JP3891926B2 - テレビジョン信号切替回路 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、テレビジョン信号切替回路に関わり、特に、テレビジョンチューナの入力部に設けられ、テレビジョン信号の強電界入力時と弱電界入力時に切り替えられるテレビジョン信号切替回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２は従来のテレビジョン信号切替回路をテレビジョンチューナの構成部分を併せて示している。高周波増幅回路３１は増幅素子である電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）３１ａを有し、ソースは高周波的に接地されドレインは電源端子Ｂに接続される。またゲートは第一のスイッチダイオード３２のアノードに接続される。ＦＥＴ３１ａのゲートと第一のスイッチダイオード３２のアノードとはバイアス抵抗３３を介して切替用のＰＮＰトランジスタ３４のコレクタに接続される。ＰＮＰトランジスタ３４のエミッタは電源端子Ｂに接続される。第一のスイッチダイオード３２のカソードはバイアス抵抗３５によって接地されると共に、テレビジョン信号の入力端３６に結合される。
【０００３】
また、ＦＥＴ３１ａのドレインは第二のスイッチダイオード３７のアノードに結合される。第二のスイッチダイオード３７のアノードはバイアス抵抗３８を介してＰＮＰトランジスタ３４のコレクタに接続される。また、第二のスイッチダイオード３７のカソードはバイアス抵抗３９によって接地されると共に、テレビジョンチューナ４０のＶＨＦ入力同調回路４０ａ及びＵＨＦ入力同調回路４０ｂに結合される。
【０００４】
バイパス用のダイオード４１は第一のスイッチダイオード３２のカソードと第二のスイッチダイオード３７のカソードとの間に設けられ、アノードはバイアス抵抗４２を介して電源端子Ｂに接続される。そして、ダイオード４１のアノードは第一のスイッチダイオード３２のカソードに接続され、カソードは第二のスイッチダイオード３７のカソードに接続される。
【０００５】
以上の構成において、入力されたテレビジョン信号が弱電界の時には、ＰＮＰトランジスタ３４のベースにローレベルの切替電圧が印加される。すると、ＰＮＰトランジスタ３４はオンとなり、第一及び第二のスイッチダイオード３２、３７がオンになると共に、高周波増幅回路３１は電源電圧が印加されて動作状態となる。この時、四つのバイアス抵抗３３、３５、３８、３９によって、第一のスイッチダイオード３２のカソードにおける電圧よりも第二のスイッチダイオード３７のカソードにおける電圧が高くなるように設定されているので、バイパス用のダイオード４１はオフとなる。よって、入力されたテレビジョン信号は高周波増幅回路３１によって増幅され、ＶＨＦ入力同調回路４０ａ及びＵＨＦ入力同調回路４０ｂに入力される。
【０００６】
一方、テレビジョン信号が強電界の時には、ＰＮＰトランジスタ３４のベースにハイレベルの切替電圧が印加される。すると、ＰＮＰトランジスタ３４はオフとなり、第一及び第二のスイッチダイオード３２、３７がオフになると共に、高周波増幅回路３１には電源電圧が印加されないので非動作状態となる。しかし、バイパス用のダイオード４１にはバイアス抵抗３９、４２を通じて電流がながれるのでオンとなる。よって、入力されたテレビジョン信号は高周波増幅回路３１によって増幅されることなく、ダイオード４１を介してＶＨＦ入力同調回路４０ａ及びＵＨＦ入力同調回路４０ｂに入力される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２６１５０１号公報（図１）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成では、高周波増幅回路を動作させるときには、その入力側に設けたスイッチダイオードと出力側に設けたスイッチダイオードとをオンさせるので、スイッチダイオードの数が多くなると共に、電流消費が大きくなるという問題がある。また、この時は各スイッチダイオードのカソードのバイアス電圧によってバイパス用のダイオードをオフにするようにしているので、上記のバイアス電圧を設定するための四つのバイアス抵抗が必要となり、それらの抵抗値設定が煩雑となるという問題がある。
