JP3828745B2 - テレビジョンチューナ - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＶＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するテレビジョンチューナに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のテレビジョンチューナの構成を図３に示す。ＶＨＦ帯のテレビジョン信号が入力される入力端３１には不要な信号を除去するフィルタ３２を介して入力同調回路３３が結合される。入力同調回路３３は直列に接続された四個のインダクタンス素子３３ａ乃至３３ｄとこれらに並列に接続されるバラクタダイオード３３ｅとから構成される。また、これらのインダクタンス素子３３ａ乃至３３ｄの二つの接続点の間にスイッチダイオード３３ｆの両端が高周波的に接続され、そのアノードは抵抗３４を介して直流的に接地されると共に、抵抗３５を介してバンド切替回路３６の第一端子３６ａに接続される。また、アノードは抵抗３７を介してバンド切替回路３６の第二端子３６ｂに接続される。バラクタダイオード３３ｅのアノードは接地され、カソードには同調電圧が印加される。
【０００３】
入力同調回路３３の次段には高周波増幅器を構成するＦＥＴ（デュアルゲートＦＥＴ）３８が設けられ、バラクタダイオード３３ｅのカソードとインダクタンス素子３３ｄとの接続点がＦＥＴ３８の入力端子である第一ゲートに結合される。ＦＥＴ３８のソースは接地され、ドレインはＦＥＴ３８の次段に設けられた段間同調回路３９に結合される。
【０００４】
段間同調回路３９は復同調回路で構成され、一次側には直列接続された二つのインダクタンス素子３９ａ、３９ｂが設けられ、インダクタンス素子３９ａがＦＥＴ３８のドレインに接続される。また、二次側にも直流カットコンデンサ３９ｃを介して直列接続された二つのインダクタンス素子３９ｄ、３９ｅが設けられ、インダクタンス素子３９ｄが次段の混合器（図示せず）に結合される。また、インダクタンス素子３９ｂと３９ｅとは結合用インダクタンス素子３９ｆに接続され、結合用インダクタンス素子３９ｆは直流カットコンデンサ３９ｇを介して高周波的に接地される。そして、結合用インダクタンス素子３９ｆと直流カットコンデンサ３９ｇとの接続点には抵抗４０を介して電源電圧Ｂが印加される。この結果、ＦＥＴ３８のドレインには抵抗４０、インダクタンス素子３９ａ、３９ｂ等を介して電圧が印加される。
【０００５】
また、一次側のインダクタンス素子３９ａと３９ｂとの接続点が直流カットコンデンサ３９ｈを介してスイッチダイオード３９ｉのアノードに接続され、二次側の直流カットコンデンサ３９ｃとインダクタンス素子３９ｅとの接続点が直流カットコンデンサ３９ｊを介してスイッチダイオード３９ｋのアノードに接続される。そしてスイッチダイオード３９ｉのアノードが抵抗４１を介して第二端子３６ｂに接続され、スイッチダイオード３９ｋのアノードが抵抗４２を介して第二端子」３６ｂに接続される。また、それらのカソードは、共に抵抗抵抗４３、直流カットコンデンサ４４を介して接地され、また抵抗４５を介して第一端子３６ａに接続される。
【０００６】
また、一次側にはインダクタンス素子３９ａ、３９ｂ等に並列に接続されるバラクタダイオード３９ｍが設けられ、二次側にもインダクタンス素子３９ｄ、３９ｅなどに並列に接続されるバラクタダイオード３９ｎが設けられる。それぞれのバラクタダイオード３９ｍ、３９ｎのアノードは接地され、カソードには同調電圧が印加される。
【０００７】
バンド切替回路３６は入力同調回路３３及び段間同調回路３９をＶＨＦ帯のローバンド又はハイバンドの周波数帯に同調可能なように切り替えるためのものであり、ローバンドに同調するときには第一端子３６ａにハイレベルの電圧（例えば電源電圧）を出力し、ハイバンドに同調するときには第二端子３６ｂにハイレベルの電圧を出力する。なお、バンド切替回路３６は図示しない選局手段からの選局信号によって制御される。
【０００８】
