JPH066619Y2 - 入力同調回路 - Google Patents
入力同調回路Info
- Publication number
- JPH066619Y2 JPH066619Y2 JP13402488U JP13402488U JPH066619Y2 JP H066619 Y2 JPH066619 Y2 JP H066619Y2 JP 13402488 U JP13402488 U JP 13402488U JP 13402488 U JP13402488 U JP 13402488U JP H066619 Y2 JPH066619 Y2 JP H066619Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- band
- tuning
- variable capacitance
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案は、ハイバンドとローバンドの切換を行うチュ
ーナに用いて好適な入力同調回路に関する。
ーナに用いて好適な入力同調回路に関する。
「従来の技術」 スイッチ用ダイオードを用いてハイバンドとローバンド
の切換を行うチューナとして、従来第10図に示すもの
が知られてる。この回路において、1はアンテナフィル
タ、2,8,13はハイバンド用の小インダクタンスの
同調コイルであり、3,12はローバンド用の大インダ
クタンスの同調コイルである。また、4,18は各々ス
イッチ用ダイオードであり、ハイバンド受信時にB電源
27の出力電圧が順方向に印加されてオン、ローバンド
受信時に同出力電圧が逆方向に印加されてオフになるよ
うに構成されている。次に、7はハイバンドイメージト
ラップ用コンデンサ、20は同調用可変容量ダイオー
ド、9は結合用可変容量ダイオードである。これら可変
容量ダイオード9,20には、選局電源23から選局電
圧が抵抗19、コイル8を順次介して供給されるように
なっている。11は高周波増幅回路であり、その出力信
号は混合回路(図示略)に供給されるようになってい
る。
の切換を行うチューナとして、従来第10図に示すもの
が知られてる。この回路において、1はアンテナフィル
タ、2,8,13はハイバンド用の小インダクタンスの
同調コイルであり、3,12はローバンド用の大インダ
クタンスの同調コイルである。また、4,18は各々ス
イッチ用ダイオードであり、ハイバンド受信時にB電源
27の出力電圧が順方向に印加されてオン、ローバンド
受信時に同出力電圧が逆方向に印加されてオフになるよ
うに構成されている。次に、7はハイバンドイメージト
ラップ用コンデンサ、20は同調用可変容量ダイオー
ド、9は結合用可変容量ダイオードである。これら可変
容量ダイオード9,20には、選局電源23から選局電
圧が抵抗19、コイル8を順次介して供給されるように
なっている。11は高周波増幅回路であり、その出力信
号は混合回路(図示略)に供給されるようになってい
る。
また、抵抗14,16,17,19,22は、バイアス
供給と高周波成分阻止のためのものであり、コンデンサ
5,6,10,15は直流阻止のためのものである。抵
抗21は、可変容量ダイオード9のアノードを接地する
ためのものであり、抵抗30はダイオード4,18のア
ノードを接地するためのものである。
供給と高周波成分阻止のためのものであり、コンデンサ
5,6,10,15は直流阻止のためのものである。抵
抗21は、可変容量ダイオード9のアノードを接地する
ためのものであり、抵抗30はダイオード4,18のア
ノードを接地するためのものである。
次に、上記構成による従来回路の動作を説明する。ま
ず、ハイバンド受信時においては、ダイオード4,18
がオンになり、コイル3,12がショートされる。この
結果、第10図に示す回路の等価回路は、第11図に示
すようになる。なお、Cissは高周波増幅回路11の
入力容量である。すなわち、ハイバンド受信時において
は、コイル2,8,13と可変容量ダイオード20によ
ってハイバンド用同調回路が形成される。そして、この
同調回路によって選択された希望信号が可変容量ダイオ
ード9を介して高周波増幅回路11に供給される。一
方、コイル8と可変容量ダイオード9によって直列共振
回路が形成される。この場合、直列共振回路全体として
は、インダクタンス性のインピーダンスとなるように構
成されており、このインダクタンスの値が選局電源23
