JPH0644185Y2 - 電子同調チューナにおける局部発振回路 - Google Patents
電子同調チューナにおける局部発振回路Info
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- JPH0644185Y2 JPH0644185Y2 JP1988016910U JP1691088U JPH0644185Y2 JP H0644185 Y2 JPH0644185 Y2 JP H0644185Y2 JP 1988016910 U JP1988016910 U JP 1988016910U JP 1691088 U JP1691088 U JP 1691088U JP H0644185 Y2 JPH0644185 Y2 JP H0644185Y2
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- Japan
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- voltage
- tuning
- diode
- aft
- variable capacitance
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J7/00—Automatic frequency control; Automatic scanning over a band of frequencies
- H03J7/02—Automatic frequency control
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
- H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
- H03J5/244—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection using electronic means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J3/00—Continuous tuning
- H03J3/02—Details
- H03J3/16—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability
- H03J3/18—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance
- H03J3/185—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance with varactors, i.e. voltage variable reactive diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J7/00—Automatic frequency control; Automatic scanning over a band of frequencies
- H03J7/02—Automatic frequency control
- H03J7/04—Automatic frequency control where the frequency control is accomplished by varying the electrical characteristics of a non-mechanically adjustable element or where the nature of the frequency controlling element is not significant
- H03J7/08—Automatic frequency control where the frequency control is accomplished by varying the electrical characteristics of a non-mechanically adjustable element or where the nature of the frequency controlling element is not significant using varactors, i.e. voltage variable reactive diodes
