JP3096170U - テレビジョンチューナの入力回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 受信帯域における低域と高域とにおける同調
のＱの差異を少なくして選択度特性を均一にし、受信帯
域も広げられるようにする。 【解決手段】 同調用インダクタンス素子１ａ〜１ｄと
これに並列接続されたバラクタダイオードとからなり、
同調用インダクタンス素子１ａ〜１ｄのインダクタンス
値の切替によってＶＨＦ帯のハイバンドまたはローバン
ドに同調するように切り替えられるＶＨＦ同調回路１を
備え、同調用インダクタンス素子１ａ〜１ｄに中間タッ
プ点Ａを設け、テレビジョン信号の入力端子３と中間タ
ップ点Ａとの間に第一の結合用インダクタンス素子２を
直列に介挿し、第一の結合用インダクタンス素子２の一
端を中間タップ点Ａに接続すると共に、他端をテレビジ
ョン信号の入力端子３に結合した。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【考案の属する技術分野】

この考案は同調回路を含むテレビジョンチューナの入力回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来のテレビジョンチューナの入力回路を図９に従って説明する。ＶＨＦ同調 回路３１内に設けられた直列接続の一連（四個）の同調用インダクタンス素子３ １ａ〜３１ｄは第一のバラクタダイオード３１ｅと共に並列同調回路を構成する 。そして、中間に位置する二つのインダクタンス素子３１ｂ、３１ｃ間の接続点 が中間タップ点としてテレビジョン信号の入力端子３２に結合される。また、イ ンダクタンス素子３１ｄと第一のバラクタダイオード３１ｅとの接続点が第二の バラクタダイオード３３を介してＶＨＦ高周波増幅器３４に結合される。二つの バラクタダイオード３１ｅ、３３のアノードは直流的にグランドに接続され、カ ソードには同調電圧Ｖｔが印加される。

【０００３】 中間に位置する二つのインダクタンス素子３１ｂ、３１ｃに跨って第一のスイ ッチダイオード３１ｆが並列に接続され、そのアノードには電源電圧Ｂを分圧抵 抗３５、３６によって分圧した電圧がバイアス電圧としてインダクタンス素子３ １ａ等を介して印加される。また、カソードは抵抗３８を介してスイッチトラン ジスタ３８のコレクタに接続される。スイッチトランジスタ３８のコレクタには 電源電圧Ｂが給電抵抗３９を介して印加される。エミッタは接地される。

【０００４】 ＵＨＦ同調回路４０はインダクタンス素子４０ａと直列接続の第三及び第四の バラクタダイオード４０ｂ、４０ｃを有し、二つのバラクタダイオード４０ｂ、 ４０ｃに対してインダクタンス素子４０ａが並列接続される。そして、このＵＨ Ｆ同調回路４０は第二のスイッチダイオード４１を介して入力端子３２に結合さ れる。第二のスイッチダイオード４１のアノードには第一のスイッチダイオード ３１ｆと同じバイアス電圧が印加され、カソードは抵抗４２を介してスイッチト ランジスタ３８のコレクタに接続される。また、二つのバラクタダイオード４０ ｂ、４０ｃの接続点がＵＨＦ高周波増幅器４３に結合される。

【０００５】 以上の構成において、スイッチトランジスタ３８は、ＶＨＦ帯のハイバンド及 びＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するときにオンとされ、それにともなって 第一及び第二のスイッチダイオード３１ｆ、３２もオンとなる。また、スイッチ トランジスタ３８はＶＨＦ帯のローバンドのテレビジョン信号を受信するときに オフとされ、それにともなって第一及び第二のスイッチダイオード３１ｆ、３２ もオフとなる。

【０００６】 よって、ハイバンドの受信時の等価回路は図１０のようになって、ＶＨＦ同調 回路３１は二つのインダクタンス素子３１ａ、３１ｄと第一のバラクタダイオー ド３１ｅとによって構成される。そして、信号源のインピーダンスはＵＨＦ同調 回路４０のインダクタンス素子４０ａとＶＨＦ同調回路３１から除外された二つ のインダクタンス素子３１ｂ、３１ｃ（第一のスイッチダイオード３１ｆのオン によって並列接続される）とによって高められ、ＶＨＦ同調回路３１に入力され る。ＶＨＦ同調回路３１ではさらに二つのインダクタンス素子３１ａ、３１ｄに よってインピーダンスが高められ、必要なＱが得られる。

