JPH01240009A - 多バンド同調回路 - Google Patents
多バンド同調回路Info
- Publication number
- JPH01240009A JPH01240009A JP6764888A JP6764888A JPH01240009A JP H01240009 A JPH01240009 A JP H01240009A JP 6764888 A JP6764888 A JP 6764888A JP 6764888 A JP6764888 A JP 6764888A JP H01240009 A JPH01240009 A JP H01240009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- band
- circuit
- capacitor
- diode
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 101100060007 Caenorhabditis elegans mig-22 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、テレビジョン受信機、ビデオテープレコー
ダ等に用いられる多バンド同調回路に関する。
ダ等に用いられる多バンド同調回路に関する。
「従来の技術」
近年、テレビジョン受信機、ビデオテープレコーダ等に
おいては、マルチチャンネルに対応できることが要求さ
れている。例えば、CATV(ケーブルテレビ)を含む
米国チャンネル、CATVを含むヨーロッパチャンネル
および日本のチャンネルの各々を受信できること、CA
TVを含むヨーロッパのチャンネルおよび0IRTチヤ
ンネルを各々受信できること、CATVを含むフランス
のチャンネル、CATVを含むヨーロッパのチャンネル
および0IRTチヤンネルを各々受信できること等が要
求されている。そして、このためには、1つのチューナ
によって複数の受信バンドを受信することが必要となり
、電子同調チューナの受信範囲を拡張する必要が生じて
いる。しから、高汲機志向に応じるため、受信性能につ
いても、標準的な受信範囲を有するチューナと同等以上
の性能が要求される。しかし、これら2つの要求を共に
満足さ仕ることは困錐である。これらの要求を共に満足
させるためには、同調回路を多バンドにすること、1つ
のバンドにおける受信範囲をより広くすること、局部発
振回路の発振周波数の安定度を上げること等が必要とな
る。他方、1つのバンドの受信範囲が必要以上に広いと
好ましくない場合もある。例えば、西ドイツにおいては
、FTZ規洛によってローバンドの下限の受信周波数が
制限されている。
おいては、マルチチャンネルに対応できることが要求さ
れている。例えば、CATV(ケーブルテレビ)を含む
米国チャンネル、CATVを含むヨーロッパチャンネル
および日本のチャンネルの各々を受信できること、CA
TVを含むヨーロッパのチャンネルおよび0IRTチヤ
ンネルを各々受信できること、CATVを含むフランス
のチャンネル、CATVを含むヨーロッパのチャンネル
および0IRTチヤンネルを各々受信できること等が要
求されている。そして、このためには、1つのチューナ
によって複数の受信バンドを受信することが必要となり
、電子同調チューナの受信範囲を拡張する必要が生じて
いる。しから、高汲機志向に応じるため、受信性能につ
いても、標準的な受信範囲を有するチューナと同等以上
の性能が要求される。しかし、これら2つの要求を共に
満足さ仕ることは困錐である。これらの要求を共に満足
させるためには、同調回路を多バンドにすること、1つ
のバンドにおける受信範囲をより広くすること、局部発
振回路の発振周波数の安定度を上げること等が必要とな
る。他方、1つのバンドの受信範囲が必要以上に広いと
好ましくない場合もある。例えば、西ドイツにおいては
、FTZ規洛によってローバンドの下限の受信周波数が
制限されている。
このように、最近のチューナにおいては、第1の受信バ
ンドにおいては受信範囲の拡大が要求され、第2の受信
バンドにおいては受信範囲の縮小が要求されたり、ある
いは、各受信バンドの受信周波数帯域を最適に設定でき
ることが要求されている。しかしながら、従来のチュー
ナにあっては、各バンドの受信範囲あるいは周波数帯域
を任意に設定することが難しいという問題があった。
ンドにおいては受信範囲の拡大が要求され、第2の受信
バンドにおいては受信範囲の縮小が要求されたり、ある
いは、各受信バンドの受信周波数帯域を最適に設定でき
ることが要求されている。しかしながら、従来のチュー
ナにあっては、各バンドの受信範囲あるいは周波数帯域
を任意に設定することが難しいという問題があった。
すなわち、第6図は従来のチューナにおける段間複同調
