JP4008881B2 - 回路装置、該回路装置を有するスイッチングモジュール、および該スイッチングモジュールの使用方法 - Google Patents

回路装置、該回路装置を有するスイッチングモジュール、および該スイッチングモジュールの使用方法 Download PDF

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Description

本発明は、アンテナ入力端と、信号入力端と、信号出力端とを有する回路装置に関する。さらに該回路装置は、前記アンテナ入力端を選択的に信号入力端または信号出力端に接続するスイッチングユニットを有している。
冒頭に述べられた形式の回路装置はしばしば、移動電話機のためのマルチバンドフロントエンドモジュールとして使用される。このように適用される際、この回路装置のアンテナ入力端は移動電話機のアンテナと接続されている。帯電したユーザがアンテナに接触すると、静電気放電が発生するおそれがある。この静電気放電は、「Electrostatic Discharge ESD」という名称でも知られている。この静電気放電は、回路装置を破壊するのに十分なスパイクを発生させる可能性がある。このことに応じて、冒頭に述べられた形式の回路装置にESDに対する保護装置を設ける必要がある。
WO00/57515からは、ESDに対する保護装置が設けられた、冒頭に述べられた形式の回路装置が公知である。この保護装置は電気的なハイパスフィルタによって形成されており、このハイパスフィルタでは、アンテナ入力系統に対してキャパシタンスが直列に、インダクタンスが並列に接続されている。
この公知の回路装置の欠点は、アンテナを介して該回路装置に直接入力されるESDパルスしかESD保護装置によって低減できないということである。アンテナを介して該回路装置に入力されるパルスの他に、静電気放電はアース接続を介して高い電圧を該回路装置に発生させることもある。このことの原因はたとえば、スイッチにて通常使用されるコントロール入力端が高電位(high)にあるか、または低電位(low)にあるということである。ここでは高電位(high)の定義は、たとえば回路装置のアース電位を2.3V上回るということである。移動電話機でも、アンテナによる信号伝送を基礎とする他の多くの機器でも同様に、信号入力はアンテナからシステムのアースへと伝搬するので、冒頭に述べられた回路装置の場合であっても、静電気放電が該回路装置のアース電位に直接作用する可能性がある。コントロール線路と条件「ハイ」によるアースとの直接接続を介して、静電気放電によって発生した電圧パルスが、アンテナ経由の該回路装置への系統の他に、コントロール線路経由の該回路装置への系統にも作用する可能性がある。このような作用に対しては、この公知の回路装置は保護されない。
さらに、公知の回路装置で使用されるハイパスフィルタの特性は、信号の所定の限界周波数以上のすべての周波数成分をほぼ無妨害で通過させてしまう非常に簡単な構成のフィルタであるということである。しかし、アンテナによって捕捉された信号を移動電話機でさらに処理するためには、一般的には非常に狭い周波数領域だけが重要である。たとえばGSM標準方式、PCN標準方式またはPCS標準方式による移動電話機では、約1〜2GHzの間の周波数が使用される。アンテナによって捕捉された別のすべての周波数は、どちらかというと障害であるため、フィルタリングによって除去しなければならない。その後、冒頭に述べられた回路装置によって捕捉された信号を移動電話機のために処理可能にするためには、少なくとも1つのバンドパスフィルタが必要である。公知の回路装置内に配置されたハイパスフィルタは、限界周波数を下回る周波数しかカットオフできない。それゆえ、移動電話機に対して有利な周波数領域を、アンテナによって捕捉された信号から取り出すためには、ハイパスフィルタに少なくとも1つのフィルタリング回路も後置接続しなければならない。
その上、前記公知の回路装置は、ESDに対して保護するために使用されるハイパスフィルタリング回路は挿入減衰を有しているという欠点を有する。この挿入減衰によって有効信号もある程度減衰してしまうのに、伝送された周波数帯は未だカットオフされない。公知の回路装置はさらに、総じて挿入減衰量が大きいという欠点を有する。
それゆえ本発明の目的は、冒頭に述べられた形式の回路装置において、アンテナ入力端に設けられた保護装置の周波数依存性を改善することである。
前記目的は、請求項1に記載された回路装置によって達成される。本発明の別の有利な構成、スイッチングモジュールおよび該スイッチングモジュールの使用方法は、従属請求項に記載されている。
