JP3095332U - バンド切替型同調回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スイッチダイオードのオン時の順電流とオフ
時の逆方向電圧とを共に大きくして、同調回路の損失を
少なくすると共に、同調周波数の可変範囲を広げる。 【解決手段】 互いに直列に接続された複数のインダク
タンス素子２〜５と、直列接続されたインダクタンス素
子２〜５と共に並列同調回路を構成する第一のバラクタ
ダイオード６と、インダクタンス素子の一つ以上３、４
に対して並列接続されたスイッチダイオード７とを備
え、スイッチダイオード７を、そのカソードをグランド
又は電源Ｂに接続することによってオン又はオフに切り
替え、アノードにはオフ時よりもオン時に高いバイアス
電圧を印加した。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【考案の属する技術分野】

本考案は、例えばＶＨＦ帯のハイバンドまたはローバンドに同調するように切 り替えられるバンド切替型の同調回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】

図７はＶＨＦ帯用の従来のバンド切替型同調回路をＵＨＦ帯用の同調回路と共 に示す。

【０００３】 先ず、バンド切替型同調回路（同調回路と略称する）５５は互いに直列接続さ れたインダクタンス素子５１乃至５４と、これらと共に並列同調回路を構成する バラクタダイオード５５と、中間に接続されている二つのインダクタンス素子５ ２、５３に跨って並列に接続された第一のスイッチダイオード５６とから構成さ れる。

【０００４】 第一のスイッチダイオード５６のカソードと電源Ｂとの間にはカソードに接続 された第一の抵抗５７と電源Ｂに接続された第二の抵抗５８とが直列に接続され る。そして、第一の抵抗５７と第二の抵抗５８との接続点にはＮＰＮトランジス タ５９のコレクタが接続され、そのエミッタは接地される。ベースにはこのトラ ンジスタ５９をオン又はオフに切り替えるための切替電圧Ｓが印加される。また 、アノードは第三の抵抗６０によってグランドに接続されると共に、第四の抵抗 ６１によって電源Ｂに接続される。

【０００５】 上記のバンド切替型の同調回路５０では、二つのインダクタンス素子５２、５ ３の相互の接続点が入力端６２に接続される。また、インダクタンス素子５４と バラクタダイオード５５との接続点が同調回路としての出力端となるが、この出 力端と次段のＶＨＦ高周波増幅器６３とが結合用のバラクタダイオード６４によ って接続される。バラクタダイオード６４のアノードは直流的に接地される。そ して、二つのバラクタダイオード５５、６４のカソードに同調電圧Ｖｔが印加さ れる。

【０００６】 一方、入力端５７には第二のスイッチダイオード６４を介してＵＨＦ帯用の同 調回路６５が結合される。第二のスイッチダイオード６４のカソードは第五の抵 抗６６を介してトランジスタ５９のコレクタに接続され、アノードはインダクタ ンス素子５２、５１を介して第三の抵抗６０と第四の抵抗６１との接続点に接続 される。ＵＨＦ帯用の同調回路６５内のバラクタダイオード６５ａには同調電圧 Ｖｔが印加される。ＵＨＦ態様の同調回路６５の次段にはＵＨＦ高周波増幅器６ ７が接続される。

【０００７】 以上の構成において、ＶＨＦ帯のハイバンドのテレビジョン信号を受信すると き又はＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するときには、切替信号Ｓによってト ランジスタ５９をオンにする。すると、第一のスイッチダイオード５６がオンし て二つのインダクタンス素子５２、５３が同調回路５０から除外される。よって 、同調回路５０はハイバンドに同調する。このとき、第二のスイッチダイオード ６４もオンする。二つのスイッチダイオード５６、６４が共にオンしたときの直 流回路は図８に示される。

【０００８】 また、ＶＨＦ帯のローバンドのテレビジョン信号を受信するときにはトランジ スタ５９をオフとすることで二つのスイッチダイオード５６、６４をオフとする 。二つのスイッチダイオード５６、６４が共にオフしたときの直流回路は図９に 示される。

【０００９】

【考案が解決しようとする課題】

オン又はオフに切り替えられるスイッチダイオードにおいては、一般にはオン 時の順方向電流が大きく、オフ時の逆方向電圧が大きいのが望ましい。しかし、 上記の二つのスイッチダイオード５６、６４に対する直流回路は図８、９に示さ れるように、いずれの場合もアノードには第三の抵抗６０と第四の抵抗６１とに よる分圧電圧が印加されているので、オン時の順方向伝を大きくし、しかもオフ 時の逆方向電圧を大きくすることは両立しない。そのため、オン時の等価的な抵 抗が大きく、オフ時の内部容量も大きくなって、同調回路の挿入損失を増大した り、同調周波数の可変範囲を狭めるという問題がある。

