JPH032995Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、コイルと可変容量ダイオードとを含
んで形成された同調回路部を備え、斯かる同調回
路部が共振回路を形成する状態と共振回路を形成
しない状態とを選択的にとるものとされる同調制
御回路に関する。

背景技術とその問題点 ラジオ放送信号受信機等においては、互いに異
なる受信周波数帯域に対応する複数のアンテナ同
調回路部が設けられ、実際の受信時には、複数の
アンテナ同調回路部のうちの選択されたものが使
用されることが行われる。また、周波数が異なる
複数の発振出力を発生する発振機においても、発
振出力周波数を規定する複数の同調回路部が設け
られ、これら複数の同調回路部の切換えがなされ
て用いられることが行われる。

斯かる複数の同調回路部の選択使用に際して、
選択されなかつた同調回路部を、選択された同調
回路部に対して悪影響を及ぼさないように、同調
機能を果たさないものとする、即ち、オフ状態に
することが必要とされる場合が多い。そして、同
調回路部をオフ状態にするには、通常、同調回路
部を構成する共振回路に並列にメカニカル・スイ
ツチを接続し、このメカニカル・スイツチをオン
することにより共振回路の両端を短絡するような
方法が採られる。

ところで、各種電子機器の電子制御化にあたつ
て、上述の如くの同調回路部をオフ状態にするこ
とも電子制御で行うことが望まれ、斯かる場合に
は、同調回路部をオフ状態にすべく、例えば、そ
の共振回路に並列に接続されるスイツチを半導体
スイツチング素子とした同調制御回路が構成さ
れ、同調回路部をオフ状態とするときには、この
半導体スイツチング素子にオン状態をとらせるよ
うにされる。第１図は、従来の半導体スイツチン
グ素子が用いられた同調制御回路の例を示す。こ
の例は受信機のフロントエンド部の一部を構成す
るもので、アンテナ１に結合されたコイル２とこ
れに並列に接続されたコンデンサ３及び可変容量
ダイオード４とで共振回路が形成されている。可
変容量ダイオード４には、制御端子５からの選局
制御電圧Vtが高抵抗６を通じて供給されて、そ
の容量が選局制御電圧Vtによつて制御され、共
振回路の共振周波数が選局制御電圧Vtに応じた
ものとされる。また、コイル２からコンデンサ７
を介して出力端子８が導出されており、この出力
端子８に同調出力がが得られる。そして、コイル
２とコンデンサ３及び可変容量ダイオード４とで
形成される共振回路に、コンデンサ９を介して、
半導体スイツチング素子としてのトランジスタ１
０のエミッタ・コレタ通路が接続されている。こ
のトランジスタ１０のコレクタには、電源端子１
からの電源電圧＋Ｂが高抵抗１２を通じて供給さ
れ、また、ベースには、制御端子１３からの低レ
ベルと高レベルとをとる制御電圧Vxが抵抗１４
を通じて供給される。

このような構成のもとに、制御電圧Vxが低レ
ベルをとるものとされるときには、トランジスタ
１０はオフ状態とされ、コイル２とコンデンサ３
及び可変容量ダイオード４とで形成されて、選局
制御電圧Vtに応じた共振周波数を有するものと
された共振回路で得られる同調出力が、出力端子
８に得られる。一方、制御電圧Vxが高レベルを
とるものとされると、トランジスタ１０がオン状
態とされ、コイル２とコンデンサ３及び可変容量
ダイオード４とで形成される共振回路の両端が、
コンデンサ９及びトランジスタ１０を通じて交流
的に短絡される。従つて、この場合、同調機能が
果たされない状態、即ち、同調回路部のオフ状態
がとられることになる。

しかしながら、斯かるトランジスタ１０の如く
の半導体スイツチング素子は、通常、メカニカ
ル・スイツチに比して、オン状態におけるインピ
ーダンスが大であつて、オフ状態におけるインピ
ーダンスが小となり、また、オン状態及びオフ状
態におけるインピーダンスの周波数特性が良好で
なく、さらに、オン・オフ制御のため付加される
制御用素子の影響を受け易いものとなり、そのた
め、上述の如くの半導体スイツチング素子が用い
られた同調制御回路にあつては、共振回路のＱの
低下をまねく、損失が増大する、同調回路部のオ
フ状態が不充分なものとなつて、他の同調回路部
に対する分離が適正に行われない、さらに、同調
帯域特性の乱れを生じる等々の不都合を伴い、メ
カニカル・スイツチが用いられる場合に比して電
気的特性が劣化してしまうという問題がある。