の選局電圧によって調整される。そして、上記インダク
タンス性の直列共振回路とコンデンサ7とにより並列共
振回路が形成される。したがって、この並列共振回路の
共振周波数は、選局電圧によって変化する。そして、上
記並列共振回路の共振周波数は、希望信号の周波数より
高い側のイメージ周波数に同調するようになっており、
この結果、イメージ妨害が減衰される。
ず、ハイバンド受信時においては、ダイオード4,18
がオンになり、コイル3,12がショートされる。この
結果、第10図に示す回路の等価回路は、第11図に示
すようになる。なお、Cissは高周波増幅回路11の
入力容量である。すなわち、ハイバンド受信時において
は、コイル2,8,13と可変容量ダイオード20によ
ってハイバンド用同調回路が形成される。そして、この
同調回路によって選択された希望信号が可変容量ダイオ
ード9を介して高周波増幅回路11に供給される。一
方、コイル8と可変容量ダイオード9によって直列共振
回路が形成される。この場合、直列共振回路全体として
は、インダクタンス性のインピーダンスとなるように構
成されており、このインダクタンスの値が選局電源23
の選局電圧によって調整される。そして、上記インダク
タンス性の直列共振回路とコンデンサ7とにより並列共
振回路が形成される。したがって、この並列共振回路の
共振周波数は、選局電圧によって変化する。そして、上
記並列共振回路の共振周波数は、希望信号の周波数より
高い側のイメージ周波数に同調するようになっており、
この結果、イメージ妨害が減衰される。
次に、ローバンド受信時においては、第10図に示す回
路のダイオード4,18がオフになり、等価回路は第1
2図に示すようになる。すなわち、コイル2,3,8,
12,13と可変容量ダイオード20によってローバン
ド用の同調回路が形成される。ただし、コイル2,8,
13はインダクタンス値が小さいため、ローバンドの信
号に対してはほぼショート状態になる。上記同調回路に
よって選択された希望信号は、可変容量ダイオード9と
コンデンサ7の合成容量を介して高周波増幅回路11に
供給される。
路のダイオード4,18がオフになり、等価回路は第1
2図に示すようになる。すなわち、コイル2,3,8,
12,13と可変容量ダイオード20によってローバン
ド用の同調回路が形成される。ただし、コイル2,8,
13はインダクタンス値が小さいため、ローバンドの信
号に対してはほぼショート状態になる。上記同調回路に
よって選択された希望信号は、可変容量ダイオード9と
コンデンサ7の合成容量を介して高周波増幅回路11に
供給される。
「考案が解決しようとする課題」 ところで、上述した従来の回路においては、ローバンド
受信時の特性が以下のように悪化した。
受信時の特性が以下のように悪化した。
同調範囲が狭くなり、高域チャンネルでの選択特性が
悪くなる。これは、可変容量ダイオード9に対してコン
デンサ7が並列に接続され、この並列接続容量と高周波
増幅回路11の入力容量Cissと可変容量ダイオード
20との合成容量の変化比、すなわち、Cmax/C
minが小さくなってしまうためである。また、高域チ
ャンネルでの選択特性が悪化するため、混変調妨害特性
が悪くなった。
悪くなる。これは、可変容量ダイオード9に対してコン
デンサ7が並列に接続され、この並列接続容量と高周波
増幅回路11の入力容量Cissと可変容量ダイオード
20との合成容量の変化比、すなわち、Cmax/C
minが小さくなってしまうためである。また、高域チ
ャンネルでの選択特性が悪化するため、混変調妨害特性
が悪くなった。
高域チャンネルでの利得が上昇し、ハイバンド受信時
との利得偏差が大きくなってしまう。これは、可変容量
ダイオード9とコンデンサ7とが並列接続されるため
に、高域チャンネルでの結合インピーダンスが小さくな
り、高周波増幅回路11への入力信号が大きくなるから
である。
との利得偏差が大きくなってしまう。これは、可変容量
ダイオード9とコンデンサ7とが並列接続されるため
に、高域チャンネルでの結合インピーダンスが小さくな
り、高周波増幅回路11への入力信号が大きくなるから
である。
前述のように、一方では利得上昇により信号系の特性
が良くなり、他方では混変調妨害特性の悪化により妨害
系の性能が悪くなるため、信号系と妨害系の特性のバラ
ンスが崩れる。
が良くなり、他方では混変調妨害特性の悪化により妨害