【００１０】 この考案では、スイッチダイオードのオン時の順電流とオフ時の逆方向電圧と を共に大きくして、同調回路の損失を少なくすると共に、同調周波数の可変範囲 を広げることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】

そのために、本考案では、互いに直列に接続された複数のインダクタンス素子 と、前記直列接続されたインダクタンス素子と共に並列同調回路を構成する第一 のバラクタダイオードと、前記インダクタンス素子の一つ以上に対して並列接続 されたスイッチダイオードとを備え、前記スイッチダイオードを、そのカソード をグランド又は電源に接続することによってオン又はオフに切り替え、アノード にはオフ時よりもオン時に高いバイアス電圧を印加した。

【００１２】 また、前記スイッチダイオードのカソードと電源との間にはカソードに接続さ れた第一の抵抗と電源に接続された第二の抵抗とを直列に接続すると共に、前記 第一の抵抗と前記第二の抵抗との接続点とグランドとの間に第一の開閉手段を接 続し、アノードを第三の抵抗を介して接地すると共に、アノードと前記第三の抵 抗との接続点と電源との間には第四の抵抗と第二の開閉手段とを直列に接続し、 前記第一の開閉手段と前記第二の開閉手段とを共にオン又はオフに切り替えた。

【００１３】 また、前記第一の開閉手段をＮＰＮトランジスタで構成すると共に、前記第二 の開閉手段をＰＮＰトランジスタで構成し、前記ＮＰＮトランジスタのエミッタ を接地すると共に、コレクタを前記第一の抵抗と前記第二の抵抗との接続点に接 続し、前記ＰＮＰトランジスタのエミッタを電源に接続すると共に、コレクタを 前記第四の抵抗に接続し、前記ＮＰＮトランジスタのコレクタを前記ＰＮＰトラ ンジスタのベースに接続して前記ＮＰＮトランジスタのベースにハイ又はローの 切替電圧を印加した。

【００１４】 また、前記並列同調回路と前記並列同調回路の次段に設けられた高周波増幅器 とを相互に結合する第二のバラクタダイオードを設け、前記第一及び第二のバラ クタダイオードの各カソードには同調周波数設定用の同調電圧を印加し、直列接 続された前記第四の抵抗及び前記第二の開閉手段に第五の抵抗を並列接続し、前 記第一のバラクタダイオードのアノードを接地し、前記第三の抵抗と前記第四の 抵抗と前記第五の抵抗との接続点の電圧を前記第二のバラクタダイオードのアノ ードに印加した。

【００１５】

【考案の実施の形態】

図１はＶＨＦ帯用の従来のバンド切替型同調回路をＵＨＦ帯用の同調回路と共 に示しており、バンド切替型同調回路（単に同調回路と略す）１は互いに直列接 続された四つのインダクタンス素子２乃至５と、これらと共に並列同調回路を構 成する第一のバラクタダイオード６と、一つ以上のインダクタンス素子、例えば 中間に接続されている二つのインダクタンス素子３、４に跨ってこれらに並列に 接続された第一のスイッチダイオード７とから構成される。

【００１６】 第一のスイッチダイオード７のカソードと電源Ｂとの間にはカソードに接続さ れた第一の抵抗８と電源Ｂに接続された第二の抵抗９とが直列に接続される。そ して、第一の抵抗８と第二の抵抗９との接続点とグランドとの間には第一の開閉 手段１０が接続される。第一の開閉手段１０はＮＰＮトランジスタで構成され、 そのコレクタが第一の抵抗８と第二の抵抗９との接続点に接続され、エミッタは 接地される。ベースにはこの開閉手段１０をオン又はオフに切り替えるための切 替電圧Ｓが印加される。

【００１７】 また、第一のスイッチダイオード７のアノードはインダクタンス素子４、３、 ２を間に介挿した第三の抵抗１１によってグランドに接続され、インダクタンス 素子２と第三の抵抗１１との接続点と電源Ｂとの間には第三の抵抗１１に接続さ れた第四の抵抗１２と電源Ｂに接続された第二の開閉手段１３とが直列に接続さ れる。第二の開閉手段１３はＰＮＰトランジスタで構成され、そのエミッタが電 源Ｂに接続され、コレクタは第四の抵抗１２に接続される。また、ベースは第一 の抵抗８と第二の抵抗９と第一の開閉手段１０との接続点に接続される。