【０００９】
本発明は、部品数を削減して回路を簡素化すると共に、消費電流を少なくしたテレビジョン信号切替回路を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明では、テレビジョン信号の入力端と入力同調回路との間に設けられた高周波増幅回路と、前記高周波増幅回路に並設され、前記テレビジョン信号をバイパスするバイパス用ダイオードとを備え、前記バイパス用ダイオードのアノードにはバイアス電圧を印加しておき、前記高周波増幅回路の動作を切り替えるための第一のスイッチ手段と、前記第一のスイッチ手段とは逆にオン／オフする第二のスイッチ手段とを設け、前記高周波増幅回路には前記第一のスイッチ手段を介して電源電圧を印加し、前記バイパス用ダイオードのカソードを前記第二のスイッチ手段によって接地し、前記第一及び第二のスイッチ手段をそれぞれ第一及び第二のＰＮＰトランジスタで構成し、前記第一のＰＮＰトランジスタのエミッタに前記電源電圧を印加し、前記第一のＰＮＰトランジスタのコレクタを前記高周波増幅回路の電源供給端に接続し、前記第二のＰＮＰトランジスタのエミッタを前記バイパス用ダイオードのカソードと前記第二のＰＮＰトランジスタのベースとに接続すると共に、コレクタを接地し、ベースを前記第一のＰＮＰトランジスタのコレクタに接続すると共にグランドに接続し、前記第一のＰＮＰトランジスタのベースに切替電圧を印加した。
【００１２】
また、前記高周波増幅回路は増幅素子を有し、前記第二のＰＮＰトランジスタのベースを前記増幅素子の入力端子にバイアス電圧を供給するためのバイアス抵抗を介して接地した。
【００１３】
また、前記入力同調回路は同調用インダクタンス素子と、同調周波数バンド切替用のスイッチダイオードとを有し、前記スイッチダイオードには前記インダクタンス素子を介して前記電源電圧からバイアス電圧が供給されており、前記バイパス用ダイオードのアノードと前記インダクタンス素子とを接続した。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は発明のテレビジョン信号切替回路の構成を示し、テレビジョンチューナの一部の構成部分と共に示している。高周波増幅回路１は増幅素子であるトランジスタ１ａを有し、エミッタは高周波的に接地され、出力端子であるコレクタはインダクタンス素子１ｂを介して第一のスイッチ手段である第一のＰＮＰトランジスタ２のコレクタに接続される。第一のＰＮＰトランジスタ２のエミッタは電源端子Ｂに接続される。そして、トランジスタ１ａのコレクタはテレビジョンチューナ１０の入力端１０ａに接続される。また、トランジスタ１ａの入力端子であるベースにはコレクタとの間に接続された第一のバイアス抵抗１ｃと、グランドとの間に接続された第二のバイアス抵抗１ｄによってバイアス電圧が供給される。そして、トランジスタ１ａのベースはテレビジョン信号の入力端３に結合される。
【００１５】
テレビジョン信号をバイパスするためのバイパス用ダイオード４は入力端３とテレビジョンチューナ１０の入力端１０ａとの間に結合され、アノードは入力端１０ａに直流的（直流が通るように。以下、同じ）に接続される。また、カソードは抵抗５によって第二のスイッチ手段である第二のＰＮＰトランジスタ６のエミッタに接続される。第二のＰＮＰトランジスタ６のコレクタは接地され、ベースは第一のＰＮＰトランジスタ２のコレクタに接続される。
【００１６】
テレビジョンチューナ１０内にはその入力端１０ａに接続されたＶＨＦ入力同調回路１１及びＵＨＦ入力同調回路１３と、ＶＨＦ入力同調回路１１の次段に設けられたＶＨＦ増幅回路１２、ＵＨＦ入力同調回路１３の次段に設けられたＵＨＦ増幅回路１４等を有する。
【００１７】
ＶＨＦ入力同調回路１１は、直列接続された四つのインダクタンス素子１１ａ〜１１ｄと、これらに並列接続されたバラクタダイオード１１ｅと、中間の二つのインダクタンス素子１１ｂ、１１ｃとを両端でショートする同調周波数バンド切替用のスイッチダイオード１ｆ等を有する。そして、電源端子Ｂの電圧を分圧する抵抗１１ｇと１１ｈによって作られたバイアス電圧がインダクタンス素子１１ａ〜１１ｃを介してスイッチダイオード１１ｆのアノードに供給される。中間の二つのインダクタンス素子１１ｂ、１１ｃの接続点は入力端１０ａに接続される。この構成によって、バイパス用ダイオード４のアノードにもバイアス電圧が供給される。