考案の目的 斯かる点に鑑み本考案は、共振回路を形成すべ
く接続されたコイル等の誘導性素子と可変容量ダ
イオードを含む容量性素子とを備えて構成された
同調回路部にスイツチング素子が接続されて、ス
イツチング素子のオフ状態及びオン状態に応じて
同調機能が果たされる状態及び機能が果たされな
い状態とがとられるようにされ、スイツチング素
子が半導体スイツチング素子とされる場合にも、
同調機能が果たされる状態においては、半導体ス
イツチング素子が同調回路部に対してほとんど影
響を与えず、また、同調機能が果たされない状態
では、充分な同調回路部のオフ状態が得られるも
のとされる同調制御回路を提供することを目的と
する。

考案の概要 本考案に係る同調制御回路は、誘導性素子と可
変容量ダイオードを含む容量性素子とが共振回路
を形成し得る態様で接続されて成る同調回路部
と、可変容量ダイオードの一端に直流路を通じて
接続された制御電圧供給部と、可変容量ダイオー
ドの他端に直流路を通じて接続されたバイアス電
圧供給部と、制御電圧供給部及びバイアス電圧供
給部に接続されたスイツチング動作部とを備え、
スイツチング動作部が、制御電圧供給部からの制
御電圧を可変容量ダイオードに逆方向バイアス電
圧として印加する、可変容量ダイオードを含んだ
第１の直流路を形成して、同調回路部に共振回路
を形成させる状態と、バイアス電圧供給部からの
バイアス電圧を可変容量ダイオードに順方向バイ
アス電圧として印加する、可変容量ダイオードを
含んだ第２の直流路を形成して、同調回路部に共
振回路を形成させない状態とを選択的にとるもの
とされて、構成される。

このようにされることにより、同調回路部に対
してスイツチング素子がほとんど影響しないもの
とで同調機能が果たされる状態がとられるととも
に、可変容量ダイオードが順方向バイアス状態と
されて共振回路が形成されないことによる、充分
な同調回路部のオ不状態がとられるものとなる。

実施例 以下、本考案の実施例について図面を参照して
説明する。

第２図は、本考案に係る同調制御回路の一例を
示す。この例も、受信機のフロントエンド部の一
部を構成するものとされていて、、アンテナ２１
に結合され、バイパス・コンデンサ２２を介して
接地されたコイル２３に、コンデンサ２４及びト
リマーコンデンサ２５が並列に接続され、さら
に、コンデンサ２４及びトリマーコンデンサ２５
に並列に、可変容量ダイオード２６とバイパス・
コンデンサ２７との直列回路が接続されて、全体
で共振回路を形成し得るものとされており、同調
回路部が構成されている。この同調回路部におけ
る可変容量ダイオード２６のカソードは、高抵抗
２８を介して選局制御電圧Vt′が供給される制御
端子２９に接続されている。また、コイル２３か
らコンデンサ３０を介して出力端子３１が導出さ
れている。

そして、可変容量ダイオード２６と高抵抗２８
との接続点に、ダイオード３２を介して、半導体
スイツチング素子であるトランジスタ３３のコレ
クタ・エミツタ通路が接続されている。ダイオー
ド３２のカソードとトランジスタ３３のコレクタ
との接続点には、制御端子２９に供給される選局
制御電圧Vt′の最大値よりダイオード３２の順方
向降下電圧以上高いバイアス電圧Vbが供給され
る端子３４が、抵抗３５を介して接続され、ま
た、トランジスタ３３のベースには、抵抗３６を
介して、低レベルと高レベルとをとる制御電圧
Vx′が供給される制御端子３７が接続されてい
る。なお、トランジスタ３３のエミツタは接地さ
れている。

さらに、コイル２３とバイパス・コンデンサ２
２との接続点に、電流制限用の抵抗３８を介し
て、半導体スイツチング素子としてのトランジス
タ３９のコレクタ・エミツタ通路が接続されてい
る。そして、トランジスタ３９のコレクタに、バ
イアス電圧Vbが供給される端子４０が抵抗４１
を通じて接続され、また、トランジスタ３９のベ
ースは、抵抗４２を介してトランジスタ３３のコ
レクタに接続されている。なお、トランジスタ３
９のエミツタも接地されている。そして、ダイオ
ード３２、トランジスタ３３及びトランジスタ３
６は、制御端子２９と高抵抗２８とにより形成さ
れる制御電圧供給部、及び、端子４０と抵抗４１
とにより形成されるバイアス電圧供給部の両者に
接続されたスイツチング動作部を形成している。

