JP3097064U - 入力同調回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】ローバンドにおいて狭くなるトラップ回路の周波数可変範囲を広げてイメージ妨害を改善する。
【解決手段】第一のバラクタダイオード２ｅと複数のインダクタンス素子２ａ〜２ｄとを有するバンド切替型同調回路２と、インダクタンス素子２ｃ〜２ｄに直列接続されると共に、バンド切替型同調回路２を次段の高周波増幅器４に結合する第二のバラクタダイオード３と、インダクタンス素子２ｃ〜２ｄと第二のバラクタダイオード３との直列回路に並列に接続されてイメージ周波数に共振する並列トラップ回路７を構成する第三のバラクタダイオード５とを備え、第一乃至第三のバラクタダイオード２ｅ、３、５のカソードに共通の同調電圧を印加し、少なくとも第三のバラクタダイオード５のアノードのバイアス電圧を、高い周波数バンドに切り替えたときよりも低い周波数バンドに切り替えたときに高くした。
【選択図】 図１
【解決手段】第一のバラクタダイオード２ｅと複数のインダクタンス素子２ａ〜２ｄとを有するバンド切替型同調回路２と、インダクタンス素子２ｃ〜２ｄに直列接続されると共に、バンド切替型同調回路２を次段の高周波増幅器４に結合する第二のバラクタダイオード３と、インダクタンス素子２ｃ〜２ｄと第二のバラクタダイオード３との直列回路に並列に接続されてイメージ周波数に共振する並列トラップ回路７を構成する第三のバラクタダイオード５とを備え、第一乃至第三のバラクタダイオード２ｅ、３、５のカソードに共通の同調電圧を印加し、少なくとも第三のバラクタダイオード５のアノードのバイアス電圧を、高い周波数バンドに切り替えたときよりも低い周波数バンドに切り替えたときに高くした。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【考案の属する技術分野】
本考案は高低二つの周波数バンドに同調するように切り替えられると共に、同調周波数に対するイメージ周波数を減衰するようにした入力同調回路に関し、特にテレビジョンチューナに好適な入力同調回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の入力同調回路を図４に従って説明する。入力端子３１に結合されるバンド切替型同調回路２２は直列接続された四つのインダクタンス素子３２ａ乃至３２ｄと、それら全体に対して並列接続される第一のバラクタダイオード３２ｅと、中間の二つのインダクタンス素子３２ｂ、３２ｃに跨って設けられたスイッチダイオード３２ｆとを有する。
【０００３】
直列接続された四つのインダクタンス素子３２ａ乃至３２ｄの一端（インダクタンス素子３２ａ側）はＤＣカット用容量素子３２ｇによって高周波的に接地され、他端（インダクタンス素子３２ｄ側）は第一のバラクタダイオード３２ｅのカソードに接続される。そのアノードは接地される。二つのインダクタンス素子３２ｂと３２ｃとの接続点がこのバンド切替型同調回路３２の入力端となり、入力端子３１に結合される。また、インダクタンス素子３２ｄと第一のバラクタダイオード３２ｅとの接続点がこのバンド切替型同調回路３２の出力端となり、結合用の第二のバラクタダイオード３３を介して次段の高周波増幅器３４に結合される。
【０００４】
従って、バンド切替型同調回路３２の入力端と高周波増幅器３４との間には二つのインダクタンス素子３２ｃ、３２ｄと第二のバラクタダイオード３３とが直列接続された状態で介挿される。そして、二つのインダクタンス素子３２ｃ、３２ｄと第二のバラクタダイオード３３との全体に対して、第三のバラクタダイオード３５と容量素子３６との直列回路が並列に接続されて並列共振回路３７が構成される。第三のバラクタダイオード３５のアノードは第二のバラクタダイオード３３のアノードと共に抵抗３８によってグランドに接続され、カソードは抵抗３９によって第二のバラクタダイオード３３のカソードに接続される。第一乃至第三のバラクタダイオード３２ｅ、３３、３５の各カソードには同調電圧Ｖｔが印加される。このことから、三つのバラクタダイオード３２ｅ、３３、３５のアノードとカソードとの間に印加される電圧値は同一となる。