【００１８】 上記のバンド切替型の同調回路１では、二つのインダクタンス素子３、４の相 互の接続点が入力端１４に接続される。また、インダクタンス素子５と第一のバ ラクタダイオード６との接続点が出力端となるが、第一のバラクタダイオード６ はアノードが接地される。そして、この出力端と次段のＶＨＦ高周波増幅器１５ とが結合用の第二のバラクタダイオード１６によって接続される。第二のバラク タダイオード１６のアノードは直流的に接地される。そして、二つのバラクタダ イオード６、１６のカソードに同調電圧Ｖｔが印加される。

【００１９】 一方、入力端１４には第二のスイッチダイオード１７を介してＵＨＦ帯用の同 調回路１８が結合される。第二のスイッチダイオード１７のカソードは第六の抵 抗１９を介して第一の抵抗８と第二の抵抗９と第一の開閉手段１０との相互の接 続点に接続される。また、アノードはインダクタンス素子３、２を介して第三の 抵抗１１と第四の抵抗１２との接続点に接続される。第二のスイッチダイオード １７のカソードとＵＨＦ帯用の同調回路１８とはインダクタンス素子２０、と容 量素子２１との直列接続回路で結合される。

【００２０】 ＵＨＦ帯用の同調回路１８はインダクタンス素子２２と第三のバラクタダイオ ード２３と第四のバラクタダイオード２４とによるπ型回路で構成され、インダ クタンス素子２２と第三のバラクタダイオード２３との接続点が入力端となり、 二つのバラクタダイオード２３、２４の相互の接続点が出力端となる。これらの バラクタダイオード２３、２４のアノードも直流的には接地され、カソードのは 同調電圧Ｖｔが印加される。二つのバラクタダイオード２３、２４の接続点であ る出力端にはＵＨＦ高周波増幅器２５が接続される。

【００２１】 以上の構成において、ＶＨＦ帯のハイバンドのテレビジョン信号を受信すると き又はＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するときには、切替信号Ｓによって第 一の開閉手段１０をオンにすると、第二の開閉手段１３もオンとなり、第一のス イッチダイオード７がオンする。よって、二つのインダクタンス素子３、４が同 調回路１から除外されて同調回路１はハイバンドに同調する。このとき、第二の スイッチダイオード１７もオンする。

【００２２】 二つのスイッチダイオード７、１７が共にオンしたときの直流回路は図２に示 されるように、第三の抵抗１１と第四の抵抗１２との接続点に現れる分圧電圧が 二つのスイッチダイオード７、１７のアノードにバイアス電圧として印加され、 それらのカソードがそれぞれ第一の抵抗８、第六の抵抗１９によってグランドに 接続される。よって、分圧電圧を大きくしておけば（第三の抵抗１１の抵抗値よ りも第四の抵抗１２の抵抗値をかなり小さくする）二つのスイッチダイオード７ 、１７に流れる順方向電流を大きくすることができる。

【００２３】 また、ＶＨＦ帯のローバンドのテレビジョン信号を受信するときには第一の開 閉手段１０をオフとすることで第二の開閉手段もオフとなり、二つのスイッチダ イオード７、１７がオフとなる。二つのスイッチダイオード７、１７が共にオフ したときの直流回路は図３に示されように、二つのスイッチダイオード７、１７ のカソードには第二の抵抗９を介して電源Ｂから電圧が印加され、アノードは第 三の抵抗１１を介して接地されるのでバイアス電圧は０となり、第一乃至第三の 抵抗８、９、１１と第六の抵抗１９の抵抗値の如何に関わらず最大の電圧が逆方 向に印加される。

【００２４】 図４は同調回路１とＶＨＦ高周波増幅器５とを結合する第二のバラクタダイオ ード１６の容量値をハイバンドとローバンドとにおいて異なるように補正するた めのものである。図４の構成が図１のそれと異なるところは第四の抵抗１２と第 二の開閉手段１３とに跨って第五の抵抗２６が並列に接続されている点と、第三 の抵抗１１と第四の抵抗１２と第五の抵抗２６との接続点（Ａ点）の電圧が第二 のバラクタダイオード１６のアノードに印加されている点である。

【００２５】 図４の構成において、第一及び第二のスイッチダイオード７、１７がオンとな ったときの直流回路は図５に示されるように、第四の抵抗１２に第五の抵抗２６ が並列接続される。この場合においては、第五の抵抗２６の抵抗値を第三の抵抗 １１の抵抗値よりもかなり大きくしておいても、第四の抵抗１２の抵抗値を第三 の抵抗１１の抵抗値よりもかなり小さくしておけば、Ａ点の分圧電圧（バイアス 電圧）が大きくなるので二つのスイッチダイオード７、１７には大きな順方向電 流を流せる。

