JPH0448006Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0448006Y2 JPH0448006Y2 JP1984194307U JP19430784U JPH0448006Y2 JP H0448006 Y2 JPH0448006 Y2 JP H0448006Y2 JP 1984194307 U JP1984194307 U JP 1984194307U JP 19430784 U JP19430784 U JP 19430784U JP H0448006 Y2 JPH0448006 Y2 JP H0448006Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- capacitor
- circuit
- temperature compensation
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 37
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 22
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
Landscapes
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、CATVの受信装置等に使用して好
適な広帯域の発振回路に関する。
適な広帯域の発振回路に関する。
例えばCATVの受信装置においては、54〜
450MHz以上という極めて広帯域の受信を行う必
要があり、このため局部発振器においても極めて
広帯域の発振が求められている。そこで例えば第
６図に示すように、バリキヤツプ（可変容量）ダ
イオードを３個も利用した回路が提案された。
450MHz以上という極めて広帯域の受信を行う必
要があり、このため局部発振器においても極めて
広帯域の発振が求められている。そこで例えば第
６図に示すように、バリキヤツプ（可変容量）ダ
イオードを３個も利用した回路が提案された。
図において、１１は発振トランジスタであつ
て、このトランジスタ１１のベースエミツタ間に
コンデンサ１２が接続され、エミツタがコンデン
サ１３を介して接地され、コレクタがコンデンサ
１３を介して接地される。また１５は同調制御電
圧Vcの供給される入力端子であつて、この入力
端子１５が抵抗器１６を介してパリキヤツプダイ
オード１７，１８のカソードに接続され、ダイオ
ード１７のアノードが温度補償用コンデンサ１
９、抵抗器２０の並列回路を通じて接地され、ダ
イオード１７，１８のカソードの接続点が温度補
償用コンデンサ２１を介してトランジスタ１１の
ベースに接続される。さらに入力端子１５が抵抗
器２２を介してパリキヤツプダイオード２３のカ
ソードに接続され、ダイオード１８，２３のアノ
ードが互いに接続され、この接続点が発振コイル
（発振用インダクタ）２４，２５，２６の直列回
路を通じて接地される。このコイル２６に並列に
スイツチング用ダイオード２７とコンデンサ２８
の直列回路が接続され、このダイオード２７のア
ノードに抵抗器２９を介して受信帯域の中域のバ
ンド切換制御電圧VMの供給される入力端子３０
が接続される。またコイル２５，２６に並列にス
イツチング用ダイオーグ３１とコンデンサ３２の
直列回路が接続され、このダイオード３１のアノ
ードに抵抗器３３を介して受信帯域の高域のバン
ド切換制御電圧VHの供給される入力端子３４が
接続される。そしてダイオード２３のカソードが
温度補償用コンデンサ３５を介して後段のミキサ
ー回路に接続される。
て、このトランジスタ１１のベースエミツタ間に
コンデンサ１２が接続され、エミツタがコンデン
サ１３を介して接地され、コレクタがコンデンサ
１３を介して接地される。また１５は同調制御電
圧Vcの供給される入力端子であつて、この入力
端子１５が抵抗器１６を介してパリキヤツプダイ
オード１７，１８のカソードに接続され、ダイオ
ード１７のアノードが温度補償用コンデンサ１
９、抵抗器２０の並列回路を通じて接地され、ダ
イオード１７，１８のカソードの接続点が温度補
償用コンデンサ２１を介してトランジスタ１１の
ベースに接続される。さらに入力端子１５が抵抗
器２２を介してパリキヤツプダイオード２３のカ
ソードに接続され、ダイオード１８，２３のアノ
ードが互いに接続され、この接続点が発振コイル
（発振用インダクタ）２４，２５，２６の直列回
路を通じて接地される。このコイル２６に並列に
スイツチング用ダイオード２７とコンデンサ２８
の直列回路が接続され、このダイオード２７のア
ノードに抵抗器２９を介して受信帯域の中域のバ
ンド切換制御電圧VMの供給される入力端子３０
が接続される。またコイル２５，２６に並列にス
イツチング用ダイオーグ３１とコンデンサ３２の
直列回路が接続され、このダイオード３１のアノ
ードに抵抗器３３を介して受信帯域の高域のバン