【０００５】
スイッチダイオード３２ｆのカソードは、コレクタが抵抗４０によって電源電圧Ｂにプルアップされたスイッチトランジスタ４１のコレクタに接続される。エミッタは接地されている。また、電源電圧を抵抗によって分圧する分圧回路４２が設けられ、その分圧電圧がインダクタンス素子３２ａ等を介してスイッチダイオード３２ｆのアノードに印加される。
【０００６】
以上の構成において、入力端子３１には例えばＶＨＦ帯のテレビジョン信号が入力される、そして、スイッチトランジスタ４１をオフにすればスイッチダイオード３２ｆもオフとなり、バンド切替型同調回路３２は四つのインダクタンス素子３２ａ乃至３２ｄと第一のバラクタダイオード３２ｅとによってＶＨＦ帯の低い周波数バンド（ローバンド）に同調する。一方、並列共振回路３７はバンド切替型同調回路３２の同調周波数よりも高い周波数に共振する。そして、共振周波数は同調周波数と共に同調電圧によって変化する。この時の共振周波数は、ローバンドのテレビジョン信号に対してイメージ周波数となるように設定されている。
【０００７】
一方、スイッチトランジスタ４１をオンにすれば、スイッチダイオード３２ｆもオンとなり、二つのインダクタンス素子３２ｂ、３２ｃが互いに並列接続されると共に、バンド切替型同調回路３２は残りの二つのインダクタンス素子３２ａ、３２ｄと第一のバラクタダイオード３２ｅとによって構成され、ＶＨＦ帯の高い周波数バンド（ハイバンド）に同調する。このとき、並列共振回路３７は、インダクタンス素子３２ｂと３２ｃとが並列接続されるので、その共振周波数も高くなる。そして、その周波数はハイバンドのテレビジョン信号に対するイメージ周波数となるように設定される。
【０００８】
よって、並列共振回路３７はローバンド及びハイバンドにおいてイメージ周波数を減衰するトラップ回路として働く。
【０００９】
【考案が解決しようとする課題】
並列共振回路３７の共振周波数はバンド切替型同調回路３２の同調周波数に対して同じ周波数差で変化するのが望ましいが、ハイバンドにおいてその共振周波数をハイバンドの同調周波数に対して一定の差の周波数で変化するように設定すると（第三のバラクタダイオード３５に直列に接続された容量素子３６によって設定される）、ローバンドにおいては、周波数が低いので、その共振周波数の可変範囲が狭くなり、ローバンドの低い周波数でイメージ妨害が悪化するという問題がある。
【００１０】
本考案においては、ローバンドにおいて狭くなるトラップ回路の周波数可変範囲を広げてイメージ妨害を改善することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題に対して、本考案では第一のバラクタダイオードと複数のインダクタンス素子とを有すると共に、高い周波数バンド又は低い周波数バンドに同調するように切り替えられるバンド切替型同調回路と、前記インダクタンス素子に直列接続されると共に、前記バンド切替型同調回路を次段の高周波増幅器に結合する第二のバラクタダイオードと、前記インダクタンス素子と前記第二のバラクタダイオードとの直列回路に並列に接続されてイメージ周波数に共振する並列トラップ回路を構成する第三のバラクタダイオードとを備え、前記第一乃至第三のバラクタダイオードのカソードに共通の同調電圧を印加し、少なくとも前記第三のバラクタダイオードのアノードのバイアス電圧を、前記高い周波数バンドに切り替えたときよりも前記低い周波数バンドに切り替えたときに高くした。
【００１２】
