JPH06350337A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
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- JPH06350337A JPH06350337A JP6093414A JP9341494A JPH06350337A JP H06350337 A JPH06350337 A JP H06350337A JP 6093414 A JP6093414 A JP 6093414A JP 9341494 A JP9341494 A JP 9341494A JP H06350337 A JPH06350337 A JP H06350337A
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- Japan
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- oscillator
- frequency determining
- determining element
- frequency
- switching
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
- H03B5/1215—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair the current source or degeneration circuit being in common to both transistors of the pair, e.g. a cross-coupled long-tailed pair
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- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
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- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
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- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/025—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an electronic switch for switching in or out oscillator elements
- H03B2201/0258—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an electronic switch for switching in or out oscillator elements the means comprising a diode
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 少なくとも2つの発振周波数間で切換えるこ
とができ且つこれらの発振周波数に同調しうる、特にビ
デオ信号処理用の発振器を提供する。 【構成】 本発明発振器は、第1発振周波数に対する第
1周波数決定素子13〜16と、この第1周波数決定素
子に接続することができ、発振器を少なくとも第2発振
周波数に調整する第2周波数決定素子23,24を具え
る。
とができ且つこれらの発振周波数に同調しうる、特にビ
デオ信号処理用の発振器を提供する。 【構成】 本発明発振器は、第1発振周波数に対する第
1周波数決定素子13〜16と、この第1周波数決定素
子に接続することができ、発振器を少なくとも第2発振
周波数に調整する第2周波数決定素子23,24を具え
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、第1発振周波数用の第
1周波数決定素子が設けられた発振器に関するものであ
る。
1周波数決定素子が設けられた発振器に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】ビデオ信号を混合し且つ復調するために
は、互いに異なる周波数で発振する複数の発振器が必要
となる。所定の伝送標準方式のビデオ信号のみを処理す
る必要がある場合には、この目的のために固定の発振周
波数を有する複数の発振器を用いることができる。しか
し、回路を互いに異なる伝送標準方式のビデオ信号を処
理するのに適したものとする必要がある場合には、生じ
る異なる周波数で信号を処理するために多数の異なる発
振器を必要とする。しかし、このような回路構成は極め
て複雑であり、従って不経済であり、製造及び調整する
のに困難でもある。
は、互いに異なる周波数で発振する複数の発振器が必要
となる。所定の伝送標準方式のビデオ信号のみを処理す
る必要がある場合には、この目的のために固定の発振周
波数を有する複数の発振器を用いることができる。しか
し、回路を互いに異なる伝送標準方式のビデオ信号を処
理するのに適したものとする必要がある場合には、生じ
る異なる周波数で信号を処理するために多数の異なる発
振器を必要とする。しかし、このような回路構成は極め
て複雑であり、従って不経済であり、製造及び調整する
のに困難でもある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、少な
