JP2001211397A

JP2001211397A - 高周波同調回路

Info

Publication number: JP2001211397A
Application number: JP2000017952A
Authority: JP
Inventors: Masaki Yamamoto; 正喜山本; Akira Yamamoto; 亮山本
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2000-01-24
Filing date: 2000-01-24
Publication date: 2001-08-03

Abstract

(57)【要約】【課題】ローバンド受信状態において、同調回路に対
するダンピングを少なくした良好な選択特性を持つ、ま
た、広い同調範囲を持つ高周波同調回路を提供する。【解決手段】ハイバンド受信用の切替端子２５は、給
電抵抗４１と、各ローバンド受信用同調コイル１６、３
４とを直列に介して、各スイッチダイオード２２、４０
のアノードと接続されているので、各同調回路１１、１
２に対するダンパーとならず、ゲインの低下を防止させ
ることが可能となる。また、給電抵抗４１の端子間容量
の影響によって同調周波数の可変範囲が縮小することが
ない広い同調範囲を持つことが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波同調回路に
関し、特にテレビジョンチューナの複数の周波数帯に同
調可能なように切替可能な高周波同調回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の高周波同調回路について図６、図
７によって説明する。図６において、高周波同調回路
は、１次同調回路６１と２次同調回路６２とで構成され
ている。１次同調回路６１は、直列に接続された直流阻
止コンデンサ６３及びバラクタダイオード６４と、図示
の順序で直列に接続されたハイバンド受信用の同調コイ
ル６５、ローバンド受信用の同調コイル６６、抵抗６
７、結合用のコイル６８、直流阻止コンデンサ６９と
が、グランドに対して並列に接続されて構成されてい
る。ここで、バラクタダイオード６４は、アノードが接
地され、カソードが直流阻止コンデンサ６３と接続され
ている。そして、直流阻止コンデンサ６３と同調コイル
６５の接続点が、この高周波同調回路６１の入力端とな
っていて、前段の高周波増幅器７０に接続されている。

【０００３】次に、同調コイル６５と同調コイル６６と
の接続点と、グランドとの間に、直列に接続された直流
阻止コンデンサ７１とスイッチダイオード７２と直流阻
止コンデンサ７３が設けられている。ここで、スイッチ
ダイオード７２は、アノードが直流阻止コンデンサ７１
と、カソードが直流阻止コンデンサ７３と接続されてい
る。

【０００４】次に、直流阻止コンデンサ７１とスイッチ
ダイオード７２との接続点は、給電抵抗７４を介し、ハ
イバンド受信用の切替端子７５に接続されている。ま
た、スイッチダイオード７２と直流阻止コンデンサ７３
との接続点は、給電抵抗７６を介し、ローバンド受信用
の切替端子７７に接続されている。また、スイッチダイ
オード７２と直流阻止コンデンサ７３との接続点と、グ
ランドとの間に、バイアス抵抗７８が設けられている。
そして、直流阻止コンデンサ６３とバラクタダイオード
６４との接続点は、給電抵抗７９を介して、同調電圧端
子８０に接続されている。

【０００５】また、２次同調回路６２は、バラクタダイ
オード８１と、図示の順序で直列に接続されたハイバン
ド受信用の同調コイル８２、ローバンド受信用の同調コ
イル８３、抵抗８４、直流阻止コンデンサ８５、結合用
のコイル６８、直流阻止コンデンサ６９とがグランドに
対して並列に接続されて構成されている。ここで、バラ
クタダイオード８１は、アノードが接地され、カソード
が同調コイル８２と接続されている。そして、バラクタ
ダイオード８１と同調コイル８２との接続点に、直列に
接続したバラクタダイオード８６と直流阻止コンデンサ
８７とが接続されている。ここで、バラクタダイオード
８６は、アノードが直流阻止コンデンサ８７と接続さ
れ、カソードが同調コイル８２と接続されている。そし
て、直流阻止コンデンサ８７の他端がこの高周波同調回
路の出力端となっていて、後段の混合器８８に接続され
ている。そして、混合器８８に発振器（図示せず）から
の発振信号が入力され、中間周波信号を出力するように
なっている。