以上の構成において、ローバンドに同調するときには各スイッチダイオード３３ｆ、３９ｉ、３９ｋのカソードに電圧が印加され、アノードには電圧が印加されないのでオフとなり、全てのインダクタンス素子が有効となって同調周波数バンドは低くなる。また、ハイバンドに同調するときにはスイッチダイオード３３ｆには抵抗３４を介して電流が流れてオンとなり、スイッチダイオード３９ｉ、３９ｋには抵抗４３を介して電流が流れてオンとなる。この結果、入力同調回路３３においては二つのインダクタンス素子３３ｂ、３３ｃが同調回路から外れ、段間同調回路３９においては四つのインダクタンス素子３９ｂ、３９ｅ、３９ｄ、３９ｅと結合インダクタンス素子３９ｇとが同調回路から外れる。これによって各同調回路３３、３９の同調周波数バンドは高くなる。各バンドでの同調周波数は各バラクタダイオード３３ｅ、３９ｍ、３９ｎに印加する同調電圧によって変えられる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記の構成においては、先ず、各スイッチダイオードがオフになったときに歪みを発生するという問題があった。すなわち、図４に示すように、各スイッチダイオードは各カソードにバンド切替回路からカソードに印加される電圧によってオフとなるが、このとき各アノードには電圧が印加されない。従って、各スイッチダイオードの両端には逆方向の電圧が印加されず、いわゆる０バイアス状態となる。従って、高いレベルのテレビジョン信号が入力されると、スイッチダイオードが整流作用を起こし、此によって歪みを発生する。
【００１０】
また、段間同調回路においては、スイッチダイオードをオンにするときに電流を流す抵抗４３が設けられているが、この抵抗にはスイッチダイオードをオフにしたときにも電流が流れ、消費電流を大きくしていた。
【００１１】
さらに、各スイッチダイオードをオン又はオフにするための直流回路には七個の抵抗を使用し、部品点数が多かった。
【００１２】
そこで、本発明のテレビジョンチューナでは、スイッチダイオードをオン又はオフにするための直流回路に使用する抵抗の数を減らし、スイッチダイオードをオフにするときにはアノードとカソードとの間に逆方向の電圧が印加されるようにして大振幅のテレビジョン信号が入力されても歪みを発生しないようにすると共に、消費電流を少なくすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための手段として、本発明のテレビジョンチューナは、入力端に結合された入力同調回路と、前記入力同調回路の次段に設けられた高周波増幅器と、前記高周波増幅器の次段に設けられた段間同調回路とを備え、前記入力同調回路及び前記段間同調回路はそれぞれ同調用インダクタンス素子と前記インダクタンス素子のインダクタンス値を切り替えるスイッチダイオードとを有するバンド切替型の同調回路で構成され、前記スイッチダイオードの各アノードにそれぞれ独立したアノード側給電抵抗を介して電源電圧を印加すると共に各アノードを電流通流手段を介して直流的に接地し、前記各カソードに各カソード側給電抵抗を介してハイレベル又はローレベルの切換電圧を印加して前記各同調回路の同調周波数帯域を切り替えた。
【００１４】
また、前記高周波増幅器は増幅素子を有し、前記入力同調回路におけるスイッチダイオードのアノードを直流的に接地する前記電流通流手段を第一の抵抗とし、前記段間同調回路におけるスイッチダイオードのアノードを前記増幅素子の動作電圧印加端子に接続して前記電流通流手段を前記増幅素子とした。
【００１５】
また、前記切換電圧を発生するバンド切替回路を備え、前記バンド切替回路にはオン又はオフに切り替えられるスイッチトランジスタを設け、前記スイッチトランジスタのエミッタを接地すると共に、コレクタには第二の抵抗を介して前記電源電圧を印加し、前記各カソードを前記各カソード側給電抵抗を介して前記スイッチトランジスタのコレクタに接続した。
【００１６】
また、前記スイッチトランジスタと前記第二の抵抗とを前記バンド切替回路内に集積回路化した。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明のテレビジョンチューナの構成を図１に示す。ＶＨＦ帯のローバンド及びハイバンドのテレビジョン信号が入力される入力端１には不要な信号を除去するフィルタ２を介して入力同調回路３が結合される。入力同調回路３は直列に接続された四個の同調用インダクタンス素子３ａ乃至３ｄとこれらに並列に接続される同調用バラクタダイオード３ｅとから構成される。また、これらのインダクタンス素子３ａ乃至３ｄの二つの接続点の間にスイッチダイオード３ｆの両端が高周波的に接続され、そのアノードは電流通流手段である第一の抵抗４を介して直流的に接地されると共に、第一のアノード側給電抵抗５を介して電源端子Ｂに接続される。また、カソードは第一のカソード側給電抵抗６を介してバンド切替回路７の出力端子７ａに接続される。バラクタダイオード３ｅのアノードは接地され、カソードには図示はしないが同調電圧が印加される。
【００１８】
