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Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung
mit einer Schalteinheit, die einen Antenneneingang, einen Signaleingang
und einen Signalausgang aufweist. Darüber hinaus weist die Schalteinheit
eine Kontroll-Leitung auf, mit deren Hilfe das wahlweise Umschalten
einer Verbindung zwischen dem Antenneneingang und dem Signaleingang
oder dem Signalausgang kontrolliert werden kann. Der Antenneneingang
der Schaltungsanordnung ist mit einer Schutzvorrichtung gegen elektrostatische
Entladungen verbunden.
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Schaltungsanordnungen der eingangs
genannten Art werden oft als Multiband-Frontendmodule für Mobiltelefone
verwendet. Sie sind in dieser Anwendung am Antenneneingang mit der
Antenne des Mobiltelefons verbunden. Die Berührung der Antenne durch einen
elektrisch geladenen Benutzer kann zu elektrostatischen Entladung
führen,
wie sie auch unter dem Namen "Electrostatic Discharge ESD" bekannt
sind. Diese elektrostatischen Entladungen können Spannungsspitzen erzeugen,
die geeignet sind, die Schaltungsanordnung zu zerstören. Dementsprechend
ist es erforderlich, Schaltungsanordnungen der eingangs genannten
Art mit einer Schutzvorrichtung gegen ESD auszurüsten.
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Aus der Druckschrift WO 00/57515
sind Schaltungsanordnungen der eingangs genannten Art bekannt, die
mit einer Schutzvorrichtung gegen ESD ausgerüstet sind. Die Schutzvorrichtung
ist durch einen elektrischen Hochpaß-Filter, bei dem eine Kapazität in Reihe
und eine Induktivität
parallel zum Antenneneingangspfad geschaltet ist, gebildet.
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Die bekannte Schaltungsanordnung
hat den Nachteil, daß mit
Hilfe der ESD-Schutzvorrichtung lediglich der direkt über die
Antenne in die Schaltungsanordnung eingekoppelte ESD-Puls ge mindert
werden kann. Neben dem direkt über
die Antenne auf die Schaltungsanordnung einlaufenden Puls kann eine
elektrostatische Entladung auch über
Massekopplung eine hohe Spannung an der Schaltungsanordnung erzeugen.
Dies kann beispielsweise dadurch geschehen, daß der in einem Schalter üblicherweise
verwendete Kontroll-Eingang entweder auf einem hohen Potential (high)
oder auf einem niedrigen Potential (low) liegt. Dabei ist das hohe
Potential (high) dadurch definiert, daß es beispielsweise um 2,3
V über
dem Massepotential der Schaltungsanordnung liegt. Da bei einem Mobiltelefon
genauso wie bei vielen anderen auf Signalübertragung mittels Antennen
basierenden Geräten
die Signaleinkopplung von der Antenne zur Erde des Systems läuft, kann
auch in dem Fall einer eingangs genannten Schaltungsanordnung eine
elektrostatische Entladung sich direkt auf das Massepotential der
Schaltungsanordnung auswirken. Über
die direkte Kopplung einer Kontroll-Leitung an die Masse durch die
Bedingung "high" kann sich der durch eine elektrostatische Entladung
entstehende Spannungspuls neben dem Pfad über die Antenne auch noch über die
Kontroll-Leitung auf die Schaltungsanordnung auswirken. Gegen diese
Auswirkungen ist die bekannte Schaltungsanordnung nicht geschützt.
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Darüber hinaus hat der in der bekannten
Schaltungsanordnung verwendete Hochpaß-Filter die Eigenschaft, ein
sehr einfach aufgebautes Filter zu sein, das alle Frequenzanteile
eines Signals ab einer bestimmten Grenzfrequenz nahezu ungehindert
passieren läßt. Für die Weiterverarbeitung
der von der Antenne eingefangenen Signale in einem Mobiltelefon
ist aber im allgemeinen lediglich ein sehr enger Frequenzbereich
maßgeblich.
Beispielsweise werden bei Mobiltelefonen nach dem GSM-, PCN- oder
PCS-Standard Frequenzen zwischen etwa 1 und 2 GHz verwendet. Alle übrigen von
der Antenne eingefangenen Frequenzen sind eher störend und
müssen
daher weggefiltert werden. Es ist demnach wenigstens ein Bandpaß-Filter
notwendig, um die von der eingangs genannten Schaltungsanordnung
aufgefangenen Signale für
ein Mobiltelefon verarbeitbar zu machen.