Landscapes
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Television Receiver Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案は電子同調チューナに係り、特にAFT（自動周
波数調整）回路を改良した局部発振回路に関する。
波数調整）回路を改良した局部発振回路に関する。
「従来の技術」 第３図は、従来の電子同調チューナにおける局部発振回
路の構成を示す回路図であり、この図において、符号１
はVHF帯用の局部発振回路、２はUHF帯用の局部発振回路
である。局部発振回路１において、３はAFT回路であ
り、コンデンサ4,5と可変容量ダイオード６とから構成
されている。そして、可変容量ダイオード６のカソード
が抵抗７を介してAFT電圧端子８に接続されている。こ
こで、AFT電圧端子８は中間周波数の変動分に対応するA
FT電圧Vaが供給される端子である。また、符号10は同調
用共振容量回路であり、コンデンサ11と可変容量ダイオ
ード12とから構成され、可変容量ダイオード12のカソー
ドが抵抗13を介して同調電圧端子14に接続されている。
この同調電圧端子14は同調電圧Vt（選局制御電圧）が供
給される端子である。同調電圧Vtは同調周波数を決定す
る電圧であり、この電圧Vtを変えることによって選局が
行なわれる。この場合、選局チャンネルの周波数が低い
時は同調電圧Vtも低い電圧となり、高い時は高い電圧と
なる。
路の構成を示す回路図であり、この図において、符号１
はVHF帯用の局部発振回路、２はUHF帯用の局部発振回路
である。局部発振回路１において、３はAFT回路であ
り、コンデンサ4,5と可変容量ダイオード６とから構成
されている。そして、可変容量ダイオード６のカソード
が抵抗７を介してAFT電圧端子８に接続されている。こ
こで、AFT電圧端子８は中間周波数の変動分に対応するA
FT電圧Vaが供給される端子である。また、符号10は同調
用共振容量回路であり、コンデンサ11と可変容量ダイオ
ード12とから構成され、可変容量ダイオード12のカソー
ドが抵抗13を介して同調電圧端子14に接続されている。
この同調電圧端子14は同調電圧Vt（選局制御電圧）が供
給される端子である。同調電圧Vtは同調周波数を決定す
る電圧であり、この電圧Vtを変えることによって選局が
行なわれる。この場合、選局チャンネルの周波数が低い
時は同調電圧Vtも低い電圧となり、高い時は高い電圧と
なる。
次に、局部発振回路２において、符号16は可変容量ダイ
オード17からなる同調用共振容量回路であり、可変容量
ダイオード17のカソードが抵抗18を介して同調電圧端子
14に接続されている。19はAFT回路であり、コンデンサ2
0と、可変容量ダイオード21とから構成され、可変容量
ダイオード21のカソードが抵抗22,23を介してAFT電圧端
子８に接続されている。また、抵抗22,23の接続点がダ
イオード24を介して同調電圧端子14に接続されている。
また、切換スイッチ26は、バンド選択に応じて切換えら
れるスイッチであり、VHF帯ハイバンドが選択された時
は共通端子26dが端子26aに接続され、VHF帯ローバンド
が選択された時は共通端子26dが端子26bに接続され、UH
F帯が選択された時は共通端子26dが端子26cに接続され
る。また、共通端子26dは＋Ｂ電源に接続され、端子26a
は抵抗27、ダイオード28を介して同調コイル29,30の接
続点に接続され、端子26bは抵抗31、ダイオード32の直
列回路を介してコイル30の一端および発振回路34に接続
され、端子26cは発振回路35に接続されている。
オード17からなる同調用共振容量回路であり、可変容量
ダイオード17のカソードが抵抗18を介して同調電圧端子
14に接続されている。19はAFT回路であり、コンデンサ2
0と、可変容量ダイオード21とから構成され、可変容量
ダイオード21のカソードが抵抗22,23を介してAFT電圧端
子８に接続されている。また、抵抗22,23の接続点がダ
イオード24を介して同調電圧端子14に接続されている。
また、切換スイッチ26は、バンド選択に応じて切換えら
れるスイッチであり、VHF帯ハイバンドが選択された時
は共通端子26dが端子26aに接続され、VHF帯ローバンド
が選択された時は共通端子26dが端子26bに接続され、UH