このような構成のもとに、制御端子３７に供給
される制御電圧Vx′が低レベルをとるものとされ
るときには、これがトランジスタ３３のベースに
抵抗３６を通じて印加され、トランジスタ３３は
オフ状態とされる。そのため、ダイオード３２の
カソードに抵抗３５を通じて端子３４からのバイ
アス電圧Vbが印加される。このときダイオード
３２のアノードに高抵抗２８を通じて加えられる
選局制御電圧Vt′の最大値は、バイアス電圧Vbよ
り低いので、ダイオード３２はオフ状態とされ
る。また、このとき、トランジスタ３９のベース
には、ダイオード３２のカソードに印加されるバ
イアス電圧Vbが抵抗４２を通じて印加されるの
で、トランジスタ３９はオン状態とされる。その
結果、制御端子２９−高抵抗２８−可変容量ダイ
オード２６−コイル２３−抵抗３８−トランジス
タ３９で形成される直流路が得られて、可変容量
ダイオード２６には選局制御電圧Vt′が逆方向バ
イアス電圧として印加され、バイパス・コンデン
サ２２、コイル２３、コンデンサ２４、トリマー
コンデンサ２５、可変容量ダイオード２６及びバ
イパス・コンデンサ２７で共振回路が形成され
る。この共振回路中の可変容量ダイオード２６の
容量は、選局制御電圧Vt′によつて制御され、共
振回路の共振周波数は選局制御電圧Vt′に応じた
ものとなる。そして、この共振回路で得られる同
調出力が、コンデンサ３０を通じて出力端子３１
に導出される。

このとき、ダイオード３２、トランジスタ３３
及びトランジスタ３９は、交流信号路外にあり、
上述の共振回路を伴つた同調回路部にほとんど影
響を与えない。

一方、制御電圧Vx′が高レベルをとるものとさ
れると、トランジスタ３３がオン状態とされ、ダ
イオード３２のカソードの電位が低下せしめられ
て、ダイオード３２がオン状態とされる。また、
このとき、トランジスタ３９のベースの電位も低
下せしめられて、トランジスタ３９はオフ状態と
される。

この結果、端子４０−抵抗４１−抵抗３８−コ
イル２３−可変容量ダイオード２６−ダイオード
−３２−トランジスタ３３で形成される直流路が
得られることになり、可変容量ダイオード２６に
は端子４０からのバイアス電圧Vbが順方向バイ
アス電圧として印加される。従つて、可変容量ダ
イオード２６は、容量性素子として機能せず、バ
イパス・コンデンサ２２、コイル２３、コンデン
サ２４、トリマーコンデンサ２５、可変容量ダイ
オード２６及びバイパス・コンデンサ２７は、共
振回路を形成しないものとされ、同調回路部は同
調機能を果たさない状態とされる。この状態は、
可変容量ダイオード２６が順方向バイアス状態と
されて共振回路が形成されないことによるもので
あるので、充分な同調回路部のオフ状態が得られ
ることになる。

考案の効果 以上の説明から明らかな如く、本考案に係る同
調制御回路によれば、共振回路を形成し得るよう
に接続されたコイル等の誘導性素子と可変容量ダ
イオードを含む容量性素子とを備えて鹸成された
同調回路部に、スイツチング素子を接続し、この
スイツチング素子に、可変容量ダイオードを逆方
向バイアス状態とするための直流路及び可変容量
ダイオードを順方向バイアス状態とするための直
流路を形成する役目を果たさせ、それにより、可
変容量ダイオードを含む共振回路が形成される状
態と共振回路が形成されない状態とが得られるよ
うにされるので、共振回路が形成されて同調回路
部による同調機能が果たされる状態とされるとき
には、スイツチング素子を同調回路部にほとんど
影響しないものとすることができ、また、共振回
路が形成されず同調回路部による同調機能を果た
されない状態とされる場合には、充分な同調回路
部のオフ状態を得ることができる。従つて、この
同調回路部が他の同調回路部と接続されている場
合においては、そのオフ状態時には、他の同調回
路部から実質的に充分に分離されるものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の半導体スイツチング素子を伴う
同調制御回路を示す回路接続図、第２図は本考案
に係る同調制御回路の一例を示す回路接続図であ
る。 図中、２１はアンテナ、２３はコイル、２６は
可変容量ダイオード、２９は制御端子、３２はダ
イオード、３３及び２９はトランジスタ、Vbは
バイアス電圧、Vt′は選局制御電圧、Vx′は制御
電圧である。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 誘導性素子と可変容量ダイオードを含む容量性
   素子とが共振回路を形成し得る態様で接続されて
   成る同調回路部と、 上記可変容量ダイオードの一端に直流路を通じ
   て接続された制御電圧供給部と、 上記可変容量ダイオードの他端に直流路を通じ
   て接続されたバイアス電圧供給部と、 上記制御電圧供給部及び上記バイアス電圧供給
   部に接続され、上記制御電圧供給部からの制御電
   圧を上記可変容量ダイオードに逆方向にバイアス
   電圧として印加する、上記可変容量ダイオードを
   含んだ第１の直流路を形成して、上記同調回路部
   に共振回路を形成させる状態と、上記バイアス電
   圧供給部からのバイアス電圧を上記可変容量ダイ
   オードに順方向バイアス電圧として印加する、上
   記可変容量ダイオードを含んだ第２の直流路を形
   成して、上記同調回路部に共振回路を形成させな
   い状態とを選択的にとるスイツチング動作部と、 を具備して構成される同調制御回路。