【００１８】
また、スイッチダイオード１１ｆのカソードは切替電圧端子Ｖｓに接続され、バラクタダイオード１１ｅのカソードは同調電圧端子Ｖｔに接続される。バラクタダイオード１１ｅのアノードは接地される。
【００１９】
そして、ＶＨＦ入力同調回路１１はハイレベルの切替電圧Ｖｓによってスイッチダイオード１１ｆがオフになることでＶＨＦ帯のローバンドに同調し、ローレベルの切替電圧Ｖｓによってスイッチダイオード１１ｆがオンになることでＶＨＦ帯のハイバンドに同調するように切り替えられる。
【００２０】
以上の構成において、入力されたテレビジョン信号が弱電界の時には、第一のＰＮＰトランジスタ２のベースにローレベルの切替電圧が印加される。すると、第一のＰＮＰトランジスタ２はオンとなり、電源電圧はトランジスタ１ａのコレクタに給電されると共にベースにもバイアス電圧が印加され、高周波増幅回路１は動作状態となる。また、第二のＰＮＰトランジスタ６はオフとなり、これによってバイパス用ダイオード４もオフとなる。よって、入力されたテレビジョン信号は高周波増幅回路１によって増幅され、ＶＨＦ入力同調回路１１及びＵＨＦ入力同調回路１３に入力される。
【００２１】
一方、テレビジョン信号が強電界の時には、第一のＰＮＰトランジスタ２のベースにハイレベルの切替電圧が印加される。すると、第一のＰＮＰトランジスタ２はオフとなり、トランジスタ１ａには電源電圧が給電されないので高周波増幅回路１は非動作状態となる。
【００２２】
しかし、バイパス用ダイオード４のアノードにはＶＨＦ入力同調回路１１のインダクタンス素子１１ａ、１１ｂを介してバイアス電圧が供給されており、第二のＰＮＰトランジスタ６のベースが高周波増幅回路１のインダクタンス素子１ｂ、バイアス抵抗１ｃ、１ｄを介してグランドに接続されているので、第二のＰＮＰトランジスタ６はオンとなり、これによってバイパス用ダイオード４はオンとなる。よって、入力されたテレビジョン信号は高周波増幅回路１によって増幅されることなく、ダイオード４を介してＶＨＦ入力同調回路１１及びＵＨＦ入力同調回路１３に入力される。
【００２３】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、テレビジョン信号の入力端と入力同調回路との間に設けられた高周波増幅回路と、高周波増幅回路に並設されたテレビジョン信号のバイパス用ダイオードとを備え、バイパス用ダイオードのアノードにはバイアス電圧を印加しておき、高周波増幅回路の動作を切り替えるための第一のスイッチ手段と、第一のスイッチ手段とは逆にオン／オフする第二のスイッチ手段とを設け、高周波増幅回路には第一のスイッチ手段を介して電源電圧を印加し、バイパス用ダイオードのカソードを第二のスイッチ手段によって接地したので、簡単な構成でテレビジョン信号切替回路が実現できる。
【００２４】
また、第一及び第二のスイッチ手段をそれぞれ第一及び第二のＰＮＰトランジスタで構成し、第一のＰＮＰトランジスタのエミッタに電源電圧を印加し、第一のＰＮＰトランジスタのコレクタを高周波増幅回路の電源供給端に接続し、第二のＰＮＰトランジスタのエミッタをバイパス用ダイオードのカソードに接続すると共に、コレクタを接地し、ベースを第一のＰＮＰトランジスタのコレクタに接続すると共に直流的にグランドに接続し、第一のＰＮＰトランジスタのベースに切替電圧を印加したので、第一のスイッチ手段と第二のスイッチ手段とを逆にオン／オフできる。
【００２５】
また、高周波増幅回路は増幅素子を有し、第二のＰＮＰトランジスタのベースを増幅素子の入力端子にバイアス電圧を供給するためのバイアス抵抗を介して直流的に接地したので、第二のＰＮＰトランジスタのベースには専用のバイアス回路を設けなくても第一のＰＮＰトランジスタがオフとなったときに第二のＰＮＰトランジスタをオンにすることができる。
【００２６】