ここには、アンテナ入力端と、信号入力端と、信号出力端とを有するスイッチングユニットを備えた回路装置が記載されている。前記スイッチングユニットは、アンテナ入力端を選択的に信号入力端または信号出力端と導電接続するのに適している。さらに、前記スイッチングユニットにはコントロール線路が配置されており、このコントロール線路によってスイッチングユニットのスイッチ位置が制御される。さらに、アンテナ入力端は静電気放電に対する第1の保護装置に接続されている。
静電気放電に対する前記第1の保護装置は、ここではT構造のバンドパスフィルタの形態で構成されている。
バンドパスフィルタは、第1の限界周波数を下回る場合、および第2の限界周波数を上回る場合、該バンドパスフィルタの挿入減衰が大きいという利点を有する。低い周波数に静電気放電の電力の主な割合が含まれており、このようなバンドパスフィルタによって、とりわけ低い周波数が有効に抑圧される。バンドパスフィルタをアンテナ入力端に配置することにより、受信系統に後続のフィルタを配置するという要求が緩和され、総じて挿入減衰が向上される。
本発明の有利な実施形態では、第1の保護装置はアンテナ入力端およびスイッチ出力端を有しており、アンテナ入力端およびスイッチ出力端は線路によって相互に接続されている。インダクタンスおよびキャパシタンスの第1の直列回路が、インダクタンスおよびキャパシタンスの第2の直列回路に対して直列接続され、前記線路に対して直列接続されている。これら両直列回路間には、インダクタンスおよびキャパシタンスの並列回路が前記線路に対して並列接続され、該回路装置のアースに接続されている。
ここに記載された保護装置の回路装置によって、T構造のバンドパスフィルタが実現される。
GSM標準方式ないしはPCS標準方式による周波数が使用される移動電話機で本発明による回路装置を使用するためには、1〜2GHzの間のバンドパスフィルタの減衰が0.5dBより小さいと有利である。この周波数領域外では、バンドパスフィルタの減衰は可能な限り大きくなければならない(たとえばf>3.4GHzの場合、減衰>20dB)。
バンドパスフィルタを有する本発明の回路装置はさらに、線路に対して直列接続された両キャパシタンスによって直流電圧阻止が実現され、スイッチングユニットに印加された直流電圧がアースへ流れていくということが阻止されるという利点を有する。このことにより、ショートの危険が有効に低減される。
本発明の有利な発展形態では、コントロール線路は静電気放電に対する第2の保護装置にも接続されている。このことの利点は、コントロール線路を介してアース接続することにより、該回路に入り込むESD妨害を有効に低減できるということである。
静電気放電に対する保護装置は、有利にはアース接続部に接続されている。このアース接続部へ、静電気放電の過電圧が導出される。
スイッチングユニットは、たとえば電圧制御スイッチである。電圧制御スイッチの電力消費は低いので、電圧制御スイッチは通常、移動電話機にて使用される。とりわけスイッチングユニットとして、砒化ガリウムスイッチが考えられる。
スイッチングユニットは、複数の信号入力端および複数の信号出力端を有することもできる。それに相応して、複数のコントロール線路が必要になる。
該回路装置には、さらにデコーダを設けることもできる。このデコーダによってコントロール線路の数が低減される。このようなデコーダは通常、電圧供給部を必要とし、この電圧供給部は給電線路を介して接続されている。この種の回路のESD保護は、給電線路を静電気放電に対する第3の保護装置に接続することにより、一層改善される。
前記デコーダは、コントロール線路の電圧が給電線路の電圧から形成されるように構成することもできる。このことはたとえば、いわゆる「プルアップ抵抗」によって可能である。こうすることによってESD保護が簡単になり、その際には電圧供給線路に第2の保護装置を設けるだけでよい。したがって、コントロール線路の保護は電圧供給の保護によって行われる。
該回路装置は、さらに周波数フィルタを有することができる。この周波数フィルタは、個々の信号入力端ないしは個々の信号出力端に配属される。周波数フィルタはとりわけ、信号入力端を介して伝送された、フィルタリングされた信号が移動電話機によってさらに処理されるように、アンテナによって検出された周波数を移動電話機でフィルタリングするのに適している。それに相応することが、移動電話機で形成された音声信号を、アンテナを介して受信器へ送信するために該移動電話機において使用される該回路装置の信号入力端にも当てはまる。