回路の構成例を示す回路図である。この複同調回路にお
いて、ハイバンドが選択されると、切換スイッチSWの
共通端子Cと端子aとが接続され、十B?i源が端子a
へ印加される。これにより、ダイオードDI、D2が共
に導通状態になり、コイルLlの一端がコンデンサC2
,ダイオードD1、コンデンサC4を介して交流的に接
地され、同様に、コイルL2の一端がコンデンサC3,
ダイオードD2.コンデンサC6を介して交流的に接地
される。この結果、可変容量ダイオードCDIおよびコ
ンデンサCIの合成容量とコイルL1による並列共振回
路、可変容量ダイオードCD2およびコンデンサC7の
合成容量とコイルL2による並列共振回路が各々形成さ
れる。そして、選局操作部SSから出力される正の選局
電圧Vtが変化すると、それに応じて可変容置ダイオー
ドCDI、CD2の容量が変化し、上述した並列共振回
路の共振周波数が変化する。なお、抵抗R1゜R2は直
流バイアス安定用である。また、第7図(イ)に上記ハ
イバンドが選択された場合の第6図の回路の等価回路を
示す。
回路の構成例を示す回路図である。この複同調回路にお
いて、ハイバンドが選択されると、切換スイッチSWの
共通端子Cと端子aとが接続され、十B?i源が端子a
へ印加される。これにより、ダイオードDI、D2が共
に導通状態になり、コイルLlの一端がコンデンサC2
,ダイオードD1、コンデンサC4を介して交流的に接
地され、同様に、コイルL2の一端がコンデンサC3,
ダイオードD2.コンデンサC6を介して交流的に接地
される。この結果、可変容量ダイオードCDIおよびコ
ンデンサCIの合成容量とコイルL1による並列共振回
路、可変容量ダイオードCD2およびコンデンサC7の
合成容量とコイルL2による並列共振回路が各々形成さ
れる。そして、選局操作部SSから出力される正の選局
電圧Vtが変化すると、それに応じて可変容置ダイオー
ドCDI、CD2の容量が変化し、上述した並列共振回
路の共振周波数が変化する。なお、抵抗R1゜R2は直
流バイアス安定用である。また、第7図(イ)に上記ハ
イバンドが選択された場合の第6図の回路の等価回路を
示す。
一方、ローバンドが選択されると、切換スイッチSWの
共通端子Cと端子すとが接続され、+B’!源が端子す
へ印加される。この場合、ダイオードD I 、D 2
が共に非導通状態になる。この結果、コイルL!の一端
がコンデンサC2を介してコイルL3の一端に接続され
、同様に、コイルL2の一端がコンデンサC3を介して
コイルL4の一端に接続される。また、コイルL 3
、L 4の他端は共にコイルL5の一端に接続され、コ
イルL5の他端がコンデンサC5を介して交流的に接地
される。以上の結果、ローバンドが選択された場合の等
価回路は第7図(ロ)のようになり、可変容量ダイオー
ドCDIおよびコンデンサCIの合成容量と、コイルL
1 、L 3 、L 5の合成インダクタンスとによ
り並列共振回路が形成され、また、可変容量ダイオード
CD2およびコンデンサc7の合成容量と、コイルL2
.L4.L5の合成インダクタンスとにより並列共振回
路が形成される。そして、ハイバンドが選択された場合
と同様に、選局操作部SSから出力される正の選局電圧
Vtが変化すると、それに応じて可変容量ダイオードC
DI。
共通端子Cと端子すとが接続され、+B’!源が端子す
へ印加される。この場合、ダイオードD I 、D 2
が共に非導通状態になる。この結果、コイルL!の一端
がコンデンサC2を介してコイルL3の一端に接続され
、同様に、コイルL2の一端がコンデンサC3を介して
コイルL4の一端に接続される。また、コイルL 3
、L 4の他端は共にコイルL5の一端に接続され、コ
イルL5の他端がコンデンサC5を介して交流的に接地
される。以上の結果、ローバンドが選択された場合の等
価回路は第7図(ロ)のようになり、可変容量ダイオー
ドCDIおよびコンデンサCIの合成容量と、コイルL
1 、L 3 、L 5の合成インダクタンスとによ
り並列共振回路が形成され、また、可変容量ダイオード
CD2およびコンデンサc7の合成容量と、コイルL2
.L4.L5の合成インダクタンスとにより並列共振回
路が形成される。そして、ハイバンドが選択された場合
と同様に、選局操作部SSから出力される正の選局電圧
Vtが変化すると、それに応じて可変容量ダイオードC
DI。
CD2の容量が変化し、上述した並列共振回路の共振周
波数が変化する。
波数が変化する。
次に、第7図の等価回路の回路定数の一例を示す。
ハイバンド
Ca 2.31)F 、 Cb 2.
5pFC182pF 、 C7100pFCD
I 2.8〜47pF 、 CD2 2.8〜4
71)FC1+CD1 2.71〜29.9pF、 C
7+CD2 2.72〜32.0pFLl 56n
ll 、 R254nllV t 25.