また、入力同調回路は同調用インダクタンス素子と、同調周波数バンド切替用のスイッチダイオードとを有し、スイッチダイオードにはインダクタンス素子を介して電源電圧からバイアス電圧が供給されており、バイパス用ダイオードのアノードとインダクタンス素子とを直流的に接続したので、バイパス用ダイオードのアノードには入力同調回路からバイアス電圧が供給されるので、バイアス電圧を印加するための専用のバイアス回路を必要としない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のテレビジョン信号切替回路の構成を示す回路図である。
【図２】従来のテレビジョン信号切替回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１ 高周波増幅回路
１ａ 増幅素子（トランジスタ）
１ｂ インダクタンス素子
１ｃ、１ｄ バイアス抵抗
２ 第一のスイッチ手段（第一のＰＮＰトランジスタ）
３ 入力端
４ ダイオード
５ 抵抗
６ 第二のスイッチ手段（第二のＰＮＰトランジスタ）
１０ テレビジョンチューナ
１０ａ 入力端
１１ ＶＨＦ入力同調回路
１１ａ〜１１ｄ インダクタンス素子
１１ｅ バラクタダイオード
１１ｆ スイッチダイオード
１１ｇ、１１ｈ バイアス抵抗
１２ ＶＨＦ増幅回路
１３ ＵＨＦ入力同調回路
１４ ＵＨＦ増幅回路
【発明の属する技術分野】
本発明は、テレビジョン信号切替回路に関わり、特に、テレビジョンチューナの入力部に設けられ、テレビジョン信号の強電界入力時と弱電界入力時に切り替えられるテレビジョン信号切替回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２は従来のテレビジョン信号切替回路をテレビジョンチューナの構成部分を併せて示している。高周波増幅回路３１は増幅素子である電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）３１ａを有し、ソースは高周波的に接地されドレインは電源端子Ｂに接続される。またゲートは第一のスイッチダイオード３２のアノードに接続される。ＦＥＴ３１ａのゲートと第一のスイッチダイオード３２のアノードとはバイアス抵抗３３を介して切替用のＰＮＰトランジスタ３４のコレクタに接続される。ＰＮＰトランジスタ３４のエミッタは電源端子Ｂに接続される。第一のスイッチダイオード３２のカソードはバイアス抵抗３５によって接地されると共に、テレビジョン信号の入力端３６に結合される。
【０００３】
また、ＦＥＴ３１ａのドレインは第二のスイッチダイオード３７のアノードに結合される。第二のスイッチダイオード３７のアノードはバイアス抵抗３８を介してＰＮＰトランジスタ３４のコレクタに接続される。また、第二のスイッチダイオード３７のカソードはバイアス抵抗３９によって接地されると共に、テレビジョンチューナ４０のＶＨＦ入力同調回路４０ａ及びＵＨＦ入力同調回路４０ｂに結合される。
【０００４】
バイパス用のダイオード４１は第一のスイッチダイオード３２のカソードと第二のスイッチダイオード３７のカソードとの間に設けられ、アノードはバイアス抵抗４２を介して電源端子Ｂに接続される。そして、ダイオード４１のアノードは第一のスイッチダイオード３２のカソードに接続され、カソードは第二のスイッチダイオード３７のカソードに接続される。
【０００５】
以上の構成において、入力されたテレビジョン信号が弱電界の時には、ＰＮＰトランジスタ３４のベースにローレベルの切替電圧が印加される。すると、ＰＮＰトランジスタ３４はオンとなり、第一及び第二のスイッチダイオード３２、３７がオンになると共に、高周波増幅回路３１は電源電圧が印加されて動作状態となる。この時、四つのバイアス抵抗３３、３５、３８、３９によって、第一のスイッチダイオード３２のカソードにおける電圧よりも第二のスイッチダイオード３７のカソードにおける電圧が高くなるように設定されているので、バイパス用のダイオード４１はオフとなる。よって、入力されたテレビジョン信号は高周波増幅回路３１によって増幅され、ＶＨＦ入力同調回路４０ａ及びＵＨＦ入力同調回路４０ｂに入力される。
【０００６】