静電気放電に対する第2の保護装置として、たとえば電圧制限素子を使用することが考えられる。このような電圧制限素子は、コントロール線路に対して並列接続され、アース電位に接続されている。電圧制限素子は、たとえばバリスタである。この種のバリスタのオーム抵抗は一定の限界電圧以上では非常に低いので、過電圧がアースへ導出される。とりわけ、スイッチング電圧が低いバリスタが適している。というのもこの場合には、電圧パルス時に発生し該回路装置に負荷する残留電圧は最も低いからである。それゆえ、4〜20Vの間のバリスタ電圧を有するバリスタを使用することが考えられる。それに相応して、電圧パルス時に該回路装置に負荷するクランプ電圧は、約8V〜約50Vである。このことにより、該回路装置を確実に、ESDパルス時の破壊から保護することができる。
さらに、静電気放電に対する第2の保護装置として、トリガスパークギャップまたはZダイオードを使用することが考えられる。
さらに本発明によれば、アンテナ入力端がアンテナに接続されており、信号出力端が移動電話機の受信アンプに接続されており、信号入力端が移動電話機の送信アンプに接続されている回路装置が提供される。
さらに、本発明による回路装置を備えたスイッチングモジュールが提供される。該スイッチングモジュールはさらに、電気的な周波数フィルタを形成する受動素子が集積された多層セラミック基板を有する。この周波数フィルタは、信号入力端ないしは信号出力端に配属されている。多層セラミック基板の上面にはスイッチングユニットが配置されており、このスイッチングユニットは、たとえばPINダイオードによって、または砒化ガリウムスイッチの形態で実現される。さらに該スイッチングモジュールには、静電気放電に対する第1の保護装置と、場合によっては第2の保護装置とが組み込まれている。
該スイッチングモジュールの利点は、受動素子をセラミック基板に集積し、保護装置を該スイッチングモジュールに組み込むことにより、高い集積度を達成できることである。この高い集積度は、スイッチングモジュールの所要面積に好影響を与える。第1の保護装置と、場合によっては第2の保護装置は、これらのコンポーネントをセラミック基板の表面上にスイッチングユニットと並んで構成することによってスイッチングモジュールに組み込まれる。
とりわけ、該スイッチングモジュールをフロントエンドモジュールとして移動電話機において使用すると一層有利である。
以下で本発明を、実施例および所属の図面に基づいてより詳細に説明する。
図1 例として、本発明による回路装置を基本回路図で示している。
図2 例として、本発明による別の回路装置を基本回路図で示している。
図3 本発明による回路装置を移動電話機において使用する様子を、基本回路図によって示している。
図4 例として、本発明によるスイッチングモジュールの縦断面を概略的に示している。
すべての図面に対して、同一の参照番号は同一の要素を示していることが適用される。
図1は、スイッチングユニット4を有する回路装置を示している。このスイッチングユニット4には、アース8が設けられている。スイッチングユニット4はアンテナ入力端1を有し、このアンテナ入力端4はアンテナ18に接続されている。アンテナ入力端1は、静電気放電(図1では電光によって記号表示されている)に対する第1の保護装置6に接続されている。スイッチングユニット4は少なくとも1つのコントロール線路5を有し、このコントロール線路5は、アンテナ入力端1をスイッチングユニット4の信号入力端2または信号出力端3と接続するスイッチングプロセスを制御する。図1には3つのコントロール線路5が示されている。これらのコントロール線路5のうち少なくとも1つには、静電気放電に対する第2の保護装置7が設けられている。この第2の保護装置7はバリスタの形態で構成されており、アース8に接続されている。
図1に示されたスイッチングユニット4は、さらにデコーダを有している。このデコーダには給電線路11が必要である。給電線路11は給電電圧+Vccに接続されている。さらに給電線路11は、静電気放電に対する第3の保護装置12に接続されている。第3の保護装置12はたとえばバリスタであり、アース8に接続されている。
第1の保護装置6は、T構造のバンドパスフィルタの形態で構成されている。第1の保護装置6は、アンテナ入力端111およびスイッチ出力端112を有する。アンテナ入力端111およびスイッチ出力端112は、線路113によって相互に接続されている。この線路113に対して、インダクタンスL1およびキャパシタンスC1の第1の直列回路114が直列接続され、インダクタンスL2およびキャパシタンスC2から成る第2の直列回路115が直列接続されている。両直列回路114,115間には、インダクタンスL3およびキャパシタンスC3から成る並列回路116が、前記線路113に対して並列接続されている。前記並列回路116は、アース8に接続されている。