【０００６】次に、同調コイル８２と同調コイル８３と
の接続点と、スイッチダイオード７２と直流阻止コンデ
ンサ７３との接続点との間に、直列に接続された直流阻
止コンデンサ８９とスイッチダイオード９０とが設けら
れている。ここで、スイッチダイオード９０は、アノー
ドが直流阻止コンデンサ８９と、カソードが直流阻止コ
ンデンサ７３と接続されている。

【０００７】次に、直流阻止コンデンサ８９とスイッチ
ダイオード９０との接続点は、給電抵抗９１を介し、ハ
イバンド受信用の切替端子７５に接続されている。ま
た、スイッチダイオード９０と直流阻止コンデンサ７３
との接続点は、給電抵抗７６を介し、ローバンド受信用
の切替端子７７に接続されている。さらに、バラクタダ
イオード８１と同調コイル８２との接続点は、給電抵抗
９２を介して、同調電圧端子８０に接続されている。そ
して、ハイバンド受信用の切替端子７５は、グランドに
対して並列接続されたバイアス抵抗９３と直流阻止コン
デンサ９４とを介して接地されている。

【０００８】ところで、図６に示す高周波同調回路をハ
イバンドのテレビジョン信号を受信する状態に切り替え
るときは、ハイバンド受信用の切替端子７５に、例えば
５Ｖの電圧を印加し、ローバンド受信用の切替端子７７
には電圧を印加しない。すると、スイッチダイオード７
２及びスイッチダイオード９０には順方向の電圧が印加
され、両スイッチダイオード７２及び９０は導通状態に
なり、ハイバンド受信用の同調コイル６５とローバンド
受信用の同調コイル６６の接続点が高周波的に接地さ
れ、また、ハイバンド受信用の同調コイル８２とローバ
ンド受信用の同調コイル８３の接続点も高周波的に接地
される。この結果、バラクタダイオード６４及び８１に
印加する電圧の調整により所望の同調周波数が得られ
る。

【０００９】また、図６に示す高周波同調回路をローバ
ンドのテレビジョン信号を受信する状態に切り替えると
きは、ローバンド受信用の切替端子７７に、例えば５Ｖ
の電圧を印加し、ハイバンド受信用の切替端子７５には
電圧を印加しない。すると、スイッチダイオード７２及
び９０には逆方向の電圧が印加され、スイッチダイオー
ド７２及び９０は非導通となる。この結果、ハイバンド
受信用の同調コイルはローバンド受信用の同調コイルに
比べて非常に小さいので、ハイバンド受信用の同調コイ
ル及び直流阻止コンデンサを無視すると、ローバンド受
信状態の高周波的な等価回路図は、図７に示す回路とな
り、バラクタダイオード６４及び８１に印加する電圧の
調整により所望の同調周波数が得られる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図６におい
て、ハイバンド受信時、１次同調回路６１と２次同調回
路６２とのＱを同じにするために、スイッチダイオード
７２とスイッチダイオード９０との電流を均一にする必
要があり、そのために、抵抗７４と抵抗９１との抵抗値
は同じにする必要があった。また、スイッチダイオード
７２及び９０の直流抵抗値を低減させる必要があり、そ
のために、スイッチダイオード７２及び９０には、０．
５〜１．０ｍＡの電流を流す必要があるため、抵抗７４
と抵抗９１との抵抗値は、例えば１ＫΩ程度となり、そ
れより大きくすることができなかった。