くとも2つの発振周波数間で切換えてこれらに同調しう
る、特にビデオ信号処理に用いる発振器を提供せんとす
るにある。
くとも2つの発振周波数間で切換えてこれらに同調しう
る、特にビデオ信号処理に用いる発振器を提供せんとす
るにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、第1発振周波
数用の第1周波数決定素子が設けられた発振器におい
て、前記の第1周波数決定素子に接続することができ、
発振器を少なくとも第2発振周波数に調整するための第
2周波数決定素子が設けられていることを特徴とする。
数用の第1周波数決定素子が設けられた発振器におい
て、前記の第1周波数決定素子に接続することができ、
発振器を少なくとも第2発振周波数に調整するための第
2周波数決定素子が設けられていることを特徴とする。
【0005】本発明によれば、別々に構成した2つの発
振器に比べ構成素子数を著しく少なくするばかりか、所
要に応じ切換えたり調整したりしうる1つの信号処理回
路により例えば互いに異なる伝送標準方式による複数の
ビデオ信号を伝送、処理及び変換する状態も得られる。
従って、回路全体の構成素子のうちの多くの構成素子が
可能な多くの異なる処理に用いられる為、全体としての
回路構成が簡単となる。更に、処理すべきビデオ信号の
すべてに対し少なくともほぼ等しい伝送状態がいかなる
他の追加構成もなく得られる。本発明による発振器は特
に、フランスの伝送標準方式SECAM L及びSEC
AM L′(VHF帯I)で任意に調整しうる位相ロッ
クループに用いるための切換え可能な電圧制御発振器と
しても適している。このような切換え可能な発振器によ
れば、切換え可能な中間周波発振、例えば“L標準方
式”に対し38.9MHzの画像搬送波発振及び“L′
標準方式”に対し33.9MHzの画像搬送波発振を簡
単に生ぜしめうる。本発明の切換え可能な発振器によれ
ば、この発振器を含む位相ロックループに対し狭いロッ
クイン範囲を設定して隣接のチャネル又は音声搬送波発
振に対するロックインを回避するようにしうるととも
に、位相ロックループを依然として他の周波数範囲で用
いうるという利点が得られる。
振器に比べ構成素子数を著しく少なくするばかりか、所
要に応じ切換えたり調整したりしうる1つの信号処理回
路により例えば互いに異なる伝送標準方式による複数の
ビデオ信号を伝送、処理及び変換する状態も得られる。
従って、回路全体の構成素子のうちの多くの構成素子が
可能な多くの異なる処理に用いられる為、全体としての
回路構成が簡単となる。更に、処理すべきビデオ信号の
すべてに対し少なくともほぼ等しい伝送状態がいかなる
他の追加構成もなく得られる。本発明による発振器は特
に、フランスの伝送標準方式SECAM L及びSEC
AM L′(VHF帯I)で任意に調整しうる位相ロッ
クループに用いるための切換え可能な電圧制御発振器と
しても適している。このような切換え可能な発振器によ
れば、切換え可能な中間周波発振、例えば“L標準方
式”に対し38.9MHzの画像搬送波発振及び“L′
標準方式”に対し33.9MHzの画像搬送波発振を簡
単に生ぜしめうる。本発明の切換え可能な発振器によれ
ば、この発振器を含む位相ロックループに対し狭いロッ
クイン範囲を設定して隣接のチャネル又は音声搬送波発
振に対するロックインを回避するようにしうるととも
に、位相ロックループを依然として他の周波数範囲で用
いうるという利点が得られる。
【0006】本発明の他の例では、前記の第1周波数決
定素子が第1キャパシタンスを有し、この第1キャパシ
タンスが第2周波数決定素子としての第2キャパシタン
スと並列に接続しうるようになているのが好ましい。こ
のような構成は簡単な手段により実現しうる。
定素子が第1キャパシタンスを有し、この第1キャパシ
タンスが第2周波数決定素子としての第2キャパシタン
スと並列に接続しうるようになているのが好ましい。こ
のような構成は簡単な手段により実現しうる。
【0007】第2周波数決定素子は少なくともスイッチ
ングダイオードを経て接続しうるようにするのが有利で
ある。このようなスイッチングダイオードの構成は簡単
であり、これを高発振周波数に対し用いることもでき
る。このスイッチングダイオードは直流電流とするのが
好ましい簡単な手段により導通状態と遮断状態との間で
切換えることができ、これを好ましくは発振器の構成素
子と一緒に半導体本体に集積化することができる。
ングダイオードを経て接続しうるようにするのが有利で
ある。このようなスイッチングダイオードの構成は簡単
であり、これを高発振周波数に対し用いることもでき
る。このスイッチングダイオードは直流電流とするのが
好ましい簡単な手段により導通状態と遮断状態との間で
切換えることができ、これを好ましくは発振器の構成素
子と一緒に半導体本体に集積化することができる。
【0008】本発明発振器の他の例では、前記のスイッ
チングダイオードに給電する少なくとも可制御電流源を
具え、導通及び遮断状態間で任意に切換えうる電源回路
が設けられているようにする。このような電源回路は発
振器の素子やスイッチングダイオードと容易に且つコン
パクトに組合せることもできる。可制御電流源は電源回
路に含める第1ドライバ段により制御しうるようにする
のが好ましい。この第1ドライバ段はスイッチングトラ
ンジスタを有し、このスイッチングトランジスタを介し
て可制御電流源を2つの予め定めた電流値間で切換えう
るようにするのが有利である。従って、第2周波数決定
素子を、容易に且つ信頼的に、論理信号レベルを有する
論理回路に接続したりこの論理回路から分離したりする
こともできる。
チングダイオードに給電する少なくとも可制御電流源を