【０００７】 また、ローバンドの受信時の等価回路は図１１のようになって、ＶＨＦ同調回 路３１は四つのインダクタンス素子３１ａ〜３１ｄと第一のバラクタダイオード ３１ｅとによって構成される。そして、信号源のインピーダンスは二つのインダ クタンス素子３１ａ、３１ｂと二つのインダクタンス素子３１ｃ、３１ｄとによ って高められ、必要なＱが得られる。

【０００８】

【考案が解決しようとする課題】

同調周波数をバラクタダイオードによって変える構成の同調回路においては、 同調周波数が高くなるほどＱが低下するので、高域でのＱの低下を見越して信号 源側のインピーダンスを予め高くして同調回路に信号を入力するのが望ましい。 しかし、図１１から明らかなように、ＶＨＦ帯のローバンドの受信時ではテレビ ジョン信号は同調用インダクタンス素子の中間タップ点に直接入力され、同調回 路内でのみインピーダンスを高くしているので、高域では十分なＱが得られない という問題がある。よって、低域と高域とでのＱの差異を少なくする為には受信 帯域を広げることが困難となる。

【０００９】 本考案では、受信帯域における低域と高域とにおける同調のＱの差異を少なく して選択度特性を均一にし、受信帯域も広げられるようにすることを目的とする 。

【００１０】

【課題を解決するための手段】

上記課題を解決するため、本考案では、同調用インダクタンス素子と前記同調 用インダクタンス素子に並列接続されたバラクタダイオードとからなり、前記同 調用インダクタンス素子のインダクタンス値の切替によってＶＨＦ帯のハイバン ドまたはローバンドに同調するように切り替えられるＶＨＦ同調回路を備え、前 記同調用インダクタンス素子に中間タップ点を設け、テレビジョン信号の入力端 子と前記中間タップ点との間に第一の結合用インダクタンス素子を直列に介挿し 、前記第一の結合用インダクタンス素子の一端を前記中間タップ点に接続すると 共に、他端を前記テレビジョン信号の入力端子に結合した。

【００１１】 また、二つのスイッチダイオードによって前記第一の結合用インダクタンス素 子の両端に接続されたＵＨＦ同調回路を設け、前記二つのスイッチダイオードを 互いに直列に接続し、その接続点を前記ＵＨＦ同調回路内のインダクタンス素子 を介して接地し、前記二つのスイッチダイオードを前記ローバンドのテレビジョ ン信号の受信時に共にオフとし、前記ハイバンド及びＵＨＦ帯のテレビジョン信 号の受信時に共にオンとした。

【００１２】 また、前記二つのスイッチダイオードの接続点と前記ＵＨＦ同調回路内のイン ダクタンス素子との間に第二の結合用インダクタンス素子を直列に介挿した。

【００１３】 また、前記第一の結合用インダクタンス素子に並列に容量素子を接続し、前記 第一の結合用インダクタンス素子と前記容量素子とによる並列共振周波数を前記 ハイバンドの帯域内に位置させた。

【００１４】

【考案の実施の形態】

本考案のテレビジョンチューナの入力回路を図１に従って説明する。ＶＨＦ同 調回路１内に設けられた直列接続の一連（四個）の同調用インダクタンス素子１ ａ〜１ｄは第一のバラクタダイオード１ｅと共に並列同調回路を構成する。そし て、中間に位置する二つのインダクタンス素子１ｂ、１ｃ間の接続点が中間タッ プ点Ａとして第一の結合用インダクタンス素子２を介してテレビジョン信号の入 力端子３に結合される。第一の結合用インダクタンス素子２には容量素子３が並 列接続される。第一の結合用インダクタンス素子２と容量素子４とによる並列共 振周波数はＶＨＦ帯のハイバンドの帯域内に位置する。インダクタンス素子１ｄ と第一のバラクタダイオード１ｅとの接続点が第二のバラクタダイオード５を介 してＶＨＦ高周波増幅器６に結合される。二つのバラクタダイオード１ｅ、５の アノードは直流的にグランドに接続され、カソードには同調電圧Ｖｔが印加され る。