【００１１】また、ローバンド受信時の図７において、
抵抗７４と抵抗９１とは、各スイッチダイオード７２、
９０とがオフになったときの各カソードを直流的に接地
するものであり、それぞれローバンド受信用コイル６
６、８３とに対して並列接続となっている。ここで、抵
抗７４及び９１の各電極間には少量の端子間容量が存在
し、これが各バラクタダイオード６４及び８１に並列に
接続されるので同調周波数の可変範囲が縮小していた。
また、抵抗７４と抵抗９１との抵抗値は、例えば１ＫΩ
程度より大きくすることができなかったため、抵抗７４
と抵抗９１とが各同調回路６１、６２に対してパラレル
ダンパーとして働き、ゲインが低下していた。

【００１２】図５は、本発明及び従来の高周波同調回路
を使用したチューナの利得特性図であり、実線Ａは、従
来例における抵抗７４と抵抗９１とをどちらも１ＫΩと
した時の特性である。図５実線Ａに示すように全体のゲ
インが低下するとともに特にローバンドにおける最高周
波数のＢチャネルのゲインが大きく低下していた。

【００１３】本発明は、この問題を解決するもので、そ
の目的は、ローバンド受信状態において、同調回路に対
するダンピングを少なくした良好な選択特性を持つ高周
波同調回路を提供すること、そして、広い同調範囲を持
つ高周波同調回路を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明は、１次同調回路と、２次同調回路と、第１
及び第２のバンド切替端子とを備え、１次同調回路及び
２次同調回路は、それぞれに、バラクタダイオードと、
一端同士で互いに直列に接続されたハイバンド受信用コ
イル及びローバンド受信用コイルと、ハイバンド受信用
コイルとローバンド受信用コイルとの接続点とグランド
との間に設けられ、一端が高周波的に接地されたスイッ
チダイオードとを有し、１次同調回路及び２次同調回路
における直列接続されたハイバンド受信用コイル及びロ
ーバンド受信用コイルに対しバラクタダイオードを並列
に接続するとともにローバンド受信用コイルの他端側を
高周波的に接地し、各スイッチダイオードの一端を直流
的に第１のバンド切替端子に接続するとともに第１の抵
抗を介して接地し、他端をローバンド受信用コイルと第
２の抵抗とを直列に介して第２のバンド切替端子に接続
し、第２のバンド切替端子を第３の抵抗を介して接地し
た。

【００１５】また、前記課題を解決するため、本発明
は、１次同調回路と、２次同調回路と、第１及び第２の
バンド切替端子とを備え、１次同調回路及び２次同調回
路は、それぞれに、バラクタダイオードと、一端同士で
互いに直列に接続されたハイバンド受信用コイル及びロ
ーバンド受信用コイルと、ハイバンド受信用コイルとロ
ーバンド受信用コイルとの接続点とグランドとの間に設
けられ、一端が高周波的に接地されたスイッチダイオー
ドとを有し、１次同調回路及び２次同調回路における直
列接続されたハイバンド受信用コイル及びローバンド受
信用コイルに対しバラクタダイオードを並列に接続する
と共にローバンド受信用コイルの他端側を高周波的に接
地し、各ローバンド受信用コイルの他端側を直流的に切
り離し、各スイッチダイオードの一端を直流的に第１の
バンド切替端子に接続するとともに第４の抵抗を介して
接地し、他端をそれぞれ第５の抵抗を介して第２のバン
ド切替端子に接続し、１次同調回路又は２次同調回路の
どちらか一方の同調回路におけるスイッチダイオードの
他端を、ローバンド受信用コイルと第６の抵抗とを介し
て直流的に第２のバンド切替端子に接続した。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波同調回路の
実施の形態を図１〜図４を参照して説明する。

【００１７】図１は、本発明の高周波同調回路の第１の
実施の形態を示す回路図である。第１の実施の形態は、
１次同調回路１１と２次同調回路１２と第１のバンド切
替端子２７と第２のバンド切替端子２５で構成されてい
る。第１のバンド切替端子２７には、１次同調回路１１
と２次同調回路１２とをローバンドのテレビジョン信号
受信状態に切り替えるための切替電圧が印加され、第２
のバンド切替端子２５には、１次同調回路１１と２次同
調回路１２とをハイバンドのテレビジョン信号受信状態
に切り替えるための切替電圧が印加される。