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Das in der bekannten Schaltungsanordnung
angeordnete Hochpaß-Filter kann lediglich
Frequenzen unterhalb einer Grenzfrequenz abschneiden. Es muß daher
im Anschluß daran
noch wenigstens eine Filterschaltung dahintergeschaltet sein, um
den für
das Mobiltelefon interessanten Frequenzbereich aus den von der Antenne
aufgefangenen Signalen herauszuschneiden.
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Demnach hat die bekannte Schaltungsanordnung
den Nachteil, daß die
zum Schutz vor ESD benutzte Hochpaß-Filterschaltung eine Einfügedämpfung aufweist,
aufgrund derer auch die Nutzsignale eine gewisse Dämpfung erfahren,
jedoch eine Beschneidung des übertragenen
Frequenzbandes noch nicht erfolgt. Demnach hat die bekannte Schaltungsanordnung
in Zusammenwirkung mit der weiteren benötigten Filterung den Nachteil
einer insgesamt hohen Einfügedämpfung.
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Ziel der vorliegenden Erfindung ist
es daher, eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art anzugeben,
bei der die Schutzvorrichtung gegen elektrostatische Entladungen
eine geringe Einfügedämpfung aufweist.
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Dieses Ziel wird durch eine Schaltungsanordnung
nach Patentanspruch 1 erreicht. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen
der Erfindung sowie ein Schaltmodul und die Verwendung des Schaltmoduls
sind den abhängigen
Ansprüchen
zu entnehmen.
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Es wird eine Schaltungsanordnung
beschrieben, die eine Schalteinheit mit einem Antenneneingang, einem
Signaleingang und einem Signalausgang enthält. Die Schalteinheit ist dazu
geeignet, den Antenneneingang wahlweise mit dem Signaleingang oder
dem Signalausgang elektrisch leitend zu verbinden. Darüber hinaus
ist der Antenneneingang mit einer ersten Schutzvorrichtung gegen
elektrostatische Entladungen verbunden.
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Die erste Schutzvorrichtung gegen
elektrostatische Entladungen weist einen Antenneneingang und einen
Schalterausgang auf, wobei der Schalterausgang mit dem Antenneneingang
der Schalteinheit verbunden ist. Der Antenneneingang der Schutzvorrichtung
und der Schalterausgang der Schutzvorrichtung sind mit einer Leitung
verbunden. Parallel nach Masse geschaltet ist ein Spannungsbegrenzungselement,
das z.B. ein Varistor, eine Funkenstrecke oder ein Ableiter sein
kann. Das Spannungsbegrenzungselement ist mit einer Masse verbunden.
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Mit Hilfe des Spannungsbegrenzungselements
können
am Antenneneingang der Schutzvorrichtung anstehende Überspannungen
gegen Masse abgeleitet werden. Dies bedeutet, daß die wesentliche Funktion der
Schutzvorrichtung darin besteht, die am Antenneneingang der Schaltungseinheit
anliegende Spannung zu begrenzen.
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Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung hat
den Vorteil, daß aufgrund
der besonderen Ausgestaltung der Schutzvorrichtung auf eine Filterfunktion
verzichtet wird, wodurch die Einfügedämpfung der ersten Schutzvorrichtung
niedrig ist.
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Allerdings kann der Schutzmechanismus
der Schaltungsanordnung verbessert werden, indem parallel zum Spannungsbegrenzungselement
eine Induktivität
geschaltet wird. Diese Induktivität ist wiederum mit der Masse
verbunden. Die parallel zum Spannungsbegrenzungselement geschaltete
Induktivität
ist dazu geeignet, sehr niedrige Frequenzen nach Masse abzuleiten.
Es werden also durch die Schutzvorrichtung hohe Frequenzen unverändert von
dem Antenneneingang auf die Schalteinheit übertragen.