具え、導通及び遮断状態間で任意に切換えうる電源回路
が設けられているようにする。このような電源回路は発
振器の素子やスイッチングダイオードと容易に且つコン
パクトに組合せることもできる。可制御電流源は電源回
路に含める第1ドライバ段により制御しうるようにする
のが好ましい。この第1ドライバ段はスイッチングトラ
ンジスタを有し、このスイッチングトランジスタを介し
て可制御電流源を2つの予め定めた電流値間で切換えう
るようにするのが有利である。従って、第2周波数決定
素子を、容易に且つ信頼的に、論理信号レベルを有する
論理回路に接続したりこの論理回路から分離したりする
こともできる。
【0009】上述した種類の電源回路は第2周波数決定
素子を同調させる装置を有するようにするのが有利であ
る。電源回路は第2周波数決定素子を任意に接続するば
えりではなく、発振器の正しい発振周波数に同調させ
る。簡単で信頼的な構成にするには、本発明の発振器の
他の例で前記の第2周波数決定素子が少なくともキャパ
シタンスダイオードを有し、前記の第2周波数決定素子
を同調させる前記の装置がこのキャパシタンスダイオー
ドに対するバイアス電圧を発生させる第2ドライバ段を
有しているようにする。
素子を同調させる装置を有するようにするのが有利であ
る。電源回路は第2周波数決定素子を任意に接続するば
えりではなく、発振器の正しい発振周波数に同調させ
る。簡単で信頼的な構成にするには、本発明の発振器の
他の例で前記の第2周波数決定素子が少なくともキャパ
シタンスダイオードを有し、前記の第2周波数決定素子
を同調させる前記の装置がこのキャパシタンスダイオー
ドに対するバイアス電圧を発生させる第2ドライバ段を
有しているようにする。
【0010】電源回路に含まれている前述した第1及び
第2ドライバ段の各々は差動増幅器を有するようにする
のが有利である。これらの双方の差動増幅器は各差動増
幅器の一方の入力端における共通制御信号により制御さ
れる。これら差動増幅器の他方の入力端には互いに異な
るレベルのしきい値が与えられ、これらのしきい値は共
通の抵抗性分圧器から或いは対応の基準電圧源から基準
電圧として取出すのが好ましい。これらのしきい値は、
第1ドライバ段に供給されるしきい値が、第2ドライバ
段に供給されるしきい値により固定される第2ドライバ
段の制御範囲を制限するような値にする。このようにす
ると、第2周波数決定素子を任意に接続したり分離した
りするためのみならず、その値を予め決定した範囲内で
同調させるためにも共通の制御信号を用いることができ
るようになる。この同調範囲は所望に応じしきい値の選
択により正確に固定させる。
第2ドライバ段の各々は差動増幅器を有するようにする
のが有利である。これらの双方の差動増幅器は各差動増
幅器の一方の入力端における共通制御信号により制御さ
れる。これら差動増幅器の他方の入力端には互いに異な
るレベルのしきい値が与えられ、これらのしきい値は共
通の抵抗性分圧器から或いは対応の基準電圧源から基準
電圧として取出すのが好ましい。これらのしきい値は、
第1ドライバ段に供給されるしきい値が、第2ドライバ
段に供給されるしきい値により固定される第2ドライバ
段の制御範囲を制限するような値にする。このようにす
ると、第2周波数決定素子を任意に接続したり分離した
りするためのみならず、その値を予め決定した範囲内で
同調させるためにも共通の制御信号を用いることができ
るようになる。この同調範囲は所望に応じしきい値の選
択により正確に固定させる。
【0011】
【実施例】図1に示す本発明による発振器1は2つのト
ランジスタ2,3より成る差動増幅器段を具え、これら
トランジスタのエミッタは共に電流源4を経て接地され
ている。これらトランジスタ2,3のコレクタはコレク
タ抵抗5,6をそれぞれ経て電源端子8に接続されてい
る。これらトランジスタ3,2のコレクタは更にエミッ
タホロワトランジスタ9,10のベースにそれぞれ接続
され、これらエミッタホロワトランジスタのコレクタは
電源端子8に、エミッタは出力端子11,12に接続さ
れている。差動増幅器段のトランジスタ2,3のベース
はエミッタホロワトランジスタ9,10のエミッタにそ
れぞれ接続されている為、差動増幅器段のトランジスタ
2,3のコレクタがエミッタホロワトランジスタ10,
9をそれぞれ経てトランジスタ3,2のベースに結合さ
れている。このようにして正帰還が得られる。第1発振
周波数に対する第1周波数決定素子は差動増幅器段のト
ランジスタ2,3のコレクタ間に接続されており、イン
ダクタ13と、キャパシタ14と、逆直列の2つのキャ
パシタンスダイオード15,16とを有しており、これ
らキャパシタンスダイオード15,16の相互接続点1
7は基準電圧端子18に接続され、この基準電圧端子を
介してキャパシタンスダイオード15,16に逆バイア
ス電圧を印加しうるようになっている。これにより、基
準電圧端子18を介して発振器1を第1発振周波数に調
整しうる。
ランジスタ2,3より成る差動増幅器段を具え、これら
トランジスタのエミッタは共に電流源4を経て接地され
ている。これらトランジスタ2,3のコレクタはコレク
タ抵抗5,6をそれぞれ経て電源端子8に接続されてい
る。これらトランジスタ3,2のコレクタは更にエミッ
タホロワトランジスタ9,10のベースにそれぞれ接続
され、これらエミッタホロワトランジスタのコレクタは
電源端子8に、エミッタは出力端子11,12に接続さ
れている。差動増幅器段のトランジスタ2,3のベース
はエミッタホロワトランジスタ9,10のエミッタにそ
れぞれ接続されている為、差動増幅器段のトランジスタ
2,3のコレクタがエミッタホロワトランジスタ10,
9をそれぞれ経てトランジスタ3,2のベースに結合さ
