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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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1. Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Eingangsabstimmschaltung,
die so geschaltet ist, dass sie auf zwei Hoch- und Niedrigfrequenzbänder abgestimmt
ist, für
das Dämpfen
einer Bildfrequenz bezüglich
einer Abstimmfrequenz und insbesondere auf eine Eingangsabstimmschaltung,
die für einen
Fernsehtuner geeignet ist.
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2. Beschreibung der in
Verbindung stehenden Technik
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Eine
herkömmliche
Eingangsabstimmschaltung wird mit Bezug auf 3 beschrieben.
Eine Bandschaltabstimmschaltung 32, die mit einem Eingangsanschluss 31 verbunden
ist, weist vier in Reihe geschaltete Induktivitätselemente 32a bis 32d,
eine erste Varaktordiode 32e, die parallel zu allen Induktivitätselementen
geschaltet ist, und eine Schaltdiode 32f, die sich über zwei
die Zwischeninduktivitätselemente 32b und 32c erstreckt,
auf.
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Ein
Ende (an der Seite des Induktivitätselements 32a) der
vier in Reihe geschalteten Induktivitätselemente 32a bis 32d ist
durch ein Gleichstromsperrkapazitätselement 32g hochfrequenzmäßig masseverbunden.
Das andere Ende (an der Seite des Induktivitätselements 32d) davon
ist mit der Kathode der ersten Varaktordiode 32e verbunden.
Die Anode der ersten Varaktordiode ist masseverbunden. Der Verbindungspunkt
der zwei Induktivitätselemente 32b und 32c wird
das Eingangsende der Bandschaltabstimmschaltung 32 und
ist mit dem Eingangsanschluss 31 verbunden. Der Verbindungspunkt
des Induktivitätselements 32d und
der ersten Varaktordiode 32e wird das Ausgangsende der Bandschaltabstimmschaltung 32 und
ist über
eine zweite Koppelvaraktordiode 33 mit einem Hochfrequenzverstärker 34 der
nächsten
Stufe verbunden.
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Deshalb
sind die zwei Induktivitätselemente 32c und 32d und
die zweite Varaktordiode 33 zwischen das Eingangsende der
Bandschaltabstimmschaltung 32 und den Hochfrequenzverstärker 34 in Reihe
geschaltet. Außerdem
ist eine Reihenschaltung einer dritten Varaktordiode 35 und
eines Kapazitätselements 36 parallel
zu allen zwei Induktivitätselementen 32c und 32d und
der zweiten Varaktordiode 33 geschaltet, um eine Parallelresonanzschaltung 37 zu
bilden. Die Anode der dritten Varaktordiode 35 ist zusammen
mit der Anode der zweiten Varaktordiode 33 über einen
Widerstand 38 mit einer Masse verbunden. Die Kathode der
dritten Varaktordiode ist über
einen Widerstand 39 mit der Kathode der zweiten Varaktordiode 33 verbunden.
Eine Abstimmspannung Vt wird an die Kathoden der ersten bis dritten Varaktordiode 32e, 33 und 35 angelegt.
Deshalb werden die zwischen den Anoden der drei Varaktordioden 32e, 33 und 35 und
den Kathoden der drei Varaktordioden 32e, 33 und 35 angelegten
Spannungswerte einander gleich.
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Die
Kathode einer Schaltdiode 32f ist mit dem Kollektor eines
Schalttransistors 41 verbunden, dessen Kollektor über einen
Widerstand 40 zu einer Energieversorgungsspannung B hochgezogen
ist. Der Emitter des Schalttransistors ist masseverbunden. Eine
Spannungsteilungsschaltung 42 für das Teilen der Energieversorgungsspannung über einen Widerstand
ist vorgesehen. Die geteilte Spannung wird über das Induktivitätselement 32a an
die Anode der Schaltdiode 32f angelegt.
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In
der oben erwähnten
Struktur wird zum Beispiel ein Fernsehsignal mit einem VHF-Band
dem Eingangsanschluss 31 zugeführt. Wenn der Schalttransistor 41 ausgeschaltet
ist, ist die Schaltdiode 32f auch ausgeschaltet. Die Bandschaltabstimmschaltung 32 wird
von den vier Induktivitätselementen 32a bis
einschließlich 32d und
der ersten Varaktordiode 32e auf ein Niedrigfrequenzband
(ein Niedrigband) eines VHF-Bands abgestimmt. Andererseits schwingt
eine Parallelresonanzschaltung 37 auf einer Frequenz, die
höher ist
als die Abstimmfrequenz der Bandschaltabstimmschaltung 32.