このようなフィルタは、以下のような構成素子データを有する。
L1=0.1〜22nH
L2=0.1〜22nH
L3=0.1〜22nH
C1=0.1〜18pF
C2=0.1〜18pF
C3=0.1〜18pF
キャパシタンスC3の代わりに、たとえばバリスタ等の保護素子を使用することもできる。個々または複数の組み合わせのLiCiは、相互に接続された伝送線路によって形成することもできる。
図2は、アンテナ入力端1を有する電圧制御式のGaAsスイッチ9を示している。このGaAsスイッチ9には、アンテナ18が接続されている。GaAsスイッチ9は、送信器入力端TX,TXと、受信器入力端RX,RXおよびRXとを有する。GaAsスイッチ9は、制御入力端S,S,S,S,Sを介して制御される。この制御は、前記制御入力端S,S,S,S,Sのうちただ1つが「ハイ」にセットされ、他の制御入力端が「ロー」にセットされるように実行される。GaAsスイッチ9に接続されたデコーダ10によって、必要な入力端の数が削減される。デコーダ10は、たとえば1アウトオブ5デコーダである。このデコーダ10は、制御入力端E,EおよびEと、制御出力端A,A,A,AおよびAとを有する。制御出力端A,A,A,AおよびAは接続線路24により、GaAsスイッチ9の制御入力端S,S,S,S,Sに接続されている。
デコーダ10の制御入力端E,EおよびEは、コントロール線路5に接続されている。
デコーダ10の入力端E,EおよびEに印加された論理信号を、GaAsスイッチ9の制御に適した信号にデコーディングする一例が、以下の変換テーブルに示されている。GaAsスイッチ9の制御に適した前記信号は、該GaAsスイッチ9の制御入力端S,S,S,S,Sに印加される。
テーブル1:制御入力端E,EおよびEにおける論理状態に依存する制御入力端S,S,S,S,Sの論理状態。ここでは、1=「ハイ」および0=「ロー」である。
Figure 0004008881
送信器入力端TX,TXは、図1に示された信号入力端2に相応する。受信器入力端RX,RXおよびRXは、図1に示された信号出力端3に相応する。
図3は、GaAsスイッチ9を有するスイッチングモジュールを示している。このGaAsスイッチ9は、アンテナ入力端1と、2つの信号入力端2と、3つの信号出力端3とを有する。さらに、該スイッチングモジュールは2つのローパスフィルタ13,14を有する。ここでは、ローパスフィルタ13はGSM周波数帯のために構成され、ローパスフィルタ14はPCN/PCS周波数帯のために構成されている。GaAsスイッチ9は選択的に、入力端2/出力端3のうち1つを該GaAsスイッチ9のアンテナ入力端1と接続する。該スイッチングモジュールは、さらにバンドパスフィルタ15,16,17を有し、これらのバンドパスフィルタは信号出力端3に接続されている。バンドパスフィルタ15はGSM周波数に適合されており、バンドパスフィルタ16はPCN周波数に適合されており、バンドパスフィルタ17がPCS周波数に適合されている。
信号出力端3に設けられたバンドパスフィルタ15,16,17の詳細な構成は、比較的面倒ではない。というのも、このフィルタリングの一部はESD保護装置によって行われるからである。こうすることにより、総じて挿入減衰が改善される。
GaAsスイッチ9の信号入力端2は、送信器アンプ19に導電接続されている。送信器アンプ19はローパスフィルタ13,14と同様に、無線周波数GSMないしはPCN/PCSに適合されている。信号出力端3は、バンドパスフィルタ15,16,17を介して受信器アンプ19aに導電接続されており、これらの受信器アンプ19aは周波数帯GSM、PCNないしはPCSに適合されている。GaAsスイッチ9のアンテナ入力端1は、アンテナ18に接続されている。アンテナ18によって受信された信号はGaAsスイッチ9により、バンドパスフィルタ16,バンドパスフィルタ17またはバンドパスフィルタ15へ供給され、使用されている無線周波数に応じてフィルタリングされ、アンプ19aで後続処理される。送信器アンプ19によって得られた信号はローパスフィルタ13,14によってフィルタリングされ、信号を送信するために選択的にアンテナ18へ供給される。