れている。このようにして正帰還が得られる。第1発振
周波数に対する第1周波数決定素子は差動増幅器段のト
ランジスタ2,3のコレクタ間に接続されており、イン
ダクタ13と、キャパシタ14と、逆直列の2つのキャ
パシタンスダイオード15,16とを有しており、これ
らキャパシタンスダイオード15,16の相互接続点1
7は基準電圧端子18に接続され、この基準電圧端子を
介してキャパシタンスダイオード15,16に逆バイア
ス電圧を印加しうるようになっている。これにより、基
準電圧端子18を介して発振器1を第1発振周波数に調
整しうる。
【0012】エミッタホロワトランジスタ9,10に給
電するためにこれらのエミッタが電流源19及び20に
それぞれ接続され、これらの電流源が接地されている。
電するためにこれらのエミッタが電流源19及び20に
それぞれ接続され、これらの電流源が接地されている。
【0013】発振器1は、例えばこれを位相ロックルー
プに用いる場合に、基準電圧端子18を介して電圧制御
発振器として動作させることもできる。
プに用いる場合に、基準電圧端子18を介して電圧制御
発振器として動作させることもできる。
【0014】発振器1を第2発振周波数に切換えるため
に、逆直列の2つのキャパシタンスダイオード23,2
4を有する第2周波数決定素子が接続ライン21,22
を介して第1周波数決定素子13〜16と並列に配置さ
れている。第2周波数決定素子23,24はそれぞれス
イッチングダイオード25,26を経て接続ライン2
1,22に接続されている。電源端子8と大地との間に
はスイッチングダイオード25,26の各々と直列に2
つの可制御電流源27,28及び29,30が配置され
ている。これらの可制御電流源の配置は、電流源27の
一方の端子を接続ライン21と第1スイッチングダイオ
ード25との間の相互接続点に接続し、電流源29の一
方の端子を接続ライン22と第2スイッチングダイオー
ド26との間の相互接続点に接続し、電流源28の一方
の端子を第1スイッチングダイオード25と第2周波数
決定素子の第2キャパシタンスダイオード23との間の
相互接続点に接続し、電流源30の一方の端子を第2ス
イッチングダイオード26と第2周波数決定素子の第2
キャパシタンスダイオード24との間の相互接続点に接
続し、電流源27〜30の他方の端子を電源端子8か大
地のいずれかに接続することにより達成されている。従
って、第1スイッチングダイオード25は可制御電流源
27及び28により給電され、第2スイッチングダイオ
ード26は可制御電流源29及び30により給電され
る。可制御電流源27〜30を切換える、すなわちスイ
ッチ・オン及びスイッチ・オフさせることにより、スイ
ッチングダイオード25,26に直流電流を与え、この
電流によりこれらスイッチングダイオードを導通させう
るようにするか、或いは可制御電流源27〜30を無電
流状態にしてスイッチングダイオード25,26をも遮
断させるようにしうる。前者の場合には、第2周波数決
定素子23,24が第1周波数決定素子13〜16と並
列に接続され、後者の場合には、この並列接続が遮断さ
れて発振器1が第1発振周波数で動作する。
に、逆直列の2つのキャパシタンスダイオード23,2
4を有する第2周波数決定素子が接続ライン21,22
を介して第1周波数決定素子13〜16と並列に配置さ
れている。第2周波数決定素子23,24はそれぞれス
イッチングダイオード25,26を経て接続ライン2
1,22に接続されている。電源端子8と大地との間に
はスイッチングダイオード25,26の各々と直列に2
つの可制御電流源27,28及び29,30が配置され
ている。これらの可制御電流源の配置は、電流源27の
一方の端子を接続ライン21と第1スイッチングダイオ
ード25との間の相互接続点に接続し、電流源29の一
方の端子を接続ライン22と第2スイッチングダイオー
ド26との間の相互接続点に接続し、電流源28の一方
の端子を第1スイッチングダイオード25と第2周波数
決定素子の第2キャパシタンスダイオード23との間の
相互接続点に接続し、電流源30の一方の端子を第2ス
イッチングダイオード26と第2周波数決定素子の第2
キャパシタンスダイオード24との間の相互接続点に接
続し、電流源27〜30の他方の端子を電源端子8か大
地のいずれかに接続することにより達成されている。従
って、第1スイッチングダイオード25は可制御電流源
27及び28により給電され、第2スイッチングダイオ
ード26は可制御電流源29及び30により給電され
る。可制御電流源27〜30を切換える、すなわちスイ
ッチ・オン及びスイッチ・オフさせることにより、スイ
ッチングダイオード25,26に直流電流を与え、この
電流によりこれらスイッチングダイオードを導通させう
るようにするか、或いは可制御電流源27〜30を無電
流状態にしてスイッチングダイオード25,26をも遮
断させるようにしうる。前者の場合には、第2周波数決
定素子23,24が第1周波数決定素子13〜16と並
列に接続され、後者の場合には、この並列接続が遮断さ
れて発振器1が第1発振周波数で動作する。
【0015】直列配置のキャパシタンスダイオード2
3,24に対し並列に直列配置の2つの抵抗31,32
が接続され、これら抵抗の相互接続点が、他の基準電圧
端子37と大地との間に配置された2つの抵抗35及び
36を有する抵抗性分圧器の第1タップ34に接続され
ている。キャパシタンスダイオード23及び24間の相
互接続点39と抵抗性分圧器35,36の2つの抵抗3
5及び36の相互接続点である第2タップ40とには他
の抵抗38が接続されている。キャパシタンスダイオー
ド23,24は抵抗性分圧器35,36及び抵抗31,
32,38を経て逆バイアスされ、この回路配置の設計
