入力端Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５の論理状態。ここでは、１＝「ハイ」および０＝「ロー」である。
【００４４】
【表１】
送信器入力端ＴＸ１，ＴＸ２は、図１に示された信号入力端２に相応する。受信器入力端ＲＸ１，ＲＸ２およびＲＸ３は、図１に示された信号出力端３に相応する。
【００４６】
図３は、ＧａＡｓスイッチ９を有するスイッチングモジュールを示している。このＧａＡｓスイッチ９は、アンテナ入力端１と、２つの信号入力端２と、３つの信号出力端３とを有する。さらに、該スイッチングモジュールは２つのローパスフィルタ１３，１４を有する。ここでは、ローパスフィルタ１３はＧＳＭ周波数帯のために構成され、ローパスフィルタ１４はＰＣＮ／ＰＣＳ周波数帯のために構成されている。ＧａＡｓスイッチ９は選択的に、入力端２／出力端３のうち１つを該ＧａＡｓスイッチ９のアンテナ入力端１と接続する。該スイッチングモジュールは、さらにバンドパスフィルタ１５，１６，１７を有し、これらのバンドパスフィルタは信号出力端３に接続されている。バンドパスフィルタ１５はＧＳＭ周波数に適合されており、バンドパスフィルタ１６はＰＣＮ周波数に適合されており、バンドパスフィルタ１７がＰＣＳ周波数に適合されている。
【００４７】
ＧａＡｓスイッチ９の信号入力端２は、送信器アンプ１９に導電接続されている。送信器アンプ１９はローパスフィルタ１３，１４と同様に、無線周波数ＧＳＭないしはＰＣＮ／ＰＣＳに適合されている。信号出力端３は、バンドパスフィルタ１５，１６，１７を介して受信器アンプ１９ａに導電接続されており、これらの受信器アンプ１９ａは周波数帯ＧＳＭ、ＰＣＮないしはＰＣＳに適合されている。ＧａＡｓスイッチ９のアンテナ入力端１は、アンテナ１８に接続されている。アンテナ１８によって受信された信号はＧａＡｓスイッチ９により、バンドパスフィルタ１６，バンドパスフィルタ１７またはバンドパスフィルタ１５へ供給され、使用されている無線周波数に応じてフィルタリングされ、アンプ１９ａで後続処理される。送信器アンプ１９によって得られた信号はローパスフィルタ１３，１４によってフィルタリングされ、信号を送信するために選択的にアンテナ１８へ供給される。
【００４８】
図４は、多層セラミック基板２０を有するスイッチングモジュールを示している。この多層セラミック基板２０には、受動素子２１，２２，２３が集積されている。これらの受動素子２１，２２，２３は、たとえば抵抗２１，キャパシタンス２２およびインダクタンス２３である。多層セラミック基板２０は、それ自体に公知のように構成することができる。相互に積層され金属層３１によって相互に分離されたセラミック層３０を多層セラミック基板２０として使用することができる。金属層３１のうち幾つかは、セラミック層３０内に延在する貫通接触接続部３２によって相互に接続されている。セラミック基板２０の上面には、スイッチングユニット４が取り付けられている。このスイッチングユニット４はたとえば、フリップチップ技術で取り付けられる砒化ガリウムマルチプルスイッチである。
【００４９】
スイッチングユニット４は、たとえば接着および付加的なワイヤボンディングによって固定され、電気的に接触接続される。スイッチングユニット４として有利には、ＧａＡｓマルチプルスイッチが使用される。このようなスイッチの挿入減衰は、１〜２ＧＨｚの間の周波数領域において０．８ｄＢである。スイッチングユニット４はここでは、砒化ガリウムをベースとして製造された、ＦＥＴを有する集積回路であり、この集積回路は極小面積ではんだ付けによってセラミック基板２０と結合される。
【００５０】
スイッチングユニット４は多層セラミック基板２０上にも固定され、ワイヤボンディングによって電気的に接続される。スイッチングユニット４が付加的なケーシングとともに使用される場合、有利には、はんだ付けによる結合が適用される。
【００５１】
受動素子２１，２２，２３は、図３にて必要なフィルタ１３，１４，１５，１６，１７を形成する。
【００５２】
スイッチングユニット４の他に第１の保護装置６および第２の保護装置７も、基板２０の表面上に取り付けられている。こうすることにより、本発明によるスイッチングモジュールの集積度が高くなり、スイッチングモジュールの所要面積に好影響が及ぼされる。
【００５３】
このようなスイッチングモジュールは、たとえば移動電話機において使用される。それゆえ、本発明によるスイッチングモジュールをフロントエンドモジュールとして有利に使用することもまた、本発明の別の対象である。
【００５４】
本発明は、ここに挙げられた第２保護装置および第３の保護装置の例に制限されない。むしろ、考え得るすべての保護装置を本発明の回路装置にて使用することができる。さらに該回路装置ないしはスイッチングモジュールは、移動電話機における適用にのみ制限されない。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】例として、本発明による回路装置を基本回路図で示している。
【図２】例として、本発明による別の回路装置を基本回路図で示している。
【図３】本発明による回路装置を移動電話機において使用する様子を、基本回路図によって示している。
【図４】例として、本発明によるスイッチングモジュールの縦断面を概略的に示している。
【符号の説明】
【００５６】
１ アンテナ入力端
２ 信号入力端
３ 信号出力端
４ スイッチングユニット
５ コントロール線路
６ 第１の保護装置
７ 第２の保護装置
８ アース
９ 砒化ガリウムスイッチ
１０ デコーダ
１１ 給電線路
１２ 第３の保護装置