図4は、多層セラミック基板20を有するスイッチングモジュールを示している。この多層セラミック基板20には、受動素子21,22,23が集積されている。これらの受動素子21,22,23は、たとえば抵抗21,キャパシタンス22およびインダクタンス23である。多層セラミック基板20は、それ自体に公知のように構成することができる。相互に積層され金属層31によって相互に分離されたセラミック層30を多層セラミック基板20として使用することができる。金属層31のうち幾つかは、セラミック層30内に延在する貫通接触接続部32によって相互に接続されている。セラミック基板20の上面には、スイッチングユニット4が取り付けられている。このスイッチングユニット4はたとえば、フリップチップ技術で取り付けられる砒化ガリウムマルチプルスイッチである。
スイッチングユニット4は、たとえば接着および付加的なワイヤボンドによって固定され、電気的に接触接続される。スイッチングユニット4として有利には、GaAsマルチプルスイッチが使用される。このようなスイッチの挿入減衰は、1〜2GHzの間の周波数領域において0.8dBである。スイッチングユニット4はここでは、砒化ガリウムをベースとして製造された、FETを有する集積回路であり、この集積回路は極小面積ではんだ付けによってセラミック基板20と結合される。
スイッチングユニット4は多層セラミック基板20上にも固定され、ワイヤボンドによって電気的に接続される。スイッチングユニット4が付加的なケーシングとともに使用される場合、有利には、はんだ付けによる結合が適用される。
受動素子21,22,23は、図3にて必要なフィルタ13,14,15,16,17を形成する。
スイッチングユニット4の他に第1の保護装置6および第2の保護装置7も、基板20の表面上に取り付けられている。こうすることにより、本発明によるスイッチングモジュールの集積度が高くなり、スイッチングモジュールの所要面積に好影響が及ぼされる。
第1の保護装置6の個々のコンポーネントは、セラミック基板20の上面に配置されている。しかしたとえばキャパシタンスC1,C2,C3等の個々のコンポーネントは、受動素子21,22,23に相応して、セラミック基板20内にも集積することができる。
本発明は、第2の保護装置および第3の保護装置の、ここに挙げられた例に制限されない。むしろ、考え得るすべての保護装置を本発明の回路装置にて使用することができる。さらに該回路装置ないしはスイッチングモジュールは、移動電話機における適用にのみ制限されない。
例として、本発明による回路装置を基本回路図で示している。
例として、本発明による別の回路装置を基本回路図で示している。
本発明による回路装置を移動電話機において使用する様子を、基本回路図によって示している。
例として、本発明によるスイッチングモジュールの縦断面を概略的に示している。
符号の説明
1 アンテナ入力端
2 信号入力端
3 信号出力端
4 スイッチングユニット
5 コントロール線路
6 第1の保護装置
7 第2の保護装置
8 アース
9 砒化ガリウムスイッチ
10 デコーダ
11 給電線路
12 第3の保護装置
13,14 ローパスフィルタ
15,16,17 バンドパスフィルタ
18 アンテナ
19 送信アンプ
19a 受信アンプ
20 多層セラミック基板
21 抵抗
22 キャパシタンス
23 インダクタンス
24 接続線路
30 セラミック層
31 金属層
32 貫通接触接続部
TX,TX 送信器入力端
RX,RX,RX 受信器入力端
,S,S,S,S スイッチの制御入力端
,A,A,A,A デコーダの制御出力端
,E,E デコーダの制御入力端
Vcc 給電電圧
111 アンテナ入力端
112 スイッチ出力端
113 線路
114 第1の直列回路
115 第2の直列回路
116 並列回路
C1,C2,C3 キャパシタンス
L1,L2,L3 インダクタンス

Claims (16)

  1. 回路装置において、
    アンテナ入力端(1)と、信号入力端(2)と、信号出力端(3)とを有し、
    スイッチングユニット(4)が設けられており、
    該スイッチングユニット(4)は、前記アンテナ入力端(1)を選択的に、信号入力端(2)または信号出力端(3)と接続し、
    前記アンテナ入力端(1)は、静電気放電に対する第1の保護装置(6)に接続されており、
    前記第1の保護装置(6)はT構造のバンドパスフィルタであり、
    スイッチングユニット(4)および第1の保護装置(6)は、受動素子(21,22,23)とともに多層セラミック基板(20)上に集積され、スイッチングモジュールを構成し、