【００１８】１次同調回路１１は、互いに直列に接続さ
れた直流阻止コンデンサ１３及びバラクタダイオード１
４と、図示の順序で直列に接続されたハイバンド受信用
の同調コイル１５、ローバンド受信用の同調コイル１
６、ダンピング抵抗１７、結合用のコイル１８、直流阻
止コンデンサ１９とが並列に接続されて構成されてい
る。ここで、バラクタダイオード１４は、アノードが接
地され、カソードが直流阻止コンデンサ１３と接続され
ている。また、直流阻止コンデンサ１９の他端も接地さ
れている。そして、直流阻止コンデンサ１３と同調コイ
ル１５の接続点がこの１次同調回路１１の入力端となっ
ていて、直流阻止コンデンサ４７を介して、前段の高周
波増幅器２０に接続され、また、高周波増幅器２０は、
コイル４８を介して電源供給端子４９からＤＣ電源を供
給されている。

【００１９】次に、同調コイル１５と同調コイル１６と
の接続点とグランドとの間に、直列に接続されたスイッ
チダイオード２２と直流阻止コンデンサ２３が設けられ
ている。ここで、スイッチダイオード２２は、カソード
が直流阻止コンデンサ２３と接続されている。

【００２０】次に、スイッチダイオード２２のカソード
は、給電抵抗２６を介しローバンド受信用のバンド切替
端子２７に接続されるとともに、バイアス用の第１の抵
抗２８を介して接地されている。また、スイッチダイオ
ード２２のアノードは、同調コイル１６、抵抗１７、給
電用の第２の抵抗４１を介し、バンド切替端子２５に接
続されている。そして、バラクタダイオード１４のカソ
ードは、給電抵抗２９を介して、同調電圧端子３０に接
続されている。

【００２１】また、２次同調回路１２は、バラクタダイ
オード３１と、図示の順序で直列に接続されたハイバン
ド受信用の同調コイル３２、直流阻止コンデンサ３３、
ローバンド受信用の同調コイル３４、ダンピング抵抗３
５、結合用のコイル１８、直流阻止コンデンサ１９と、
がグランドに対して並列に接続されて構成されている。
ここで、バラクタダイオード３１は、アノードが接地さ
れ、カソードが同調コイル３２と接続されている。そし
て、バラクタダイオード３１のカソードに、互いに直列
に接続したバラクタダイオード３７と直流阻止コンデン
サ３８が接続されている。ここで、バラクタダイオード
３７は、アノードが直流阻止コンデンサ３８と、カソー
ドが同調コイル３２と接続されている。そして、直流阻
止コンデンサ３８の他端がこの高周波同調回路の出力端
となっていて、後段の混合器３９に接続されている。そ
して、混合器３９に発振器（図示せず）からの発振信号
が入力され、中間周波信号を出力するようになってい
る。

【００２２】次に、直流阻止コンデンサ３３と同調コイ
ル３４との接続点と、スイッチダイオード２２のカソー
ドとの間に、スイッチダイオード４０が設けられてい
る。ここで、スイッチダイオード４０は、カソードが直
流阻止コンデンサ２３と接続されている。また、バラク
タダイオード３１のカソードは、給電抵抗４３を介し
て、同調電圧端子３０に接続されている。そして、ハイ
バンド受信用の切替端子２５は、バイアス用の第３の抵
抗４６を介して接地されるとともに、直流阻止コンデン
サ４５を介して接地されている。

【００２３】ここで、図１に示す高周波同調回路をハイ
バンドのテレビジョン信号を受信する状態に切り替える
ときは、ハイバンド受信用の切替端子２５に、例えば５
Ｖの切替電圧を印加し、ローバンド受信用の切替端子２
７に電切替圧を印加しない。すると、スイッチダイオー
ド２２及びスイッチダイオード４０には順方向の電圧が
印加され、両スイッチダイオード２２及び４０は導通状
態になり、ハイバンド受信用の同調コイル１５とローバ
ンド受信用の同調コイル１６の接続点が高周波的に接地
され、また、直流阻止コンデンサ３３とローバンド受信
用の同調コイル３４の接続点も高周波的に接地される。
ここで、バラクタダイオード１４及び３１に印加する同
調電圧の調整により所望の同調周波数が得られる。