0〜1.OV 受信周波数範囲 115〜300MHzローバンド Ca 2.9pF 、 Cb 3.0
pFCl 82pF 、 C7100pF
CDI 3.3〜22pF 、 CD2 3.3
〜22pFC1+CD1 3.17〜17.39F、
C7+CD2 3.19〜tg、opFLl+L3+L
5 440nt(、L2+L4+L5 425nH
V t 20.0〜4.OV受信周波数範囲
53〜97MHz 次に、第8図は従来の局部発振回路における同調回路の
構成例を示す回路図である。この同調回路において、ハ
イバンドが選択されると、切換スイッチSWの共通端子
Cと端子aとが接続され、十B電源が端子aへ印加され
る。これにより、ダイオードD3が導通状態になり、コ
イルL6の一端がダイオードD3、コンデンサC9を介
して交流的に接地される。この結果、可変容量ダイオー
ドCD3およびコンデンサCIOの合成容量とコイルL
6による並列共振回路が形成される。そして、選局操作
部SSから出力される正の選局電圧Vtが変化すると、
それに応じて可変容儀ダイオードCD3の容量が変化し
、上述した並列共振回路の共振周波数が変化する。すな
わち、局部発振回路の発振周波数が変化する。なお、抵
抗R4は直流バイアス安定用である。また、第9図(イ
)に上記ハイバンドが選択された場合の第8図の回路の
等価回路を示す。
5pFC182pF 、 C7100pFCD
I 2.8〜47pF 、 CD2 2.8〜4
71)FC1+CD1 2.71〜29.9pF、 C
7+CD2 2.72〜32.0pFLl 56n
ll 、 R254nllV t 25.
0〜1.OV 受信周波数範囲 115〜300MHzローバンド Ca 2.9pF 、 Cb 3.0
pFCl 82pF 、 C7100pF
CDI 3.3〜22pF 、 CD2 3.3
〜22pFC1+CD1 3.17〜17.39F、
C7+CD2 3.19〜tg、opFLl+L3+L
5 440nt(、L2+L4+L5 425nH
V t 20.0〜4.OV受信周波数範囲
53〜97MHz 次に、第8図は従来の局部発振回路における同調回路の
構成例を示す回路図である。この同調回路において、ハ
イバンドが選択されると、切換スイッチSWの共通端子
Cと端子aとが接続され、十B電源が端子aへ印加され
る。これにより、ダイオードD3が導通状態になり、コ
イルL6の一端がダイオードD3、コンデンサC9を介
して交流的に接地される。この結果、可変容量ダイオー
ドCD3およびコンデンサCIOの合成容量とコイルL
6による並列共振回路が形成される。そして、選局操作
部SSから出力される正の選局電圧Vtが変化すると、
それに応じて可変容儀ダイオードCD3の容量が変化し
、上述した並列共振回路の共振周波数が変化する。すな
わち、局部発振回路の発振周波数が変化する。なお、抵
抗R4は直流バイアス安定用である。また、第9図(イ
)に上記ハイバンドが選択された場合の第8図の回路の
等価回路を示す。
一方、ローバンドが選択されると、切換スイツチSWの
共通端子Cと端子すとが接続され、” I3 電源が端
子すへ印加される。この場合、ダイオードD3が非導通
状態になり、コイルL 6に直列接続されたこのコイル
し7の他端がコンデンサCI+を介して交流的に接地さ
れる。この結果、ローバンドが選択された場合の等価回
路は第9図(ロ)のようになり、可変容量ダイオードC
D3およびコンデンサCIOの合成容量とコイルL6.
L7の合成インダクタンスとにより並列共振回路か形成
される。そして、ハイバンドが選択された場合と同様に
、選局操作部S、Sから出力される正の選、陽電圧Vt
が変化すると、それに応じて可変容儀ダイオードCD3
の容量が変化し、上述した412列共振回路の共振周波
数が変化する。
共通端子Cと端子すとが接続され、” I3 電源が端
子すへ印加される。この場合、ダイオードD3が非導通
状態になり、コイルL 6に直列接続されたこのコイル
し7の他端がコンデンサCI+を介して交流的に接地さ
れる。この結果、ローバンドが選択された場合の等価回
路は第9図(ロ)のようになり、可変容量ダイオードC
D3およびコンデンサCIOの合成容量とコイルL6.