また、前記バンド切替型同調回路には抵抗分圧回路からアノードにバイアス電圧が印加され、前記高い周波数バンドに同調するときにオンすると共に前記低い周波数バンドに同調する時にオフするスイッチダイオードを設け、前記第三のバラクタダイオードのアノードを前記スイッチダイオードのアノードに直流的に接続した。
【００１３】
また、前記第二のバラクタダイオードのアノードを前記第三のバラクタダイオードに接続した。
【００１４】
【考案の実施の形態】
本考案の入力同調回路を図１に従って説明する。入力端子１に結合されるバンド切替型同調回路２は直列接続された四つのインダクタンス素子２ａ乃至２ｄと、それら全体に対して並列接続される第一のバラクタダイオード２ｅと、中間の二つのインダクタンス素子２ｂ、２ｃの全体に跨って設けられたスイッチダイオード２ｆとを有する。
【００１５】
直列接続された四つのインダクタンス素子２ａ乃至２ｄの一端（インダクタンス素子２ａ側）はＤＣカット用容量素子２ｇによって高周波的に接地され、他端（インダクタンス素子２ｄ側）は第一のバラクタダイオード２ｅのカソードに接続される。そのアノードは接地される。二つのインダクタンス素子２ｂと２ｃとの接続点がこのバンド切替型同調回路２の入力端となり、入力端子１に結合される。また、インダクタンス素子２ｄと第一のバラクタダイオード２ｅとの接続点がこのバンド切替型同調回路２の出力端となり、結合用の第二のバラクタダイオード３を介して次段の高周波増幅器４に結合される。
【００１６】
従って、バンド切替型同調回路２の入力端と高周波増幅器４との間には二つのインダクタンス素子２ｃ、２ｄと第二のバラクタダイオード３とが直列接続された状態で介挿される。そして、二つのインダクタンス素子２ｃ、２ｄと第二のバラクタダイオード３との全体に対して、第三のバラクタダイオード５と容量素子６との直列回路が並列に接続される。よって、バンド切替型同調回路２の入力端と第二のバラクタダイオード３のアノードとの間には、並列共振回路７が構成される。第三のバラクタダイオード５のアノードは第二のバラクタダイオード３のアノードと共に抵抗８によってスイッチダイオード２ｆのアノードに直流的に接続される。また、カソードは抵抗９によって第二のバラクタダイオード３のカソードに接続される。第一乃至第三のバラクタダイオード２ｅ、３、５の各カソードには同調電圧Ｖｔが印加される。
【００１７】
スイッチダイオード２ｆのカソードは、コレクタが抵抗１０によって電源電圧Ｂにプルアップされたスイッチトランジスタ１１のコレクタに接続される。エミッタは接地されている。また、電源電圧を抵抗によって分圧する分圧回路１２が設けられ、その分圧電圧がインダクタンス素子２ａ等を介してスイッチダイオード２ｆのアノードに印加される。よって、第二及び第三のバラクタダイオード３、５のカソードの電圧は第一のバラクタダイオード２ｅのアノードの電圧よりも高くなり、この結果、第一のバラクタダイオード２ｅのアノードとカソードとの間の電圧よりも第二及び第三のバラクタダイオード３、５のアノードとカソードとの間の電圧よりも大きくなる。
【００１８】
以上の構成において、入力端子１には例えばＶＨＦ帯のテレビジョン信号が入力される、そして、スイッチトランジスタ１をオフにすればスイッチダイオード２ｆもオフとなり、バンド切替型同調回路２は四つのインダクタンス素子２ａ乃至２ｄと第一のバラクタダイオード２ｅとによってＶＨＦ帯の低い周波数バンド（ローバンド）に同調する。同調周波数は同調電圧を変えることで変化する。また、この時は並列共振回路７の共振周波数も同時に変化するが、その共振周波数は同調周波数よりも高くなるように設定され、例えば、ローバンドのテレビジョン信号に対してイメージ周波数となるように設定されている。
【００１９】