Die Resonanzfrequenz wird von einer Abstimmspannung zusammen mit
der Abstimmfrequenz geändert.
Die Resonanzfrequenz ist zu diesem Zeitpunkt so eingestellt, dass
sie eine Bildfrequenz bezüglich
eines Fernsehsignal eines Niedrigbands ist.
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Andererseits
ist, wenn der Schalttransistor 41 eingeschaltet ist, die
Schaltdiode 32f auch eingeschaltet. Die zwei Induktivitätselemente 32b und 32c sind
parallel zueinander geschaltet. Die Bandschaltabstimmspannung 32 ist
aus den zwei anderen Induktivitätselementen 32a und 32d und
der ersten Varaktordiode 32e gebildet und ist auf ein Hochfrequenzband
(ein Hochband) eines VHF-Bands abgestimmt. Zu diesem Zeitpunkt nimmt
die Resonanzfrequenz der Parallelresonanzschaltung 37 zu,
da die Induktivitätselemente 32b und 32c parallel
zueinander geschaltet sind. Außerdem
ist die Resonanzfrequenz so eingestellt, dass sie eine Bildfrequenz
bezüglich
eines Fernsehsignals eines Hochbands ist.
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Deshalb
arbeitet die Parallelresonanzschaltung 37 als die Sperrschaltung
für das
Dämpfen
der Bildfrequenz in dem Niedrigband und dem Hochband.
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Die
Resonanzfrequenz der Parallelresonanzschaltung 37 ändert sich
vorzugsweise von der Abstimmfrequenz der Bandschaltabstimmspannung 32 mit
dem gleichen Frequenzunterschied. Wenn die Resonanzfrequenz so eingestellt
ist, dass sie sich von der Abstimmfrequenz des Hochbands mit einem einheitlichen
Frequenzunterschied (durch das in Reihe mit der dritten Varaktordiode 35 geschaltete
Kapazitätselement 36)
im Hochband ändert,
wird jedoch, da die Frequenz im Niedrigband niedrig ist, der variable
Bereich der Resonanzfrequenz reduziert und Bildstörungen in
der niedrigen Frequenz des Niedrigbands werden schwerwiegend.
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Das
Dokument GB-A-2 312 345 zeigt eine ähnliche Eingangsabstimmschaltung.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Verhinderung von
Bildstörungen
durch das Erhöhen
des frequenzvariablen Bereichs einer Sperrschaltung zu verbessern,
der in einem Niedrigband reduziert ist.
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Um
die oben genannte Aufgabe zu erreichen, sieht die vorliegende Erfindung
eine Eingangsabstimmschaltung vor, aufweisend eine Bandschaltabstimmschaltung
mit einer ersten Varaktordiode und einer Mehrzahl von Induktivitätselementen,
die so geschaltet ist, dass sie auf ein Hochfrequenzband oder ein
Niedrigfrequenzband abgestimmt ist; eine zweite Varaktordiode, die
mit den Induktivitätselementen
in Reihe geschaltet ist, um die Bandschaltabstimmschaltung mit einem
Hochfrequenzverstärker der
nächsten
Stufe zu verbinden; und eine dritte Varaktordiode, die mit einer
Reihenschaltung der Induktivitätselemente
und der zweiten Varaktordiode parallel geschaltet ist, um eine parallele
Sperrschaltung für das
Schwingen einer Bildfrequenz zu bilden, wobei eine gemeinsame Abstimmspannung
an die Kathoden der ersten bis dritten Varaktordiode angelegt wird und
die Vorspannungsspannung der Anode von wenigstens der dritten Varaktordiode
in einem Fall, in dem die Bandschaltabstimmschaltung auf das Niedrigfrequenzband
geschaltet ist, höher
gemacht wird als in einem Fall, in dem die Bandschaltabstimmschaltung
auf das Hochfrequenzband geschaltet ist.