L7の合成インダクタンスとにより並列共振回路か形成
される。そして、ハイバンドが選択された場合と同様に
、選局操作部S、Sから出力される正の選、陽電圧Vt
が変化すると、それに応じて可変容儀ダイオードCD3
の容量が変化し、上述した412列共振回路の共振周波
数が変化する。
次に、第9図の等価回路の回路定数の一例を示す。
ハイバンド
Cd 3.0〜14pF
Cl 0 51pF
CD3 2.7〜34pF
C10+CD3 2.56〜20.4pFL6
40nH Vt 25.0〜1.5v 発振周波数範囲 144.15〜333.15MHzロ
ーバンド Ce 3.O〜14pF CI OS!pF CD3 3.3〜34pF C10+CD3 3.10〜20.49FL6−L7
142nll Vt 20.0〜l’、5V 発振周波数範囲 80.15〜136.]5MHz「発
明が解決しようとする課題」 ところで、第6図に示す段間複同調回路にあっては、ハ
イバンド、ローバンドとも受信周波数範囲がコンデンサ
CI、C7の容量によって制限され、このため、一方の
バンドに合わせてコンデンサCI、C7の値を決定する
と、他方のバンドの受信周波数範囲が規定範囲に合わな
くなってしよう。同様に、第8図に示す局部発振回路の
同調回路にあっては、ハイバンド、ローバンドとも発振
周波数範囲がコンデンサCIOの容量によって制限され
、このため、第6図の回路と同様の問題がある。
40nH Vt 25.0〜1.5v 発振周波数範囲 144.15〜333.15MHzロ
ーバンド Ce 3.O〜14pF CI OS!pF CD3 3.3〜34pF C10+CD3 3.10〜20.49FL6−L7
142nll Vt 20.0〜l’、5V 発振周波数範囲 80.15〜136.]5MHz「発
明が解決しようとする課題」 ところで、第6図に示す段間複同調回路にあっては、ハ
イバンド、ローバンドとも受信周波数範囲がコンデンサ
CI、C7の容量によって制限され、このため、一方の
バンドに合わせてコンデンサCI、C7の値を決定する
と、他方のバンドの受信周波数範囲が規定範囲に合わな
くなってしよう。同様に、第8図に示す局部発振回路の
同調回路にあっては、ハイバンド、ローバンドとも発振
周波数範囲がコンデンサCIOの容量によって制限され
、このため、第6図の回路と同様の問題がある。
また、段間複同調回路の同調周波数と局部発振回路の局
部発振周波数との差が、中間周波数に一致せず、選択度
が悪くなるという問題がある。
部発振周波数との差が、中間周波数に一致せず、選択度
が悪くなるという問題がある。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、受信
(発振)周波数範囲をバンド毎に任含に決定することが
できる多バンド同調回路を提供することを目的としてい
る。
(発振)周波数範囲をバンド毎に任含に決定することが
できる多バンド同調回路を提供することを目的としてい
る。
「課題を解決するための手段」
第1発明は、バンド切換手段の切換えに応じてインダク
タンス値が切換えられろ共振用コイルと、一方の電極に
選局用電圧か印加され、他方の電圧にバイアス電圧が印
加される共振用コイルぶダイオードとを具備する多バン
ド同調回路において、前記バイアス電圧が前記バンド切
換手段の切〆Stに応じて切換えられることを特徴とし
ている。
タンス値が切換えられろ共振用コイルと、一方の電極に
選局用電圧か印加され、他方の電圧にバイアス電圧が印
加される共振用コイルぶダイオードとを具備する多バン
ド同調回路において、前記バイアス電圧が前記バンド切
換手段の切〆Stに応じて切換えられることを特徴とし
ている。
また、第2発明は、バンド切換手段の切換えに応じてイ
ンダクタンス値が切換えられる共振用コイルと、選局用
電圧が逆バイアスとして印加される可変容量ダイオード
とを具備する多バンド同調回路において、前記可変容量
ダイオードに直列接続された補正用コンデンサの容量値
が前記バンド切換手段の切換えに応じて切換えられるこ
とを特徴としている。
ンダクタンス値が切換えられる共振用コイルと、選局用
電圧が逆バイアスとして印加される可変容量ダイオード
とを具備する多バンド同調回路において、前記可変容量
ダイオードに直列接続された補正用コンデンサの容量値
が前記バンド切換手段の切換えに応じて切換えられるこ
とを特徴としている。
「作用」
可変容量ダイオードは、選局電圧の変化幅が一定であっ
ても、バイアス電圧が異なると、容量の変化幅が異なる
。そして、第1発明によれば、バンド毎にバイアス電圧
を切換えるので、バンド毎に受信周波数範囲が異なって
設定される。
ても、バイアス電圧が異なると、容量の変化幅が異なる
。そして、第1発明によれば、バンド毎にバイアス電圧
を切換えるので、バンド毎に受信周波数範囲が異なって
設定される。
また、可変容量ダイオードを用いた同調回路は、可変容
量ダイオードに直列接続された補正用コンデンサの容量
に応じて受信周波数範囲が変化する。
量ダイオードに直列接続された補正用コンデンサの容量
に応じて受信周波数範囲が変化する。
そして、第2発明によれば、バンド毎に補正用コンデン
サの容量値を切り換えるので、バンド毎に受信周波数範
囲が異なって設定される。
サの容量値を切り換えるので、バンド毎に受信周波数範
囲が異なって設定される。
「実施例」
以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明す
る。第1図はこの発明の第1の実施例の構成を示す回路
図である。この図に示す回路は、テレビジジン受信機の