【００２４】また、ローバンドのテレビジョン信号を受
信する状態に切り替えるときは、ローバンド受信用の切
替端子２７に、例えば５Ｖの切替電圧を印加し、ハイバ
ンド受信用の切替端子２５には切替電圧を印加しない。
すると、スイッチダイオード２２及びスイッチダイオー
ド４０には逆方向の電圧が印加され、スイッチダイオー
ド２２及び４０は非導通状態となる。この結果、ローバ
ンド受信状態の高周波的な等価回路は、ハイバンド受信
用の同調コイルはローバンド受信用の同調コイルに比べ
て非常に小さいので、ハイバンド受信用の同調コイル及
び直流阻止コンデンサを無視すると、図２に示す高周波
同調回路となり、バラクタダイオード１４及び３１に印
加する同調電圧の調整により所望の同調周波数が得られ
る。

【００２５】ところで、図２において、給電抵抗４１
は、同調コイル１６及び同調コイル３４を介して各スイ
ッチダイオード２２、４０のアノードと接続されている
ので、各同調回路１１、１２に対するダンパーとなら
ず、ゲインの低下を防止させることが可能となってい
る。また、給電抵抗４１の端子間容量の影響によって同
調周波数の可変範囲が縮小することがない、したがっ
て、広い同調範囲を持つことが可能となる。

【００２６】図５の点線Ｂは、第１の実施の形態におけ
る抵抗４１を１ＫΩとしたときの特性である。点線Ｂ
は、従来例（実線Ａ）より全体的に約２〜３ｄＢのゲイ
ンの向上を得ることが可能となるとともに、特にローバ
ンドにおける最高周波数のＢチャネルのゲインが約４ｄ
Ｂと大きく向上した。

【００２７】図３は、本発明の高周波同調回路の第２の
実施の形態を示す回路図である。図３において、第１の
実施の形態を示す図１と同じ構成については、図１と同
じ符号を付け、詳細な説明は省略する。

【００２８】第２の実施の形態においては、各ローバン
ド受信用コイル１６、３４の他端側は直流阻止コンデン
サ３６によって直流的に切り離されており、また、高周
波増幅器２０は、コイル１５、コイル１６、抵抗１７、
コイル１８を介して電源供給端子４９からＤＣ電源を供
給されている。

【００２９】次に、同調コイル１５と同調コイル１６と
の接続点と、スイッチダイオード２２のアノードとの間
に、直流阻止コンデンサ２１が設けられている。また、
各スイッチダイオード２２、４０のカソードは、第４の
抵抗５０を介して接地されている。なお、この抵抗５０
は、第１の実施の形態の抵抗２８に相当している。ま
た、各スイッチダイオード２２、４０のアノードは、給
電用の第５の抵抗２４、４２を介し、バンド切替端子２
５に接続されている。また、スイッチダイオード４０の
アノードは、同調コイル３５、抵抗３６、給電用の第６
の抵抗５１を介してバンド切替端子２５に接続されてい
る。なお、この抵抗５１は、第１の実施の形態の抵抗４
１に相当している。ここで、直流阻止コンデンサ３６に
よって、電源供給端子４９とスイッチダイオード４０と
を直流的に切り離すとともに、切替端子２５と高周波増
幅器２０とを直流的に切り離している。

【００３０】そして、ハイバンド受信用の同調コイルは
ローバンド受信用の同調コイルに比べて非常に小さいの
で、ハイバンド受信用の同調コイル及び直流阻止コンデ
ンサを無視すると、ローバンド受信状態の高周波的な等
価回路は、図４に示す高周波同調回路となる。