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Außerdem ist
gemäß der Eingangsabstimmschaltung
der vorliegenden Erfindung die Bandschaltabstimmschaltung mit einer
Schaltdiode versehen, die eine Anode hat, an die von einer Widerstandsspannungsteilungsschaltung
eine Vorspannungsspannung angelegt wird, wobei die Schaltdiode eingeschaltet
ist, wenn die Bandschaltabstimmschaltung auf das Hochfrequenzband
abgestimmt ist und ausgeschaltet ist, wenn die Bandschaltabstimmschaltung
auf das Niedrigfrequenzband abgestimmt ist, und die Anode der dritten
Varaktordiode mit der Anode der Schaltdiode gleichstrommäßig verbunden
ist.
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Ferner
ist gemäß einer
Eingangsabstimmschaltung der vorliegenden Erfindung die Anode der zweiten
Varaktordiode mit der dritten Varaktordiode verbunden.
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KURZE BESCHREIBUNG DER
ZEICHNUNGEN
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1 ist
ein Schaltungsdiagramm, das die Struktur einer Eingangsabstimmschaltung
gemäß der vorliegenden
Erfindung darstellt;
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2 ist
eine Ansicht, die die Beziehung zwischen der Spannung und dem Kapazitätswert einer
Varaktordiode in der Eingangsabstimmschaltung gemäß der vorliegenden
Erfindung darstellt; und
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3 ist
ein Schaltungsdiagramm, das die Struktur einer herkömmlichen
Eingangsabstimmschaltung darstellt.
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- 1
- EINGANGSANSCHLUSS
- 2
- BANDSCHALTABSTIMMSCHALTUNG
- 2a
bis 2d
- INDUKTIVITÄTSELEMENT
- 2e
- ERSTE
VARAKTORDIODE
- 2f
- SCHALTDIODE
- 3
- ZWEITE
VARAKTORDIODE
- 4
- HOCHFREQUENZVERSTÄRKER
- 5
- DRITTE
VARAKTORDIODE
- 6
- KAPAZITÄTSELEMENT
- 7
- PARALLELRESONANZSCHALTUNG (SPERRSCHALTUNG)
- 8,
9
- WIDERSTAND
- 10
- ENERGIEVERSORGUNGSWIDERSTAND
- 11
- SCHALTTRANSISTOR
- 12
- SPANNUNGSTEILUNGSSCHALTUNG
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BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN
AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Eine
Eingangsabstimmschaltung gemäß der vorliegenden
Erfindung wird jetzt mit Bezug auf 1 beschrieben.
Eine mit einem Eingangsanschluss 1 verbundene Bandschaltabstimmschaltung 2 weist
vier in Reihe geschaltete Induktivitätselemente 2a bis 2d,
eine erste Varaktordiode 2e, die parallel zu allen vier
Induktivitätselementen
geschaltet ist, und eine Schaltdiode 2f, die sich über alle
zwei Zwischeninduktivitätselemente 2b und 2c erstreckt,
auf.
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Ein
Ende (an der Seite des Induktivitätselements 2a) der
vier in Reihe geschalteten Induktivitätselemente 2a bis 2d ist
durch ein Gleichstromsperrkapazitätselement 2g hochfrequenzmäßig masseverbunden.
Das andere Ende (an der Seite des Induktivitätselements 2d) davon
ist mit der Kathode der ersten Varaktordiode 2e verbunden.
Die Anode der ersten Varaktordiode ist masseverbunden. Der Verbindungspunkt
der zwei Induktivitätselemente 2b und 2c wird
das Eingangsende der Bandschaltabstimmschaltung 2 und ist
mit dem Eingangsanschluss 1 verbunden. Der Verbindungspunkt
des Induktivitätselements 2d und
der ersten Varaktordiode 2e wird das Ausgangsende der Bandschaltabstimmschaltung 2 und
ist über
eine zweite Koppelvaraktordiode 3 mit einem Hochfrequenzverstärker 4 der
nächsten
Stufe verbunden.