チューナにおける股間同調回路であり、この回路が第6
図に示すものと異なる点は、回路TKIおよびTK2が
追加されている点である。ここで、回路TKIは、カソ
ードが可変容量ダイオードCDIのアノードに接続され
たスイッチダイオードD5と、このスイッチダイオード
D5のアノードおよび切換スイッチSWの端子すとの間
に介挿された抵抗R6と、スイッチダイオードD5のア
ノードおよび接地間に介挿されたコンデンサC14とか
ら構成されている。また、回路TK2は、カソードが可
変容量ダイオードCD2のアノードに接続されたスイッ
チダイオードD6と、このスイッチダイオードD6のア
ノードおよび切換スイッチSWの端子すとの間に介挿さ
れた抵抗R7と、スイッチダイオードD6のアノードお
よび接地間に介挿されたコンデンサCI5とから構成さ
れている。
る。第1図はこの発明の第1の実施例の構成を示す回路
図である。この図に示す回路は、テレビジジン受信機の
チューナにおける股間同調回路であり、この回路が第6
図に示すものと異なる点は、回路TKIおよびTK2が
追加されている点である。ここで、回路TKIは、カソ
ードが可変容量ダイオードCDIのアノードに接続され
たスイッチダイオードD5と、このスイッチダイオード
D5のアノードおよび切換スイッチSWの端子すとの間
に介挿された抵抗R6と、スイッチダイオードD5のア
ノードおよび接地間に介挿されたコンデンサC14とか
ら構成されている。また、回路TK2は、カソードが可
変容量ダイオードCD2のアノードに接続されたスイッ
チダイオードD6と、このスイッチダイオードD6のア
ノードおよび切換スイッチSWの端子すとの間に介挿さ
れた抵抗R7と、スイッチダイオードD6のアノードお
よび接地間に介挿されたコンデンサCI5とから構成さ
れている。
次に、第1図の回路の動作を説明する。まず、切換スイ
ッチSWによってハイバンドが選択された場合は、スイ
ッチダイオードD 5 、D 6が共にカットオフ状態
となり、したがって、この場合の動作は第6図の場合と
全く同じになる。すなわち、各共振回路の受信周波数範
囲はコンデンサCI。
ッチSWによってハイバンドが選択された場合は、スイ
ッチダイオードD 5 、D 6が共にカットオフ状態
となり、したがって、この場合の動作は第6図の場合と
全く同じになる。すなわち、各共振回路の受信周波数範
囲はコンデンサCI。
C7の容量によって制限され、また、可変容量ダイオー
ドCDI、CD2の各アノードの直流バイアスはOとな
る。次に、切換スイッチSwによってローバンドが選択
された場合は、抵抗R6を介してスイッチダイオードD
5のアノードに、また、抵抗R7を介してスイッチダイ
オードD6のアノードに各々十B電源が印加され、これ
により、スイッチダイオードD 5 、D 6が共に導
通状態になる。この結果、コンデンサCtに並列にコン
デンサC14が、また、コンデンサc7に並列にコンデ
ンサC15が各々接続される。また、可変容量ダイオー
ドCDIのアノードに、+B?!!圧を抵抗R6および
R1によって分圧した電圧が、また、可変容量ダイオー
ドCD2のアノードに、+BT!i圧を抵抗R7および
R2によって分圧した電圧が各々バイアス電圧として印
加される。
ドCDI、CD2の各アノードの直流バイアスはOとな
る。次に、切換スイッチSwによってローバンドが選択
された場合は、抵抗R6を介してスイッチダイオードD
5のアノードに、また、抵抗R7を介してスイッチダイ
オードD6のアノードに各々十B電源が印加され、これ
により、スイッチダイオードD 5 、D 6が共に導
通状態になる。この結果、コンデンサCtに並列にコン
デンサC14が、また、コンデンサc7に並列にコンデ
ンサC15が各々接続される。また、可変容量ダイオー
ドCDIのアノードに、+B?!!圧を抵抗R6および
R1によって分圧した電圧が、また、可変容量ダイオー
ドCD2のアノードに、+BT!i圧を抵抗R7および
R2によって分圧した電圧が各々バイアス電圧として印
加される。
第2図に、ハイバンドが選択された場合およびローバン
ドが選択された場合における第1図の回路の等価回路を
示す。ハイバンドの場合の等価回路は第7図(イ)の回
路と同じである。
ドが選択された場合における第1図の回路の等価回路を
示す。ハイバンドの場合の等価回路は第7図(イ)の回
路と同じである。
また、第2図の等価回路の回路定数および特性の一例を
次に示す。
次に示す。
ハイバンド
Ca 2.3pF 、 Cb 2.5
pFC182pF 、 C7100pFCDI
2.8〜479F 、 CD2 2.8〜47
pFC1+CD1 2.71〜29.9pF、 C7+
CD2 2.72〜32.0pFLl 56
nH、R254nHV t 25.0〜1.OV 受信周波数範囲 115〜300MHzローバンド Ca 2.9pF 、 Cb 3.O
pFC182ρF 、 C7100p
FG 1 4 120pF 、 C
I 5 1.20pFCDI 3.6〜35p
l’ 、 CD2 3.6〜35PFC1+
、C14−CDI 3.54〜29.8pF。
pFC182pF 、 C7100pFCDI
2.8〜479F 、 CD2 2.8〜47
pFC1+CD1 2.71〜29.9pF、 C7+
CD2 2.72〜32.0pFLl 56
nH、R254nHV t 25.0〜1.OV 受信周波数範囲 115〜300MHzローバンド Ca 2.9pF 、 Cb 3.O
pFC182ρF 、 C7100p
FG 1 4 120pF 、 C
I 5 1.20pFCDI 3.6〜35p
l’ 、 CD2 3.6〜35PFC1+