値は電流源27〜30がスイッチ・オフされた際にスイ
ッチングダイオード25,26が信頼的に遮断されるよ
うになっている。
3,24に対し並列に直列配置の2つの抵抗31,32
が接続され、これら抵抗の相互接続点が、他の基準電圧
端子37と大地との間に配置された2つの抵抗35及び
36を有する抵抗性分圧器の第1タップ34に接続され
ている。キャパシタンスダイオード23及び24間の相
互接続点39と抵抗性分圧器35,36の2つの抵抗3
5及び36の相互接続点である第2タップ40とには他
の抵抗38が接続されている。キャパシタンスダイオー
ド23,24は抵抗性分圧器35,36及び抵抗31,
32,38を経て逆バイアスされ、この回路配置の設計
値は電流源27〜30がスイッチ・オフされた際にスイ
ッチングダイオード25,26が信頼的に遮断されるよ
うになっている。
【0016】可制御電流源27〜30は共通電流ミラー
構造となるように相互接続するのが有利である。この目
的のために、可制御電流源27〜30の各々が少なくと
も電流源トランジスタを有し、これら電流源トランジス
タの制御端子が、図1に破線で示す動作接続ライン41
及び42に応じて対で組合せられるようになっている。
特に、電源端子8に接続された電流源27,29が動作
接続ライン41により、大地に接続された電流源28,
30が動作接続ライン42によりそれぞれ共通に制御さ
れるようにし、好ましくはこの制御をこれら電流源に存
在する電流源トランジスタの制御端子を直接接続するこ
とにより行なう。又、電流制御回路43が動作接続ライ
ン41及び42を共通に制御する電流ミラーを有するよ
うにするのが好ましい。電流制御回路43のこの電流ミ
ラーの入力分岐すなわち主分岐はスイッチングトランジ
スタを介してスイッチ・オフすなわち橋絡しうる為、こ
の電流ミラーを任意に無電流状態にでき、従って可制御
電流源27〜30をも動作接続ライン41,42を介し
て無電流状態にしうる。このスイッチングトランジスタ
を電流制御回路43を表わす回路ブロック内に記号的に
示してある。
構造となるように相互接続するのが有利である。この目
的のために、可制御電流源27〜30の各々が少なくと
も電流源トランジスタを有し、これら電流源トランジス
タの制御端子が、図1に破線で示す動作接続ライン41
及び42に応じて対で組合せられるようになっている。
特に、電源端子8に接続された電流源27,29が動作
接続ライン41により、大地に接続された電流源28,
30が動作接続ライン42によりそれぞれ共通に制御さ
れるようにし、好ましくはこの制御をこれら電流源に存
在する電流源トランジスタの制御端子を直接接続するこ
とにより行なう。又、電流制御回路43が動作接続ライ
ン41及び42を共通に制御する電流ミラーを有するよ
うにするのが好ましい。電流制御回路43のこの電流ミ
ラーの入力分岐すなわち主分岐はスイッチングトランジ
スタを介してスイッチ・オフすなわち橋絡しうる為、こ
の電流ミラーを任意に無電流状態にでき、従って可制御
電流源27〜30をも動作接続ライン41,42を介し
て無電流状態にしうる。このスイッチングトランジスタ
を電流制御回路43を表わす回路ブロック内に記号的に
示してある。
【0017】電流制御回路43は第1ドライバ段44に
より制御され、この第1ドライバ段は実質的に電流制御
回路43内のスイッチングトランジスタを動作させる。
第1ドライバ段44は特に差動増幅器を有し、その第1
入力端45が制御信号端子46に接続され、第2入力端
47が電源端子8と大地との間に配置された3つの抵抗
49,50,51を有する他の抵抗性分圧器の第1タッ
プ48に接続されている。この抵抗性分圧器49,5
0,51によりその第1タップ48にしきい値が得ら
れ、このしきい値の際に制御信号端子46における制御
信号がしきい値を越えるか或いはこのしきい値よりも降
下するとこの制御信号が可制御電流源27〜30を切換
え、従って第2周波数決定素子23,24を接続したり
分離したりする。図1では、制御信号は、制御信号端子
46と電源端子8とに接続された抵抗52及び制御信号
端子46と大地とに接続された可変抵抗53より成る他
の分圧器を介してこの制御端子46に得られる。抵抗5
3と大地との間の接続はスイッチング装置59により遮
断しうるようにするのが好ましい。特に上述した回路配
置全体は半導体本体に集積化でき、制御信号端子46は
この形成した集積回路の外部端子とするのが好ましい。
この場合、可変抵抗53は例えば制御トランジスタ又は
ポテンシオメータを以って構成しうる。
より制御され、この第1ドライバ段は実質的に電流制御
回路43内のスイッチングトランジスタを動作させる。
第1ドライバ段44は特に差動増幅器を有し、その第1
入力端45が制御信号端子46に接続され、第2入力端
47が電源端子8と大地との間に配置された3つの抵抗
49,50,51を有する他の抵抗性分圧器の第1タッ
プ48に接続されている。この抵抗性分圧器49,5
0,51によりその第1タップ48にしきい値が得ら
れ、このしきい値の際に制御信号端子46における制御
信号がしきい値を越えるか或いはこのしきい値よりも降
下するとこの制御信号が可制御電流源27〜30を切換
え、従って第2周波数決定素子23,24を接続したり
分離したりする。図1では、制御信号は、制御信号端子
46と電源端子8とに接続された抵抗52及び制御信号
端子46と大地とに接続された可変抵抗53より成る他
の分圧器を介してこの制御端子46に得られる。抵抗5
3と大地との間の接続はスイッチング装置59により遮
断しうるようにするのが好ましい。特に上述した回路配
置全体は半導体本体に集積化でき、制御信号端子46は
この形成した集積回路の外部端子とするのが好ましい。
