JP4024541B2 - チューナ用集積回路及び該チューナ用集積回路を用いたテレビジョンチューナ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はチューナ用集積回路及びそのチューナ用集積回路を用いたテレビジョンチューナに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のチューナ用集積回路とそれを用いたテレビジョンチューナの構成を図2によって説明する。図2は特にUHF帯のテレビジョン信号が入力されるテレビジョンチューナを示す。テレビジョン信号が入力される入力同調回路31はバラクタダイオード(図示せず)を有し、そのバラクタダイオードには同調電圧Vが印加される。入力同調回路31の後には高周波増幅回路を構成するFET(デュアルゲートFET)32が設けられ、入力同調回路31の出力端がFET32の第一ゲートに結合される。
【0003】
FET32の第一ゲートにはインダクタンス素子33の一端が接続され、その他端は直流カットコンデンサ34によって高周波的に接地されると共に、抵抗35によって接地される。ソースは接地され、ドレインには給電抵抗36とチョークインダクタ37の直列回路を介して電源電圧Bが印加される。給電抵抗36とチョークインダクタ37との接続点は直流カットコンデンサ38によって接地される。
【0004】
FET32の次段には段間同調回路である複同調回路39が設けられる。その一次側の並列同調回路はバラクタダイオード39aとインダクタンス素子39bとからなり、高電位点であるバラクタダイオード39aのアノードとインダクタンス素子39bとの接続点が結合コンデンサ40を介してFET32のドレインに結合される。また、バラクタダイオード39aのカソードは直流カットコンデンサ39cによって接地され、インダクタンス素子39bの他端も接地される。そして、バラクタダイオード39aのカソードに同調電圧Vが印加される。
【0005】
複同調回路39における二次側の並列同調回路はバラクタダイオード39dとインダクタンス素子39eとからなり、高電位点であるバラクタダイオード39dのアノードとインダクタンス素子39eとの接続点が結合コンデンサ41を介してチューナ用集積回路(以下、単に集積回路という)42の第一の端子42aに結合される。また、バラクタダイオード39dのカソードは直流カットコンデンサ39fによって接地され、インダクタンス素子39eの他端も接地される。そして、バラクタダイオード39dのカソードに同調電圧Vが印加される。
【0006】
集積回路42内には周波数変換用の混合回路43が構成されている。混合回路43は平衡型に構成され、互いのエミッタ同士が接続されると共に、各ベースを入力端とする二つのトランジスタ43a、43bを有し、一方のトランジスタ43aのベースが第一の端子42aに接続され、他方のトランジスタ43bのベースが第二の端子42bに接続される。二つのトランジスタ43a、43bのベースには集積回路内42でバイアス電圧が印加されている。また、各ベースには集積回路42に構成された静電破壊防止用のダイオード43c、43dが接続される。
【0007】
また、集積回路42内にはバンド切替電圧発生回路44が構成されている。バンド切替電圧発生回路44には受信すべきチャンネルのデータDが入力され、それによってそのチャンネルの属する帯域を選択するためのハイ(ほぼ電源電圧Bに等しい)又はロー(ほぼ0ボルト又は開放状態)の切替電圧を発生する。切替電圧は、例えば高い周波数帯域であるUHF帯のチャンネルのテレビジョン信号を受信するときにハイレベルとなり、低い周波数帯であるVHF帯のチャンネルのテレビジョン信号を受信する時にローレベルとなる。バンド切替電圧発生回路44の出力端は第三の端子42cに接続される。
【0008】
そして、第一の端子42aと第二の端子42bとがインダクタンス素子45によって互いに接続される。また、第三の端子42cは抵抗46によってインダクタンス素子33と抵抗35との接続点に接続される。
また。入力同調回路31と複同調回路39に印加される同調電圧Vは集積回路42から発生するがその詳細説明は省略する。
【0009】
以上の構成において、UHF帯のテレビジョン信号を受信するときには切替電圧がハイとなってFET32の第一ゲートには適正なバイアス電圧が印加され、FET32は正常に動作する。そして、FET32によって増幅され、続いて複同調回路39によって選択されたテレビジョン信号はインダクタンス素子45によって平衡に変換されて集積回路42の第一の端子42aと第二の端子42bとに入力される。