ド切換制御電圧VHの供給される入力端子３４が
接続される。そしてダイオード２３のカソードが
温度補償用コンデンサ３５を介して後段のミキサ
ー回路に接続される。
この回路において、入力端子３０，３４に供給
される電圧VM，VHが共に低電位のときはコイル
２４〜２６の直列回路が発振コイルとして動作
し、受信帯域の低域での同調が入力端子１５から
の制御電圧VCによつて行われる。また入力端子
３０に供給される電圧VM高電位になると、コイ
ル２６が短絡され、コイル２４，２５の直列回路
のみが発振コイルとして動作し、受信帯域の中域
での同調が入力端子１５からの制御電圧VCによ
つて行われる。さらに入力端子３４に供給される
電圧VHが高電位になると、コイル２５，２６が
短絡され、コイル２４のみが発振コイルとして動
作し、受信対域の高域での同調が入力端子１５か
らの制御電圧VCによつて行われる。
される電圧VM，VHが共に低電位のときはコイル
２４〜２６の直列回路が発振コイルとして動作
し、受信帯域の低域での同調が入力端子１５から
の制御電圧VCによつて行われる。また入力端子
３０に供給される電圧VM高電位になると、コイ
ル２６が短絡され、コイル２４，２５の直列回路
のみが発振コイルとして動作し、受信帯域の中域
での同調が入力端子１５からの制御電圧VCによ
つて行われる。さらに入力端子３４に供給される
電圧VHが高電位になると、コイル２５，２６が
短絡され、コイル２４のみが発振コイルとして動
作し、受信対域の高域での同調が入力端子１５か
らの制御電圧VCによつて行われる。
また温度補償用コンデンサ１９，２１，３５に
てそれぞれバリキヤツプダイオード１７，１８，
２３の温度補償が行われている。
てそれぞれバリキヤツプダイオード１７，１８，
２３の温度補償が行われている。
ところでこの回路において、高域（例えば
300MHz以上）での発振が行われてい場合の等価
回路は第７図に示すようになる。ここで１はトラ
ンジスタ１１を含む発振器、２は発振コイル、３
はミキサー回路を示す。またコンデンサ３２は一
般に1000pF程度と大きく、高域ではリードイン
ダクタンスによつて誘導性となり、ダイオード３
１のリードインダクタンスと共に発振コイル２に
含まれている。
300MHz以上）での発振が行われてい場合の等価
回路は第７図に示すようになる。ここで１はトラ
ンジスタ１１を含む発振器、２は発振コイル、３
はミキサー回路を示す。またコンデンサ３２は一
般に1000pF程度と大きく、高域ではリードイン
ダクタンスによつて誘導性となり、ダイオード３
１のリードインダクタンスと共に発振コイル２に
含まれている。
そしてこの等価回路において、発振周波数の上
限付近、すなわちバリキヤツプダイオード１７，
１８，２３の値が極小の状態では、コンデンサ１
９，２１，３５による温度補償が効果的でないこ
とが理解できる。なんとなれば、同調回路の総合
容量はほとんどがバリキヤツプダイオード１７，
１８，２１に依存し、コンデンサ１９，２１，３
５に温度補償用コンデンサを用いてもこれらは同
調周波数の決定にはほとんど寄与しないからであ
る。
限付近、すなわちバリキヤツプダイオード１７，
１８，２３の値が極小の状態では、コンデンサ１
９，２１，３５による温度補償が効果的でないこ
とが理解できる。なんとなれば、同調回路の総合
容量はほとんどがバリキヤツプダイオード１７，
１８，２１に依存し、コンデンサ１９，２１，３
５に温度補償用コンデンサを用いてもこれらは同
調周波数の決定にはほとんど寄与しないからであ
る。
これに対して上述の回路で、温度補償用コンデ
ンサが効果的に動作される場所としては、第７図
でコイル２に並行に接続された場合、第６図でい
えばダイオード１８，２３及びコイル２４の接続
点とアースとの間に設けた場合である。しかしな
がらこの方法では、コンデンサの容量が直に周波
数変化比を悪化させる方向に働くため、接続可能
な容量値は極めて小さいものに限られる。ところ
が一般の温度補償用コンデンサは最小の容量値で
0.5pFであり、しかもこのような微小容量で温度
係数の大きい製品は極めて高価である。一方周波
数変化比の面からというと0.5pFでも未だ大き過
ぎ、もつと小容量でなければならないため、この
方法は事実上実現不可能であつた。
ンサが効果的に動作される場所としては、第７図
でコイル２に並行に接続された場合、第６図でい
えばダイオード１８，２３及びコイル２４の接続
点とアースとの間に設けた場合である。しかしな
がらこの方法では、コンデンサの容量が直に周波
数変化比を悪化させる方向に働くため、接続可能
な容量値は極めて小さいものに限られる。ところ
が一般の温度補償用コンデンサは最小の容量値で
0.5pFであり、しかもこのような微小容量で温度
係数の大きい製品は極めて高価である。一方周波
数変化比の面からというと0.5pFでも未だ大き過
ぎ、もつと小容量でなければならないため、この
方法は事実上実現不可能であつた。
従来の回路は上述のように構成されていた。こ