一方、スイッチトランジスタ１１をオンにすれば、スイッチダイオード２ｆもオンとなり、二つのインダクタンス素子２ｂ、２ｃが互いに並列接続されると共に、バンド切替型同調回路２は残りの二つのインダクタンス素子２ａ、２ｄと第一のバラクタダイオード２ｅとによって構成され、ＶＨＦ帯の高い周波数バンド（ハイバンド）に同調する。このとき、並列共振回路７は、インダクタンス素子２ｂと２ｃとが並列接続されるので、その共振周波数も高くなる。そして、その周波数はハイバンドのテレビジョン信号に対するイメージ周波数となるように設定される。
【００２０】
よって、並列共振回路７はローバンド及びハイバンドにおいてイメージ周波数を減衰するトラップ回路として働く。
【００２１】
ところで、第二及び第三のバラクタダイオード３、５のアノードの電圧は、スイッチトランジスタ１１がオフの時（ローバンドのテレビジョン信号に同調するとき）に高くなり、オンのとき（ハイバンドのテレビジョン信号に同調するとき）に低くなるように切り替えられる。従って、第一乃至第三のバラクタダイオード２ｅ、３、５のカソードに同一の変化範囲ΔＶの同調電圧が印加されても、第二及び第三のバラクタダイオード３、５におけるアノードに対するカソードの電圧はハイバンドのテレビジョン信号に同調するときよりもローバンドのテレビジョン信号に同調するときの方が低くなる。
【００２２】
即ち、図２に示すように、ハイバンドのテレビジョン信号に同調するときにＶ１からＶ２までのΔＶの範囲の同調電圧が印加されるのに対して、ローバンドのテレビジョン信号に同調するときは同じ電圧範囲ΔＶではあるがＶ３からＶ４までの範囲に低下する。
【００２３】
バラクタダイオードの電圧に対する容量値は図２に示すように印加電圧が低くなるほど急峻に増加するので、ハイバンド時の容量変化幅ΔＣ１（＝Ｃ１−Ｃ２）よりもローバンド時の容量変化幅ΔＣ２（＝Ｃ３−Ｃ４）が大きくなる。よって、並列共振回路７の共振周波数の可変範囲はローバンドに同調する時に従来よりも広がり、イメージ妨害が改善される。
なお、第二のバラクタダイオード３のアノードは直接接地しても良いが、接地から浮かして第三のバラクタダイオード５のアノードに接続すれば並列共振周波数の変化範囲がさらに広がるので、スイッチダイオード２ｆをオンにするときの電流を少なくできる。
【００２４】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案では、第一乃至第三のバラクタダイオードのカソードに共通の同調電圧を印加し、少なくとも第三のバラクタダイオードのアノードのバイアス電圧を、高い周波数バンドに切り替えたときよりも低い周波数バンドに切り替えたときに高くしたので、同調電圧に対応してローバンド時の容量変化幅が大きくなる。よって、並列トラップ回路の共振周波数の可変範囲はローバンド時には従来よりも広がり、イメージ妨害が改善される。
【００２５】
また、バンド切替型同調回路には抵抗分圧回路からアノードにバイアス電圧が印加され、高い周波数バンドに同調するときにオンすると共に低い周波数バンドに同調する時にオフするスイッチダイオードを設け、第三のバラクタダイオードのアノードをスイッチダイオードのアノードに直流的に接続したので、ローバンド時には第三のバラクタダイオードのアノードの電圧が高くなって容量値の変化幅が大きくなる。
【００２６】
また、第二のバラクタダイオードのアノードを第三のバラクタダイオードに接続したので、スイッチダイオード２ｆをオンにするときの電流を少なくできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の入力同調回路の構成を示す回路図である。
【図２】本考案の入力同調回路におけるバラクタダイオードの電圧と容量値との関係図である。
【図３】従来の入力同調回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１ 入力端子
２ バンド切替型同調回路
２ａ〜２ｄ インダクタンス素子
２ｅ 第一のバラクタダイオード
２ｆ スイッチダイオード
３ 第二のバラクタダイオード