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Desweiteren ist es vorteilhaft, wenn
zwischen dem Antenneneingang und dem Spannungsbegrenzungselement
eine erste Induktivität
und zwischen dem Spannungsbegrenzungselement und dem Schalterausgang
eine zweite Induktivität
jeweils in Reihe zur Leitung geschaltet ist. Durch diese beiden
zusätzlichen Induktivitäten kann
die Impedanz der Schutzvorrichtung an die im Hochfrequenzbereich üblichen
Wert von 50 Ω angepaßt werden.
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Insbesondere kann durch geeignete
Wahl der Induktivitäten
zwischen 0 und 47 nH eine geringe Einfügedämpfung der ersten Schutzvorrichtung < 0,3 dB erzielt
werden.
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Darüber hinaus kann an der Schalteinheit
eine Kontroll-Leitung
angeordnet sein, die die Schalterstellung der Schalteinheit steuert.
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Darüber hinaus kann der Schutz
gegen Überspannungen
(ESD-Schutz) weiter
verbessert werden, indem auch die Kontroll-Leitung der Schaltungsanordnung mit
einer zweiten Schutzvorrichtung gegen elektrostatische Entladungen
verbunden ist. Dadurch können
besonders wirksam die über
Massekopplungen in die Schalteinheit eingekoppelten, an der Kontroll-Leitung
anstehenden Überspannungen
vermindert werden.
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Die Schutzvorrichtungen gegen elektrostatische
Entladungen sind vorteilhafterweise mit einem Masseanschluß verbunden,
in den die Überspannungen
der elektrostatischen Entladung abgeleitet werden können.
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Die Schalteinheit kann beispielsweise
ein spannungsgesteuerter Schalter sein, wie er üblicherweise in Mobiltelefonen
aufgrund seines niedrigen Stromverbrauchs verwendet wird. Insbesondere
kommt als Schalteinheit ein Galliumarsenid-Schalter in Betracht.
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Die Schalteinheit kann auch mehrere
Signalein- und -ausgänge
aufweisen. Entsprechend werden mehrere Kontroll-Leitungen benötigt.
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Der Galliumarsenid-Schalter kann
darüber
hinaus mit einem Decoder versehen sein, mit dessen Hilfe die Anzahl
der Kontroll-Leitungen reduziert werden kann. Ein solcher Decoder
benötigt üblicherweise
eine Spannungsversorgung, die über
eine Versorgungsleitung angebunden ist. Der ESD-Schutz einer solchen Schaltung
kann noch verbessert werden, indem die Versorgungsleitung mit einer
dritten Schutzvorrichtung gegen elektrostatische Entladungen verbunden
ist.
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Es wird darüber hinaus ein Schaltmodul
angegeben, das eine Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung enthält. Das
Schaltmodul enthält
darüber
hinaus ein Vielschicht-Keramiksubstrat mit integrierten passiven
Bauelementen, die elektrische Frequenzfilter bilden. Diese Frequenzfilter
sind den Signaleingängen
beziehungsweise -ausgängen
zugeordnet. Auf der Oberseite des Vielschicht-Keramiksubstrats ist
die Schalteinheit angeordnet, die beispielsweise mit Hilfe von PIN-Dioden
oder auch in Form eines Galliumarsenid-Schalters realisiert sein
kann. Ferner ist in das Schaltmodul die erste und zweite Schutzvorrichtung
gegen elektrostatische Entladungen integriert.
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Die Schaltungsanordnung kann darüber hinaus
Frequenzfilter enthalten, die einzelnen Signaleingängen beziehungsweise
Signalausgängen
zugeordnet sind. Sie sind insbesondere dazu geeignet, bei einem
Mobiltelefon die von der Antenne aufgenommenen Frequenzen so zu
filtern, daß die über den
Signalausgang geleiteten, gefilterten Signale von dem Mobiltelefon
weiter verarbeitet werden können.
Entsprechendes gilt für die
Signaleingänge
der Schaltungsanordnung, die in einem Mobiltelefon dazu verwendet
werden, im Mobiltelefon erzeugte Sprachsignale über die Antenne zu einem Empfänger zu
senden.
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Als zweite Schutzvorrichtung gegen
elektrostatische Entladung kommt beispielsweise die Verwendung eines
Varistors in Betracht, der parallel zur Kontroll-Leitung geschaltet
ist und der mit einem Massepotential verbunden ist. Ein solcher
Varistor hat ab einer gewissen Grenzspannung einen sehr geringen
ohmschen Widerstand, so daß Überspannungen
gegen Masse abgeleitet werden können.