系の性能が悪くなるため、信号系と妨害系の特性のバラ
ンスが崩れる。
この考案は、上述した事情に鑑みてなされたもので、ロ
ーバンドにおける同調可変範囲を広くするとともに混変
調妨害を無くし、かつ、ハイバンド受信時との利得偏差
を無くすことができる入力同調回路を提供することを目
的としている。
ーバンドにおける同調可変範囲を広くするとともに混変
調妨害を無くし、かつ、ハイバンド受信時との利得偏差
を無くすことができる入力同調回路を提供することを目
的としている。
「課題を解決するための手段」 上記課題を解決するために、請求項1に記載の考案は、
一端が入力端に接続されたローバンド用同調コイルと、
一端が前記入力端に接続されていてローバンド受信時に
非導通状態にされハイバンド受信時に導通状態にされる
スイッチ手段と、一端が前記ローバンド用同調コイルの
他端に接続され他端が前記スイッチ手段の他端に接続さ
れていてローバンド受信時に逆バイアス電圧が加えられ
ハイバンド受信時に順バイアス電圧が加えられる可変容
量ダイオードと、一端が前記ローバンド用同調コイルの
他端に接続され他端が可変容量手段を介して接地された
ハイバンド用同調コイルと、前記ハイバンド用同調コイ
ルの他端と高周波増幅器の入力端とを接続する第1の静
電容量手段と、前記スイッチ手段の他端と前記高周波増
幅器の入力端とを接続する第2の静電容量手段とを具備
している。
一端が入力端に接続されたローバンド用同調コイルと、
一端が前記入力端に接続されていてローバンド受信時に
非導通状態にされハイバンド受信時に導通状態にされる
スイッチ手段と、一端が前記ローバンド用同調コイルの
他端に接続され他端が前記スイッチ手段の他端に接続さ
れていてローバンド受信時に逆バイアス電圧が加えられ
ハイバンド受信時に順バイアス電圧が加えられる可変容
量ダイオードと、一端が前記ローバンド用同調コイルの
他端に接続され他端が可変容量手段を介して接地された
ハイバンド用同調コイルと、前記ハイバンド用同調コイ
ルの他端と高周波増幅器の入力端とを接続する第1の静
電容量手段と、前記スイッチ手段の他端と前記高周波増
幅器の入力端とを接続する第2の静電容量手段とを具備
している。
また、請求項2に記載の考案においては、前記可変容量
ダイオードに代えてスイッチ用ダイオードとコンデンサ
との並列接続回路を用いている。
ダイオードに代えてスイッチ用ダイオードとコンデンサ
との並列接続回路を用いている。
「作用」 前記可変容量ダイオード又はこれに代えて用いられる並
列接続回路が、ローバンド受信時に第2の静電容量手段
に対して直列に接続される容量として機能し、この結
果、高周波増幅器に対する結合容量が減少する。そし
て、結合容量が減少すると、ローバンドにおける利得が
抑制され、また、同調容量の最大値と最小値の比が大き
くなり、同調範囲が広がる。
列接続回路が、ローバンド受信時に第2の静電容量手段
に対して直列に接続される容量として機能し、この結
果、高周波増幅器に対する結合容量が減少する。そし
て、結合容量が減少すると、ローバンドにおける利得が
抑制され、また、同調容量の最大値と最小値の比が大き
くなり、同調範囲が広がる。
「実施例」 以下、図面を参照してこの考案の実施例について説明す
る。
る。
第1図は、この考案の第1の実施例の構成を示す回路図
である。なお、図において、前述の第10図の各部と対
応する部分には同一の符号を付しその説明を省略する。
である。なお、図において、前述の第10図の各部と対
応する部分には同一の符号を付しその説明を省略する。
この実施例が第10図に示す従来例と異なる点は、次の
2点である。第1点は、直流阻止用コンデンサ5に代え
て、アノードがスイッチ用ダイオード4,18のアノー
ド側に接続され、カソードがコイル3とコンデンサ6の
接続点に接続される可変容量ダイオード28を用いた点
である。第2点は、ハイバンドイメージトラップ用のコ
ンデンサ7の一端を、可変容量ダイオード28のアノー
ドに接続した点である。
2点である。第1点は、直流阻止用コンデンサ5に代え
て、アノードがスイッチ用ダイオード4,18のアノー
ド側に接続され、カソードがコイル3とコンデンサ6の
接続点に接続される可変容量ダイオード28を用いた点
である。第2点は、ハイバンドイメージトラップ用のコ
ンデンサ7の一端を、可変容量ダイオード28のアノー
ドに接続した点である。
次に、上記構成によるこの実施例の動作を説明する。