入力同調回路３の次段には高周波増幅器を構成する増幅素子であると共に電流通流手段となるＦＥＴ（デュアルゲートＦＥＴ）８が設けられ、バラクタダイオード３ｅのカソードとインダクタンス素子３ｄとの接続点がＦＥＴ８の入力端子である第一ゲートに結合される。ＦＥＴ８のソースは接地され、動作電圧印加端子であるドレインはＦＥＴ８の次段に設けられた段間同調回路９に結合される。
【００１９】
段間同調回路９は復同調回路で構成され、一次側には直列接続された二つの同調用インダクタンス素子９ａ、９ｂが設けられ、インダクタンス素子９ａがＦＥＴ８のドレインに接続される。また、二次側にも直流カットコンデンサ９ｃを間に挟んで直列接続された二つの同調用インダクタンス素子９ｄ、９ｅが設けられ、インダクタンス素子９ｄが次段の混合器（図示せず）に結合される。また、インダクタンス素子９ｂと９ｅとは結合用インダクタンス素子９ｆに接続され、結合用インダクタンス素子９ｆは直流カットコンデンサ９ｇを介して高周波的に接地される。そして、結合用インダクタンス素子９ｆと直流カットコンデンサ９ｇとの接続点には第二のアノード側給電抵抗１０を介して電源電圧Ｂが印加される。この結果、ＦＥＴ８のドレインには第二のアノード側給電抵抗１０、インダクタンス素子９ｂ、９ａ等を介して電圧が印加される。
【００２０】
また、一次側のインダクタンス素子９ａと９ｂとの接続点にスイッチダイオード９ｈのアノードが直接接続され、二次側の直流カットコンデンサ９ｃとインダクタンス素子９ｅとの接続点にもスイッチダイオード９ｉのアノードが直接接続される。そしてスイッチダイオード９ｈのカソードとスイッチダイオード９ｉのカソードとが共に直流カットコンデンサ１１を介して接地され、さらに第二のカソード側給電抵抗１２を介してバンド切替回路７の出力端子７ａに接続される。
【００２１】
また、一次側にはインダクタンス素子９ａ、９ｂ等に並列に接続される同調用バラクタダイオード９ｊが設けられ、二次側にもインダクタンス素子９ｄ、９ｅ等に並列に接続される同調用バラクタダイオード９ｋが設けられる。それぞれのバラクタダイオード９ｊ、９ｋのアノードは接地され、カソードには図示はしないが同調電圧が印加される。
【００２２】
バンド切替回路７は入力同調回路３及び段間同調回路９をＶＨＦ帯のローバンド又はハイバンドの各周波数帯に同調可能なように切り替えるためのものであり、集積回路化されている。そして、スイッチトランジスタ７ｂと第二の抵抗７ｃとを内蔵し、スイッチトランジスタ７ｂのエミッタは接地され、コレクタは出力端子７ａに接続される。また、コレクタには第二の抵抗７ｃを介して電源電圧が印加される。スイッチトランジスタ７ｂは図示しない選局手段からの選局信号によってオン又はオフに制御され、各同調回路３、９をローバンドに同調するときにはオフとなって出力端子７ａをハイレベルとし、ハイバンドに同調するときにはオンとなって出力端子７ａをローレベルとする。
【００２３】
以上の構成における各スイッチダイオードに対する直流回路を図２に示し、上記構成の動作を説明する。まず、ローバンドに同調するときにはバンド切替回路７のスイッチトランジスタ７ｂがオフとなるので、各スイッチダイオード３ｆ、９ｈ、９ｉのカソードには出力端子７ａから電圧が印加される。そして、入力同調回路３のスイッチダイオード３ｆのアノードは第一の抵抗４を介して接地されているので、第一のスイッチダイオード３ｆの両端には逆方向の電圧が加わり、完全にオフとなる。一方、段間同調回路９におけるスイッチダイオード９ｈ、９ｉのアノードはＦＥＴ８のドレインに接続されており、しかも、ＦＥＴ８には第二のアノード側給電抵抗１０を介してドレイン電流が流れているので各スイッチダイオード９ｈ、９ｉのアノード電圧は低くなっている。従って、これらスイッチダイオード９ｈ、９ｉの両端にも逆方向の電圧が加わり、完全にオフとなる。この場合、段間同調回路のスイッチダイオード９ｈ、９ｉのカソードには第二のカソード側給電抵抗１２のみによって電圧が印加されるので、無駄な電流消費は生じない。
そして、全てのインダクタンス素子が有効となって各同調回路３、９の同調周波数バンドは低くなる。
【００２４】
また、ハイバンドに同調するときにはスイッチトランジスタ７ｂがオンとなり、一方、入力同調回路３のスイッチダイオード３ｆのアノードには第一のアノード側給電抵抗５を介して電圧が印加されると共に、段間同調回路９のスイッチダイオード９ｈ、９ｉのアノードには第二のアノード側給電抵抗１０を介して電圧が印加される。従って、各スイッチダイオード３ｆ、９ｈ、９ｉにはスイッチトランジスタ７ｂを介して電流が流れてオンとなる。この結果、入力同調回路３においては二つのインダクタンス素子３ｂ、３ｃが同調回路から外れ、段間同調回路９においては四つのインダクタンス素子９ｂ、９ｅ、９ｄ、９ｅと結合インダクタンス素子９ｆとが同調回路から外れる。これによって各同調回路３、９の同調周波数バンドは高くなる。