のため有効な温度補償が困難であり、発振の安定
性が充分に得られないなどの問題点があつた。
のため有効な温度補償が困難であり、発振の安定
性が充分に得られないなどの問題点があつた。
本考案は、発振用インダクタ２４と可変容量ダ
イオード１７，１８，２３による同調回路を具備
し、上記発振用インダクタ２４と等価的に直列接
続され上記発振用インダクタ２４よりインダクタ
ンスの小さい誘導性素子３２，３６，３８を設
け、この誘導性素子３２，３６，３８に並列に温
度補償用コンデンサ３７を接続して発振周波数温
度ドリフトを改善するようにした発振回路であ
る。
イオード１７，１８，２３による同調回路を具備
し、上記発振用インダクタ２４と等価的に直列接
続され上記発振用インダクタ２４よりインダクタ
ンスの小さい誘導性素子３２，３６，３８を設
け、この誘導性素子３２，３６，３８に並列に温
度補償用コンデンサ３７を接続して発振周波数温
度ドリフトを改善するようにした発振回路であ
る。
この回路によれば、接続される温度補償用コン
デンサの回路に与える影響が等価的に小さくな
り、従つて温度補償コンデンサに比較的大容量の
素子が使用できるので、安価で且つ温度係数大き
い素子を用いて有効且つ良好な温度補償を行うこ
とができる。
デンサの回路に与える影響が等価的に小さくな
り、従つて温度補償コンデンサに比較的大容量の
素子が使用できるので、安価で且つ温度係数大き
い素子を用いて有効且つ良好な温度補償を行うこ
とができる。
第１図において、コイル２４，２５の間に直列
にコイル（誘導性素子）３６が設けられ、このコ
イル３６に並列に温度補償用コンデンサ３７が接
続される。さらにコイル３６，２５の接続点がダ
イオード３１のカソードに接続される。他は第６
図と同様に構成される。
にコイル（誘導性素子）３６が設けられ、このコ
イル３６に並列に温度補償用コンデンサ３７が接
続される。さらにコイル３６，２５の接続点がダ
イオード３１のカソードに接続される。他は第６
図と同様に構成される。
この回路で高域発振時の基本回路は第２図Ａの
ように表わされる。図中２は発振コイル、４は同
調用バリキヤツプダイオード、５は温度補償用コ
ンデンサである。そしてこの場合に温度補償コン
デンサ６ａを図示のようにコイル２に並列に接続
した場合には、上述したように温度補償効果は高
いが周波数変化比が悪化してしまう。そこで第１
図の回路では第２図Ｂに示すように発振コイルを
２ａ，２ｂに分割し、その一方２ｂに温度補償用
コンデンサ６ｂを接続するようにしている。
ように表わされる。図中２は発振コイル、４は同
調用バリキヤツプダイオード、５は温度補償用コ
ンデンサである。そしてこの場合に温度補償コン
デンサ６ａを図示のようにコイル２に並列に接続
した場合には、上述したように温度補償効果は高
いが周波数変化比が悪化してしまう。そこで第１
図の回路では第２図Ｂに示すように発振コイルを
２ａ，２ｂに分割し、その一方２ｂに温度補償用
コンデンサ６ｂを接続するようにしている。
この回路において、コイル２ａの値をLA、２
ｂの値をLB、コンデンサ６ａの値をCA、６ｂの
値をCBとすると、コイル２ａ，２ｂの値が LA＞LB でコンデンサ６ｂの値CBが比較的小さい範囲で
は、第２図Ａのように書換えた場合のコンデンサ
６ａの値CAが CA≒LB／LA＋LBCB と表わされ、CBの値を例えば数pF〜10数pFとし
ても周波数変化比が悪化されることがない。従つ
て市販の安価で温度係数の大きな温度補償コンデ
ンサを用いて有効且つ良好な温度補償を行うこと
ができる。
ｂの値をLB、コンデンサ６ａの値をCA、６ｂの
値をCBとすると、コイル２ａ，２ｂの値が LA＞LB でコンデンサ６ｂの値CBが比較的小さい範囲で
は、第２図Ａのように書換えた場合のコンデンサ
６ａの値CAが CA≒LB／LA＋LBCB と表わされ、CBの値を例えば数pF〜10数pFとし
ても周波数変化比が悪化されることがない。従つ
て市販の安価で温度係数の大きな温度補償コンデ
ンサを用いて有効且つ良好な温度補償を行うこと
ができる。
さらに第３図はプリント基板で構成した場合の
具体的なプリントパターンの例を示し、図におい
てコイル３６は極めて小インダクタンス値である
ので、例えば図示のようにプリントパターンの一
部をＵ字状に構成しただけで形成することができ
る。
具体的なプリントパターンの例を示し、図におい
てコイル３６は極めて小インダクタンス値である
ので、例えば図示のようにプリントパターンの一
部をＵ字状に構成しただけで形成することができ
る。
また第４図は、上述したように例えば高域では
1000pF程度の大容量コンデンサではリードイン
ダクタンスによつて誘導性となることを利用した
ものであつて、図示のようにコイル３６に代えて
大容量コンデンサ３８を設け、これに並列に温度
補償用コンデンサ３７を接続する。さらに第５図
にその回路図を示す。この例においても上述と同
様の作用効果が得られる。
1000pF程度の大容量コンデンサではリードイン