まず、ハイバンド受信時には、ダイオード4,18がオ
ンになり、また、可変容量ダイオード28に順方向電流
が供給されて導通状態になる。このため、実施例回路は
従来回路のハイバンド受信時と同様の等価回路になる。
すなわち第2図に示す回路になり、その動作も従来回路
と全く同様になる。
ンになり、また、可変容量ダイオード28に順方向電流
が供給されて導通状態になる。このため、実施例回路は
従来回路のハイバンド受信時と同様の等価回路になる。
すなわち第2図に示す回路になり、その動作も従来回路
と全く同様になる。
一方、ローバンド受信時には、ダイオード4,18がオ
フになり、また、可変容量ダイオード28は逆バイアス
となるためコンデンサとして機能する。したがって、こ
の場合の等価回路は第3図に示す回路になる。第3図に
示す回路が従来のローバンド受信時の回路(第12図参
照)と異なる点は、コンデンサとして機能する可変容量
ダイオード28がコンデンサ7と直列に接続されている
点である。この結果、可変容量ダイオード9の容量に対
して並列に接続される容量は、可変容量ダイオード28
とコンデンサ7の直列合成容量になり、コンデンサ7の
みの場合より小さくなる。例えば、コンデンサ7の容量
が15pFで、可変容量ダイオード28の容量が10p
Fであれば、合成容量は6pFになり、可変容量ダイオ
ード28がない場合の1/2以下になる。このように、並
列容量が小さくなると、可変容量ダイオード9,20,
28,コンデンサ7,高周波増幅回路11の入力容量C
issによる合成容量の変化比Cmax/Cminの値
が大きくなり、可変容量ダイオード20による同調範囲
が広くなる。ここで、第4図に実施例回路と従来回路に
おけるローバンド受信時の同調特性を、それぞれ低域お
よび高域の両端について示す。この図において実線が実
施例回路の特性、破線が従来例回路の特性を示してい
る。この図に示すように、実施例回路の同調範囲が高域
側において延びていることが判る。
フになり、また、可変容量ダイオード28は逆バイアス
となるためコンデンサとして機能する。したがって、こ
の場合の等価回路は第3図に示す回路になる。第3図に
示す回路が従来のローバンド受信時の回路(第12図参
照)と異なる点は、コンデンサとして機能する可変容量
ダイオード28がコンデンサ7と直列に接続されている
点である。この結果、可変容量ダイオード9の容量に対
して並列に接続される容量は、可変容量ダイオード28
とコンデンサ7の直列合成容量になり、コンデンサ7の
みの場合より小さくなる。例えば、コンデンサ7の容量
が15pFで、可変容量ダイオード28の容量が10p
Fであれば、合成容量は6pFになり、可変容量ダイオ
ード28がない場合の1/2以下になる。このように、並
列容量が小さくなると、可変容量ダイオード9,20,
28,コンデンサ7,高周波増幅回路11の入力容量C
issによる合成容量の変化比Cmax/Cminの値
が大きくなり、可変容量ダイオード20による同調範囲
が広くなる。ここで、第4図に実施例回路と従来回路に
おけるローバンド受信時の同調特性を、それぞれ低域お
よび高域の両端について示す。この図において実線が実
施例回路の特性、破線が従来例回路の特性を示してい
る。この図に示すように、実施例回路の同調範囲が高域
側において延びていることが判る。
また、結合容量が小さくなったために、ローバンド受信
時における利得が押さえられ、この結果、ハイバンド受
信時とローバンド受信時における利得偏差が是正されて
いる。第5図に示す実線および破線は各々実施例回路お
よび従来回路の利得特性であり、図示のように、実施例
回路においてはローバンド受信時における利得が抑制さ
れ、各バンドにおける利得偏差が小さくなっているのが
判る。
時における利得が押さえられ、この結果、ハイバンド受
信時とローバンド受信時における利得偏差が是正されて
いる。第5図に示す実線および破線は各々実施例回路お
よび従来回路の利得特性であり、図示のように、実施例
回路においてはローバンド受信時における利得が抑制さ
れ、各バンドにおける利得偏差が小さくなっているのが
判る。
次に、第6図に示す実線および破線は、各々実施例回路
と従来回路のローバンドにおける混変調妨害特性を示し
ており、図示のように、実施例回路の方が特性が改善さ
れている。これは、ローバンド受信時における合成容量
の変化比(Cmax/Cmin)が大きくなって同調範囲が広がっ