【００２５】
以上のように、四個の給電抵抗５、６，１０、１２と第一の抵抗４との五個の抵抗によって各スイッチダイオード３ｆ、９ｈ、９ｉをオン又はオフにすることが出来る。また、直流カットコンデンサの数も少なくなる。
そして、同調周波数は各バラクタダイオード３ｅ、９ｊ、９ｋに印加する同調電圧によって変えられる。
【００２６】
【発明の効果】
以上のように、本発明のテレビジョンチューナは、入力同調回路及び段間同調回路はそれぞれ同調用インダクタンス素子とインダクタンス値を切り替えるスイッチダイオードとを有するバンド切替型の同調回路で構成され、スイッチダイオードの各アノードにそれぞれ独立したアノード側給電抵抗を介して電源電圧を印加すると共に各アノードを電流通流手段を介して直流的に接地し、各カソードに各カソード側給電抵抗を介してハイレベル又はローレベルの切換電圧を印加して各同調回路の同調周波数帯域を切り替えたので、各スイッチダイオードをオフにするときには両端に逆方向の電圧が加わって完全にオフとなり、大振幅のテレビジョン信号に対しても歪みを発生しない。また、段間同調回路のスイッチダイオードのカソードにはカソード側給電抵抗のみによって電圧が印加されるので、無駄な電流消費は生じない。さらに、スイッチダイオードに電圧を印加する給電抵抗の数や直流カットコンデンサの数が削減出来る。さらに、バンド切替回路の出力端子が最低の一個で済むのでコストを下げられる。
【００２７】
また、入力同調回路におけるスイッチダイオードのアノードを直流的に接地する電流通流手段を第一の抵抗とし、段間同調回路におけるスイッチダイオードのアノードを増幅素子の動作電圧印加端子に接続して電流通流手段を増幅素子としたことによって、段間同調回路におけるスイッチダイオードのアノードは増幅素子に流れる電流によって低くなるので、このスイッチダイオードの両端には簡単に逆方向の電圧を加えることが出来る。
【００２８】
また、切換電圧を発生するバンド切替回路を備え、バンド切替回路にはオン又はオフに切り替えられるスイッチトランジスタを設け、スイッチトランジスタのエミッタを接地すると共に、コレクタには第二の抵抗を介して電源電圧を印加し、各カソードを各カソード側給電抵抗を介してスイッチトランジスタのコレクタに接続したので、スイッチトランジスタをオンにすることで各スイッチダイオードの電流をスイッチトランジスタに流すことができる。
【００２９】
また、スイッチトランジスタと第二の抵抗とをバンド切替回路内に集積回路化したので、切換電圧が簡単に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のテレビジョンチューナの構成を示す回路図である。
【図２】本発明のテレビジョンチューナにおけるスイッチダイオードに対する直流回路図である。
【図３】従来のテレビジョンチューナの構成を示す回路図である。
【図４】従来のテレビジョンチューナにおけるスイッチダイオードに対する直流回路図である。
【符号の説明】
１ 入力端
２ フィルタ
３ 入力同調回路
３ａ〜３ｄ 同調用インダクタンス素子
３ｅ 同調用バラクタダイオード
３ｆ スイッチダイオード
４ 第一の抵抗（電流通流手段）
５ 第一のアノード側給電抵抗
６ 第一のカソード側給電抵抗
７ バンド切替回路
７ａ 出力端子
７ｂ スイッチトランジスタ
７ｃ 第二の抵抗
８ ＦＥＴ（電流通流手段）
９ 段間同調回路
９ａ、９ｂ、９ｄ、９ｅ 同調用インダクタンス素子
９ｃ、９ｇ 直流カットコンデンサ
９ｆ 結合用インダクタンス素子
９ｈ、９ｉ スイッチダイオード
９ｊ、９ｋ 同調用バラクタダイオード
１０ 第二のアノード側給電抵抗
１１ 直流カットコンデンサ
１２ 第二のカソード側給電抵抗
【発明の属する技術分野】
本発明はＶＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するテレビジョンチューナに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のテレビジョンチューナの構成を図３に示す。ＶＨＦ帯のテレビジョン信号が入力される入力端３１には不要な信号を除去するフィルタ３２を介して入力同調回路３３が結合される。入力同調回路３３は直列に接続された四個のインダクタンス素子３３ａ乃至３３ｄとこれらに並列に接続されるバラクタダイオード３３ｅとから構成される。また、これらのインダクタンス素子３３ａ乃至３３ｄの二つの接続点の間にスイッチダイオード３３ｆの両端が高周波的に接続され、そのアノードは抵抗３４を介して直流的に接地されると共に、抵抗３５を介してバンド切替回路３６の第一端子３６ａに接続される。また、アノードは抵抗３７を介してバンド切替回路３６の第二端子３６ｂに接続される。バラクタダイオード３３ｅのアノードは接地され、カソードには同調電圧が印加される。