F帯が選択された時は共通端子26dが端子26cに接続され
る。また、共通端子26dは＋Ｂ電源に接続され、端子26a
は抵抗27、ダイオード28を介して同調コイル29,30の接
続点に接続され、端子26bは抵抗31、ダイオード32の直
列回路を介してコイル30の一端および発振回路34に接続
され、端子26cは発振回路35に接続されている。
このような構成において、同調電圧VtがAFT電圧Vaより
大の場合は、ダイオード24がカットオフとなり、AFT電
圧VaがAFT回路3,19の各可変容量ダイオード6,21のみへ
供給される。これに対し、同調電圧VtがAFT電圧Vaより
小の場合は、ダイオード24がオン状態となり、AFT電圧V
aが可変容量ダイオード6,21のみならず、同調用共振容
量回路10,16の可変容量ダイオード12,17へも供給され
る。
大の場合は、ダイオード24がカットオフとなり、AFT電
圧VaがAFT回路3,19の各可変容量ダイオード6,21のみへ
供給される。これに対し、同調電圧VtがAFT電圧Vaより
小の場合は、ダイオード24がオン状態となり、AFT電圧V
aが可変容量ダイオード6,21のみならず、同調用共振容
量回路10,16の可変容量ダイオード12,17へも供給され
る。
このように、第３図の回路は、同調電圧Vtが小の場合
に、AFT電圧Vaを可変容量ダイオード12,17に重畳するこ
とができ、これにより、AFT電圧Vaによる制御範囲がよ
り大きくなされている。
に、AFT電圧Vaを可変容量ダイオード12,17に重畳するこ
とができ、これにより、AFT電圧Vaによる制御範囲がよ
り大きくなされている。
「考案が解決しようとする課題」 ところで、上述した従来の回路は、AFT電圧Vaの重畳／
非重畳の分岐点が、AFT電圧Vaと同調電圧Vtの大小関係
だけで決まってしまい、同調周波数の大小に応じて自由
に設定することができないため、AFT回路定数が同じで
も、AFT電圧Vaの中心電圧が6.5V/4.5Vのように異なれ
ば、AFT電圧Vaによる制御範囲が同調周波数によって大
きく異なってしまう問題がある。また、VHF帯ローバン
ドでは、周波数低域のチャンネルにおいても同調電圧Vt
があまり低くならないので、AFT電圧Vaの重畳作用が充
分に働かず、このため制御範囲が小さくなり、同一バン
ド内での制御範囲の偏差が大きくなる問題がある。
非重畳の分岐点が、AFT電圧Vaと同調電圧Vtの大小関係
だけで決まってしまい、同調周波数の大小に応じて自由
に設定することができないため、AFT回路定数が同じで
も、AFT電圧Vaの中心電圧が6.5V/4.5Vのように異なれ
ば、AFT電圧Vaによる制御範囲が同調周波数によって大
きく異なってしまう問題がある。また、VHF帯ローバン
ドでは、周波数低域のチャンネルにおいても同調電圧Vt
があまり低くならないので、AFT電圧Vaの重畳作用が充
分に働かず、このため制御範囲が小さくなり、同一バン
ド内での制御範囲の偏差が大きくなる問題がある。
第５図は従来のAFT回路の制御特性を示す図であり、こ
の図において、実線L1,L2は、AFT中心電圧が4.5Vの場合
で、AFT電圧を4.5V±3V変化した場合の制御範囲を示し
ている。この図に示すように、受信周波数が、例えば51
MHzの場合は制御範囲が±0.5MHzとなり、また、受信周
波数が65MHzの場合は、制御範囲が±1.5MHzとなる。ま
た、同図における破線L3,L4はAFT中心電圧が6.5Vの場合
にAFT電圧を6.5V±3V変化した場合の制御範囲を示して
いる。
の図において、実線L1,L2は、AFT中心電圧が4.5Vの場合
で、AFT電圧を4.5V±3V変化した場合の制御範囲を示し
ている。この図に示すように、受信周波数が、例えば51
MHzの場合は制御範囲が±0.5MHzとなり、また、受信周
波数が65MHzの場合は、制御範囲が±1.5MHzとなる。ま
た、同図における破線L3,L4はAFT中心電圧が6.5Vの場合
にAFT電圧を6.5V±3V変化した場合の制御範囲を示して
いる。
この考案は上述した事情に鑑みてなされたもので、AFT
電圧を同調用可変容量ダイオードに加えて制御できる同
調周波数範囲を従来のものより拡大することができると
共に、制御範囲の偏差を小とすることができる電子同調
チューナにおける局部発振回路を提供することを目的と
している。
電圧を同調用可変容量ダイオードに加えて制御できる同
調周波数範囲を従来のものより拡大することができると
