JPH0416509Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は、ラジオ受信機等のバンド切換え装置
に関し、特に局部発振回路の発振周波数を切換え
る為のバンド切換え装置に関する。 (ロ) 従来の技術 複数のバンドを受信することが出来る多バンド
受信機は、受信バンドに応じてバンド切換えを行
う必要があり、受信周波数よりも中間周波数だけ
低い（または高い）周波数を発振させる局部発振
器においては、例えば実開昭60−111122号公報に
示される如く、バンド切換え時に発振周波数を決
定する素子を切換える必要がある。前記公報に示
されるバンド切換え回路は、単一の可変容量素子
に並列に第１、第２同調用コイル及び第１、第２
パデイングコンデンサから成る直列回路を接続
し、その接続点に該可変容量素子の容量の可変比
を調整する為の第１及び第２コンデンサを接続す
ると共に前記第１及び第２同調用コイルの接続点
に第１スイツチング回路を接続し、前記第２コン
デンサに第２スイツチング回路を接続して、前記
第１スイツチング回路を導通状態にしたときに一
方の受信バンドを、前記第２スイツチング回路を
導通状態にしたときに他方の受信バンドを選択す
る様にしたものであり、それぞれの受信バンドに
おいて、同調用コイルと直列にパデイングコンデ
ンサが入れてあるので、単一の可変容量素子で両
方の受信バンドにおいて３点トラツキングを行う
ことが出来、トラツキングエラーを小とすること
が出来る。３点トラツキングは、同調範囲の３点
で受信周波数と発振周波数との差を中間周波数に
正しく一致させることが出来る方法であるので、
上述のバンド切換え回路はAM及びFMラジオ受
信機等の精度を要求される受信機に用いて好適で
ある。 (ハ) 考案が解決しようとする問題点 しかしながら、上述のバンド切換え回路は、選
択する受信バンドに応じて第１または第２スイツ
チング回路に制御信号を印加することにより該第
１または第２スイツチング回路を導通状態にして
いた。すなわち、上述の回路は、前記第１スイツ
チング回路を導通状態にする制御信号と前記第２
スイツチング回路を導通状態にする制御信号との
２つの制御信号を必要とするので、該制御信号を
発生する制御信号発生回路が複雑であつた。 本考案は上述の点に鑑み成された局部発振回路
のバンド切換え装置を提供せんとするものであ
る。 (ニ) 問題点を解決するための手段 本考案に係る局部発振回路のバンド切換え装置
は、単一の同調用可変容量素子と、該可変容量素
子に並列接続されていると共に直列接続された第
１同調用コイル及び第１パデイングコンデンサか
ら成る第１同調素子対と直列接続された第２同調
用コイル及び第２パデイングコンデンサから成る
第２同調素子対とが互いに直列接続されて構成さ
れ、該第２パデイングコンデンサの一端に電源電
圧が印加されると共に他端がアースされた直列回
路と、それぞれ一端が前記可変容量素子と直列回
路との接続点に接続され、それぞれの受信バンド
で該可変容量素子の容量の可変比を調整する為の
浮遊容量用の第１及び第２コンデンサと、カソー
ドが前記直列回路の第１同調素子対と第２同調素
子対との接続点に接続されていると共にアノード
に電源電圧が印加される第１スイツチングダイオ
ードと、カソードが前記第２コンデンサの他端に
接続され、アノードが前記第１スイツチングダイ
オードのアノードに接続されると共に該カソード
に該第１スイツチングダイオードのアノードに印
加される電源電圧より電圧値の低い電圧が印加さ
れる第２スイツチングダイオードと、前記第２同
調用コイル及び前記第２パデイングコンデンサの
接続点に電源電圧を印加する為の電源線路とアー
ス間にコレクタ・エミツタ路が挿入されたスイツ
チングトランジスタとを備えたことを特徴とす
る。 (ホ) 作用 本考案は、スイツチングトランジスタのオフ状
態において、前記直列回路の第２同調用コイルを
介して前記第１スイツチングダイオードを逆バイ
アスしてオフさせると共に前記第２スイツチング
ダイオードをオンさせて発振周波数を前記直列回
路の全ての素子と前記可変容量素子と前記第１及
び第２コンデンサとにより決定させ、一方の受信
バンドを選択する様にすると共に前記スイツチン
グトランジスタのオン状態において、前記第１ス
イツチングダイオードへの逆バイアスを停止して
該第１スイツチングダイオードをオンさせると共
に前記第２スイツチングダイオードをオフさせて
発振周波数を前記直列回路の第１同調素子対と前
記可変容量素子と前記第１コンデンサとにより決
定させ、他方の受信バンドを選択する様にしたも