４ 高周波増幅器
５ 第三のバラクタダイオード
６ 容量素子
７ 並列共振回路（トラップ回路）
８、９ 抵抗
１０ 給電抵抗
１１ スイッチトランジスタ
１２ 分圧回路
【考案の属する技術分野】
本考案は高低二つの周波数バンドに同調するように切り替えられると共に、同調周波数に対するイメージ周波数を減衰するようにした入力同調回路に関し、特にテレビジョンチューナに好適な入力同調回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の入力同調回路を図４に従って説明する。入力端子３１に結合されるバンド切替型同調回路２２は直列接続された四つのインダクタンス素子３２ａ乃至３２ｄと、それら全体に対して並列接続される第一のバラクタダイオード３２ｅと、中間の二つのインダクタンス素子３２ｂ、３２ｃに跨って設けられたスイッチダイオード３２ｆとを有する。
【０００３】
直列接続された四つのインダクタンス素子３２ａ乃至３２ｄの一端（インダクタンス素子３２ａ側）はＤＣカット用容量素子３２ｇによって高周波的に接地され、他端（インダクタンス素子３２ｄ側）は第一のバラクタダイオード３２ｅのカソードに接続される。そのアノードは接地される。二つのインダクタンス素子３２ｂと３２ｃとの接続点がこのバンド切替型同調回路３２の入力端となり、入力端子３１に結合される。また、インダクタンス素子３２ｄと第一のバラクタダイオード３２ｅとの接続点がこのバンド切替型同調回路３２の出力端となり、結合用の第二のバラクタダイオード３３を介して次段の高周波増幅器３４に結合される。
【０００４】
従って、バンド切替型同調回路３２の入力端と高周波増幅器３４との間には二つのインダクタンス素子３２ｃ、３２ｄと第二のバラクタダイオード３３とが直列接続された状態で介挿される。そして、二つのインダクタンス素子３２ｃ、３２ｄと第二のバラクタダイオード３３との全体に対して、第三のバラクタダイオード３５と容量素子３６との直列回路が並列に接続されて並列共振回路３７が構成される。第三のバラクタダイオード３５のアノードは第二のバラクタダイオード３３のアノードと共に抵抗３８によってグランドに接続され、カソードは抵抗３９によって第二のバラクタダイオード３３のカソードに接続される。第一乃至第三のバラクタダイオード３２ｅ、３３、３５の各カソードには同調電圧Ｖｔが印加される。このことから、三つのバラクタダイオード３２ｅ、３３、３５のアノードとカソードとの間に印加される電圧値は同一となる。
【０００５】
スイッチダイオード３２ｆのカソードは、コレクタが抵抗４０によって電源電圧Ｂにプルアップされたスイッチトランジスタ４１のコレクタに接続される。エミッタは接地されている。また、電源電圧を抵抗によって分圧する分圧回路４２が設けられ、その分圧電圧がインダクタンス素子３２ａ等を介してスイッチダイオード３２ｆのアノードに印加される。
【０００６】
以上の構成において、入力端子３１には例えばＶＨＦ帯のテレビジョン信号が入力される、そして、スイッチトランジスタ４１をオフにすればスイッチダイオード３２ｆもオフとなり、バンド切替型同調回路３２は四つのインダクタンス素子３２ａ乃至３２ｄと第一のバラクタダイオード３２ｅとによってＶＨＦ帯の低い周波数バンド（ローバンド）に同調する。一方、並列共振回路３７はバンド切替型同調回路３２の同調周波数よりも高い周波数に共振する。そして、共振周波数は同調周波数と共に同調電圧によって変化する。この時の共振周波数は、ローバンドのテレビジョン信号に対してイメージ周波数となるように設定されている。
【０００７】
一方、スイッチトランジスタ４１をオンにすれば、スイッチダイオード３２ｆもオンとなり、二つのインダクタンス素子３２ｂ、３２ｃが互いに並列接続されると共に、バンド切替型同調回路３２は残りの二つのインダクタンス素子３２ａ、３２ｄと第一のバラクタダイオード３２ｅとによって構成され、ＶＨＦ帯の高い周波数バンド（ハイバンド）に同調する。このとき、並列共振回路３７は、インダクタンス素子３２ｂと３２ｃとが並列接続されるので、その共振周波数も高くなる。そして、その周波数はハイバンドのテレビジョン信号に対するイメージ周波数となるように設定される。