【０００３】
入力同調回路３３の次段には高周波増幅器を構成するＦＥＴ（デュアルゲートＦＥＴ）３８が設けられ、バラクタダイオード３３ｅのカソードとインダクタンス素子３３ｄとの接続点がＦＥＴ３８の入力端子である第一ゲートに結合される。ＦＥＴ３８のソースは接地され、ドレインはＦＥＴ３８の次段に設けられた段間同調回路３９に結合される。
【０００４】
段間同調回路３９は復同調回路で構成され、一次側には直列接続された二つのインダクタンス素子３９ａ、３９ｂが設けられ、インダクタンス素子３９ａがＦＥＴ３８のドレインに接続される。また、二次側にも直流カットコンデンサ３９ｃを介して直列接続された二つのインダクタンス素子３９ｄ、３９ｅが設けられ、インダクタンス素子３９ｄが次段の混合器（図示せず）に結合される。また、インダクタンス素子３９ｂと３９ｅとは結合用インダクタンス素子３９ｆに接続され、結合用インダクタンス素子３９ｆは直流カットコンデンサ３９ｇを介して高周波的に接地される。そして、結合用インダクタンス素子３９ｆと直流カットコンデンサ３９ｇとの接続点には抵抗４０を介して電源電圧Ｂが印加される。この結果、ＦＥＴ３８のドレインには抵抗４０、インダクタンス素子３９ａ、３９ｂ等を介して電圧が印加される。
【０００５】
また、一次側のインダクタンス素子３９ａと３９ｂとの接続点が直流カットコンデンサ３９ｈを介してスイッチダイオード３９ｉのアノードに接続され、二次側の直流カットコンデンサ３９ｃとインダクタンス素子３９ｅとの接続点が直流カットコンデンサ３９ｊを介してスイッチダイオード３９ｋのアノードに接続される。そしてスイッチダイオード３９ｉのアノードが抵抗４１を介して第二端子３６ｂに接続され、スイッチダイオード３９ｋのアノードが抵抗４２を介して第二端子」３６ｂに接続される。また、それらのカソードは、共に抵抗抵抗４３、直流カットコンデンサ４４を介して接地され、また抵抗４５を介して第一端子３６ａに接続される。
【０００６】
また、一次側にはインダクタンス素子３９ａ、３９ｂ等に並列に接続されるバラクタダイオード３９ｍが設けられ、二次側にもインダクタンス素子３９ｄ、３９ｅなどに並列に接続されるバラクタダイオード３９ｎが設けられる。それぞれのバラクタダイオード３９ｍ、３９ｎのアノードは接地され、カソードには同調電圧が印加される。
【０００７】
バンド切替回路３６は入力同調回路３３及び段間同調回路３９をＶＨＦ帯のローバンド又はハイバンドの周波数帯に同調可能なように切り替えるためのものであり、ローバンドに同調するときには第一端子３６ａにハイレベルの電圧（例えば電源電圧）を出力し、ハイバンドに同調するときには第二端子３６ｂにハイレベルの電圧を出力する。なお、バンド切替回路３６は図示しない選局手段からの選局信号によって制御される。
【０００８】
以上の構成において、ローバンドに同調するときには各スイッチダイオード３３ｆ、３９ｉ、３９ｋのカソードに電圧が印加され、アノードには電圧が印加されないのでオフとなり、全てのインダクタンス素子が有効となって同調周波数バンドは低くなる。また、ハイバンドに同調するときにはスイッチダイオード３３ｆには抵抗３４を介して電流が流れてオンとなり、スイッチダイオード３９ｉ、３９ｋには抵抗４３を介して電流が流れてオンとなる。この結果、入力同調回路３３においては二つのインダクタンス素子３３ｂ、３３ｃが同調回路から外れ、段間同調回路３９においては四つのインダクタンス素子３９ｂ、３９ｅ、３９ｄ、３９ｅと結合インダクタンス素子３９ｇとが同調回路から外れる。これによって各同調回路３３、３９の同調周波数バンドは高くなる。各バンドでの同調周波数は各バラクタダイオード３３ｅ、３９ｍ、３９ｎに印加する同調電圧によって変えられる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記の構成においては、先ず、各スイッチダイオードがオフになったときに歪みを発生するという問題があった。すなわち、図４に示すように、各スイッチダイオードは各カソードにバンド切替回路からカソードに印加される電圧によってオフとなるが、このとき各アノードには電圧が印加されない。従って、各スイッチダイオードの両端には逆方向の電圧が印加されず、いわゆる０バイアス状態となる。従って、高いレベルのテレビジョン信号が入力されると、スイッチダイオードが整流作用を起こし、此によって歪みを発生する。
【００１０】