【００２６】 一方、二つのスイッチダイオード７、１７がオフとなったときの直流回路は図 ６に示されるように、二つのスイッチダイオード７、１７のカソードには第二の 抵抗９を介して電源Ｂから電圧が印加され、アノードには第三の抵抗１１と第五 の抵抗２６との接続点Ａに現れる分圧電圧が印加される。そして、第三の抵抗１ １の抵抗値に対して第五の抵抗２６の抵抗値をかなり大きくすることができるの でＡ点のバイアス電圧を低くすることができ、二つのスイッチダイオード７、１ ７には大きな逆方向電圧を印加できる。

【００２７】 ところで、図５はハイバンドのテレビジョン信号の受信時の直流回路であり、 図６はローバンドのテレビジョン信号の受信時の直流回路であるが、図５におけ るＡ点の電圧と図６におけるＡ点の電圧とを比較すると、図５におけるＡ点の電 圧が図６におけるＡ点の電圧よりも高い。Ａ点の電圧は第二のバラクタダイオー ド１６のアノードに印加されるので、第二のバラクタダイオード１６のカソード にはいずれのバンドにおいても電圧が印加され、しかもハイバンドのテレビジョ ン信号の受信時に高くなり、ローバンドのテレビジョン信号の受信時に低くなる 。此にともなってＶＨＦ増幅器１５に対する結合容量値はハイバンドで大きくな り、ローバンドで小さくなるので、いずれのバンドでも周波数に対応して適正な 容量値とすることができる。

【００２８】

【考案の効果】

以上説明したように、互いに直列に接続された複数のインダクタンス素子と、 直列接続されたインダクタンス素子と共に並列同調回路を構成する第一のバラク タダイオードと、インダクタンス素子の一つ以上に対して並列接続されたスイッ チダイオードとを備え、スイッチダイオードを、そのカソードをグランド又は電 源に接続することによってオン又はオフに切り替え、アノードにはオフ時よりも オン時に高いバイアス電圧を印加したので、オン時の等価的な抵抗値を小さくし 、オフ時の等価的な内部容量値も小さくできる。よって、同調回路の挿入損失を 少なく押さえることができると共に、同調周波数の可変範囲を拡大できる。

【００２９】 また、スイッチダイオードのカソードと電源との間にはカソードに接続された 第一の抵抗と電源に接続された第二の抵抗とを直列に接続すると共に、第一の抵 抗と第二の抵抗との接続点とグランドとの間に第一の開閉手段を接続し、アノー ドを第三の抵抗を介して接地すると共に、アノードと第三の抵抗との接続点と電 源との間には第四の抵抗と第二の開閉手段とを直列に接続し、第一の開閉手段と 第二の開閉手段とを共にオン又はオフに切り替えたので、二つの開閉手段をオン にしたときにはスイッチダイオードのカソードをグランドに接続してオンとして アノードのバイアス電圧を高くし、二つの開閉手段をオフにしたときにはスイッ チダイオードのカソードを電源に接続してオフとしてアノードのバイアス電圧を 低くすることができる。

【００３０】 また、第一の開閉手段をＮＰＮトランジスタで構成すると共に、第二の開閉手 段をＰＮＰトランジスタで構成し、ＮＰＮトランジスタのエミッタを接地すると 共に、コレクタを第一の抵抗と第二の抵抗との接続点に接続し、ＰＮＰトランジ スタのエミッタを電源に接続すると共に、コレクタを第四の抵抗に接続し、ＮＰ ＮトランジスタのコレクタをＰＮＰトランジスタのベースに接続してＮＰＮトラ ンジスタのベースにハイ又はローの切替電圧を印加したので、切替電圧によって 二つの開閉手段を同時にオン又はオフに切り替えられる。

【００３１】 また、並列同調回路と高周波増幅器とを相互に結合する第二のバラクタダイオ ードを設け、直列接続された第四の抵抗及び第二の開閉手段に第五の抵抗を並列 接続し、第一のバラクタダイオードのアノードを接地し、第三の抵抗と第四の抵 抗と第五の抵抗との接続点の電圧を第二のバラクタダイオードのアノードに印加 したので、第二のバラクタダイオードのカソードにはいずれのバンドにおいても 電圧が印加され、しかもハイバンドのテレビジョン信号の受信時に高くなり、ロ ーバンドのテレビジョン信号の受信時に低くなる。よって、増幅器に対する結合 容量値をローバンド又はハイバンドのいずれでも周波数に対応して適正な値とす ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案のバンド切替型同調回路の第一の実施形
態を示す回路図である。