【０００８】
よって、並列共振回路３７はローバンド及びハイバンドにおいてイメージ周波数を減衰するトラップ回路として働く。
【０００９】
【考案が解決しようとする課題】
並列共振回路３７の共振周波数はバンド切替型同調回路３２の同調周波数に対して同じ周波数差で変化するのが望ましいが、ハイバンドにおいてその共振周波数をハイバンドの同調周波数に対して一定の差の周波数で変化するように設定すると（第三のバラクタダイオード３５に直列に接続された容量素子３６によって設定される）、ローバンドにおいては、周波数が低いので、その共振周波数の可変範囲が狭くなり、ローバンドの低い周波数でイメージ妨害が悪化するという問題がある。
【００１０】
本考案においては、ローバンドにおいて狭くなるトラップ回路の周波数可変範囲を広げてイメージ妨害を改善することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題に対して、本考案では第一のバラクタダイオードと複数のインダクタンス素子とを有すると共に、高い周波数バンド又は低い周波数バンドに同調するように切り替えられるバンド切替型同調回路と、前記インダクタンス素子に直列接続されると共に、前記バンド切替型同調回路を次段の高周波増幅器に結合する第二のバラクタダイオードと、前記インダクタンス素子と前記第二のバラクタダイオードとの直列回路に並列に接続されてイメージ周波数に共振する並列トラップ回路を構成する第三のバラクタダイオードとを備え、前記第一乃至第三のバラクタダイオードのカソードに共通の同調電圧を印加し、少なくとも前記第三のバラクタダイオードのアノードのバイアス電圧を、前記高い周波数バンドに切り替えたときよりも前記低い周波数バンドに切り替えたときに高くした。
【００１２】
また、前記バンド切替型同調回路には抵抗分圧回路からアノードにバイアス電圧が印加され、前記高い周波数バンドに同調するときにオンすると共に前記低い周波数バンドに同調する時にオフするスイッチダイオードを設け、前記第三のバラクタダイオードのアノードを前記スイッチダイオードのアノードに直流的に接続した。
【００１３】
また、前記第二のバラクタダイオードのアノードを前記第三のバラクタダイオードに接続した。
【００１４】
【考案の実施の形態】
本考案の入力同調回路を図１に従って説明する。入力端子１に結合されるバンド切替型同調回路２は直列接続された四つのインダクタンス素子２ａ乃至２ｄと、それら全体に対して並列接続される第一のバラクタダイオード２ｅと、中間の二つのインダクタンス素子２ｂ、２ｃの全体に跨って設けられたスイッチダイオード２ｆとを有する。
【００１５】
直列接続された四つのインダクタンス素子２ａ乃至２ｄの一端（インダクタンス素子２ａ側）はＤＣカット用容量素子２ｇによって高周波的に接地され、他端（インダクタンス素子２ｄ側）は第一のバラクタダイオード２ｅのカソードに接続される。そのアノードは接地される。二つのインダクタンス素子２ｂと２ｃとの接続点がこのバンド切替型同調回路２の入力端となり、入力端子１に結合される。また、インダクタンス素子２ｄと第一のバラクタダイオード２ｅとの接続点がこのバンド切替型同調回路２の出力端となり、結合用の第二のバラクタダイオード３を介して次段の高周波増幅器４に結合される。
【００１６】