たためであり、希望信号レベルに対するイメージ周波数
帯信号レベルが小さくなったからである。
と従来回路のローバンドにおける混変調妨害特性を示し
ており、図示のように、実施例回路の方が特性が改善さ
れている。これは、ローバンド受信時における合成容量
の変化比(Cmax/Cmin)が大きくなって同調範囲が広がっ
たためであり、希望信号レベルに対するイメージ周波数
帯信号レベルが小さくなったからである。
次に、この考案の第2の実施例について説明する。第7
図は第2の実施例の構成を示す回路図である。この実施
例が前述の第1の実施例と異なる点は、以下の点であ
る。すなわち、可変容量ダイオード28に代えて、アノ
ードが抵抗17側に接続され、カソードがコイル3側に
接続されるスイッチ用ダイオード31を設けるともに、
このダイオード31に並列にコンデンサ29を接続した
点である。
図は第2の実施例の構成を示す回路図である。この実施
例が前述の第1の実施例と異なる点は、以下の点であ
る。すなわち、可変容量ダイオード28に代えて、アノ
ードが抵抗17側に接続され、カソードがコイル3側に
接続されるスイッチ用ダイオード31を設けるともに、
このダイオード31に並列にコンデンサ29を接続した
点である。
上述のように構成すると、ハイバンド受信時において
は、ダイオード4,18および31がオンになるため、
その等価回路は第1実施例と同様になる(第8図参
照)。また、ローバンド受信時においては、ダイオード
4,18,31が全てオフになるため、等価回路は第9
図に示すようになる。この等価回路から判るように、ロ
ーバンド受信時においては、第3図に示す回路と同じ回
路になり、その動作も同様になる。
は、ダイオード4,18および31がオンになるため、
その等価回路は第1実施例と同様になる(第8図参
照)。また、ローバンド受信時においては、ダイオード
4,18,31が全てオフになるため、等価回路は第9
図に示すようになる。この等価回路から判るように、ロ
ーバンド受信時においては、第3図に示す回路と同じ回
路になり、その動作も同様になる。
なお、第1の実施例においては、可変容量ダイオード2
8の容量値が、カソード逆バイアス電圧と容量/電圧特
性とによって決まってしまうが、第2の実施例において
は、コンデンサ29の値は任意に選べるため、結合容量
値を最適値に設定できる。したがって、ローバンドとハ
イバンドとにおける特性の調整が第1の実施例よりも容
易になる利点が得られる。
8の容量値が、カソード逆バイアス電圧と容量/電圧特
性とによって決まってしまうが、第2の実施例において
は、コンデンサ29の値は任意に選べるため、結合容量
値を最適値に設定できる。したがって、ローバンドとハ
イバンドとにおける特性の調整が第1の実施例よりも容
易になる利点が得られる。
「考案の効果」 以上説明したように、この考案によれば、ローバンド受
信時において高周波増幅器に対する結合容量が減少する
ので、同調可変範囲を広くするとともに混変調妨害を無
くし、かつ、ハイバンド受信時との利得偏差を無くすこ
とができる。
信時において高周波増幅器に対する結合容量が減少する
ので、同調可変範囲を広くするとともに混変調妨害を無
くし、かつ、ハイバンド受信時との利得偏差を無くすこ
とができる。
第1図はこの考案の第1の実施例の構成を示す回路図、
第2図は同実施例のハイバンド受信時の等価回路図、第
3図は同実施例のローバンド受信時の等価回路図、第4
図は実施例と従来例の同調特性を比較するための特性
図、第5図は実施例と従来例の利得特性を比較するため
の特性図、第6図は実施例と従来例の混変調特性を比較
するための特性図、第7図はこの考案の第2の実施例の
構成を示す回路図、第8図は同実施例のハイバンド受信
時の等価回路図、第9図は同実施例のローバンド受信時
の等価回路図、第10図は従来の入力同調回路の構成を
示す回路図、第11図および第12図は各々第10図に
示す回路のハイバンド受信時およびローバンド受信時の
等価回路図である。 3,12……コイル(ローバンド用同調コイル)、 4……ダイオード(スイッチ手段)、7……コンデンサ
(第2の静電容量手段)、8,13……コイル(ハイバ
ンド用同調コイル)、9……可変容量ダイオード(第1
の静電容量手段)、20……可変容量ダイオード(可変
容量手段)、28……可変容量ダイオード、29……コ
ンデンサ(並列回路)、31……ダイオード(並列回
路)。