のである。 (ヘ) 実施例 図は本考案の一実施例を示すもので、１は同調
用可変容量素子となるバリキヤツプ、２は互いに
直列接続された第１同調用コイル３及び第１パデ
イングコンデンサ４から成る第１同調素子対、５
は互いに直列接続された第２同調用コイル６及び
第２パデイングコンデンサ７から成り、前記第１
同調素子対２に直列接続された第２同調素子対、
８及び９はそれぞれ一端が前記バリキヤツプ１の
一端に接続された第１及び第２コンデンサ、１０
はカソードが前記第１及び第２同調素子対２及び
５の接続点に接続された第１スイツチングダイオ
ード、１１はカソードが前記第２コンデンサ９の
他端に接続されていると共にアノードが前記第１
スイツチングダイオード１０のアノードに接続さ
れた第２スイツチングダイオード、１２は電源電
圧（＋Ｂ）を分圧する抵抗１３及び１４から成
り、分圧点Ａが前記第１及び第２スイツチングダ
イオード１０及び１１のアノード同志の接続点と
なる第１分圧回路、１５は電源電圧（＋Ｂ）を分
圧する抵抗１６及び１７から成り、分圧点Ｂが前
記第２スイツチングダイオード１１のカソードに
接続された第２分圧回路、１８は低い周波数帯の
第１バンドが選択されたときに「Ｌ」レベルの制
御信号を発生し、高い周波数帯の第２バンドが選
択されたときに「Ｈ」レベルの制御信号を発生す
る制御信号発生回路、１９は前記第２同調素子対
５の第２同調用コイル６と第２パデイングコンデ
ンサ７との接続点に電源電圧を印加する為の電源
線路２０とアース間にコレクタ・エミツタ路が挿
入されていると共に前記制御信号発生回路１８に
ベースが接続されたスイツチングトランジスタ、
２１は発振回路、２２及び２３はそれぞれ該発振
回路２１の一次側の第１及び第２コイル、２４は
カソードが前記スイツチングトランジスタ１９に
接続されていると共にアノードが結合コンデンサ
２５を介して前記第１及び第１コイル２２及び２
３の接続点に接続された第３スイツチングダイオ
ードである。そして、前記第１同調素子対２と第
２同調素子対５とは合わせて直列回路２６を構成
しており、該直列回路２６は前記バリキヤツプ１
に並列接続されていると共に第１及び第２同調用
コイル３及び６がそれぞれ前記第１及び第２コイ
ル２２及び２３に相互誘導結合されている。ま
た、前記バリキヤツプ１は端子２７に印加される
チユーニング電圧の大きさに応じて容量が設定さ
れる。 上述の装置で低い周波数帯の第１バンドが選択
された場合、制御信号発生回路１８から「Ｌ」レ
ベルの制御信号が発生される。その為、スイツチ
ングトランジスタ１９はオフ状態のままであり、
第１スイツチングダイオード１０のカソードには
電源電圧（＋Ｂ）が抵抗２８及び第２同調用コイ
ル６を介して印加されている。ここで、前記第１
スイツチングダイオード１０のアノードには、電
源電圧（＋Ｂ）が第１分圧回路１２で分圧されて
印加されているので、該第１スイツチングダイオ
ード１０は逆バイアスされており、オフしてい
る。その為、第２同調用コイル６は第２パデイン
グコンデンサ７を介して一端のみが高周波的に接
地されている。また、前記第１分圧回路１２で分
圧された電源電圧は第２スイツチングダイオード
１１のアノードにも印加される。そして、前記第
２スイツチングダイオード１１のカソードには、
電源電圧（＋Ｂ）が第２分圧回路１５で分圧され
て印加される。ここで、第１スイツチングダイオ
ード１０がオフしている状態において、前記第１
分圧回路１２の分圧点Ａには、前記第２分圧回路
１５の分圧点Ｂより高い電圧が発生する様に成さ
れている。その為、前記第２スイツチングダイオ
ード１１がオンして第２コンデンサ９は該第２ス
イツチングダイオード１１及びバイパスコンデン
サ２９を介して高周波的に接地される。 一方、このとき、スイツチングトランジスタ１
９のオフの為に電源電圧（＋Ｂ）は第１スイツチ
ングダイオード１０のカソードの他に第３スイツ
チングダイオード２４のカソードに印加されてい
る。そして、前記第３スイツチングダイオード２
４のアノードには電源電圧（＋Ｂ）より電圧レベ
ルの低い基準電圧（＋V_ref）が第２コイル２３及
び抵抗３０を介して印加されているので、該第３
スイツチングダイオード２４はオフしている。そ
の為、前記第２コイル２３は一端のみバイパスコ
ンデンサ３１を介して高周波的に接地されてい
る。したがつて、この状態において、発振周波数
は、バリキヤツプ１、直列回路２６を構成する全
ての素子、第１及び第２コンデンサ８及び９で決
定され、第１バンドの発振周波数₀₁は ₀₁＝１／2π√（L₁＋L₂）C_p（C_v＋C₁＋C₂）／C_p
＋C_v＋C₁＋C₂ となる。ただし、L₁及びL₂はそれぞれ第１及び