共に、制御範囲の偏差を小とすることができる電子同調
チューナにおける局部発振回路を提供することを目的と
している。
「課題を解決するための手段」 この考案は、選局用可変容量ダイオードと自動微同調制
御用可変容量ダイオードとを具備し、選局制御電圧が前
記選局用可変容量ダイオードに印加され、自動微同調制
御電圧が前記自動微同調制御用可変容量ダイオードへ印
加される電子同調チューナにおける局部発振回路におい
て、前記自動微同調制御電圧を前記自動微同調制御用可
変容量ダイオードへ印加すると共に、抵抗および順方向
の第１ダイオードを介して前記選局用可変容量ダイオー
ドへ印加し、直流バイアス電圧を順方向の第２ダイオー
ドを介して前記抵抗および第１ダイオードの接続点へ印
加することを特徴としている。
御用可変容量ダイオードとを具備し、選局制御電圧が前
記選局用可変容量ダイオードに印加され、自動微同調制
御電圧が前記自動微同調制御用可変容量ダイオードへ印
加される電子同調チューナにおける局部発振回路におい
て、前記自動微同調制御電圧を前記自動微同調制御用可
変容量ダイオードへ印加すると共に、抵抗および順方向
の第１ダイオードを介して前記選局用可変容量ダイオー
ドへ印加し、直流バイアス電圧を順方向の第２ダイオー
ドを介して前記抵抗および第１ダイオードの接続点へ印
加することを特徴としている。
「作用」 この考案によれば、直流バイアス電圧を順方向の第２ダ
イオードを介して前記抵抗および第１ダイオードの接続
点へ印加するようになっている。この結果、直流バイア
ス電圧を変えることによって第１ダイオードオン／オフ
切り換え点、言い替えればAFT電圧が重畳／非重畳に切
り換えられる点を任意の同調周波数に設定することが可
能となる。
イオードを介して前記抵抗および第１ダイオードの接続
点へ印加するようになっている。この結果、直流バイア
ス電圧を変えることによって第１ダイオードオン／オフ
切り換え点、言い替えればAFT電圧が重畳／非重畳に切
り換えられる点を任意の同調周波数に設定することが可
能となる。
「実施例」 以下、図面を参照してこの考案の一実施例について説明
する。第１図はこの考案の一実施例による局部発振回路
の構成を示す回路図であり、この図において、第３図の
各部に対応する部分には同一の符号を付しその説明を省
略する。この図に示す回路が第３図の回路と異なる点は
次の構成が追加されている点である。すなわち、切換ス
イッチ26の端子26aおよび接地間に抵抗41,42がシリーズ
に介挿され、これらの抵抗41,42の接続点に抵抗43の一
端が接続され、この抵抗43の他端がダイオード44のアノ
ードに接続され、ダイオード44のカソードが抵抗23とダ
イオード24の接続点に接続されている。また、切換スイ
ッチ26の端子26bおよび接地間に抵抗46,47がシリーズに
介挿され、これらの抵抗46,47の接続点に抵抗48の一端
が接続され、この抵抗48の他端がダイオード49のアノー
ドに接続され、ダイオード49のカソードが抵抗23とダイ
オード24の接続点に接続されている。なお、抵抗43,48
は数100KΩ〜数ＭΩ、また、抵抗41,42,46,47は各々数1
0KΩ〜数100KΩである。
する。第１図はこの考案の一実施例による局部発振回路
の構成を示す回路図であり、この図において、第３図の
各部に対応する部分には同一の符号を付しその説明を省
略する。この図に示す回路が第３図の回路と異なる点は
次の構成が追加されている点である。すなわち、切換ス
イッチ26の端子26aおよび接地間に抵抗41,42がシリーズ
に介挿され、これらの抵抗41,42の接続点に抵抗43の一
端が接続され、この抵抗43の他端がダイオード44のアノ
ードに接続され、ダイオード44のカソードが抵抗23とダ
イオード24の接続点に接続されている。また、切換スイ
ッチ26の端子26bおよび接地間に抵抗46,47がシリーズに
介挿され、これらの抵抗46,47の接続点に抵抗48の一端
が接続され、この抵抗48の他端がダイオード49のアノー
ドに接続され、ダイオード49のカソードが抵抗23とダイ
オード24の接続点に接続されている。なお、抵抗43,48
は数100KΩ〜数ＭΩ、また、抵抗41,42,46,47は各々数1
0KΩ〜数100KΩである。
このような構成おいて、VHF帯ハイバンドが選択された
場合は、端子26aへ印加される＋Ｂ電圧が抵抗41,42によ
って分割され、この分割によって得られた電圧V1（直流