【図２】本考案のバンド切替型同調回路の第一の実施形
態におけるハイバンドまたはＵＨＦバンド同調時のスイ
ッチダイオードに対する直流回路である。

【図３】本考案のバンド切替型同調回路の第一の実施形
態におけるローバンド同調時のスイッチダイオードに対
する直流回路である。

【図４】本考案のバンド切替型同調回路の第二の実施形
態を示す回路図である

【図５】本考案のバンド切替型同調回路の第二の実施形
態におけるハイバンドまたはＵＨＦバンド同調時のスイ
ッチダイオードに対する直流回路である。

【図６】本考案のバンド切替型同調回路の第二の実施形
態におけるローバンド同調時のスイッチダイオードに対
する直流回路である。

【図７】従来のバンド切替型同調回路の構成を示す回路
図である。

【図８】従来のバンド切替型同調回路におけるハイバン
ドまたはＵＨＦバンド同調時のスイッチダイオードに対
する直流回路である。

【図９】従来のバンド切替型同調回路におけるローバン
ド同調時のスイッチダイオードに対する直流回路であ
る。

【符号の説明】

１ バンド切替型同調回路 ２〜５ インダクタンス素子 ６ 第一のバラクタダイオード ７ 第一のスイッチダイオード ８ 第一の抵抗 ９ 第二の抵抗 １０ 第一の開閉手段 １１ 第三の抵抗 １２ 第四の抵抗 １３ 第二の開閉手段 １４ 入力端 １５ ＶＨＦ高周波増幅器 １６ 第二のバラクタダイオード １７ 第二のスイッチダイオード １８ ＵＨＦ帯用同調回路 １９ 第六の抵抗 ２０ インダクタンス素子 ２１ 容量素子 ２２ インダクタンス素子 ２３ 第三のバラクタダイオード ２４ 第四のバラクタダイオード ２５ ＵＨＦ高周波増幅器 ２６ 第五の抵抗

Claims (4)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに直列に接続された複数のインダク
   タンス素子と、前記直列接続されたインダクタンス素子
   と共に並列同調回路を構成する第一のバラクタダイオー
   ドと、前記インダクタンス素子の一つ以上に対して並列
   接続されたスイッチダイオードとを備え、前記スイッチ
   ダイオードを、そのカソードをグランド又は電源に接続
   することによってオン又はオフに切り替え、アノードに
   はオフ時よりもオン時に高いバイアス電圧を印加したこ
   とを特徴とするバンド切替型同調回路。
2. 【請求項２】 前記スイッチダイオードのカソードと電
   源との間にはカソードに接続された第一の抵抗と電源に
   接続された第二の抵抗とを直列に接続すると共に、前記
   第一の抵抗と前記第二の抵抗との接続点とグランドとの
   間に第一の開閉手段を接続し、アノードを第三の抵抗を
   介して接地すると共に、アノードと前記第三の抵抗との
   接続点と電源との間には第四の抵抗と第二の開閉手段と
   を直列に接続し、前記第一の開閉手段と前記第二の開閉
   手段とを共にオン又はオフに切り替えたことを特徴とす
   る請求項１に記載のバンド切替型同調回路。
3. 【請求項３】 前記第一の開閉手段をＮＰＮトランジス
   タで構成すると共に、前記第二の開閉手段をＰＮＰトラ
   ンジスタで構成し、前記ＮＰＮトランジスタのエミッタ
   を接地すると共に、コレクタを前記第一の抵抗と前記第
   二の抵抗との接続点に接続し、前記ＰＮＰトランジスタ
   のエミッタを電源に接続すると共に、コレクタを前記第
   四の抵抗に接続し、前記ＮＰＮトランジスタのコレクタ
   を前記ＰＮＰトランジスタのベースに接続して前記ＮＰ
   Ｎトランジスタのベースにハイ又はローの切替電圧を印
   加したことを特徴とする請求項２に記載のバンド切替型
   同調回路。
4. 【請求項４】 前記並列同調回路と前記並列同調回路の
   次段に設けられた高周波増幅器とを相互に結合する第二
   のバラクタダイオードを設け、前記第一及び第二のバラ
   クタダイオードの各カソードには同調周波数設定用の同
   調電圧を印加し、直列接続された前記第四の抵抗及び前
   記第二の開閉手段に第五の抵抗を並列接続し、前記第一
   のバラクタダイオードのアノードを接地し、前記第三の
   抵抗と前記第四の抵抗と前記第五の抵抗との接続点の電
   圧を前記第二のバラクタダイオードのアノードに印加し
   たことを特徴とする請求項２又は３に記載のバンド切替
   型同調回路。