第２同調用コイル３及び６のインダクタンス、
C₁，C₂及びC_vはそれぞれ第１コンデンサ８、第
２コンデンサ９及びバリキヤツプ１の容量、C_p
は第１及び第２パデイングコンデンサ４及び７の
合成容量、すなわち、C_p＝C_p1・C_p2／C_p1＋C_p2であり、
C_p1 及びC_p2はそれぞれ該第１及び第２パデイングコ
ンデンサ４及び７の容量である。 尚、上述の場合、スイツチングトランジスタ１
９がオフ状態であつても、該スイツチングトラン
ジスタ１９のコレクタ・エミツタ間を第２パデイ
ングコンデンサ７と並列にしているので、発振周
波数₀₁が戦記スイツチングトランジスタ１９の
コレクタ容量による影響をほとんど受けない。 また、高い周波数帯の第２バンドが選択された
場合、制御信号発生回路１８から「Ｈ」レベルの
制御信号が発生される。その為、スイツチングト
ランジスタ１９はオン状態になり、第１スイツチ
ングダイオード１０のカソードは略アース電位と
なる。ここで、前記第１スイツチングダイオード
１０のアノードには、電源電圧（＋Ｂ）が第１分
圧回路１２で分圧されて印加されているので、該
第１スイツチングダイオード１０はオンする。そ
の為、第２同調用コイル６は第２パデイングコン
デンサ７を介して高周波的に接地されている端と
異なる端も前記第１スイツチングダイオード１０
及びバイパスコンデンサ２９を介して高周波的に
接地される。また、前記第１スイツチングダイオ
ード１０がオンすると、第１分圧回路１２の分圧
点Ａにアース電位より該第１スイツチングダイオ
ード１０の導通電圧（約0.7V）だけ高い電圧が
発生する様になる。その為、第２分圧発生回路１
５の分圧点Ｂに発生する電圧が前記第１分圧回路
１２の分圧点Ａに発生する電圧を超える様にな
り、第２スイツチングダイオード１１が逆バイア
スされてオフ状態になる。したがつて、第２コン
デンサ９はバリキヤツプ１と接続された端と別の
端が高周波的にアースから切り離されるので、こ
の状態において、発振周波数は、バリキヤツプ
１、直列回路２６の第１同調素子対２を構成する
素子、第１コンデンサ８で決定され、第２バンド
の発振周波数₀₂は ₀₂＝１／2π√L₁C_p1（C_v＋C₁）／C_p1＋C_v＋C₁ となる。 また、上述の状態において、スイツチングトラ
ンジスタ１９のオンの為に第３スイツチングダイ
オード２４のカソードは略アース電位であり、該
第３スイツチングダイオード２４のアノードに
は、基準電圧（＋V_ref）が第２コイル２３及び抵
抗３０を介して印加されるので、前記第３スイツ
チングダイオード２４はオンしている。その為、
前記第２コイル２３は両端が高周波的に接地され
ており、第１バンドの受信時だけに使用される第
２同調用コイル６が誤動作しない様に成され、ス
プリアス発振が防止される。尚、第２バンドの受
信時において、第２コンデンサ９に第２分圧回路
１５の抵抗１６及び１７が接続された状態とな
り、発振周波数に該第２コンデンサ９が少許影響
してしまうので、その影響をなくす為には、図の
破線に示す如く、第４のスイツチングダイオード
３２を挿入すれば良い。この場合、第２スイツチ
ングダイオード１１がオフしているときは前記第
４のスイツチングダイオード３２に逆バイアス電
圧が印加される様にする。 上述の装置は、それぞれの受信バンドにおい
て、同調用コイルと直列にパデイングコンデンサ
を接続することにより第１及び第２バンドの両受
信バンドで３点トラツキングが行える様に成され
ている。その場合、前記パデイングコンデンサの
容量は、バリキヤツプ８の可変容量範囲及び受信
周波数の同調範囲によつて選択される。すなわ
ち、第１バンドを選択したときは、第１及び第２
同調用コイル３及び６に第１及び第２パデイング
コンデンサ４及び７が直列接続されていることに
より、第２バンドを選択したときは、第１同調用
コイル３に第１パデイングコンデンサ４が直列接
続されていることにより、３点トラツキングが達
成されている。この場合、前記第１パデイングコ
ンデンサ４としては、第２バンドにおいて最小の
トラツキングエラーとなる様に算出された容量の
ものが使用され、前記第２パデイングコンデンサ
７としては、前記第１パデイングコンデンサ４と
の合成容量が第１バンドにおいて最小のトラツキ
ングエラーとなる様に算出された容量のものが使
用されている。そして、トラツキング調整は第２
バンド、第１バンドの順番に行われる。前記トラ
ツキング調整は、第２バンドの受信時において、
同調範囲の低い周波数を第１同調用コイル３のイ
ンダクタンスで、高い周波数を第１コンデンサ８