、C14−CDI 3.54〜29.8pF。
C7+C15+CD2 3.54〜3Q、2pFLl+
L3+L5 420nH、L2+L4+L5 40
0nllvt 20.0〜4.0■ V I 、V 2 2.OV受信周波数範
囲 44〜97MHz 注1:Vl、V2Li可変容量ダイオードCDI。
L3+L5 420nH、L2+L4+L5 40
0nllvt 20.0〜4.0■ V I 、V 2 2.OV受信周波数範
囲 44〜97MHz 注1:Vl、V2Li可変容量ダイオードCDI。
CD2のアノードバイアス電圧
上述したことから明らかなように、この実施例において
は、ハイバンドの受信周波数範囲に応じてコンデンサC
1、C7の容1を決め、また、ローバンドの受信周波数
範囲を、コンデンサC14゜C15の容量および抵抗r
16.R7の値を選ぶことによって所定の範囲に決める
ことができる。
は、ハイバンドの受信周波数範囲に応じてコンデンサC
1、C7の容1を決め、また、ローバンドの受信周波数
範囲を、コンデンサC14゜C15の容量および抵抗r
16.R7の値を選ぶことによって所定の範囲に決める
ことができる。
ここで、抵抗R6、R7の値によって、言い替えれば、
可変容量ダイオードCDI、CD2の各アノードバイア
ス電圧によって、受信周波数範囲が変化する理由を説明
する。まず、可変容量ダイオードのアノード−カソード
間に印加する逆電圧と可変容1ダイオードの容量値との
関係の一例を第3図に示す。いま、選局電圧Vtの変化
範囲が4V〜20Vであるとする。この場合、可変容量
ダイオードのアノードバイアス電圧が0であった場合は
、可変容量ダイオードに印加される逆電圧の変化範囲も
4■〜20Vになる。この場合、図に失踪Y1で示すよ
うに、可変容1ダイオードの容量変化幅は3.3〜22
9Fになる。これに対し、可変容量ダイオードのアノー
ドバイアス電圧M 2 Vであった場合は、逆電圧の変
化範囲が2V〜+8Vになり、この場合、可変容1ダイ
オードの容1変化幅は3.6〜35pFになる(失踪Y
2)。
可変容量ダイオードCDI、CD2の各アノードバイア
ス電圧によって、受信周波数範囲が変化する理由を説明
する。まず、可変容量ダイオードのアノード−カソード
間に印加する逆電圧と可変容1ダイオードの容量値との
関係の一例を第3図に示す。いま、選局電圧Vtの変化
範囲が4V〜20Vであるとする。この場合、可変容量
ダイオードのアノードバイアス電圧が0であった場合は
、可変容量ダイオードに印加される逆電圧の変化範囲も
4■〜20Vになる。この場合、図に失踪Y1で示すよ
うに、可変容1ダイオードの容量変化幅は3.3〜22
9Fになる。これに対し、可変容量ダイオードのアノー
ドバイアス電圧M 2 Vであった場合は、逆電圧の変
化範囲が2V〜+8Vになり、この場合、可変容1ダイ
オードの容1変化幅は3.6〜35pFになる(失踪Y
2)。
このように、可変容量ダイオードのアノードバイアス電
圧によってその容量変化幅が異なり、したがって、アノ
ードバイアス電圧によって受信周波数範囲を変えること
ができる。
圧によってその容量変化幅が異なり、したがって、アノ
ードバイアス電圧によって受信周波数範囲を変えること
ができる。
次に、第4図はこの発明の第2の実施例の構成を示す回
路図である。この図に示す回路は、テレビジョン受信機
の局部発振回路の同調回路であり、この回路が第8図に
示すものと異なる点は、回路TK3が追加されている点
である。ここで、回路TK3は、一端が可変容1ダイオ
ードCD3のカソードに接続されたコンデンサC17と
このコンデンサC17の他端および切換スイッチSWの
端子aとの間に介挿された抵抗R9と、コンデンサC1
7の他端にそのアノードが接続され、そのカソードがコ
イルL6.L7の接続点に接続されたスイッチダイオー
ドD8とから構成されている。
路図である。この図に示す回路は、テレビジョン受信機
の局部発振回路の同調回路であり、この回路が第8図に
示すものと異なる点は、回路TK3が追加されている点
である。ここで、回路TK3は、一端が可変容1ダイオ
ードCD3のカソードに接続されたコンデンサC17と
このコンデンサC17の他端および切換スイッチSWの
端子aとの間に介挿された抵抗R9と、コンデンサC1
7の他端にそのアノードが接続され、そのカソードがコ
イルL6.L7の接続点に接続されたスイッチダイオー
ドD8とから構成されている。
次に、この第2の実施例の動作を説明する。まず、切換
スイッチSWによってハイバンドが選択された場合は、
スイッチダイオードD 3 、D 8が共に導通状態に
なる。この結果、コンデンサCt7の他端がスイッチダ
イオードD 8 、D 3およびコンデンサC9を介し
て交流的に接地され、これにより、コンデンサC1gに
並列にコンデンサC17が接続される。一方、切換スイ
ッチSWによってローバンドが選択された場合は、スイ
ッチダイオードD 3 、D 8が非導通状態になる。
スイッチSWによってハイバンドが選択された場合は、
スイッチダイオードD 3 、D 8が共に導通状態に
なる。この結果、コンデンサCt7の他端がスイッチダ
イオードD 8 、D 3およびコンデンサC9を介し
て交流的に接地され、これにより、コンデンサC1gに
並列にコンデンサC17が接続される。一方、切換スイ
ッチSWによってローバンドが選択された場合は、スイ
ッチダイオードD 3 、D 8が非導通状態になる。
第5図にハイバンドが選択された場合およびローバンド
が選択された場合の第4図の回路の等価回路を示す。ロ
ーバンドの場合の等価回路は勿論第9図(ロ)の等価回
路と同じである。