この場合、可変抵抗53は例えば制御トランジスタ又は
ポテンシオメータを以って構成しうる。
【0018】しかし、本発明による回路配置では、第2
周波数決定素子が制御信号端子46を介して接続された
り分離されたりすると、この第2周波数決定素子も発振
器1の所望の第2発振周波数に同調されるようにする。
この目的のために、第2ドライバ段54が設けられ、そ
の第1入力端55も制御信号端子46に接続され、第2
入力端56が抵抗性分圧器49〜51の第2タップ57
に接続されている。この第2ドライバ段54の出力端5
8は抵抗性分圧器35,36の第2タップ40に接続さ
れている。
周波数決定素子が制御信号端子46を介して接続された
り分離されたりすると、この第2周波数決定素子も発振
器1の所望の第2発振周波数に同調されるようにする。
この目的のために、第2ドライバ段54が設けられ、そ
の第1入力端55も制御信号端子46に接続され、第2
入力端56が抵抗性分圧器49〜51の第2タップ57
に接続されている。この第2ドライバ段54の出力端5
8は抵抗性分圧器35,36の第2タップ40に接続さ
れている。
【0019】第2タップ57における電圧により第2ド
ライバ段54に対し与えられるしきい値は第1ドライバ
段44に対し第1タップ48から得られるしきい値に比
べ、第1ドライバ段44におけるしきい値が第2ドライ
バ段54の制御範囲を制限し、この制御範囲をこの第2
ドライバ段54におけるしきい値により固定させるよう
な関係の値となっている。第2ドライバ段54も差動増
幅器を有し、入力端55及び56間の電圧がこれにより
出力端58に生じる信号に対し直線関係となるこの電圧
の制御範囲が、第2タップ57におけるしきい値を選択
することにより制御信号端子46における制御信号が第
1ドライバ段44の第1入力端45においてしきい値に
達するようなレベルになり、従ってこの制御範囲の限界
(好ましくは上限)に達すると第2周波数決定素子2
3,24を分離するようにするのが好ましい。この制御
範囲内で、第2ドライバ段54がキャパシタンスダイオ
ード23,24のキャパシタンスを変える調整電圧を第
2タップ40において第2周波数決定素子22,24の
バイアス電圧に重畳させる。図1に示す実施例では、簡
単化のために、抵抗性分圧器49〜51、他の分圧器5
2,53、コレクタ抵抗5,6、電流源27及び29、
エミッタホロワトランジスタ9,10のコレクタをすべ
て同じ電源端子8に接続してある。この目的のために
は、必要とする電位に応じて複数種類の電源端子を設け
ることができる。
ライバ段54に対し与えられるしきい値は第1ドライバ
段44に対し第1タップ48から得られるしきい値に比
べ、第1ドライバ段44におけるしきい値が第2ドライ
バ段54の制御範囲を制限し、この制御範囲をこの第2
ドライバ段54におけるしきい値により固定させるよう
な関係の値となっている。第2ドライバ段54も差動増
幅器を有し、入力端55及び56間の電圧がこれにより
出力端58に生じる信号に対し直線関係となるこの電圧
の制御範囲が、第2タップ57におけるしきい値を選択
することにより制御信号端子46における制御信号が第
1ドライバ段44の第1入力端45においてしきい値に
達するようなレベルになり、従ってこの制御範囲の限界
(好ましくは上限)に達すると第2周波数決定素子2
3,24を分離するようにするのが好ましい。この制御
範囲内で、第2ドライバ段54がキャパシタンスダイオ
ード23,24のキャパシタンスを変える調整電圧を第
2タップ40において第2周波数決定素子22,24の
バイアス電圧に重畳させる。図1に示す実施例では、簡
単化のために、抵抗性分圧器49〜51、他の分圧器5
2,53、コレクタ抵抗5,6、電流源27及び29、
エミッタホロワトランジスタ9,10のコレクタをすべ
て同じ電源端子8に接続してある。この目的のために
は、必要とする電位に応じて複数種類の電源端子を設け
ることができる。
【0020】フランスのビデオ信号伝送標準方式L及び
L′間を切換える本発明による発振器の数値例では、第
1発振周波数を伝送標準方式Lに対し38.9MHzの
画像搬送周波数の2倍とし、第2発振周波数を伝送標準
方式L′に対し33.9MHzの画像搬送周波数の2倍
とする。発振器を伝送標準方式L′に設定する場合、ス
イッチング装置59を閉じることにより第2周波数決定
素子23,24が接続される。可変抵抗53、第2ドラ
イバ段54及びキャパシタンスダイオード23,24の
キャパシタンスの変化を介して接続された第2周波数決
定素子を有する発振器1に対しては約1.2MHzの設
定周波数範囲が得られる。更に、本発明による発振器の
発振周波の変化は温度が動作温度よりも高くなった場合
に少なくなる。
L′間を切換える本発明による発振器の数値例では、第
1発振周波数を伝送標準方式Lに対し38.9MHzの
画像搬送周波数の2倍とし、第2発振周波数を伝送標準
方式L′に対し33.9MHzの画像搬送周波数の2倍
とする。発振器を伝送標準方式L′に設定する場合、ス
イッチング装置59を閉じることにより第2周波数決定
素子23,24が接続される。可変抵抗53、第2ドラ
イバ段54及びキャパシタンスダイオード23,24の
キャパシタンスの変化を介して接続された第2周波数決
定素子を有する発振器1に対しては約1.2MHzの設
定周波数範囲が得られる。更に、本発明による発振器の
発振周波の変化は温度が動作温度よりも高くなった場合
に少なくなる。
【0021】前述したように基準電圧端子18を介して
発振器を調整すると、調整特性曲線の勾配、すなわち基
準電圧端子18における逆バイアス電圧に対する発振周
波数変化の依存性が種々の発振周波数への設定時に変化