Insbesondere sind Varistoren mit einer geringen Schaltspannung geeignet,
da in diesem Fall die bei einem Spannungspuls auftretende, die Schaltungsanordnung
be lastende Restspannung am geringsten ist. Es kommt deshalb in Betracht, Varistoren
mit einer Varistorspannung zwischen 4 und 20 V einzusetzen. Dementsprechend
beträgt
die bei einem Spannungspuls die Schaltungsanordnung belastende Klemmenspannung
etwa 8 bis etwa 50 V. Dadurch kann die Schaltungsanordnung zuverlässig vor
Zerstörungen
im Falle eines ESD-Pulses geschützt
werden.
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Desweiteren kommt es in Betracht,
als zweite Schutzvorrichtung gegen elektrostatische Entladungen eine
Schaltfunkenstrecke oder eine Z-Diode einzusetzen.
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Ferner gibt die Erfindung eine Schaltungsanordnung
an, bei der der Antenneneingang mit einer Antenne verbunden ist
und bei der der Signalausgang mit einem Empfangsverstärker eines
Mobiltelefons und der Signaleingang mit einem Sendeverstärker eines
Mobiltelefons verbunden ist.
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Es wird darüber hinaus ein Schaltmodul
angegeben, das eine Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung enthält. Das
Schaltmodul enthält
darüber
hinaus ein Vielschicht-Keramiksubstrat mit integrierten passiven
Bauelementen, die elektrische Frequenzfilter bilden. Diese Frequenzfilter
sind den Signaleingängen
beziehungsweise -ausgängen
zugeordnet. Auf der Oberseite des Vielschicht-Keramiksubstrats ist
die Schalteinheit angeordnet, die beispielsweise mit Hilfe von PIN-Dioden
oder auch in Form eines Galliumarsenid-Schalters realisiert sein
kann. Ferner ist in das Schaltmodul die erste und gegebenenfalls
zweite Schutzvorrichtung gegen elektrostatische Entladungen integriert.
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Das Schaltmodul hat den Vorteil,
daß aufgrund
der Integration der passiven Bauelemente in das Keramiksubstrat
sowie die Integration der Schutzvorrichtung in das Schaltmodul eine
hohe Integration erreicht wird, die sich vorteilhaft auf den Platzbedarf
des Schaltmoduls auswirkt. Die Integration der ersten und gegebenenfalls
zweiten Schutzvorrichtung in das Schaltmodul kann beispielsweise
durch Aufbau dieser Komponenten auf der Oberfläche des Keramiksubstrats neben
der Schalteinheit erfolgen.
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Insbesondere ist es noch vorteilhaft,
das Schaltmodul als Frontendmodul in einem Mobiltelefon zu verwenden.
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Im folgenden wird die Erfindung anhand
von Ausführungsbeispielen
und den dazugehörigen
Figuren näher
erläutert.
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1 zeigt
beispielhaft eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung
in einem Prinzipschaltbild.
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2 zeigt
beispielhaft eine weitere erfindungsgemäße Schaltungsanordnung in einem
Prinzipschaltbild.
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3 zeigt
die Verwendung der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung
in einem Mobiltelefon anhand eines Prinzipschaltbilds.
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4 zeigt
beispielhaft erfindungsgemäßes Schaltmodul
in einem schematischen Längsschnitt.
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Für
alle Figuren gilt, daß gleiche
Bezugszeichen gleiche Elemente bezeichnen.
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1 zeigt
eine Schaltungsanordnung mit einer Schalteinheit 4, die
mit einer Masse 8 versehen ist. Die Schalteinheit 4 weist
einen Antenneneingang 1 auf, der mit einer Antenne 18 verbunden
ist. Der Antenneneingang 1 ist mit einer ersten Schutzvorrichtung 6 gegen
elektrostatische Entladungen (in 1 symbolisiert
durch den Blitz) verbunden. Die Schalteinheit 4 enthält wenigstens
eine Kontroll-Leitung 5, die den Schaltvorgang zur Verbindung
des Antenneneingangs 1 mit den Signaleingängen 2 beziehungsweise
den Signalausgängen 3 der
Schalteinheit 4 steuert. In 1 sind
drei Kontroll-Leitungen 5 gezeigt.