が選択された場合の第4図の回路の等価回路を示す。ロ
ーバンドの場合の等価回路は勿論第9図(ロ)の等価回
路と同じである。
また、第5図の等価回路の回路定数および特性の一例を
次に示す。
次に示す。
ハイバンド
Cd 3.0〜14pF
CI 8 12pF
Cl 7 39pF
CD3 2.7〜341)F
C18+C17+CD3 2.54〜20 、4pFL
6 4QnH V t 25.0〜1.5V 発振周波数範囲 144.15〜333.15Ml1z
ローバンド Cc 3.0〜14pF CI 8 12pF CD3 3.3〜34pF C18+CD32.59〜8.879FL6+L7
150nH V t 20.(1−1,5V発振周波数範
囲 87.15〜136.15MHz上述したことから
明らかなように、この実施例においては、ローバンドの
発振周波数範囲をコンデンサCI8の容量値を選ぶこと
によって所定の範囲に決め、また、ハイバンドの受信周
波数範囲をコンデンサCI7の容量値を選ぶことによっ
て所定の範囲に決めることができる。
6 4QnH V t 25.0〜1.5V 発振周波数範囲 144.15〜333.15Ml1z
ローバンド Cc 3.0〜14pF CI 8 12pF CD3 3.3〜34pF C18+CD32.59〜8.879FL6+L7
150nH V t 20.(1−1,5V発振周波数範
囲 87.15〜136.15MHz上述したことから
明らかなように、この実施例においては、ローバンドの
発振周波数範囲をコンデンサCI8の容量値を選ぶこと
によって所定の範囲に決め、また、ハイバンドの受信周
波数範囲をコンデンサCI7の容量値を選ぶことによっ
て所定の範囲に決めることができる。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明によれば、受信周波数範
囲あるいは発振周波数範囲を、バンド毎に広狭いずれに
も任意に設定することができる効果が得られる。そのた
め、それぞれのバンドにおいて最適な条件で共振回路の
各定数を設定することが可能であり、この発明を局部発
振回路に適用した場合には、回路定数の設定に無理をす
る必要がなく、発振回路の安定度を悪化させる(接地コ
ンデンサの容量不足による発振停止、寄生共振回路の影
響による周波数ずれ等)ことがなくなる。
囲あるいは発振周波数範囲を、バンド毎に広狭いずれに
も任意に設定することができる効果が得られる。そのた
め、それぞれのバンドにおいて最適な条件で共振回路の
各定数を設定することが可能であり、この発明を局部発
振回路に適用した場合には、回路定数の設定に無理をす
る必要がなく、発振回路の安定度を悪化させる(接地コ
ンデンサの容量不足による発振停止、寄生共振回路の影
響による周波数ずれ等)ことがなくなる。
また、この発明を段間複同調回路に適用した場合には、
同調回路の同調周波数と局部発振回路の発振周波数との
関係がずれることがなくなり、選択特性が悪化すること
がなく、受信性能、妨害排除能力に優れた同調回路を実
現することができる。
同調回路の同調周波数と局部発振回路の発振周波数との
関係がずれることがなくなり、選択特性が悪化すること
がなく、受信性能、妨害排除能力に優れた同調回路を実
現することができる。
第1図はこの発明の第1の実施例の構成を示す回路図、
第2図は同実施例の等価回路図、第3図は同実施例の効
果を説明するための図、第4図はこの発明の第2の実施
例の構成を示す回路図、第5図は同実施例の等価回路図
、第6図は従来の曳同調回路の構成例を示す回路図、第
7図は同複同調回路の等価回路図、第8図は従来の局部
発振回路の同調回路の構成を示す回路図、第9図はその
等価回路図である。 Ll−L7・・・・・・共振用コイル、CDI−CDa
中・・・可変容量ダイオード、SW・・・・・・切換ス
イッチ、R6、R7・・・・・・抵抗、CI4.C15
,C17・・・・・・コンデンサ。
第2図は同実施例の等価回路図、第3図は同実施例の効
果を説明するための図、第4図はこの発明の第2の実施
例の構成を示す回路図、第5図は同実施例の等価回路図
、第6図は従来の曳同調回路の構成例を示す回路図、第
7図は同複同調回路の等価回路図、第8図は従来の局部
発振回路の同調回路の構成を示す回路図、第9図はその
等価回路図である。 Ll−L7・・・・・・共振用コイル、CDI−CDa
中・・・可変容量ダイオード、SW・・・・・・切換ス
イッチ、R6、R7・・・・・・抵抗、CI4.C15
,C17・・・・・・コンデンサ。
Claims (2)
- (1)バンド切換手段の切換えに応じてインダクタンス
値が切換えられる共振用コイルと、一方の電極に選局用
電圧が印加され、他方の電極にバイアス電圧が印加され
る共振用可変容量ダイオードとを具備する多バンド同調
回路において、前記バイアス電圧が前記バンド切換手段
の切換えに応じて切換えられることを特徴とする多バン
ド同調回路。 - (2)バンド切換手段の切換えに応じてインダクタンス
値が切換えられる共振用コイルと、選局用電圧が逆バイ
アスとして印加される可変容量ダイオードとを具備する
多バンド同調回路において、前記可変容量ダイオードに
直列接続された補正用コンデンサの容量値が前記バンド
切換手段の切換えに応じて切換えられることを特徴とす