【００３１】ところで、図３において、片方の同調回路
１２における抵抗４２と抵抗５１とは、同調コイル３４
を介して並列接続されるので、電流を減少させることな
く、各抵抗４２，５１の抵抗値を大きくすることができ
る。例えば、抵抗４２と抵抗５１との抵抗値をどちらも
２ＫΩとすることができるので、同調回路１２に対する
ダンピングを少なくさせることが可能となる。また、抵
抗４２と抵抗５１とは、同調コイル３４を介して並列接
続されるので、広い同調範囲を持つことが可能となる。

【００３２】図５において、破線Ｃは、第２の実施の形
態における抵抗４２と抵抗５１とを、どちらも２ＫΩと
したときの特性である。この結果、従来例における実線
Ａより、全体的に約１ｄＢの向上を得ることが可能とな
るとともに、特にローバンドにおける最高周波数である
Ｂチャネルにおけるゲインが約２．５ｄＢと大きく向上
した。また、第１の実施の形態における点線Ｂよりゲイ
ンの向上は少ないが、各チャネル間のゲインの偏差を少
なくした良好な特性となっている。

【００３３】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、１次同調回路と、２次同調回路と、第１及び第２の
バンド切替端子とを備え、１次同調回路及び２次同調回
路は、それぞれに、バラクタダイオードと、一端同士で
互いに直列に接続されたハイバンド受信用コイル及びロ
ーバンド受信用コイルと、ハイバンド受信用コイルとロ
ーバンド受信用コイルとの接続点とグランドとの間に設
けられ、一端が高周波的に接地されたスイッチダイオー
ドとを有し、１次同調回路及び２次同調回路における直
列接続されたハイバンド受信用コイル及びローバンド受
信用コイルに対しバラクタダイオードを並列に接続する
とともにローバンド受信用コイルの他端側を高周波的に
接地し、各スイッチダイオードの一端を直流的に第１の
バンド切替端子に接続するとともに第１の抵抗を介して
接地し、他端をローバンド受信用コイルと第２の抵抗と
を直列に介して第２のバンド切替端子に接続し、第２の
バンド切替端子を第３の抵抗を介して接地したことによ
り、給電抵抗が同調コイルを介してスイッチダイオード
と接続されるので、広い同調範囲を持つことが可能とな
り、また、パラレルダンパーとしての妨害をなくした良
好な選択特性を持つことが可能となる。

【００３４】また、本発明によれば、１次同調回路と、
２次同調回路と、第１及び第２のバンド切替端子とを備
え、１次同調回路及び２次同調回路は、それぞれに、バ
ラクタダイオードと、一端同士で互いに直列に接続され
たハイバンド受信用コイル及びローバンド受信用コイル
と、ハイバンド受信用コイルとローバンド受信用コイル
との接続点とグランドとの間に設けられ、一端が高周波
的に接地されたスイッチダイオードとを有し、１次同調
回路及び２次同調回路における直列接続されたハイバン
ド受信用コイル及びローバンド受信用コイルに対しバラ
クタダイオードを並列に接続すると共にローバンド受信
用コイルの他端側を高周波的に接地し、各ローバンド受
信用コイルの他端側を直流的に切り離し、各スイッチダ
イオードの一端を直流的に第１のバンド切替端子に接続
するとともに第４の抵抗を介して接地し、他端をそれぞ
れ第５の抵抗を介して第２のバンド切替端子に接続し、
１次同調回路又は２次同調回路のどちらか一方の同調回
路におけるスイッチダイオードの他端を、ローバンド受
信用コイルと第６の抵抗とを介して直流的に第２のバン
ド切替端子に接続したことにより、片方の同調回路にだ
け、給電抵抗が並列接続されるので、広い同調範囲を持
つことが可能となり、また、パラレルダンパーとしての
妨害を少なくした良好な選択特性を持つことが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高周波同調回路の第１の実施の形態を
示す回路図である。