Wenigstens eine dieser Kontroll- Leitungen 5 ist
mit einer zweiten Schutzvorrichtung 7 gegen elektrostatische
Entladungen versehen. Diese zweite Schutzvorrichtung 7 ist
in Form eines Varistors ausgeführt,
der mit der Masse 8 verbunden ist. Die in 1 gezeigte Schalteinheit 4 weist
darüber
hinaus einen Decoder auf, für
den eine Versorgungsleitung 11 erforderlich ist. Die Versorgungsleitung 11 ist
mit einer Versorgungsspannung +Vcc verbunden. Darüber hinaus
ist die Versorgungsleitung 11 mit einer dritten Schutzvorrichtung 12 gegen
elektrostatische Entladungen verbunden. Bei der Schutzvorrichtung 12 kann
es sich beispielsweise um einen Varistor handeln, der mit der Masse 8 verbunden
ist.
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Die erste Schutzvorrichtung 6 weist
einen Antenneneingang 111 und einen Schalterausgang 112 auf. Antenneneingang 111 und
Schalterausgang 112 sind durch eine Leitung 113 miteinander
verbunden. In Reihe zu der Leitung 113 sind zwei Induktivitäten L1 und
L2 geschaltet. Diese beiden Induktivitäten L1, L2 dienen der Impedanzanpassung
an den Wert von 50 Ω.
Zwischen den Induktivitäten
L1, L2 zweigen in Parallelschaltung zur Leitung 113 eine
weitere Induktivität
L3 sowie ein Spannungsbegrenzungselement 114 ab. Das Spannungsbegrenzungselement 114 kann
z.B. ein Varistor sein. Die Induktivität L3 sowie der Varistor sind
mit der Masse 8 der Schaltungsanordnung verbunden. Durch
den Varistor wird die in die Schalteinheit 4 eingekoppelte Spannung
begrenzt. Insbesondere von Bedeutung ist an dieser Stelle die Schaltspannung
des Varistors, die zwischen 4 und 8 V liegen sollte. Je kleiner
die Schaltspannung des Varistors ist, um so besser können Überspannungen
abgeleitet und damit hinsichtlich der Schalteinheit 4 unterdrückt werden.
Vorteilhaft ist eine Schaltspannung des Varistors von 6 V oder kleiner.
Dies gilt auch für
die zweite und dritte Schutzvorrichtung 7, 12.
Die Schaltspannung des Varistors gibt die Restspannung an, die von
dem Hochspannungspuls noch übrig
bleibt und die durch die Schutzvorrichtung auf die Schalteinheit 4 durchgeleitet
wird.
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Die Induktivitäten in der ersten Schutzvorrichtung
weisen vorzugsweise folgende Werte auf:
L1 = von 0 bis 5 nH
L2
= von 0 bis 5 nH
L3 = von 0 bis 47 nH
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Insbesondere kann durch geeignete
Wahl der Induktivitäten
(L1 = 0 nH, L2 = 1 nH, L3 = 47 nH) eine Einfügedämpfung der ersten Schutzvorrichtung
kleiner als 0,3 dB erzielt werden.
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2 zeigt
einen spannungsgesteuerten GaAs-Schalter 9 mit einem Antenneneingang 1,
an dem eine Antenne 18 angeschlossen ist. Der GaAs-Schalter 9 hat
Sendereingänge
TX1, TX2 und Empfängereingänge RX1, RX2 und RX3. Der GaAs-Schalter 9 wird über Steuereingänge S1, S2, S3,
S4, S5 gesteuert.
Die Steuerung erfolgt dabei dergestalt, daß genau einer der Steuereingänge S1, S2, S3,
S4 und S5 auf "high"
gesetzt ist, während
die anderen Steuereingänge
auf "low" gesetzt sind. Durch den an den GaAs-Schalter 9 angeschlossenen Decoder 10 kann
die Zahl der benötigten
Eingänge
reduziert werden. Der Decoder 10 kann beispielsweise ein 1-
aus 5-Decoder sein. Er weist Steuereingänge E1,
E2 und E3 sowie
Steuerausgänge
A1, A2, A3, A4 und A5 auf. Die Steuerausgänge A1,
A2, A3, A4 und A5 sind durch
Steuerleitungen 24 mit den Steuereingängen S1,
S2, S3, S4, S5 des GaAs-Schalters 9 verbunden.