また、段間同調回路においては、スイッチダイオードをオンにするときに電流を流す抵抗４３が設けられているが、この抵抗にはスイッチダイオードをオフにしたときにも電流が流れ、消費電流を大きくしていた。
【００１１】
さらに、各スイッチダイオードをオン又はオフにするための直流回路には七個の抵抗を使用し、部品点数が多かった。
【００１２】
そこで、本発明のテレビジョンチューナでは、スイッチダイオードをオン又はオフにするための直流回路に使用する抵抗の数を減らし、スイッチダイオードをオフにするときにはアノードとカソードとの間に逆方向の電圧が印加されるようにして大振幅のテレビジョン信号が入力されても歪みを発生しないようにすると共に、消費電流を少なくすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための手段として、本発明のテレビジョンチューナは、入力端に結合された入力同調回路と、前記入力同調回路の次段に設けられた高周波増幅器と、前記高周波増幅器の次段に設けられた段間同調回路とを備え、前記入力同調回路及び前記段間同調回路はそれぞれ同調用インダクタンス素子と前記インダクタンス素子のインダクタンス値を切り替えるスイッチダイオードとを有するバンド切替型の同調回路で構成され、前記スイッチダイオードの各アノードにそれぞれ独立したアノード側給電抵抗を介して電源電圧を印加すると共に各アノードを電流通流手段を介して直流的に接地し、前記各カソードに各カソード側給電抵抗を介してハイレベル又はローレベルの切換電圧を印加して前記各同調回路の同調周波数帯域を切り替えた。
【００１４】
また、前記高周波増幅器は増幅素子を有し、前記入力同調回路におけるスイッチダイオードのアノードを直流的に接地する前記電流通流手段を第一の抵抗とし、前記段間同調回路におけるスイッチダイオードのアノードを前記増幅素子の動作電圧印加端子に接続して前記電流通流手段を前記増幅素子とした。
【００１５】
また、前記切換電圧を発生するバンド切替回路を備え、前記バンド切替回路にはオン又はオフに切り替えられるスイッチトランジスタを設け、前記スイッチトランジスタのエミッタを接地すると共に、コレクタには第二の抵抗を介して前記電源電圧を印加し、前記各カソードを前記各カソード側給電抵抗を介して前記スイッチトランジスタのコレクタに接続した。
【００１６】
また、前記スイッチトランジスタと前記第二の抵抗とを前記バンド切替回路内に集積回路化した。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明のテレビジョンチューナの構成を図１に示す。ＶＨＦ帯のローバンド及びハイバンドのテレビジョン信号が入力される入力端１には不要な信号を除去するフィルタ２を介して入力同調回路３が結合される。入力同調回路３は直列に接続された四個の同調用インダクタンス素子３ａ乃至３ｄとこれらに並列に接続される同調用バラクタダイオード３ｅとから構成される。また、これらのインダクタンス素子３ａ乃至３ｄの二つの接続点の間にスイッチダイオード３ｆの両端が高周波的に接続され、そのアノードは電流通流手段である第一の抵抗４を介して直流的に接地されると共に、第一のアノード側給電抵抗５を介して電源端子Ｂに接続される。また、カソードは第一のカソード側給電抵抗６を介してバンド切替回路７の出力端子７ａに接続される。バラクタダイオード３ｅのアノードは接地され、カソードには図示はしないが同調電圧が印加される。
【００１８】
入力同調回路３の次段には高周波増幅器を構成する増幅素子であると共に電流通流手段となるＦＥＴ（デュアルゲートＦＥＴ）８が設けられ、バラクタダイオード３ｅのカソードとインダクタンス素子３ｄとの接続点がＦＥＴ８の入力端子である第一ゲートに結合される。ＦＥＴ８のソースは接地され、動作電圧印加端子であるドレインはＦＥＴ８の次段に設けられた段間同調回路９に結合される。
【００１９】
段間同調回路９は復同調回路で構成され、一次側には直列接続された二つの同調用インダクタンス素子９ａ、９ｂが設けられ、インダクタンス素子９ａがＦＥＴ８のドレインに接続される。また、二次側にも直流カットコンデンサ９ｃを間に挟んで直列接続された二つの同調用インダクタンス素子９ｄ、９ｅが設けられ、インダクタンス素子９ｄが次段の混合器（図示せず）に結合される。また、インダクタンス素子９ｂと９ｅとは結合用インダクタンス素子９ｆに接続され、結合用インダクタンス素子９ｆは直流カットコンデンサ９ｇを介して高周波的に接地される。そして、結合用インダクタンス素子９ｆと直流カットコンデンサ９ｇとの接続点には第二のアノード側給電抵抗１０を介して電源電圧Ｂが印加される。この結果、ＦＥＴ８のドレインには第二のアノード側給電抵抗１０、インダクタンス素子９ｂ、９ａ等を介して電圧が印加される。