バイアス電圧）が、抵抗43およびダイオード44を介して
ダイオード24のアノードへ印加される。したがって、予
め抵抗41,42の値を、電圧V1がAFT電圧Vaの中心電圧より
高くなるように設定しておけば、VHF帯ハイバンドが選
択された場合において、ダイオード24がオフとなる同調
電圧Vtが第３図に示す従来ものより高くなり、したがっ
て、AFT電圧Vaの重畳／非重畳の分岐点が従来のものよ
り高くなる。言い替えれば、該分岐点が従来のものより
高周波側へ移動する。すなわち、この実施例によれば、
従来のものより広い範囲に亙ってAFT電圧Vaを選局用の
可変容量ダイオード12に重畳することができ、また、重
畳／非重畳の分岐点を任意に設定することができる。
場合は、端子26aへ印加される＋Ｂ電圧が抵抗41,42によ
って分割され、この分割によって得られた電圧V1（直流
バイアス電圧）が、抵抗43およびダイオード44を介して
ダイオード24のアノードへ印加される。したがって、予
め抵抗41,42の値を、電圧V1がAFT電圧Vaの中心電圧より
高くなるように設定しておけば、VHF帯ハイバンドが選
択された場合において、ダイオード24がオフとなる同調
電圧Vtが第３図に示す従来ものより高くなり、したがっ
て、AFT電圧Vaの重畳／非重畳の分岐点が従来のものよ
り高くなる。言い替えれば、該分岐点が従来のものより
高周波側へ移動する。すなわち、この実施例によれば、
従来のものより広い範囲に亙ってAFT電圧Vaを選局用の
可変容量ダイオード12に重畳することができ、また、重
畳／非重畳の分岐点を任意に設定することができる。
VHF帯ローバンドが選択された場合も同様であり、AFT電
圧Vaの重畳／非重畳の分岐点を抵抗46,47の調整により
従来のものより高くすることができ、また、該分岐点を
任意に設定することができる。
圧Vaの重畳／非重畳の分岐点を抵抗46,47の調整により
従来のものより高くすることができ、また、該分岐点を
任意に設定することができる。
第６図は、AFT中心電圧が4.5Vの場合に、AFT電圧を4.5V
±3V変化した場合のAFT回路の制御特性を示す図であ
り、この図において実線L5,L7は、従来の回路の特性を
示し、破線L6,L8は上記実施例の特性を示している。こ
の図から明らかなように、実施例にものは、ローバンド
の低域（51〜55MHz）において制御範囲が従来のものよ
り拡大しており、また、ハイバンドの144〜167MHz近傍
において、従来のものが示す制御範囲の縮小傾向が補正
されている。第７図も第６図と同じAFT電圧の場合の、
他のAFT回路の制御特性を示す図であり、実線L9,L11
は、従来の回路の特性を示し、破線L10,L12は上記実施
例の特性を示している。この図が第６図と異なる点は、
ローバンドの帯域（51〜96MHz）が広いことである。こ
の場合、従来のものは、ローバンドの低域において制御
範囲が極めて狭くなるが、上記実施例によれば、この欠
点が補正されている。
±3V変化した場合のAFT回路の制御特性を示す図であ
り、この図において実線L5,L7は、従来の回路の特性を
示し、破線L6,L8は上記実施例の特性を示している。こ
の図から明らかなように、実施例にものは、ローバンド
の低域（51〜55MHz）において制御範囲が従来のものよ
り拡大しており、また、ハイバンドの144〜167MHz近傍
において、従来のものが示す制御範囲の縮小傾向が補正
されている。第７図も第６図と同じAFT電圧の場合の、
他のAFT回路の制御特性を示す図であり、実線L9,L11
は、従来の回路の特性を示し、破線L10,L12は上記実施
例の特性を示している。この図が第６図と異なる点は、
ローバンドの帯域（51〜96MHz）が広いことである。こ
の場合、従来のものは、ローバンドの低域において制御
範囲が極めて狭くなるが、上記実施例によれば、この欠
点が補正されている。
「考案の効果」 以上説明したように、この考案によれば、AFT電圧を同
調用の可変容量ダイオードに重畳するかしないかの分岐
点を任意に設定することができるので、AFT電圧の中心
値が異なる場合でも、抵抗値の調整によって同等のAFT
制御範囲を得ることができる。また、この考案によれ
ば、AFT電圧の重畳／非重畳の分岐点を従来のものより
高周波側へ移動させることができるので、受信バンド内
の最も低域チャンネルの同調電圧が比較的高い場合にお
いても、AFT電圧を同調用の可変容量ダイオードに充分
重畳させることができ、この結果、AFT制御範囲を拡大