【図２】本発明の高周波同調回路の第１の実施の形態に
おけるローバンド受信時の等価回路図である。

【図３】本発明の高周波同調回路の第２の実施の形態を
示す回路図である。

【図４】本発明の高周波同調回路の第２の実施の形態に
おけるローバンド受信時の等価回路図である。

【図５】本発明及び従来の高周波同調回路を使用したチ
ューナの利得特性図である。

【図６】従来の高周波同調回路を示す回路図である。

【図７】従来の高周波同調回路におけるローバンド受信
時の等価回路図である。

【符号の説明】

１１１次同調回路１２２次同調回路１４、３１バラクタダイオード１５、３２ハイバンド受信用同調コイル１６、３４ローバンド受信用同調コイル２２、４０スイッチダイオード２４第５の抵抗２５第２のバンド切替端子２７第１のバンド切替端子２８第１の抵抗３６直流阻止コンデンサ４１第２の抵抗４２第５の抵抗４６第３の抵抗５０第４の抵抗５１第６の抵抗

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１次同調回路と、２次同調回路と、前記
１次同調回路及び前記２次同調回路をローバンドのテレ
ビジョン信号受信状態又はハイバンドのテレビジョン信
号受信状態に切り替えるための切替電圧を印加する第１
及び第２のバンド切替端子とを備え、前記１次同調回路
及び前記２次同調回路は、それぞれに、バラクタダイオ
ードと、一端同士で互いに直列に接続されたハイバンド
受信用コイル及びローバンド受信用コイルと、前記ハイ
バンド受信用コイルと前記ローバンド受信用コイルとの
接続点とグランドとの間に設けられ、一端が高周波的に
接地されたスイッチダイオードとを有し、前記１次同調
回路及び前記２次同調回路における直列接続された前記
ハイバンド受信用コイル及び前記ローバンド受信用コイ
ルに対し前記バラクタダイオードを並列に接続するとと
もに前記ローバンド受信用コイルの他端側を高周波的に
接地し、前記各スイッチダイオードの一端を直流的に前
記第１のバンド切替端子に接続するとともに第１の抵抗
を介して接地し、他端を前記ローバンド受信用コイルと
第２の抵抗とを直列に介して前記第２のバンド切替端子
に接続し、前記第２のバンド切替端子を第３の抵抗を介
して接地したことを特徴とする高周波同調回路。
【請求項２】１次同調回路と、２次同調回路と、前記
１次同調回路及び前記２次同調回路をローバンドのテレ
ビジョン信号受信状態又はハイバンドのテレビジョン信
号受信状態に切り替えるための切替電圧を印加する第１
及び第２のバンド切替端子とを備え、前記１次同調回路
及び前記２次同調回路は、それぞれに、バラクタダイオ
ードと、一端同士で互いに直列に接続されたハイバンド
受信用コイル及びローバンド受信用コイルと、前記ハイ
バンド受信用コイルと前記ローバンド受信用コイルとの
接続点とグランドとの間に設けられ、一端が高周波的に
接地されたスイッチダイオードとを有し、前記１次同調
回路及び前記２次同調回路における直列接続された前記
ハイバンド受信用コイル及び前記ローバンド受信用コイ
ルに対し前記バラクタダイオードを並列に接続すると共
に前記ローバンド受信用コイルの他端側を高周波的に接
地し、前記各ローバンド受信用コイルの他端側を直流的
に切り離し、前記各スイッチダイオードの一端を直流的
に前記第１のバンド切替端子に接続するとともに第４の
抵抗を介して接地し、他端をそれぞれ第５の抵抗を介し
て前記第２のバンド切替端子に接続し、前記１次同調回
路又は前記２次同調回路のどちらか一方の同調回路にお
ける前記スイッチダイオードの他端を、前記ローバンド
受信用コイルと第６の抵抗とを介して直流的に前記第２
のバンド切替端子に接続したことを特徴とする高周波同
調回路。