【００１５】 中間に位置する二つのインダクタンス素子１ｂ、１ｃに跨ってバンド切替ダイ オード１ｆが並列に接続され、そのアノードには電源電圧Ｂを分圧抵抗７、８に よって分圧した電圧がバイアス電圧としてインダクタンス素子１ａ等を介して印 加される。また、カソードは抵抗９を介してスイッチトランジスタ１０のコレク タに接続される。スイッチトランジスタ１０のコレクタには電源電圧Ｂが給電抵 抗１１を介して印加される。エミッタは接地される。

【００１６】 ＵＨＦ同調回路２０はインダクタンス素子２０ａと直列接続の第三及び第四の バラクタダイオード２０ｂ、２０ｃを有し、二つのバラクタダイオード２０ｂ、 ２０ｃに対してインダクタンス素子２０ａが並列接続される。

【００１７】 一方、第一の結合用インダクタンス素子２の一端には第一のスイッチダイオー ド１２のアノードが接続されると共に、他端には第二のスイッチダイオード１３ のアノードが接続される。二つのスイッチダイオード１２、１３はカソード同士 の接続によって直列に接続される。そして、カソードとＵＨＦ同調回路２０とが 第二の結合用インダクタンス素子１４によって結合される。第一及び第二のスイ ッチダイオード１２、１３のアノードにはバンド切替ダイオード１ｆと同じバイ アス電圧が印加され、カソードは抵抗１５を介してスイッチトランジスタ１０の コレクタに接続される。また、二つのバラクタダイオード２０ｂ、２０ｃのカソ ードにも同調電圧Ｖｔが印加され、それらの接続点がＵＨＦ高周波増幅器２１に 結合される。

【００１８】 以上の構成において、スイッチトランジスタ１０は、ＶＨＦ帯のハイバンド及 びＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するときにオンとされ、それにともなって バンド切替ダイオード１ｆと第一及び第二のスイッチダイオード１２、１３もオ ンとなる。よって、ＶＨＦ同調回路１における二つのインダクタンス素子１ｂ、 １ｃは並列接続されると共に、ＶＨＦ同調回路１から除外される。また、第一の 結合用インダクタンス素子２とそれに並列接続された容量素子４とは両端間でシ ョートされる。

【００１９】 また、スイッチトランジスタ１０はＶＨＦ帯のローバンドのテレビジョン信号 を受信するときにオフとされ、それにともなってバンド切替ダイオード１ｆと第 一及び第二のスイッチダイオード１２、１３もオフとなる。

【００２０】 よって、ハイバンドの受信時の等価回路は図２のようになって、ＶＨＦ同調回 路１は二つのインダクタンス素子１ａ、１ｄと第一のバラクタダイオード１ｅと によって構成される。そして、信号源のインピーダンスは第二の結合用インダク タンス素子１４及びＵＨＦ同調回路２０のインダクタンス素子２０ａと、ＶＨＦ 同調回路１から除外された二つのインダクタンス素子１ｂ、１ｃ（バンド切替ダ イオード１ｆのオンによって並列接続される）とによってステップアップされて 高くなり、ＶＨＦ同調回路１に結合される。ＶＨＦ同調回路１ではさらに二つの インダクタンス素子１ａ、１ｄによってインピーダンスがステップアップされ、 必要なＱが得られる。

【００２１】 また、ローバンドの受信時には、第一の結合用インダクタンス素子２と容量素 子４とからなる並列共振回路は等価的にインダクタンス成分（ほとんど第一の結 合用インダクタンス素子２になるとしてよい）となるので、等価回路は図３に示 すように、ＶＨＦ同調回路１は第一の結合用インダクタンス素子２を介して入力 端子３に結合される。そして、ＶＨＦ同調回路１は四つのインダクタンス素子１ ａ〜１ｄと第一のバラクタダイオード１ｅとによって構成され、第一の結合用イ ンダクタンス素子２は二つのインダクタンス素子１ｂ、１ｃの接続点である中間 タップ点Ａに接続される。

【００２２】 なお、第一の結合用インダクタンス素子２と容量素子４とからなる並列共振周 波数はハイバンドの帯域内に位置するように設定されているので、ローバンドの テレビジョン信号を受信する場合にハイバンドのテレビジョン信号による妨害、 例えばイメージ妨害を軽減できる。