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Deshalb
sind die zwei Induktivitätselemente 2c und 2d und
die zweite Varaktordiode 3 zwischen das Eingangsende der
Bandschaltabstimmschaltung 2 und den Hochfrequenzverstärker 4 in
Reihe geschaltet. Eine Reihenschaltung einer dritten Varaktordiode 5 und
eines Kapazitätselements 6 ist
zu allen zwei Induktivitätselementen 2c und 2d und
der zweiten Varaktordiode 3 parallel geschaltet. Deshalb
ist eine Parallelresonanzschaltung 7 zwischen dem Eingangsende
der Bandschaltabstimmschaltung 2 und der Anode der zweiten
Varaktordiode 3 gebildet. Die Anode der dritten Varaktordiode 5 ist
zusammen mit der Anode der zweiten Varaktordiode 3 über einen Widerstand 8 gleichstrommäßig mit
der Anode einer Schaltdiode 2f verbunden. Die Kathode der
dritten Varaktordiode ist über
einen Widerstand mit der Kathode der zweiten Varaktordiode 3 verbunden.
Eine Abstimmspannung Vt wird an die Kathoden der ersten bis dritten
Varaktordiode 2e, 3 und 5 angelegt.
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Die
Kathode der Schaltdiode 2f ist mit dem Kollektor eines
Schalttransistors 11 verbunden, dessen Kollektor über einen
Widerstand 10 zu einer Energieversorgungsspannung B hochgezogen
ist. Der Emitter des Schalttransistors ist masseverbunden. Eine
Spannungsteilungsschaltung 12 für das Teilen der Energieversorgungsspannung
B über
einen Widerstand ist vorgesehen. Die geteilte Span nung wird über das
Induktivitätselement 2a an
die Anode der Schaltdiode 2f angelegt. Deshalb sind die
Spannungen der Kathoden der zweiten und dritten Varaktordiode 3 und 5 höher als
die Spannung der Anode der ersten Varaktordiode 2e. Folglich
sind die Spannungen der Kathoden der zweiten und dritten Varaktordiode 3 und 5 höher als
die Spannung zwischen der Anode der ersten Varaktordiode 2e und
der Kathode der ersten Varaktordiode und die Spannung zwischen den
Anoden der zweiten und dritten Varaktordiode 3 und 5 und
den Kathoden der zweiten und dritten Varaktordiode.
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In
der oben erwähnten
Struktur wird zum Beispiel ein Fernsehsignal eines VHF-Bands dem
Eingangsanschluss 1 zugeführt. Wenn der Schalttransistor 11 ausgeschaltet
ist, ist die Schaltdiode 2f auch ausgeschaltet. Die Bandschaltabstimmschaltung 2 wird über die
vier Induktivitätselemente 2a bis 2d und die
erste Varaktordiode 2e auf ein Niedrigfrequenzband (ein
Niedrigband) eines Niedrig-VHF-Bands
abgestimmt. Eine Abstimmfrequenz ändert sich durch das Ändern einer
Abstimmspannung. Zu diesem Zeitpunkt ändert sich gleichzeitig die
Resonanzfrequenz der Parallelresonanzschaltung 7. Jedoch
ist die Resonanzfrequenz so eingestellt, dass sie höher ist
als zum Beispiel die Abstimmfrequenz, um eine Bildfrequenz bezüglich eines
Fernsehsignals eines Niedrigbands zu sein.
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Andererseits
ist, wenn der Schalttransistor 11 eingeschaltet ist, die
Schaltdiode 2f auch eingeschaltet. Die zwei Induktivitätselemente 2b und 2c sind
parallel zueinander geschaltet. Die Bandschaltabstimmschaltung 2 weist
die zwei anderen Induktivitätselemente 2a und 2d und
die erste Varaktordiode 2e auf und ist auf ein Hochfrequenzband
(ein Hochband) eines VHF-Bands abgestimmt. Zu diesem Zeitpunkt nimmt
die Resonanzfrequenz der Parallelresonanzschaltung 7 zu,
da die Induktivitätselemente 2b und 2c parallel
zueinander geschaltet sind. Auch ist die Resonanzfrequenz so eingestellt,
dass sie eine Bildfrequenz bezüglich
eines Fernsehsignals eines Hochbands ist.
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Deshalb
arbeitet die Parallelresonanzschaltung 7 als die Sperrschaltung
für das
Dämpfen
der Bildfrequenz in dem Niedrigband und dem Hochband.
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Die
Spannung der Anoden der zweiten und dritten Varaktordiode 3 und 5 wird
so geschaltet, dass sie zunimmt, wenn der Schalttransistor 11 ausgeschaltet
ist (auf das Fernsehsignal des Niedrigbands eingestellt ist) und
abnimmt, wenn der Schalttransistor 11 eingeschaltet ist.