従って、バンド切替型同調回路２の入力端と高周波増幅器４との間には二つのインダクタンス素子２ｃ、２ｄと第二のバラクタダイオード３とが直列接続された状態で介挿される。そして、二つのインダクタンス素子２ｃ、２ｄと第二のバラクタダイオード３との全体に対して、第三のバラクタダイオード５と容量素子６との直列回路が並列に接続される。よって、バンド切替型同調回路２の入力端と第二のバラクタダイオード３のアノードとの間には、並列共振回路７が構成される。第三のバラクタダイオード５のアノードは第二のバラクタダイオード３のアノードと共に抵抗８によってスイッチダイオード２ｆのアノードに直流的に接続される。また、カソードは抵抗９によって第二のバラクタダイオード３のカソードに接続される。第一乃至第三のバラクタダイオード２ｅ、３、５の各カソードには同調電圧Ｖｔが印加される。
【００１７】
スイッチダイオード２ｆのカソードは、コレクタが抵抗１０によって電源電圧Ｂにプルアップされたスイッチトランジスタ１１のコレクタに接続される。エミッタは接地されている。また、電源電圧を抵抗によって分圧する分圧回路１２が設けられ、その分圧電圧がインダクタンス素子２ａ等を介してスイッチダイオード２ｆのアノードに印加される。よって、第二及び第三のバラクタダイオード３、５のカソードの電圧は第一のバラクタダイオード２ｅのアノードの電圧よりも高くなり、この結果、第一のバラクタダイオード２ｅのアノードとカソードとの間の電圧よりも第二及び第三のバラクタダイオード３、５のアノードとカソードとの間の電圧よりも大きくなる。
【００１８】
以上の構成において、入力端子１には例えばＶＨＦ帯のテレビジョン信号が入力される、そして、スイッチトランジスタ１をオフにすればスイッチダイオード２ｆもオフとなり、バンド切替型同調回路２は四つのインダクタンス素子２ａ乃至２ｄと第一のバラクタダイオード２ｅとによってＶＨＦ帯の低い周波数バンド（ローバンド）に同調する。同調周波数は同調電圧を変えることで変化する。また、この時は並列共振回路７の共振周波数も同時に変化するが、その共振周波数は同調周波数よりも高くなるように設定され、例えば、ローバンドのテレビジョン信号に対してイメージ周波数となるように設定されている。
【００１９】
一方、スイッチトランジスタ１１をオンにすれば、スイッチダイオード２ｆもオンとなり、二つのインダクタンス素子２ｂ、２ｃが互いに並列接続されると共に、バンド切替型同調回路２は残りの二つのインダクタンス素子２ａ、２ｄと第一のバラクタダイオード２ｅとによって構成され、ＶＨＦ帯の高い周波数バンド（ハイバンド）に同調する。このとき、並列共振回路７は、インダクタンス素子２ｂと２ｃとが並列接続されるので、その共振周波数も高くなる。そして、その周波数はハイバンドのテレビジョン信号に対するイメージ周波数となるように設定される。
【００２０】
よって、並列共振回路７はローバンド及びハイバンドにおいてイメージ周波数を減衰するトラップ回路として働く。
【００２１】
ところで、第二及び第三のバラクタダイオード３、５のアノードの電圧は、スイッチトランジスタ１１がオフの時（ローバンドのテレビジョン信号に同調するとき）に高くなり、オンのとき（ハイバンドのテレビジョン信号に同調するとき）に低くなるように切り替えられる。従って、第一乃至第三のバラクタダイオード２ｅ、３、５のカソードに同一の変化範囲ΔＶの同調電圧が印加されても、第二及び第三のバラクタダイオード３、５におけるアノードに対するカソードの電圧はハイバンドのテレビジョン信号に同調するときよりもローバンドのテレビジョン信号に同調するときの方が低くなる。
【００２２】
即ち、図２に示すように、ハイバンドのテレビジョン信号に同調するときにＶ１からＶ２までのΔＶの範囲の同調電圧が印加されるのに対して、ローバンドのテレビジョン信号に同調するときは同じ電圧範囲ΔＶではあるがＶ３からＶ４までの範囲に低下する。
【００２３】
バラクタダイオードの電圧に対する容量値は図２に示すように印加電圧が低くなるほど急峻に増加するので、ハイバンド時の容量変化幅ΔＣ１（＝Ｃ１−Ｃ２）よりもローバンド時の容量変化幅ΔＣ２（＝Ｃ３−Ｃ４）が大きくなる。よって、並列共振回路７の共振周波数の可変範囲はローバンドに同調する時に従来よりも広がり、イメージ妨害が改善される。