一方、テレビジョン信号が強電界の時には、ＰＮＰトランジスタ３４のベースにハイレベルの切替電圧が印加される。すると、ＰＮＰトランジスタ３４はオフとなり、第一及び第二のスイッチダイオード３２、３７がオフになると共に、高周波増幅回路３１には電源電圧が印加されないので非動作状態となる。しかし、バイパス用のダイオード４１にはバイアス抵抗３９、４２を通じて電流がながれるのでオンとなる。よって、入力されたテレビジョン信号は高周波増幅回路３１によって増幅されることなく、ダイオード４１を介してＶＨＦ入力同調回路４０ａ及びＵＨＦ入力同調回路４０ｂに入力される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２６１５０１号公報（図１）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成では、高周波増幅回路を動作させるときには、その入力側に設けたスイッチダイオードと出力側に設けたスイッチダイオードとをオンさせるので、スイッチダイオードの数が多くなると共に、電流消費が大きくなるという問題がある。また、この時は各スイッチダイオードのカソードのバイアス電圧によってバイパス用のダイオードをオフにするようにしているので、上記のバイアス電圧を設定するための四つのバイアス抵抗が必要となり、それらの抵抗値設定が煩雑となるという問題がある。
【０００９】
本発明は、部品数を削減して回路を簡素化すると共に、消費電流を少なくしたテレビジョン信号切替回路を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明では、テレビジョン信号の入力端と入力同調回路との間に設けられた高周波増幅回路と、前記高周波増幅回路に並設され、前記テレビジョン信号をバイパスするバイパス用ダイオードとを備え、前記バイパス用ダイオードのアノードにはバイアス電圧を印加しておき、前記高周波増幅回路の動作を切り替えるための第一のスイッチ手段と、前記第一のスイッチ手段とは逆にオン／オフする第二のスイッチ手段とを設け、前記高周波増幅回路には前記第一のスイッチ手段を介して電源電圧を印加し、前記バイパス用ダイオードのカソードを前記第二のスイッチ手段によって接地し、前記第一及び第二のスイッチ手段をそれぞれ第一及び第二のＰＮＰトランジスタで構成し、前記第一のＰＮＰトランジスタのエミッタに前記電源電圧を印加し、前記第一のＰＮＰトランジスタのコレクタを前記高周波増幅回路の電源供給端に接続し、前記第二のＰＮＰトランジスタのエミッタを前記バイパス用ダイオードのカソードと前記第二のＰＮＰトランジスタのベースとに接続すると共に、コレクタを接地し、ベースを前記第一のＰＮＰトランジスタのコレクタに接続すると共にグランドに接続し、前記第一のＰＮＰトランジスタのベースに切替電圧を印加した。
【００１２】
また、前記高周波増幅回路は増幅素子を有し、前記第二のＰＮＰトランジスタのベースを前記増幅素子の入力端子にバイアス電圧を供給するためのバイアス抵抗を介して接地した。
【００１３】
また、前記入力同調回路は同調用インダクタンス素子と、同調周波数バンド切替用のスイッチダイオードとを有し、前記スイッチダイオードには前記インダクタンス素子を介して前記電源電圧からバイアス電圧が供給されており、前記バイパス用ダイオードのアノードと前記インダクタンス素子とを接続した。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は発明のテレビジョン信号切替回路の構成を示し、テレビジョンチューナの一部の構成部分と共に示している。高周波増幅回路１は増幅素子であるトランジスタ１ａを有し、エミッタは高周波的に接地され、出力端子であるコレクタはインダクタンス素子１ｂを介して第一のスイッチ手段である第一のＰＮＰトランジスタ２のコレクタに接続される。第一のＰＮＰトランジスタ２のエミッタは電源端子Ｂに接続される。そして、トランジスタ１ａのコレクタはテレビジョンチューナ１０の入力端１０ａに接続される。また、トランジスタ１ａの入力端子であるベースにはコレクタとの間に接続された第一のバイアス抵抗１ｃと、グランドとの間に接続された第二のバイアス抵抗１ｄによってバイアス電圧が供給される。そして、トランジスタ１ａのベースはテレビジョン信号の入力端３に結合される。
【００１５】