するようになる。この勾配の変化は、異なる発振周波数
に対しキャパシタンスダイオードが好ましい周波数決定
素子の値が異なることに基づいている。上述した発振器
を特に位相ロックループに用いると、異なる勾配が異な
る発振周波数間で制御ループの制御動作に変化を与える
という影響がある。
発振器を調整すると、調整特性曲線の勾配、すなわち基
準電圧端子18における逆バイアス電圧に対する発振周
波数変化の依存性が種々の発振周波数への設定時に変化
するようになる。この勾配の変化は、異なる発振周波数
に対しキャパシタンスダイオードが好ましい周波数決定
素子の値が異なることに基づいている。上述した発振器
を特に位相ロックループに用いると、異なる勾配が異な
る発振周波数間で制御ループの制御動作に変化を与える
という影響がある。
【0022】この現象は、第2周波数決定素子23,2
4の少なくとも1つの接続と相俟って利得を切換えうる
増幅器素子60により除去しうる。調整信号がこの増幅
器素子60を経て基準電圧端子18に供給され、この調
整信号から前記の利得に応じた逆バアイス電圧を基準電
圧端子18に得る。増幅器素子60の利得は各発振周波
数に対し、発振器1を調整信号によりすべての可調整発
振周波数に調整するのに少なくともほぼ一致する勾配を
有する調整特性曲線が得られるように選択するのが好ま
しい。このようにして、供給される調整信号と発振周波
数の変化との間の勾配が異なる為に変動する“伝送比”
が種々の利得により補正される為、全体として調整信号
と発振周波数の変化との間の特性が常に少なくとも殆ど
等しくなる。従って、発振器1を有する位相ロックルー
プの制御動作特性はあらゆる発振周波数において同じと
なる。
4の少なくとも1つの接続と相俟って利得を切換えうる
増幅器素子60により除去しうる。調整信号がこの増幅
器素子60を経て基準電圧端子18に供給され、この調
整信号から前記の利得に応じた逆バアイス電圧を基準電
圧端子18に得る。増幅器素子60の利得は各発振周波
数に対し、発振器1を調整信号によりすべての可調整発
振周波数に調整するのに少なくともほぼ一致する勾配を
有する調整特性曲線が得られるように選択するのが好ま
しい。このようにして、供給される調整信号と発振周波
数の変化との間の勾配が異なる為に変動する“伝送比”
が種々の利得により補正される為、全体として調整信号
と発振周波数の変化との間の特性が常に少なくとも殆ど
等しくなる。従って、発振器1を有する位相ロックルー
プの制御動作特性はあらゆる発振周波数において同じと
なる。
【0023】図1に示す実施例では、増幅器素子60の
出力端61が基準電圧端子18に接続されている。増幅
器素子60の入力端62は端子63にも接続されてお
り、この端子63から他の信号処理段に上述した調整信
号をAFC電圧として供給しうる。増幅器素子60の利
得はスイッチング入力端64を経て所望値に調整され
る。この目的のために、スイッチング入力端64が電流
制御回路43の出力端65に接続されており、この出力
端65は動作接続ライン41,42の機能と同じ機能を
有している。従って、可制御電流源27〜30と増幅器
素子60とは電流制御回路43により同時に制御すなわ
ちスイッチングされる。
出力端61が基準電圧端子18に接続されている。増幅
器素子60の入力端62は端子63にも接続されてお
り、この端子63から他の信号処理段に上述した調整信
号をAFC電圧として供給しうる。増幅器素子60の利
得はスイッチング入力端64を経て所望値に調整され
る。この目的のために、スイッチング入力端64が電流
制御回路43の出力端65に接続されており、この出力
端65は動作接続ライン41,42の機能と同じ機能を
有している。従って、可制御電流源27〜30と増幅器
素子60とは電流制御回路43により同時に制御すなわ
ちスイッチングされる。
【0024】上述した例の変形例では、増幅器素子60
の入力端62を基準電圧端子18に接続し、その出力端
61を端子63に接続するようにすることもできる。こ
の場合、調整信号が逆バイアス電圧として基準電圧端子
18からキャパシタンスダイオード15,16に直接供
給されるとともに増幅器素子60の入力端62にも供給
される。調整信号は、切換可能な利得によって予め決定
した増幅により逆バアイス電圧と発振周波数との間の特
性曲線の勾配差を補償した後AFC信号として端子63
に供給される。
の入力端62を基準電圧端子18に接続し、その出力端
61を端子63に接続するようにすることもできる。こ
の場合、調整信号が逆バイアス電圧として基準電圧端子
18からキャパシタンスダイオード15,16に直接供
給されるとともに増幅器素子60の入力端62にも供給
される。調整信号は、切換可能な利得によって予め決定
した増幅により逆バアイス電圧と発振周波数との間の特
性曲線の勾配差を補償した後AFC信号として端子63
に供給される。
【図1】本発明による発振器の一実施例を示す回路図で
ある。
ある。
1 発振器 2,3 トランジスタ 4,19,20 電流源 5,6 コレクタ抵抗 8 電源端子 9,10 エミッタホロワトランジスタ 11,12 出力端子 13 インダクタ 14 キャパシタ 15,16,23,24 キャパシタンスダイオード 18,37 基準電圧端子 25,26 スイッチングダイオード 27〜30 可制御電流源 43 電流制御回路 44 第1ドライバ段 46 制御信号端子 54 第2ドライバ段 60 増幅器素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴォルフガング ベルタースバッハ ドイツ連邦共和国 2000 ハンブルク 54 ゴールドレーゲンベーク 23
Claims (10)