なお、第二のバラクタダイオード３のアノードは直接接地しても良いが、接地から浮かして第三のバラクタダイオード５のアノードに接続すれば並列共振周波数の変化範囲がさらに広がるので、スイッチダイオード２ｆをオンにするときの電流を少なくできる。
【００２４】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案では、第一乃至第三のバラクタダイオードのカソードに共通の同調電圧を印加し、少なくとも第三のバラクタダイオードのアノードのバイアス電圧を、高い周波数バンドに切り替えたときよりも低い周波数バンドに切り替えたときに高くしたので、同調電圧に対応してローバンド時の容量変化幅が大きくなる。よって、並列トラップ回路の共振周波数の可変範囲はローバンド時には従来よりも広がり、イメージ妨害が改善される。
【００２５】
また、バンド切替型同調回路には抵抗分圧回路からアノードにバイアス電圧が印加され、高い周波数バンドに同調するときにオンすると共に低い周波数バンドに同調する時にオフするスイッチダイオードを設け、第三のバラクタダイオードのアノードをスイッチダイオードのアノードに直流的に接続したので、ローバンド時には第三のバラクタダイオードのアノードの電圧が高くなって容量値の変化幅が大きくなる。
【００２６】
また、第二のバラクタダイオードのアノードを第三のバラクタダイオードに接続したので、スイッチダイオード２ｆをオンにするときの電流を少なくできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の入力同調回路の構成を示す回路図である。
【図２】本考案の入力同調回路におけるバラクタダイオードの電圧と容量値との関係図である。
【図３】従来の入力同調回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１ 入力端子
２ バンド切替型同調回路
２ａ〜２ｄ インダクタンス素子
２ｅ 第一のバラクタダイオード
２ｆ スイッチダイオード
３ 第二のバラクタダイオード
４ 高周波増幅器
５ 第三のバラクタダイオード
６ 容量素子
７ 並列共振回路（トラップ回路）
８、９ 抵抗
１０ 給電抵抗
１１ スイッチトランジスタ
１２ 分圧回路
Claims (3)
- 第一のバラクタダイオードと複数のインダクタンス素子とを有すると共に、高い周波数バンド又は低い周波数バンドに同調するように切り替えられるバンド切替型同調回路と、前記インダクタンス素子に直列接続されると共に、前記バンド切替型同調回路を次段の高周波増幅器に結合する第二のバラクタダイオードと、前記インダクタンス素子と前記第二のバラクタダイオードとの直列回路に並列に接続されてイメージ周波数に共振する並列トラップ回路を構成する第三のバラクタダイオードとを備え、前記第一乃至第三のバラクタダイオードのカソードに共通の同調電圧を印加し、少なくとも前記第三のバラクタダイオードのアノードのバイアス電圧を、前記高い周波数バンドに切り替えたときよりも前記低い周波数バンドに切り替えたときに高くしたことを特徴とする入力同調回路。
- 前記バンド切替型同調回路には抵抗分圧回路からアノードにバイアス電圧が印加され、前記高い周波数バンドに同調するときにオンすると共に前記低い周波数バンドに同調する時にオフするスイッチダイオードを設け、前記第三のバラクタダイオードのアノードを前記スイッチダイオードのアノードに直流的に接続したことを特徴とする請求項１に記載の入力同調回路。
- 前記第二のバラクタダイオードのアノードを前記第三のバラクタダイオードに接続したことを特徴とする請求項１又は２に記載の入力同調回路。
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