【0010】
また、VHF帯のテレビジョン信号を受信するときには切替電圧がローとなってFET32の第一ゲートにはバイアス電圧が印加されなくなり、FET32は不動作状態となる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成ではFET32を動作状態又は不動作状態に切り替えるために切替電圧を使用するが、そのため、集積回路41には専用の第三の端子42cを設けている。集積回路42を小型化するには端子数を減らすことが重要課題である。
【0012】
そこで、本発明のチューナ用集積回路では受信する帯域を切り替えるための切替電圧を出力する専用の端子を設けることなく切替電圧を取り出せるようにすることを目的とする。
【0013】
また、本発明のテレビジョンチューナは、上記チューナ用集積回路を用いて構成を簡素化することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明のチューナ用集積回路は、少なくともテレビジョン信号を中間周波信号に周波数変換する混合回路と、前記テレビジョン信号が入力される端子と、高域又は低域のテレビジョン信号を受信するためのハイ又はローの切替電圧を発生するバンド切替電圧発生回路とを集積回路内に備え、当該集積回路の内部において、前記端子には前記混合回路の入力端を高周波的に接続すると共に、前記端子に前記切替電圧を抵抗を介して印加するように形成され、前記集積回路の外部において、前記端子を通して供給される前記切替電圧によってその動作が制御されると共に前記テレビジョン信号が入力されるゲートを有する増幅用の電界効果トランジスタが前記端子に接続可能とされている。
【0015】
また、本発明のチューナ用集積回路は、前記混合回路はベースを入力端として平衡型に構成された二つのトランジスタからなり、前記端子を二つ設け、前記各トランジスタのベースをそれぞれに容量素子を介して前記各端子に別個に接続し、前記端子の一方に前記切替電圧を印加した。
【0016】
また、本発明のテレビジョンチューナは、請求項1に記載のチューナ用集積回路と、テレビジョン信号がゲートに入力される増幅用の電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのドレインに接続された同調回路とを備え、前記同調回路の出力端を前記チューナ用集積回路の前記端子に結合すると共に、前記ゲートを直流的に前記端子に接続した。
【0017】
また、本発明のテレビジョンチューナは、請求項2に記載のチューナ用集積回路と、テレビジョン信号がゲートに入力される増幅用の電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのドレインに接続された同調回路とを備え、前記同調回路の出力端を前記チューナ用集積回路の他方の端子に結合すると共に、前記一方の端子と他方の端子とをインダクタンス素子によって互いに接続し、前記ゲートを直流的に前記一方の端子に接続した。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、図1を参照して本発明のチューナ用集積回路及びそれを用いたテレビジョンチューナを説明する。
【0020】
図1は特にUHF帯のテレビジョン信号が入力されるテレビジョンチューナを示す。テレビジョン信号が入力される入力同調回路1はバラクタダイオード(図示せず)を有し、そのバラクタダイオードには同調電圧Vが印加される。入力同調回路1の後には高周波増幅回路を構成するFET(デュアルゲートFET)2が設けられ、入力同調回路1の出力端がFET2の第一ゲートに結合される。FET2の第一ゲートにはインダクタンス素子3の一端が接続され、その他端は直流カットコンデンサ4によって高周波的に接地されると共に、バイアス抵抗5によって接地される。ソースは接地され、ドレインには給電抵抗6とチョークインダクタ7の直列回路を介して電源電圧Bが印加される。給電抵抗6とチョークインダクタ7との接続点は直流カットコンデンサ8によって接地される。
【0021】
FET2の次段には段間同調回路である複同調回路9が設けられる。その一次側の並列同調回路はバラクタダイオード9aとインダクタンス素子9bとからなり、高電位点であるバラクタダイオード9aのアノードとインダクタンス素子9bとの接続点が結合コンデンサ10を介してFET2のドレインに結合される。また、バラクタダイオード9aのカソードは直流カットコンデンサ9cによって接地され、インダクタンス素子9bの他端も接地される。そして、バラクタダイオード9aのカソードに同調電圧Vが印加される。