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Die Steuereingänge E1,
E2 und E3 des Decoders 10 sind
mit Kontroll-Leitungen 5 verbunden.
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Die beispielhafte Decodierung eines
an den Eingängen
E1, E2 und E3 des Decoders 10 anliegenden logischen
Signals in für
die Steuerung des GaAs-Schalters 9 geeignete, an den Steuereingängen S1, S2, S3, S4, S5 des GaAs-Schalters 9 anliegenden
Signale wird durch die folgende Übersetzungstabelle
beschrieben:
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Tabelle
1: Logische Zustände
der Steuereingänge
S
1, S
2, S
3, S
4, S
5 in
Abhängigkeit
der logischen Zustände
an den Steuereingängen
E
1, E
2 und E
3. Es bedeutet 1 = „high" und 0 = „low".
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Die Sendereingänge TX1,
TX2 entsprechen dabei den Signaleingängen 2 aus 1. Die Empfängereingänge RX1, RX2, und RX3 entsprechen den Signalausgängen 3 aus 1.
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3 zeigt
ein Schaltmodul mit einem GaAs-Schalter 9, der einen Antenneneingang 1 sowie
zwei Signaleingänge 2 und
drei Signalausgänge 3 aufweist.
Darüber
hinaus weist das Schaltmodul zwei Tiefpaßfilter 13, 14 auf,
wobei das Tiefpaßfilter 13 für das GSM-Frequenzband
und das Tiefpaßfilter 14 für das PCN/PCS-Frequenzband
ausgelegt sein kann. Der GaAs-Schalter 9 verbindet wahlweise
einen der Ein-/Ausgänge 2, 3 mit
dessen Antenneneingang 1. Das Schaltmodul weist ferner
Bandpaßfilter 15, 16, 17 auf,
die mit den Signalausgängen 3 verbunden
sind. Das Bandpaßfilter 15 ist
an die GSM-Frequenz, das Bandpaßfilter 16 an
die PCN-Frequenz und das Bandpaßfilter 17 an
die PCS-Frequenz angepaßt.
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Es sind die Signaleingänge 2 des
GaAs-Schalters 9 mit Senderverstärkern 19 elektrisch
leitend verbunden. Die Senderverstärker 19 sind wie die
Tiefpaßfilter 13, 14 an
die Funkfrequenzen GSM beziehungsweise PCN/PCS angepaßt. Die
Signalausgänge 3 sind über die
Bandpaßfilter 15, 16, 17 mit
Empfängerverstärkern 19a elektrisch
leitend verbunden, wobei die Empfängerverstärker 19a an die Frequenzbändern GSM, PCN
beziehungsweise PCS angepaßt
sind. Der Antenneneingang 1 des GaAs- Schalters 9 ist mit einer Antenne 18 verbunden.
Die von der Antenne 18 empfangenen Signale können nun
mittels des GaAs-Schalters 9 entweder
dem Bandpaßfilter 16,
dem Bandpaßfilter 17 oder
dem Bandpaßfilter 15 zugeleitet
werden, wo sie je nach verwendeter Funkfrequenz gefiltert und in
Verstärkern 19a weiter
verarbeitet werden. Die von den Senderverstärkern 19 gelieferten
Signale werden durch die Tiefpaßfilter 13, 14 gefiltert
und wahlweise der Antenne 18 zum Senden eines Signals zugeführt.
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4 zeigt
ein Schaltmodul mit einem Vielschicht-Keramiksubstrat 20,
in das passive Bauelemente 21, 22, 23 integriert
sind. Diese passiven Bauelemente 21, 22, 23 können beispielsweise
Widerstände 21,
Kapazitäten 22 und
Induktivitäten 23 sein.