    該スイッチングユニット(4)は、該多層セラミック基板(20)の上面に配置されており、
    該受動素子(21,22,23)は、ローパスフィルタおよびバンドパスフィルタから選択された周波数フィルタ(13,14,15,16,17)を形成し、各周波数フィルタ(13,14,15,16,17)はそれぞれ1つの周波数帯に適合されていることを特徴とする回路装置。
  2. 前記第1の保護装置(6)は、アンテナ入力端(111)と、アンテナ入力端(1)に接続されたスイッチ出力端(112)とを有し、
    前記アンテナ入力端(111)とスイッチ入力端(112)とは、線路(113)によって接続されており、
    インダクタンス(L1)およびキャパシタンス(C1)の第1の直列回路(114)が、インダクタンス(L2)およびキャパシタンス(C2)の第2の直列回路(115)に対して直列接続され、前記線路(113)に対して直列接続されており、
    前記直列回路(114,115)間には、インダクタンス(L3)およびキャパシタンス(C3)から成る並列回路(116)が、前記線路(113)に対して並列接続され、アース(8)に接続されている、請求項1記載の回路装置。
  3. 前記バンドパスフィルタの減衰は、1〜2GHzの間では0.5dB未満であり、3.4GHzより高い周波数に対しては20dBより大きい、請求項1または2記載の回路装置。
  4. スイッチングユニット(4)を制御するためにコントロール線路(5)が設けられており、
    前記コントロール線路(5)は、静電気放電に対する第2の保護装置(7)と接続されている、請求項1から3までのいずれか1項記載の回路装置。
  5. 保護装置(6,7)はアース(8)に接続されている、請求項4記載の回路装置。
  6. スイッチングユニット(4)は電圧制御スイッチである、請求項1から5までのいずれか1項記載の回路装置。
  7. スイッチングユニット(4)は砒化ガリウムスイッチ(9)である、請求項6記載の回路装置。
  8. 付加的にデコーダ(10)が設けられており、
    前記デコーダ(10)は給電線路(11)を有し、
    前記給電線路(11)は、静電気放電に対する第3の保護装置(12)に接続されている、請求項1から7までのいずれか1項記載の回路装置。
  9. 付加的に周波数フィルタ(13,14,15,16,17)が設けられており、
    前記周波数フィルタ(13,14,15,16,17)は、それぞれ信号入力端(2)ないしは信号出力端(3)に配属されており、それぞれ信号入力端(2)ないしは信号出力端(3)に対して直列接続されている、請求項1から8までのいずれか1項記載の回路装置。
  10. 第2の保護装置(7)は電圧制限素子を含む、請求項1から9までのいずれか1項記載の回路装置。
  11. 前記電圧制限素子は、バリスタ、スパークギャップまたはZダイオードである、請求項10記載の回路装置。
  12. バリスタのスイッチング電圧は6V未満である、請求項11記載の回路装置。
  13. アンテナ入力端(1)はアンテナ(18)に接続されており、
    信号入力端(2)は送信アンプ(19)に接続されており、
    信号出力端(3)は受信アンプ(19a)に接続されている、請求項1から12までのいずれか1項記載の回路装置。
  14. 第1の保護装置(6)は少なくとも部分的に、相互に接続された伝送線路から構成されている、請求項1および3から13までのいずれか1項記載の回路装置。
  15. 第1の保護装置(6)は、アンテナ入力端(111)と、アンテナ入力端(1)に接続されたスイッチ出力端(112)とを有し、
    前記アンテナ入力端(111)とスイッチ出力端(112)とは、線路(113)によって接続されており、
    インダクタンス(L1)およびキャパシタンス(C1)の第1の直列回路(114)が、インダクタンス(L2)およびキャパシタンス(C2)の第2の直列回路(115)に対して直列接続され、前記線路(113)に対して直列接続されており、
    直列回路(114,115)間には、インダクタンス(L3)および保護素子から成る並列回路(116)が、前記線路(113)に対して並列接続され、アース(8)に接続されている、請求項1記載の回路装置。
  16. 請求項1から15までのいずれか1項記載のスイッチングモジュールをフロントエンドモジュールとして、移動電話機にて使用することを特徴とする使用方法。
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