【００２０】
また、一次側のインダクタンス素子９ａと９ｂとの接続点にスイッチダイオード９ｈのアノードが直接接続され、二次側の直流カットコンデンサ９ｃとインダクタンス素子９ｅとの接続点にもスイッチダイオード９ｉのアノードが直接接続される。そしてスイッチダイオード９ｈのカソードとスイッチダイオード９ｉのカソードとが共に直流カットコンデンサ１１を介して接地され、さらに第二のカソード側給電抵抗１２を介してバンド切替回路７の出力端子７ａに接続される。
【００２１】
また、一次側にはインダクタンス素子９ａ、９ｂ等に並列に接続される同調用バラクタダイオード９ｊが設けられ、二次側にもインダクタンス素子９ｄ、９ｅ等に並列に接続される同調用バラクタダイオード９ｋが設けられる。それぞれのバラクタダイオード９ｊ、９ｋのアノードは接地され、カソードには図示はしないが同調電圧が印加される。
【００２２】
バンド切替回路７は入力同調回路３及び段間同調回路９をＶＨＦ帯のローバンド又はハイバンドの各周波数帯に同調可能なように切り替えるためのものであり、集積回路化されている。そして、スイッチトランジスタ７ｂと第二の抵抗７ｃとを内蔵し、スイッチトランジスタ７ｂのエミッタは接地され、コレクタは出力端子７ａに接続される。また、コレクタには第二の抵抗７ｃを介して電源電圧が印加される。スイッチトランジスタ７ｂは図示しない選局手段からの選局信号によってオン又はオフに制御され、各同調回路３、９をローバンドに同調するときにはオフとなって出力端子７ａをハイレベルとし、ハイバンドに同調するときにはオンとなって出力端子７ａをローレベルとする。
【００２３】
以上の構成における各スイッチダイオードに対する直流回路を図２に示し、上記構成の動作を説明する。まず、ローバンドに同調するときにはバンド切替回路７のスイッチトランジスタ７ｂがオフとなるので、各スイッチダイオード３ｆ、９ｈ、９ｉのカソードには出力端子７ａから電圧が印加される。そして、入力同調回路３のスイッチダイオード３ｆのアノードは第一の抵抗４を介して接地されているので、第一のスイッチダイオード３ｆの両端には逆方向の電圧が加わり、完全にオフとなる。一方、段間同調回路９におけるスイッチダイオード９ｈ、９ｉのアノードはＦＥＴ８のドレインに接続されており、しかも、ＦＥＴ８には第二のアノード側給電抵抗１０を介してドレイン電流が流れているので各スイッチダイオード９ｈ、９ｉのアノード電圧は低くなっている。従って、これらスイッチダイオード９ｈ、９ｉの両端にも逆方向の電圧が加わり、完全にオフとなる。この場合、段間同調回路のスイッチダイオード９ｈ、９ｉのカソードには第二のカソード側給電抵抗１２のみによって電圧が印加されるので、無駄な電流消費は生じない。
そして、全てのインダクタンス素子が有効となって各同調回路３、９の同調周波数バンドは低くなる。
【００２４】
また、ハイバンドに同調するときにはスイッチトランジスタ７ｂがオンとなり、一方、入力同調回路３のスイッチダイオード３ｆのアノードには第一のアノード側給電抵抗５を介して電圧が印加されると共に、段間同調回路９のスイッチダイオード９ｈ、９ｉのアノードには第二のアノード側給電抵抗１０を介して電圧が印加される。従って、各スイッチダイオード３ｆ、９ｈ、９ｉにはスイッチトランジスタ７ｂを介して電流が流れてオンとなる。この結果、入力同調回路３においては二つのインダクタンス素子３ｂ、３ｃが同調回路から外れ、段間同調回路９においては四つのインダクタンス素子９ｂ、９ｅ、９ｄ、９ｅと結合インダクタンス素子９ｆとが同調回路から外れる。これによって各同調回路３、９の同調周波数バンドは高くなる。
【００２５】
以上のように、四個の給電抵抗５、６，１０、１２と第一の抵抗４との五個の抵抗によって各スイッチダイオード３ｆ、９ｈ、９ｉをオン又はオフにすることが出来る。また、直流カットコンデンサの数も少なくなる。
そして、同調周波数は各バラクタダイオード３ｅ、９ｊ、９ｋに印加する同調電圧によって変えられる。
【００２６】
【発明の効果】
以上のように、本発明のテレビジョンチューナは、入力同調回路及び段間同調回路はそれぞれ同調用インダクタンス素子とインダクタンス値を切り替えるスイッチダイオードとを有するバンド切替型の同調回路で構成され、スイッチダイオードの各アノードにそれぞれ独立したアノード側給電抵抗を介して電源電圧を印加すると共に各アノードを電流通流手段を介して直流的に接地し、各カソードに各カソード側給電抵抗を介してハイレベル又はローレベルの切換電圧を印加して各同調回路の同調周波数帯域を切り替えたので、各スイッチダイオードをオフにするときには両端に逆方向の電圧が加わって完全にオフとなり、大振幅のテレビジョン信号に対しても歪みを発生しない。また、段間同調回路のスイッチダイオードのカソードにはカソード側給電抵抗のみによって電圧が印加されるので、無駄な電流消費は生じない。さらに、スイッチダイオードに電圧を印加する給電抵抗の数や直流カットコンデンサの数が削減出来る。さらに、バンド切替回路の出力端子が最低の一個で済むのでコストを下げられる。