することができる。また、特にローバンドにおいて受信
帯域を拡大した場合（第７図参照）、AFT制御範囲の偏
差が大きくなるが、この考案によれば、この偏差を小さ
くすることができる。
調用の可変容量ダイオードに重畳するかしないかの分岐
点を任意に設定することができるので、AFT電圧の中心
値が異なる場合でも、抵抗値の調整によって同等のAFT
制御範囲を得ることができる。また、この考案によれ
ば、AFT電圧の重畳／非重畳の分岐点を従来のものより
高周波側へ移動させることができるので、受信バンド内
の最も低域チャンネルの同調電圧が比較的高い場合にお
いても、AFT電圧を同調用の可変容量ダイオードに充分
重畳させることができ、この結果、AFT制御範囲を拡大
することができる。また、特にローバンドにおいて受信
帯域を拡大した場合（第７図参照）、AFT制御範囲の偏
差が大きくなるが、この考案によれば、この偏差を小さ
くすることができる。
第１図はこの考案の一実施例の構成を示す回路図、第２
図は同実施例の等価回路図、第３図は従来の局部発振回
路の構成を示す回路図、第４図は同局部発振回路の等価
回路図、第５図は従来の局部発振回路におけるAFT回路
の特性を示す図、第６図、第７図は各々第１図に示す実
施例におけるAFT回路の特性を従来の特性と比較して示
した図である。 6,21……自動微同調制御用可変容量ダイオード、12,17
……選局用可変容量ダイオード、23……抵抗、24……ダ
イオード、44,49……ダイオード、Va……AFT電圧（自動
微同調制御電圧）、Vt……同調電圧（選局制御電圧）、
V1,V2……直流バイアス電圧。
図は同実施例の等価回路図、第３図は従来の局部発振回
路の構成を示す回路図、第４図は同局部発振回路の等価
回路図、第５図は従来の局部発振回路におけるAFT回路
の特性を示す図、第６図、第７図は各々第１図に示す実
施例におけるAFT回路の特性を従来の特性と比較して示
した図である。 6,21……自動微同調制御用可変容量ダイオード、12,17
……選局用可変容量ダイオード、23……抵抗、24……ダ
イオード、44,49……ダイオード、Va……AFT電圧（自動
微同調制御電圧）、Vt……同調電圧（選局制御電圧）、
V1,V2……直流バイアス電圧。
Claims (1)
- 【請求項１】選局用可変容量ダイオードと自動微同調制
御用可変容量ダイオードとを具備し、選局制御電圧が前
記選局用可変容量ダイオードに印加され、自動微同調制
御電圧が前記自動微同調制御用可変容量ダイオードへ印
加される電子同調チューナにおける局部発振回路におい
て、 前記自動微同調制御電圧を前記自動微同調制御用可変容
量ダイオードへ印加すると共に、抵抗および順方向の第
１ダイオードを介して前記選局用可変容量ダイオードへ
印加し、 直流バイアス電圧を順方向の第２ダイオードを介して前
記抵抗および第１ダイオードの接続点へ印加してなる電
子同調チューナにおける局部発振回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988016910U JPH0644185Y2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 電子同調チューナにおける局部発振回路 |
| KR2019880016654U KR910001650Y1 (ko) | 1988-02-10 | 1988-10-10 | 전자 동조 튜너에 있어서의 국부발진 회로 |
| GB8903026A GB2215929B (en) | 1988-02-10 | 1989-02-10 | Electronic tuners |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988016910U JPH0644185Y2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 電子同調チューナにおける局部発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01126628U JPH01126628U (ja) | 1989-08-30 |
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Family
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