Deshalb sind, auch wenn eine Abstimmspannung des gleichen Änderungsbereichs ΔV an die
Kathoden der ersten bis dritten Varaktordiode 2e, 3 und 5 angelegt
wird, die Spannungen der Ka thoden der zweiten und dritten Varaktordiode 3 und 5 bezüglich der
Anoden der zweiten und dritten Varaktordiode 3 und 5 niedriger
in einem Fall, in dem der Schalttransistor auf das Fernsehsignal des
Niedrigbands abgestimmt ist, als in einem Fall, in dem der Schalttransistor
auf das Fernsehsignal des Hochbands abgestimmt ist.
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In
anderen Worten wird, wie in 2 dargestellt,
wenn der Schalttransistor auf das Fernsehsignal des Hochbands abgestimmt
ist, die Abstimmspannung im Bereich ΔV von V1 bis V2 angelegt. Andererseits
sinkt, wenn der Transistor auf das Fernsehsignal des Niedrigbands
abgestimmt ist, der gleiche Bereich ΔV der angelegten Abstimmspannung
in den Bereich von V3 bis V4.
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Da
der Kapazitätswert
bezüglich
der Spannung der Varaktordiode schnell zunimmt, wenn die angelegte
Spannung abnimmt, wie in 2 dargestellt, ist die Kapazitätsänderungsbreite ΔC2 (= C3 – C4) in
dem Niedrigband breiter als die Kapazitätsänderungsbreite ΔC1 (= C1 – C2) in
dem Hochband. Deshalb ist der variable Bereich der Resonanzfrequenz
der Parallelresonanzschaltung 7 größer als der herkömmliche
in einem Fall, in dem der Schalttransistor 11 auf das Niedrigband
abgestimmt ist, um die Bildstörung
zu verbessern. Auch kann die Anode der zweiten Varaktordiode 3 direkt
masseverbunden sein. Jedoch nimmt, wenn die Anode der zweiten Varaktordiode
von der Masse getrennt und mit der Anode der dritten Varaktordiode 5 verbunden
wird, der Änderungsbereich
der Parallelresonanzfrequenz bedeutend zu, um folglich die Strommenge
zu reduzieren, wenn die Schaltdiode 2f eingeschaltet ist.
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Wie
oben erwähnt,
wird gemäß der vorliegenden
Erfindung die gemeinsame Abstimmspannung an die Kathoden der ersten
bis dritten Varaktordiode angelegt. Die Vorspannungsspannung der
Anode von wenigstens der dritten Varaktordiode wird in einem Fall,
in dem die Bandschaltabstimmschaltung auf ein Niedrigfrequenzband
geschaltet ist, höher
gemacht als in einem Fall, in dem die Bandschaltabstimmschaltung
auf ein Hochfrequenzband geschaltet ist und die Kapazitätsänderungsbreite
in dem Niedrigband nimmt folglich entsprechend der Abstimmspannung
zu. Deshalb ist der variable Bereich der Resonanzfrequenz der Parallelsperrschaltung
in dem Niedrigband breiter als er in der herkömmlichen Technik ist, um die
Bildstörung
zu verbessern.
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Außerdem ist
gemäß der Eingangsabstimmschaltung
der vorliegenden Erfindung die Bandschaltabstimmschaltung mit einer
Schaltdiode versehen, die eine Anode hat, an die von einer Widerstandsspannungsteilungsschaltung
eine Vor spannungsspannung angelegt wird, wobei die Schaltdiode eingeschaltet
ist, wenn die Bandschaltabstimmschaltung auf das Hochfrequenzband
abgestimmt ist, und ausgeschaltet ist, wenn die Bandschaltabstimmschaltung
auf das Niedrigfrequenzband eingestellt ist, und die Anode der dritten
Varaktordiode mit der Anode der Schaltdiode gleichstrommäßig verbunden
ist. Deshalb wird die Spannung der Anode der dritten Varaktordiode
in dem Niedrigband hoch, um die Änderungsbreite
des Kapazitätswerts zu
erhöhen.
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Da
die Anode der zweiten Varaktordiode mit der dritten Varaktordiode
verbunden ist, ist es auch möglich,
die Strommenge zu reduzieren, wenn die Schaltdiode 2f eingeschaltet
ist.