の容量で設定することにより行い、第１バンドの
受信時において、前記第１同調用コイル３のイン
ダクタンス及び前記第１コンデンサ８の容量を第
２バンドのときに設定された値にしておき、第２
同調用コイル６のインダクタンス及び第２コンデ
ンサ９の容量で、第２バンドのときと同様にして
高低両周波数の設定が行われる。 (ト) 考案の効果 以上述べた如く、本考案に依れば、受信バンド
を選択する為に単一のスツチングトランジスタの
オン・オフを制御すれば良いので、単一極性の制
御信号を前記スツチングトランジスタのベースに
印加することにより受信バンドの切換えを行うこ
とが出来る。また、バンド切換えに応じて第２ス
ツチングダイオードの導通状態を制御し、使用す
る浮遊容量用コンデンサを切換えているので、各
受信バンドで独立してトラツキング調整を行うこ
とが出来る。また、バンド切換えに応じて使用さ
れなくなる一次側のコイルの両端を高周波的に接
地するようにしているので、３点トラツキングを
達成しながら、容易にスプリアス発振が防止出来
る。

【図面の簡単な説明】

図は本考案の一実施例を示す回路図である。 主な図番の説明、１……バリキヤツプ、２……
第１同調素子対、５……第２同調素子対、８，９
……コンデンサ、１０……第１スイツチングダイ
オード、１１……第２スイツチングダイオード、
１９……スイツチングトランジスタ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. ２つの受信バンドが受信出来る受信機における
   局部発振回路のバンド切換え装置において、単一
   の同調用可変容量素子と、該可変容量素子に並列
   接続されていると共に直列接続された第１同調用
   コイル及び第１パデイングコンデンサから成る第
   １同調素子対と直列接続された第２同調用コイル
   及び第２パデイングコンデンサから成る第２同調
   素子対とが互いに直列接続されて構成され、該第
   ２パデイングコンデンサの一端に電源電圧が印加
   されると共に他端がアースされた直列回路と、そ
   れぞれ一端が前記可変容量素子と直列回路との接
   続点に接続され、それぞれの受信バンドで該可変
   容量素子の容量の可変比を調整する為の浮遊容量
   用の第１及び第２コンデンサと、カソードが前記
   直列回路の第１同調素子対と第２同調素子対との
   接続点に接続されていると共にアノードに電源電
   圧が印加される第１スイツチングダイオードと、
   カソードが前記第２コンデンサの他端に接続さ
   れ、アノードが前記第１スイツチングダイオード
   のアノードに接続されると共に該カソードに該第
   １スイツチングダイオードのアノードに印加され
   る電源電圧より電圧値の低い電圧が印加される第
   ２スイツチングダイオードと、前記第２同調用コ
   イル及び前記第２パデイングコンデンサの接続点
   に電源電圧を印加する為の電源線路とアース間に
   コレクタ・エミツタ路が挿入されたスイツチング
   トランジスタと、前記第１同調用コイルとトラン
   ス結合されると共に発振回路の一次側となる第１
   コイルと、該第１コイルに直列接続されると共に
   一端が高周波的に接地され、かつ前記第２同調用
   コイルとトランス結合されると共に発振回路の一
   次側となる第２コイルと、該第２コイルの他端に
   接続され、前記スイツチングトランジスタにより
   導通状態が制御される第３スイツチングダイオー
   ドとから成り、前記スイツチングトランジスタの
   オフ状態において、前記直列回路の第２同調用コ
   イルを介して前記第１スイツチングダイオードを
   逆バイアスしてオフさせると共に前記第２スイツ
   チングダイオードをオンさせて発振周波数を前記
   直列回路の全ての素子と前記可変容量素子と前記
   第１及び第２コンデンサとにより決定させ、一方
   の受信バンドを選択する様にすると共に前記スイ
   ツチングトランジスタのオン状態において、前記
   第１スイツチングダイオードへの逆バイアスを停
   止して該第１スイツチングダイオードをオンさせ
   ると共に前記第２スイツチングダイオードをオフ
   させて発振周波数を前記直列回路の第１同調素子
   対と前記可変容量素子と前記第１コンデンサとに
   より決定させ、他方の受信バンドを選択する様に
   し、かつ他方の受信バンドが選択された際に前記
   第３スイツチングダイオードをオン状態にし、前
   記第２コイルの両端を高周波的に接地する様にし
   たことを特徴とする局部発振回路のバンド切換え
   装置。