テレビジョン信号をバイパスするためのバイパス用ダイオード４は入力端３とテレビジョンチューナ１０の入力端１０ａとの間に結合され、アノードは入力端１０ａに直流的（直流が通るように。以下、同じ）に接続される。また、カソードは抵抗５によって第二のスイッチ手段である第二のＰＮＰトランジスタ６のエミッタに接続される。第二のＰＮＰトランジスタ６のコレクタは接地され、ベースは第一のＰＮＰトランジスタ２のコレクタに接続される。
【００１６】
テレビジョンチューナ１０内にはその入力端１０ａに接続されたＶＨＦ入力同調回路１１及びＵＨＦ入力同調回路１３と、ＶＨＦ入力同調回路１１の次段に設けられたＶＨＦ増幅回路１２、ＵＨＦ入力同調回路１３の次段に設けられたＵＨＦ増幅回路１４等を有する。
【００１７】
ＶＨＦ入力同調回路１１は、直列接続された四つのインダクタンス素子１１ａ〜１１ｄと、これらに並列接続されたバラクタダイオード１１ｅと、中間の二つのインダクタンス素子１１ｂ、１１ｃとを両端でショートする同調周波数バンド切替用のスイッチダイオード１ｆ等を有する。そして、電源端子Ｂの電圧を分圧する抵抗１１ｇと１１ｈによって作られたバイアス電圧がインダクタンス素子１１ａ〜１１ｃを介してスイッチダイオード１１ｆのアノードに供給される。中間の二つのインダクタンス素子１１ｂ、１１ｃの接続点は入力端１０ａに接続される。この構成によって、バイパス用ダイオード４のアノードにもバイアス電圧が供給される。
【００１８】
また、スイッチダイオード１１ｆのカソードは切替電圧端子Ｖｓに接続され、バラクタダイオード１１ｅのカソードは同調電圧端子Ｖｔに接続される。バラクタダイオード１１ｅのアノードは接地される。
【００１９】
そして、ＶＨＦ入力同調回路１１はハイレベルの切替電圧Ｖｓによってスイッチダイオード１１ｆがオフになることでＶＨＦ帯のローバンドに同調し、ローレベルの切替電圧Ｖｓによってスイッチダイオード１１ｆがオンになることでＶＨＦ帯のハイバンドに同調するように切り替えられる。
【００２０】
以上の構成において、入力されたテレビジョン信号が弱電界の時には、第一のＰＮＰトランジスタ２のベースにローレベルの切替電圧が印加される。すると、第一のＰＮＰトランジスタ２はオンとなり、電源電圧はトランジスタ１ａのコレクタに給電されると共にベースにもバイアス電圧が印加され、高周波増幅回路１は動作状態となる。また、第二のＰＮＰトランジスタ６はオフとなり、これによってバイパス用ダイオード４もオフとなる。よって、入力されたテレビジョン信号は高周波増幅回路１によって増幅され、ＶＨＦ入力同調回路１１及びＵＨＦ入力同調回路１３に入力される。
【００２１】
一方、テレビジョン信号が強電界の時には、第一のＰＮＰトランジスタ２のベースにハイレベルの切替電圧が印加される。すると、第一のＰＮＰトランジスタ２はオフとなり、トランジスタ１ａには電源電圧が給電されないので高周波増幅回路１は非動作状態となる。
【００２２】
しかし、バイパス用ダイオード４のアノードにはＶＨＦ入力同調回路１１のインダクタンス素子１１ａ、１１ｂを介してバイアス電圧が供給されており、第二のＰＮＰトランジスタ６のベースが高周波増幅回路１のインダクタンス素子１ｂ、バイアス抵抗１ｃ、１ｄを介してグランドに接続されているので、第二のＰＮＰトランジスタ６はオンとなり、これによってバイパス用ダイオード４はオンとなる。よって、入力されたテレビジョン信号は高周波増幅回路１によって増幅されることなく、ダイオード４を介してＶＨＦ入力同調回路１１及びＵＨＦ入力同調回路１３に入力される。
【００２３】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、テレビジョン信号の入力端と入力同調回路との間に設けられた高周波増幅回路と、高周波増幅回路に並設されたテレビジョン信号のバイパス用ダイオードとを備え、バイパス用ダイオードのアノードにはバイアス電圧を印加しておき、高周波増幅回路の動作を切り替えるための第一のスイッチ手段と、第一のスイッチ手段とは逆にオン／オフする第二のスイッチ手段とを設け、高周波増幅回路には第一のスイッチ手段を介して電源電圧を印加し、バイパス用ダイオードのカソードを第二のスイッチ手段によって接地したので、簡単な構成でテレビジョン信号切替回路が実現できる。
【００２４】