【0022】
複同調回路9における二次側の並列同調回路はバラクタダイオード9dとインダクタンス素子9eとからなり、高電位点であるバラクタダイオード9dのアノードとインダクタンス素子9eとの接続点が結合コンデンサ11を介してチューナ用集積回路(以下、単に集積回路という)12の第一の端子12aに結合される。また、バラクタダイオード9dのカソードは直流カットコンデンサ9fによって接地され、インダクタンス素子9eの他端も接地される。そして、バラクタダイオード9dのカソードに同調電圧Vが印加される。
【0023】
集積回路12内には周波数変換用の混合回路13が構成されている。混合回路13は平衡型に構成され、互いのエミッタ同士が接続された二つのトランジスタ13a、13bを有し、一方のトランジスタ13aのベースがコンデンサ13cによって第一の端子12aに結合され、他方のトランジスタ13bのベースがコンデンサ13dによって第二の端子12bに結合される。コンデンサ13c、13dは集積回路12内に構成されている。二つのトランジスタ13a、13bのベースには集積回路12内でバイアス電圧が印加されている。また、各ベースには集積回路12に構成された静電破壊防止用のダイオード13e、13fが接続される。
【0024】
また、集積回路12内にはバンド切替電圧発生回路14が構成されている。バンド切替電圧発生回路14には受信すべきチャンネルのデータDが入力され、それによってそのチャンネルの属する帯域を選択するためのハイ(ほぼ電源電圧Bに等しい)又はロー(ほぼ0ボルト又は開放状態)の切替電圧を発生する。切替電圧は、例えば高い周波数帯域であるUHF帯のチャンネルのテレビジョン信号を受信するときにハイレベルとなり、低い周波数帯であるVHF帯のチャンネルのテレビジョン信号を受信する時にローレベルとなる。バンド切替電圧発生回路14の出力端は抵抗15を介して第二の端子12bに接続される。
【0025】
そして、集積回路12の外部に設けられた位相反転用のインダクタンス素子16によって第一の端子12aと第二の端子12bとが互いに接続される。また、第一の端子12aは抵抗17によってインダクタンス素子3とバイアス抵抗5との接続点に接続される。この場合、抵抗17は複同調回路9における一次側の同調回路の高電位点との間で浮遊容量が形成されるように近接して設けられる。また、高電位点の信号ラインと抵抗17とが互いに直交するように配置すると浮遊容量を形成するのに効果的であるが、その配置の形態は適宜に選ぶことができる。
【0026】
上記に説明した浮遊容量と複同調回路9の二つのインダクタンス素子9b、9eとによって並列共振回路が構成されるので、此がトラップ回路となり不要な信号を減衰できる。
【0027】
また、入力同調回路1と複同調回路9に印加される同調電圧Vは集積回路12から発生するがその詳細説明は省略する。
【0028】
以上の構成において、UHF帯のテレビジョン信号を受信するときには切替電圧がハイとなってFET2の第一ゲートには適正なバイアス電圧が印加され、FET2は正常に動作する。そして、FET2によって増幅され、続いて複同調回路9によって選択されたテレビジョン信号はインダクタンス素子16によって平衡に変換されて集積回路12の第一の端子12aと第二の端子13bとに入力される。第一の端子12aと第二の端子12bとにはテレビジョン信号と共に切替電圧が重畳されていることになるが、テレビジョン信号の受信に対しては何ら影響がない。
また、VHF帯のテレビジョン信号を受信するときには切替電圧がローとなってFET2の第一ゲートにはバイアス電圧が印加されなくなり、FET2は不動作状態となる。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のチューナ用集積回路は、テレビジョン信号を中間周波信号に周波数変換する混合回路と、テレビジョン信号が入力される端子と、高域又は低域のテレビジョン信号を受信するためのハイ又はローの切替電圧を発生するバンド切替電圧発生回路とを備え、端子には混合回路の入力端を高周波的に接続すると共に、切替電圧を抵抗を介して印加したので、テレビジョン信号が入力される端子と切替電圧が出力される端子とを共通にすることができ、端子数を減らせる。
【0030】
また、本発明のチューナ用集積回路は、混合回路はベースを入力端として平衡型に構成された二つのトランジスタからなり、端子を二つ設け、各トランジスタのベースをそれぞれに容量素子を介して各端子に接続し、端子の一方に切替電圧を印加したので、平衡の混合回路が構成できる。
【0031】