- 【請求項1】 第1発振周波数用の第1周波数決定素子
が設けられた発振器において、 前記の第1周波数決定素子に接続することができ、発振
器を少なくとも第2発振周波数に調整するための第2周
波数決定素子が設けられていることを特徴とする発振
器。 - 【請求項2】 請求項1に記載の発振器において、前記
の第1周波数決定素子が第1キャパシタンスを有し、こ
の第1キャパシタンスが第2周波数決定素子としての第
2キャパシタンスと並列に接続しうるようになているこ
とを特徴とする発振器。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載の発振器におい
て、前記の第2周波数決定素子は少なくともスイッチン
グダイオードを経て接続しうるようになっていることを
特徴とする発振器。 - 【請求項4】 請求項3に記載の発振器において、前記
のスイッチングダイオードに給電する少なくとも可制御
電流源を具え、導通及び遮断状態間で任意に切換えうる
電源回路が設けられていることを特徴とする発振器。 - 【請求項5】 請求項4に記載の発振器において、前記
の電源回路が前記の可制御電流源を制御する第1ドライ
バ段を具えていることを特徴とする発振器。 - 【請求項6】 請求項4又は5に記載の発振器におい
て、前記の電源回路が前記の第2周波数決定素子を同調
させる装置を具えていることを特徴とする発振器。 - 【請求項7】 請求項6に記載の発振器において、前記
の第2周波数決定素子が少なくともキャパシタンスダイ
オードを有し、前記の第2周波数決定素子を同調させる
前記の装置がこのキャパシタンスダイオードに対するバ
イアス電圧を発生させる第2ドライバ段を有しているこ
とを特徴とする発振器。 - 【請求項8】 請求項5に記載の発振器において、前記
の電源回路が前記の第2周波数決定素子を同調させる装
置を具え、前記の第2周波数決定素子が少なくともキャ
パシタンスダイオードを有し、前記の第2周波数決定素
子を同調させる前記の装置がこのキャパシタンスダイオ
ードに対するバイアス電圧を発生させる第2ドライバ段
を有し、前記の第1及び第2ドライバ段の各々が差動増
幅器を有し、これら差動増幅器がそれぞれの一方の入力
端における共通制御信号により制御され、これら差動増
幅器の他方の入力端には、互いに異なるレベルのしきい
値が供給され、これらしきい値は、第1ドライバ段に供
給されるしきい値が第2ドライバ段に供給されるしきい
値により固定される第2ドライバ段の制御範囲を制限す
るような値となっていることを特徴とする発振器。 - 【請求項9】 請求項1〜8のいずれか一項に記載の発
振器において、前記の第2周波数決定素子の少なくとも
1つの接続と相俟って利得を切換えうる増幅器素子が設
けられ、この増幅器素子を経て調整信号を第1周波数決
定素子に供給しうるようになっていることを特徴とする
発振器。 - 【請求項10】 請求項9に記載の発振器において、発
振周波数の各々に対する前記の利得が、調整信号により
発振器を調整可能なあらゆる発振周波数に調整するため
の調整特性曲線の勾配が少なくともほぼ一致するように
選択されていることを特徴とする発振器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4314424A DE4314424A1 (de) | 1993-05-03 | 1993-05-03 | Oszillator |
DE4314424:1 | 1993-05-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06350337A true JPH06350337A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=6486929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6093414A Pending JPH06350337A (ja) | 1993-05-03 | 1994-05-02 | 発振器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5434543A (ja) |
EP (1) | EP0623992B1 (ja) |
JP (1) | JPH06350337A (ja) |
DE (2) | DE4314424A1 (ja) |
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DE10061241A1 (de) * | 2000-12-08 | 2002-06-27 | Infineon Technologies Ag | Oszillatorschaltung |
US6621362B2 (en) | 2001-05-18 | 2003-09-16 | Broadcom Corporation | Varactor based differential VCO band switching |
DE10139112B4 (de) * | 2001-08-09 | 2004-12-09 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung |
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JP4358185B2 (ja) * | 2005-12-12 | 2009-11-04 | シャープ株式会社 | 電圧制御発振器、並びに、送信機及び受信機 |
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