１３，１４ ローパスフィルタ
１５，１６，１７ バンドパスフィルタ
１８ アンテナ
１９ 送信アンプ
１９ａ 受信アンプ
２０ 多層セラミック基板
２１ 抵抗
２２ キャパシタンス
２３ インダクタンス
２４ 制御線路
３０ セラミック層
３１ 金属層
３２ 貫通接触接続部
ＴＸ１，ＴＸ２ 送信器入力端
ＲＸ１，ＲＸ２，ＲＸ３ 受信器入力端
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５ スイッチの制御入力端
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５ デコーダの制御出力端
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３ デコーダの制御入力端
Ｖｃｃ 給電電圧
１１１ アンテナ入力端
１１２ スイッチ出力端
１１３ 線路
１１４ 電圧制限素子
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３ インダクタンス
Claims (16)
- 回路装置において、
アンテナ入力端（１）と、信号入力端（２）と、信号出力端（３）とを有し、
スイッチングユニット（４）が設けられており、
該スイッチングユニット（４）は、前記アンテナ入力端（１）を選択的に、信号入力端（２）または信号出力端（３）と接続し、
前記アンテナ入力端（１）は、静電気放電に対する第１の保護装置（６）に接続されており、
前記第１の保護装置（６）は、アンテナ入力端（１１１）およびスイッチ出力端（１１２）を有し、
前記アンテナ入力端（１１１）およびスイッチ出力端（１１２）は、線路（１１３）によって相互に接続されており、
前記第１の保護装置（６）において、前記線路（１１３）に対して並列接続で、電圧制限素子（１１４）がアース（８）に接続されていることを特徴とする回路装置。 - 前記電圧制限素子（１１４）に対して、インダクタンス（Ｌ３）が並列接続されている、請求項１記載の回路装置。
- アンテナ入力端（１１１）と電圧制限素子（１１４）との間には、第１のインダクタンス（Ｌ１）が前記線路（１１３）に対して直列接続されており、
前記電圧制限素子（１１４）とスイッチ出力端（１１２）との間には、第２のインダクタンス（Ｌ２）が前記線路（１１３）に対して直列接続されている、請求項１または２記載の回路装置。 - 第１の保護装置（６）の挿入減衰は、０．３ｄＢ未満である、請求項１から３までのいずれか１項記載の回路装置。
- コントロール線路（５）が設けられており、
前記コントロール線路（５）によって、スイッチングユニット（４）のスイッチ位置が制御され、
前記コントロール線路（５）は、静電気放電に対する第２の保護装置（７）に接続されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の回路装置。 - 前記保護装置（６，７）はアース（８）に接続されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の回路装置。
- スイッチングユニット（４）は電圧制御スイッチである、請求項１から６までのいずれか１項記載の回路装置。
- スイッチングユニット（４）は砒化ガリウムスイッチ（９）である、請求項７記載の回路装置。
- 付加的にデコーダ（１０）が設けられており、
前記デコーダ（１０）は給電線路（１１）を有し、
前記給電線路（１１）は、静電気放電に対する第３の保護装置（１２）に接続されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の回路装置。 - 付加的に周波数フィルタ（１３，１４，１５，１６，１７）が設けられており、
前記周波数フィルタ（１３，１４，１５，１６，１７）は、それぞれ信号入力端（２）ないしは信号出力端（３）に配属されており、それぞれ信号入力端（２）ないしは信号出力端（３）に対して直列接続されている、請求項１から９までのいずれか１項記載の回路装置。 - 前記電圧制限素子（１１４）はバリスタである、請求項５から１０までのいずれか１項記載の回路装置。
- 第２の保護装置（７）は、スパークギャップ、バリスタまたはＺダイオードである、請求項５から１０までのいずれか１項記載の回路装置。
- 前記バリスタのうち少なくとも１つのスイッチング電圧は、６Ｖ未満である、請求項１１または１２記載の回路装置。
- アンテナ入力端（１）はアンテナ（１８）に接続されており、
信号入力端（２）は送信アンプ（１９）に接続されており、
信号出力端（３）は受信アンプ（１９ａ）に接続されている、請求項１から１３までのいずれか１項記載の回路装置。 - スイッチングモジュールにおいて、
受動素子（２１，２２，２３）が集積された多層セラミック基板（２０）を有し、
前記受動素子（２１，２２，２３）は、周波数フィルタ（１３，１４，１５，１６，１７）を形成し、
前記多層セラミック基板（２０）の上面には、スイッチングユニット（４）が配置されており、
前記多層セラミック基板（２０）には、第１の保護装置（６）が組み込まれている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の回路装置を有するスイッチングモジュール。 - スイッチングモジュールの使用方法において、
請求項１５記載のスイッチングモジュールをフロントエンドモジュールとして、移動電話機にて使用することを特徴とする使用方法。
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