また、本発明のテレビジョンチューナは、請求項1に記載のチューナ用集積回路と、テレビジョン信号がゲートに入力される増幅用の電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタのドレインに接続された同調回路とを備え、同調回路の出力端をチューナ用集積回路の端子に結合すると共に、ゲートを直流的に端子に接続したので、混合回路に結合された端子に出力される切替電圧によって電界効果トランジスタの動作を切り替えられ、チューナの構成が簡素になる。
【0032】
また、本発明のテレビジョンチューナは、請求項2に記載のチューナ用集積回路と、テレビジョン信号がゲートに入力される増幅用の電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタのドレインに接続された同調回路とを備え、同調回路の出力端をチューナ用集積回路の他方の端子に結合すると共に、一方の端子と他方の端子とをインダクタンス素子によって互いに接続し、ゲートを直流的に一方の端子に接続したので、平衡型の混合回路に平衡のテレビジョン信号が入力でき、電界効果トランジスタの動作も切り替えられる。
【0033】
また、本発明のテレビジョンチューナは、同調回路は複同調回路で構成され、ゲートと他方の端子とを抵抗によって互いに接続し、抵抗と複同調回路における一次側同調回路の高電位側との間に浮遊容量を形成したので、トラップ回路が構成され、このトラップ回路によってイメージ妨害を除去できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のチューナ用集積回路とそれを用いたテレビジョンチューナとの構成を示す回路図である。
【図2】従来のチューナ用集積回路とそれを用いたテレビジョンチューナとの構成を示す回路図である。
【符号の説明】
1 入力同調回路
2 電界効果トランジスタ
3 インダクタンス素子
4 直流カットコンデンサ
5 バイアス抵抗
6 給電抵抗
7 チョークインダクタ
8 直流カットコンデンサ
9 複同調回路
9a、9d バラクタダイオード
9b、9e インダクタンス素子
9c、9f 直流カットコンデンサ
10、11 結合コンデンサ
12 チューナ用集積回路
12a 第一の端子
12b 第二の端子
13 混合回路
13a、13b トランジスタ
13c、13d コンデンサ
13e、13f ダイオード
14 切替電圧発生回路
15 抵抗
16 インダクタンス素子
17 抵抗
Claims (4)
- 少なくともテレビジョン信号を中間周波信号に周波数変換する混合回路と、前記テレビジョン信号が入力される端子と、高域又は低域のテレビジョン信号を受信するためのハイ又はローの切替電圧を発生するバンド切替電圧発生回路とを集積回路内に備え、当該集積回路の内部において、前記端子には前記混合回路の入力端を高周波的に接続すると共に、前記端子に前記切替電圧を抵抗を介して印加するように形成され、前記集積回路の外部において、前記端子を通して供給される前記切替電圧によってその動作が制御されると共に前記テレビジョン信号が入力されるゲートを有する増幅用の電界効果トランジスタが前記端子に接続可能とされていることを特徴とするチューナ用集積回路。
- 前記混合回路はベースを入力端として平衡型に構成された二つのトランジスタからなり、前記端子を二つ設け、前記各トランジスタのベースをそれぞれに容量素子を介して前記各端子に別個に接続し、前記端子の一方に前記切替電圧を印加したことを特徴とする請求項1に記載のチューナ用集積回路。
- 請求項1に記載のチューナ用集積回路と、テレビジョン信号がゲートに入力される増幅用の電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのドレインに接続された同調回路とを備え、前記同調回路の出力端を前記チューナ用集積回路の前記端子に結合すると共に、前記ゲートを直流的に前記端子に接続したことを特徴とするテレビジョンチューナ。
- 請求項2に記載のチューナ用集積回路と、テレビジョン信号がゲートに入力される増幅用の電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのドレインに接続された同調回路とを備え、前記同調回路の出力端を前記チューナ用集積回路の他方の端子に結合すると共に、前記一方の端子と他方の端子とをインダクタンス素子によって互いに接続し、前記ゲートを直流的に前記一方の端子に接続したことを特徴とするテレビジョンチューナ。
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