る多バンド同調回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6764888A JPH01240009A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 多バンド同調回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6764888A JPH01240009A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 多バンド同調回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01240009A true JPH01240009A (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=13351052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6764888A Pending JPH01240009A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 多バンド同調回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01240009A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0419023U (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-18 | ||
US6226503B1 (en) | 1998-01-12 | 2001-05-01 | Alps Electric Co., Ltd. | Double-tuned circuit |
WO2007135821A1 (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 整合器およびアンテナ整合回路 |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP6764888A patent/JPH01240009A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0419023U (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-18 | ||
US6226503B1 (en) | 1998-01-12 | 2001-05-01 | Alps Electric Co., Ltd. | Double-tuned circuit |
WO2007135821A1 (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 整合器およびアンテナ整合回路 |
US7812781B2 (en) | 2006-05-19 | 2010-10-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Matching device and antenna matching circuit |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01240009A (ja) | 多バンド同調回路 | |
JP3600075B2 (ja) | テレビジョンチューナ | |
JPS63141416A (ja) | 同調装置 | |
GB2240227A (en) | Local oscillation circuit for band switching | |
US6665022B1 (en) | Input circuit of TV tuner | |
US4628540A (en) | Tuning arrangement having a substantially constant frequency difference between an RF-circuit and an oscillator circuit | |
GB2312345A (en) | Tuner and image trap circuit for TV with common frequency control | |
EP1104103B1 (en) | Switchable band filter | |
JP3529644B2 (ja) | デジタル放送受信装置のチューナ回路 | |
JP3097064U (ja) | 入力同調回路 | |
US6486757B2 (en) | Double-tuned circuit of tuner featuring restrained degradation of selectivity | |
JPS62283Y2 (ja) | ||
JPS5970026A (ja) | 発振回路 | |
JPH11220362A (ja) | テレビジョンチュ−ナ | |
KR100406353B1 (ko) | 텔레비전 튜너의 입력동조 스위칭회로 | |
US7363015B2 (en) | Wide-frequency-range television tuner | |
EP0961407B1 (en) | Television tuner | |
JPH066634Y2 (ja) | 局部発振用同調回路 | |
JP3050884B2 (ja) | 電子チューナの入力回路 | |
JP3050883B2 (ja) | 電子チューナ | |
JPH0210684Y2 (ja) | ||
JPH04584Y2 (ja) | ||
KR820000767B1 (ko) | 디지탈 선국장치 | |
JPH033002Y2 (ja) | ||
JP2523840B2 (ja) | Vhf2バンド入力回路 |