ダクタンスによつて誘導性となることを利用した
ものであつて、図示のようにコイル３６に代えて
大容量コンデンサ３８を設け、これに並列に温度
補償用コンデンサ３７を接続する。さらに第５図
にその回路図を示す。この例においても上述と同
様の作用効果が得られる。
また上述したように、コンデンサ３２が既にリ
ードインダクタンスによる誘導性素子となつてい
るので、第５図Ｂに示すようにこのコンデンサ３
２に並列に温度補償用コンデンサ３７を接続して
も同様の作用効果を得ることができる。
ードインダクタンスによる誘導性素子となつてい
るので、第５図Ｂに示すようにこのコンデンサ３
２に並列に温度補償用コンデンサ３７を接続して
も同様の作用効果を得ることができる。
本考案によれば、接続される温度補償用コンデ
ンサの回路に与える影響が等価的に小さくなり、
従つて温度補償用コンデンサに比較的大容量の素
子が使用できるので、安価で且つ温度係数の大き
い素子を用いて有効且つ良好な温度補償を行うこ
とができるようになつた。
ンサの回路に与える影響が等価的に小さくなり、
従つて温度補償用コンデンサに比較的大容量の素
子が使用できるので、安価で且つ温度係数の大き
い素子を用いて有効且つ良好な温度補償を行うこ
とができるようになつた。
第１図は本考案の一例の構成図、第２図、第３
図はその説明のための図、第４図、第５図は他の
例の説明のための図、第６図、第７図は従来の回
路の説明のための図である。 １１は発振用トランジスタ、１７，１８，２３
はバリキヤツプダイオード、２４，２５，２６は
発振コイル、３６はコイル、３７は温度補償用コ
ンデンサである。
図はその説明のための図、第４図、第５図は他の
例の説明のための図、第６図、第７図は従来の回
路の説明のための図である。 １１は発振用トランジスタ、１７，１８，２３
はバリキヤツプダイオード、２４，２５，２６は
発振コイル、３６はコイル、３７は温度補償用コ
ンデンサである。
Claims (1)
- 第１の発振用インダクタ２４と、これと直列に
接続された第２、第３の発振用インダクタ２５，
２６と、これ等インダクタと同調する可変容量ダ
イオード１７，１８，２３と、上記第２、及び又
は第３の発振用インダクタを上記第１の発振用イ
ンダクタに選択的に直列接続する複数のダイオー
ドスイツチ３１，２７とを具備し、上記第１の発
振用インダクタと直列に上記同調回路の共振周波
数において誘導性となる回路素子３２又は３６又
は３８を設け、この回路素子に並列に温度依存性
の有るコンデンサ３７を接続して、これにより発
振周波数の温度ドリフトを補償するようにした発
振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984194307U JPH0448006Y2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984194307U JPH0448006Y2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61109215U JPS61109215U (ja) | 1986-07-10 |
| JPH0448006Y2 true JPH0448006Y2 (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=30751756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984194307U Expired JPH0448006Y2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448006Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4743866A (en) * | 1986-11-26 | 1988-05-10 | Rca Corporation | Wide range oscillator |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50125659A (ja) * | 1974-03-19 | 1975-10-02 |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP1984194307U patent/JPH0448006Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50125659A (ja) * | 1974-03-19 | 1975-10-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61109215U (ja) | 1986-07-10 |
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