【００２３】 ここで、中間タップ点Ａから入力端子３側をみた等価回路は図４に示され、信 号源Ｓの内部抵抗ｒに第一の結合用インダクタンス素子２が直列接続される。こ こで、第一の結合用インダクタンス素子２のインダクタンス値をｌとする。そし て、図４の等価回路を図５のように並列回路に変換した場合の抵抗成分をＲ、イ ンダクタンス成分をＬとすると、抵抗成分Ｒは Ｒ＝ｒ＋（ωｌ）２÷ｒで示される。また、インダクタンス成分Ｌは Ｌ＝ｌ＋ｒ２÷ω２ｌで示される。

【００２４】 これらの式から明らかなように、抵抗成分Ｒ及びインダクタンス成分Ｌはそれ ぞれ図６、図７に示すような特性となり、抵抗成分Ｒは周波数が高くなるに従っ て大きくなり、インダクタンス成分Ｌは逆に周波数が高くなるに従って小さくな る。そして、抵抗成分Ｒ及びインダクタンス成分Ｌは二つのインダクタンス素子 １ａ、１ｂの全体に対して並列に接続される。

【００２５】 よって、ＶＨＦ同調回路１のＱが周波数の増大と共に低減するという従来の問 題を解決すると共に、インダクタンス成分Ｌの漸減によって高い周波数まで同調 可能となる。

【００２６】 また、ＵＨＦ帯の受信時には、第一の結合用インダクタンス素子２と容量素子 ４とからなる並列共振回路は両端間でショートされるので、ＵＨＦ同調回路２０ は図８に示されるように第二のインダクタンス素子１４によって入力端子３に結 合される。この場合も図３乃至図７と同様の理由によって、ＵＨＦ同調回路２０ のＱが周波数の増大と共に低減するという問題を解決すると共に、インダクタン ス成分Ｌの漸減によって高い周波数まで同調可能となる。

【００２７】

【考案の効果】

以上説明したように、本考案は、ＶＨＦ同調回路を構成する同調用インダクタ ンス素子に中間タップ点を設け、テレビジョン信号の入力端と中間タップ点との 間に第一の結合用インダクタンス素子を直列に介挿し、第一の結合用インダクタ ンス素子の一端を中間タップ点に接続すると共に、他端をテレビジョン信号の入 力端子に結合したので、中間タップ点から信号源側を見たときの抵抗成分は周波 数が高くなるに従って大きくなり、また、インダクタンス成分は逆に周波数が高 くなるに従って小さくなる。 よって、同調回路のＱが周波数の増大と共に低減するという従来の問題を解決 して帯域全体にわたって選択度特性を均一にすることができる。また、インダク タンス成分の漸減によって高い周波数まで同調可能となる。

【００２８】 また、二つのスイッチダイオードによって第一の結合用インダクタンス素子の 両端に接続されたＵＨＦ同調回路を設け、二つのスイッチダイオードを互いに直 列に接続し、その接続点をＵＨＦ同調回路内のインダクタンス素子を介して接地 し、二つのスイッチダイオードをローバンドのテレビジョン信号の受信時に共に オフとし、ハイバンド及びＵＨＦ帯のテレビジョン信号の受信時に共にオンとし たので、ローバンド受信時に第一の結合用インダクタンス素子によって同調回路 の選択度特性を均一にすることができ、また、インダクタンス成分の漸減によっ て高い周波数まで同調可能となる。よって、ローバンドの受信帯域を広げことが できる。 さらに、ＵＨＦ帯の受信時にはＵＨＦ同調回路を入力端子に結合できる。

【００２９】 また、二つのスイッチダイオードの接続点とＵＨＦ同調回路内のインダクタン ス素子との間に第二の結合用インダクタンス素子を直列に介挿したので、ＵＨＦ 同調回路も帯域内で均一な選択度特性とすることができる。

【００３０】 また、第一の結合用インダクタンス素子に並列に容量素子を接続し、第一の結 合用インダクタンス素子と容量素子とによる並列共振周波数をハイバンドの帯域 内に位置させたので、ローバンドのテレビジョン信号を受信する場合にハイバン ドのテレビジョン信号による妨害、例えばイメージ妨害を軽減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案のテレビジョンチューナの入力回路の構
成を示す回路図である。