また、第一及び第二のスイッチ手段をそれぞれ第一及び第二のＰＮＰトランジスタで構成し、第一のＰＮＰトランジスタのエミッタに電源電圧を印加し、第一のＰＮＰトランジスタのコレクタを高周波増幅回路の電源供給端に接続し、第二のＰＮＰトランジスタのエミッタをバイパス用ダイオードのカソードに接続すると共に、コレクタを接地し、ベースを第一のＰＮＰトランジスタのコレクタに接続すると共に直流的にグランドに接続し、第一のＰＮＰトランジスタのベースに切替電圧を印加したので、第一のスイッチ手段と第二のスイッチ手段とを逆にオン／オフできる。
【００２５】
また、高周波増幅回路は増幅素子を有し、第二のＰＮＰトランジスタのベースを増幅素子の入力端子にバイアス電圧を供給するためのバイアス抵抗を介して直流的に接地したので、第二のＰＮＰトランジスタのベースには専用のバイアス回路を設けなくても第一のＰＮＰトランジスタがオフとなったときに第二のＰＮＰトランジスタをオンにすることができる。
【００２６】
また、入力同調回路は同調用インダクタンス素子と、同調周波数バンド切替用のスイッチダイオードとを有し、スイッチダイオードにはインダクタンス素子を介して電源電圧からバイアス電圧が供給されており、バイパス用ダイオードのアノードとインダクタンス素子とを直流的に接続したので、バイパス用ダイオードのアノードには入力同調回路からバイアス電圧が供給されるので、バイアス電圧を印加するための専用のバイアス回路を必要としない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のテレビジョン信号切替回路の構成を示す回路図である。
【図２】従来のテレビジョン信号切替回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１ 高周波増幅回路
１ａ 増幅素子（トランジスタ）
１ｂ インダクタンス素子
１ｃ、１ｄ バイアス抵抗
２ 第一のスイッチ手段（第一のＰＮＰトランジスタ）
３ 入力端
４ ダイオード
５ 抵抗
６ 第二のスイッチ手段（第二のＰＮＰトランジスタ）
１０ テレビジョンチューナ
１０ａ 入力端
１１ ＶＨＦ入力同調回路
１１ａ〜１１ｄ インダクタンス素子
１１ｅ バラクタダイオード
１１ｆ スイッチダイオード
１１ｇ、１１ｈ バイアス抵抗
１２ ＶＨＦ増幅回路
１３ ＵＨＦ入力同調回路
１４ ＵＨＦ増幅回路
Claims (3)
- テレビジョン信号の入力端と入力同調回路との間に設けられた高周波増幅回路と、前記高周波増幅回路に並設され、前記テレビジョン信号をバイパスするバイパス用ダイオードとを備え、前記バイパス用ダイオードのアノードにはバイアス電圧を印加しておき、前記高周波増幅回路の動作を切り替えるための第一のスイッチ手段と、前記第一のスイッチ手段とは逆にオン／オフする第二のスイッチ手段とを設け、前記高周波増幅回路には前記第一のスイッチ手段を介して電源電圧を印加し、前記バイパス用ダイオードのカソードを前記第二のスイッチ手段によって接地し、前記第一及び第二のスイッチ手段をそれぞれ第一及び第二のＰＮＰトランジスタで構成し、前記第一のＰＮＰトランジスタのエミッタに前記電源電圧を印加し、前記第一のＰＮＰトランジスタのコレクタを前記高周波増幅回路の電源供給端に接続し、前記第二のＰＮＰトランジスタのエミッタを前記バイパス用ダイオードのカソードと前記第二のＰＮＰトランジスタのベースとに接続すると共に、コレクタを接地し、ベースを前記第一のＰＮＰトランジスタのコレクタに接続すると共にグランドに接続し、前記第一のＰＮＰトランジスタのベースに切替電圧を印加したことを特徴とするテレビジョン信号切替回路。
- 前記高周波増幅回路は増幅素子を有し、前記第二のＰＮＰトランジスタのベースを前記増幅素子の入力端子にバイアス電圧を供給するためのバイアス抵抗を介して接地したことを特徴とする請求項１に記載のテレビジョン信号切替回路。
- 前記入力同調回路は同調用インダクタンス素子と、同調周波数バンド切替用のスイッチダイオードとを有し、前記スイッチダイオードには前記インダクタンス素子を介して前記電源電圧からバイアス電圧が供給されており、前記バイパス用ダイオードのアノードと前記インダクタンス素子とを接続したことを特徴とする請求項１又は２に記載のテレビジョン信号切替回路。
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