Das Vielschicht-Keramiksubstrat 20 kann nach an sich bekannter
Art und Weise ausgeführt
sein. Es können übereinader
gestapelte Keramikschichten 30, die durch metallische Schichten 31 voneinander
getrennt werden, als Vielschicht-Keramik-Substrat 20 verwendet
werden. Einige der metallischen Schichten 31 sind durch
innerhalb der Keramikschichten 30 verlaufende Durchkontaktierungen 32 miteinander
verbunden. Auf der Oberseite des Keramiksubstrats 20 ist
eine Schalteinheit 4 montiert, die beispielsweise ein in
Flip-Chip-Technologie
montierter Galliumarsenid-Mehrfachschalter sein kann.
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Die Schalteinheit 4 kann
beispielsweise durch Kleben und zusätzliches Drahtbonden befestigt
und elektrisch kontaktiert werden. Als Schalteinheit 4 wird
vorzugsweise ein GaAs-Mehrfachschalter
verwendet. Ein solcher Schalter kann im Frequenzbereich zwischen
1 und 2 GHz eine Einfügedämpfung von
0,8 dB aufweisen. Es kann sich dabei um einen auf Galliumarsenid-Basis
gefertigten integrierten Schaltkreis mit FET handeln, dessen Pinflächen durch
Löten mit
dem Keramiksubstrat 20 verbunden werden können.
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Die Schalteinheit 4 kann
auch auf das Vielschicht-Keramiksubstrat 20 befestigt und
mittels Drahtbonden elektrisch verbunden werden. Eine Verbindung
mittels Löten
wird vorzugsweise angewandt, wenn die Schalteinheit 4 mit
einem zusätzlichen
Gehäuse
Verwendung findet.
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Die passiven Bauelemente 21, 22, 23 können die
gemäß 3 erforderlichen Filter 13, 14, 15, 16, 17 bilden.
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Neben der Schalteinheit 4 ist
auch die erste Schutzvorrichtung 6 sowie die zweite Schutzvorrichtung 7 auf
der Oberfläche
des Substrates 20 montiert. Dadurch gelingt ein hoher Grad
an Integration für
das erfindungsgemäße Schaltmodul,
was sich positiv auf den Platzbedarf des Schaltmoduls auswirkt.
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Eine solches Schaltmodul kann beispielsweise
in Mobiltelefonen benutzt werden, weswegen die vorteilhafte Verwendung
des erfindungsgemäßen Schaltmoduls
als Frontendmodul in einem Mobilfunkgerät ein weiterer Gegenstand der
Erfindung ist.
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Die Erfindung beschränkt sich
nicht auf die genannten Beispiele für die zweite und dritte Schutzvorrichtung,
vielmehr können
alle denkbaren Schutzvorrichtungen in der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung
Verwendung finden. Darüber
hinaus ist die Schaltungsanordnung beziehungsweise das Schaltmodul nicht
auf die Anwendung in Mobiltelefonen beschränkt.
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- 1
- Antenneneingang
- 2
- Signaleingang
- 3
- Signalausgang
- 4
- Schalteinheit
- 5
- Kontroll-Leitung
- 6,
7, 12
- erste,
zweite, dritte Schutzvorrichtung
- 8
- Masse
- 9
- Galliumarsenid-Schalter
- 10
- Decoder
- 11
- Versorgungsleitung
- 13,
14
- Tiefpaßfilter
- 15,
16, 17
- Bandpaßfilter
- 18
- Antenne
- 19
- Sendeverstärker
- 19a
- Empfangsverstärker
- 20
- Vielschicht-Keramiksubstrat
- 21
- Widerstand
- 22
- Kapazität
- 23
- Induktivität
- 24
- Steuerleitung
- 30
- Keramikschichten
- 31
- metallische
Schichten
- 32
- Durchkontaktierungen
- TX1, TX2
- Sendereingänge
- RX1, RX2, RX3
- Empfängereingänge
- S1, S2, S3,
S4, S5
- Steuereingänge des
Schalters
- A1, A2, A3,
A4, A5
- Steuerausgänge des
Decoders
- E1, E2, E3
- Steuereingänge des
Decoders
- Vcc
- Versorgungsspannung
- 111
- Antenneneingang
- 112
- Schalterausgang
- 113
- Leitung
- 114
- Spannungsbegrenzungselement
- L1,
L2, L3
- Induktivitäten