第2図は同実施例のハイバンド受信時の等価回路図、第
3図は同実施例のローバンド受信時の等価回路図、第4
図は実施例と従来例の同調特性を比較するための特性
図、第5図は実施例と従来例の利得特性を比較するため
の特性図、第6図は実施例と従来例の混変調特性を比較
するための特性図、第7図はこの考案の第2の実施例の
構成を示す回路図、第8図は同実施例のハイバンド受信
時の等価回路図、第9図は同実施例のローバンド受信時
の等価回路図、第10図は従来の入力同調回路の構成を
示す回路図、第11図および第12図は各々第10図に
示す回路のハイバンド受信時およびローバンド受信時の
等価回路図である。 3,12……コイル(ローバンド用同調コイル)、 4……ダイオード(スイッチ手段)、7……コンデンサ
(第2の静電容量手段)、8,13……コイル(ハイバ
ンド用同調コイル)、9……可変容量ダイオード(第1
の静電容量手段)、20……可変容量ダイオード(可変
容量手段)、28……可変容量ダイオード、29……コ
ンデンサ(並列回路)、31……ダイオード(並列回
路)。
Claims (2)
- 【請求項1】一端が入力端に接続されたローバンド用同
調コイルと、 一端が前記入力端に接続されていてローバンド受信時に
非導通状態にされハイバンド受信時に導通状態にされる
スイッチ手段と、 一端が前記ローバンド用同調コイルの他端に接続され他
端が前記スイッチ手段の他端に接続されていてローバン
ド受信時に逆バイアス電圧が加えられハイバンド受信時
に順バイアス電圧が加えられる可変容量ダイオードと、 一端が前記ローバンド用同調コイルの他端に接続され他
端が可変容量手段を介して接地されたハイバンド用同調
コイルと、 前記ハイバンド用同調コイルの他端と高周波増幅器の入
力端とを接続する第1の静電容量手段と、 前記スイッチ手段の他端と前記高周波増幅器の入力端と
を接続する第2の静電容量手段 とを具備することを特徴とする入力同調回路。 - 【請求項2】請求項1記載の入力同調回路において、可
変容量ダイオードに代えてスイッチ用ダイオードとコン
デンサとの並列接続回路を用いたことを特徴とする入力
同調回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13402488U JPH066619Y2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 入力同調回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13402488U JPH066619Y2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 入力同調回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0255735U JPH0255735U (ja) | 1990-04-23 |
JPH066619Y2 true JPH066619Y2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=31392419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13402488U Expired - Lifetime JPH066619Y2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 入力同調回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH066619Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2523840B2 (ja) * | 1988-12-14 | 1996-08-14 | 株式会社日立製作所 | Vhf2バンド入力回路 |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP13402488U patent/JPH066619Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0255735U (ja) | 1990-04-23 |
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