【００２７】
また、入力同調回路におけるスイッチダイオードのアノードを直流的に接地する電流通流手段を第一の抵抗とし、段間同調回路におけるスイッチダイオードのアノードを増幅素子の動作電圧印加端子に接続して電流通流手段を増幅素子としたことによって、段間同調回路におけるスイッチダイオードのアノードは増幅素子に流れる電流によって低くなるので、このスイッチダイオードの両端には簡単に逆方向の電圧を加えることが出来る。
【００２８】
また、切換電圧を発生するバンド切替回路を備え、バンド切替回路にはオン又はオフに切り替えられるスイッチトランジスタを設け、スイッチトランジスタのエミッタを接地すると共に、コレクタには第二の抵抗を介して電源電圧を印加し、各カソードを各カソード側給電抵抗を介してスイッチトランジスタのコレクタに接続したので、スイッチトランジスタをオンにすることで各スイッチダイオードの電流をスイッチトランジスタに流すことができる。
【００２９】
また、スイッチトランジスタと第二の抵抗とをバンド切替回路内に集積回路化したので、切換電圧が簡単に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のテレビジョンチューナの構成を示す回路図である。
【図２】本発明のテレビジョンチューナにおけるスイッチダイオードに対する直流回路図である。
【図３】従来のテレビジョンチューナの構成を示す回路図である。
【図４】従来のテレビジョンチューナにおけるスイッチダイオードに対する直流回路図である。
【符号の説明】
１ 入力端
２ フィルタ
３ 入力同調回路
３ａ〜３ｄ 同調用インダクタンス素子
３ｅ 同調用バラクタダイオード
３ｆ スイッチダイオード
４ 第一の抵抗（電流通流手段）
５ 第一のアノード側給電抵抗
６ 第一のカソード側給電抵抗
７ バンド切替回路
７ａ 出力端子
７ｂ スイッチトランジスタ
７ｃ 第二の抵抗
８ ＦＥＴ（電流通流手段）
９ 段間同調回路
９ａ、９ｂ、９ｄ、９ｅ 同調用インダクタンス素子
９ｃ、９ｇ 直流カットコンデンサ
９ｆ 結合用インダクタンス素子
９ｈ、９ｉ スイッチダイオード
９ｊ、９ｋ 同調用バラクタダイオード
１０ 第二のアノード側給電抵抗
１１ 直流カットコンデンサ
１２ 第二のカソード側給電抵抗
Claims (4)
- 入力端に結合された入力同調回路と、前記入力同調回路の次段に設けられた高周波増幅器と、前記高周波増幅器の次段に設けられた段間同調回路とを備え、前記入力同調回路及び前記段間同調回路はそれぞれ同調用インダクタンス素子と前記インダクタンス素子のインダクタンス値を切り替えるスイッチダイオードとを有するバンド切替型の同調回路で構成され、前記スイッチダイオードの各アノードにそれぞれ独立したアノード側給電抵抗を介して電源電圧を印加すると共に各アノードを電流通流手段を介して直流的に接地し、前記各カソードに各カソード側給電抵抗を介してハイレベル又はローレベルの切換電圧を印加して前記各同調回路の同調周波数帯域を切り替えたことを特徴とするテレビジョンチューナ。
- 前記高周波増幅器は増幅素子を有し、前記入力同調回路におけるスイッチダイオードのアノードを直流的に接地する前記電流通流手段を第一の抵抗とし、前記段間同調回路におけるスイッチダイオードのアノードを前記増幅素子の動作電圧印加端子に接続して前記電流通流手段を前記増幅素子としたことを特徴とする請求項１に記載のテレビジョンチューナ。
- 前記切換電圧を発生するバンド切替回路を備え、前記バンド切替回路にはオン又はオフに切り替えられるスイッチトランジスタを設け、前記スイッチトランジスタのエミッタを接地すると共に、コレクタには第二の抵抗を介して前記電源電圧を印加し、前記各カソードを前記各カソード側給電抵抗を介して前記スイッチトランジスタのコレクタに接続したことを特徴とする請求項１又は２に記載のテレビジョンチューナ。
- 前記スイッチトランジスタと前記第二の抵抗とを前記バンド切替回路内に集積回路化したことを特徴とする請求項３に記載のテレビジョンチューナ。
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