【図２】本考案のテレビジョンチューナの入力回路にお
けるハイバンド受信時の等価回路図である。

【図３】本考案のテレビジョンチューナの入力回路にお
けるローバンド受信時の等価回路図である。

【図４】本考案のテレビジョンチューナの入力回路にお
けるローバンド受信時の信号源側の等価回路図である。

【図５】本考案のテレビジョンチューナの入力回路にお
けるローバンド受信時の信号源側の変形した等価回路図
である。

【図６】本考案のテレビジョンチューナの入力回路にお
けるローバンド受信時の信号源側の抵抗成分の周波数特
性図である。

【図７】本考案のテレビジョンチューナの入力回路にお
けるローバンド受信時の信号源側のインダクタンス成分
の周波数特性図である。

【図８】本考案のテレビジョンチューナの入力回路にお
けるＵＨＦ帯受信時の等価回路図である。

【図９】従来のテレビジョンチューナの入力回路の構成
を示す回路図である。

【図１０】従来のテレビジョンチューナの入力回路にお
けるハイバンド受信時の等価回路図である。

【図１１】従来のテレビジョンチューナの入力回路にお
けるローバンド受信時の等価回路図である。

【符号の説明】

１ ＶＨＦ同調回路 １ａ〜１ｄ 同調用インダクタンス素子 １ｅ 第一のバラクタダイオード １ｆ バンド切替ダイオード ２ 第一の結合用インダクタンス素子 ３ 入力端子 ４ 容量素子 ５ 第二のバラクタダイオード ６ ＶＨＦ高周波増幅器 ７、８ 分圧抵抗 ９ 抵抗 １０ スイッチトランジスタ １１ 給電抵抗 １２ 第一のスイッチダイオード １３ 第二のスイッチダイオード １４ 第二の結合用インダクタンス素子 １５ 抵抗 ２０ ＵＨＦ同調回路 ２０ａ インダクタンス素子 ２０ｂ 第三のバラクタダイオード ２０ｃ 第四のバラクタダイオード ２１ ＵＨＦ句集は増幅器 Ａ 中間タップ点

Claims (4)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 同調用インダクタンス素子と前記同調用
   インダクタンス素子に並列接続されたバラクタダイオー
   ドとからなり、前記同調用インダクタンス素子のインダ
   クタンス値の切替によってＶＨＦ帯のハイバンドまたは
   ローバンドに同調するように切り替えられるＶＨＦ同調
   回路を備え、前記同調用インダクタンス素子に中間タッ
   プ点を設け、テレビジョン信号の入力端子と前記中間タ
   ップ点との間に第一の結合用インダクタンス素子を直列
   に介挿し、前記第一の結合用インダクタンス素子の一端
   を前記中間タップ点に接続すると共に、他端を前記テレ
   ビジョン信号の入力端子に結合したことを特徴とするテ
   レビジョンチューナの入力回路。
2. 【請求項２】 二つのスイッチダイオードによって前記
   第一の結合用インダクタンス素子の両端に接続されたＵ
   ＨＦ同調回路を設け、前記二つのスイッチダイオードを
   互いに直列に接続し、その接続点を前記ＵＨＦ同調回路
   内のインダクタンス素子を介して接地し、前記二つのス
   イッチダイオードを前記ローバンドのテレビジョン信号
   の受信時に共にオフとし、前記ハイバンド及びＵＨＦ帯
   のテレビジョン信号の受信時に共にオンとしたことを特
   徴とする請求項１に記載のテレビジョンチューナの入力
   回路。
3. 【請求項３】 前記二つのスイッチダイオードの接続点
   と前記ＵＨＦ同調回路内のインダクタンス素子との間に
   第二の結合用インダクタンス素子を直列に介挿したこと
   を特徴とする請求項２に記載のテレビジョンチューナの
   入力回路。
4. 【請求項４】 前記第一の結合用インダクタンス素子に
   並列に容量素子を接続し、前記第一の結合用インダクタ
   ンス素子と前記容量素子とによる並列共振周波数を前記
   ハイバンドの帯域内に位置させたことを特徴とする請求
   項２又は３に記載のテレビジョンチューナの入力回路。