JPH0136360Y2

JPH0136360Y2 -

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Publication number: JPH0136360Y2
Application number: JP1983171047U
Authority: JP
Priority date: 1983-11-04
Filing date: 1983-11-04
Publication date: 1989-11-06
Also published as: JPS6079831U

Description

【考案の詳細な説明】「産業上の利用分野」この考案は、テレビジヨン、VTRなどに用い
られるテレビジヨンチユーナの同調回路に関す
る。

「背景技術とその問題点」 CATV（有線テレビジヨン）に用いられるチヤ
ンネル数の増大に伴い、例えばアメリカでは
VHF帯ローバンドからUHF帯までのすべての周
波数をカバーすることができるテレビジヨンチユ
ーナが用いられている。このようにすべての周波
数をカバーするため、テレビジヨンチユーナは
VHF受信時には、例えばVHF帯の２〜６チヤン
ネル及び６チヤンネルと７チヤンネルの間に有す
るCATVのローチヤンネルをカバーするVHFロ
ーバンド、６チヤンネルと７チヤンネルの間に有
するCATVをカバーするVHFミツドバンド、７
チヤンネルから13チヤンネル以上に占有する
CATVをカバーするVHFハイバンドの３バンド
構成とされている。従来用いられていた、上述の
テレビジヨンチユーナのVHF受信時における構
成を第１図を参照して説明する。

第１図において、１で示す入力端子からVHF
のテレビジヨン放送、CATVなどのテレビジヨ
ン信号が、単同調回路２及び３に供給される。単
同調回路２は、VHFローバンド及びミツドバン
ドの２つのバンドをカバーする単同調回路で、ダ
イオードなどの半導体スイツチによりインダクタ
ンス分を制御することによりバンドが切り換えら
れるものである。単同調回路３はVHFハイバン
ドの単同調回路である。

VHFローバンド及びミツドバンドのテレビジ
ヨン信号は、単同調回路２により選択される。単
同調回路２により選択されたテレビジヨン信号が
高周波増幅回路４に供給され、高周波増幅回路４
により増幅されたテレビジヨン信号が複同調回路
６に供給される。複同調回路６は、ダイオードな
どの半導体スイツチによりインダクタンス分を制
御することで、VHFローバンド或はミツドバン
ドが切り換えられるものであり、複同調回路６に
より選択されたテレビジヨン信号が混合回路８に
供給される。

VHFハイバンドのテレビジヨン信号は、単同
調回路３により選択される。単同調回路３により
選択されたテレビジヨン信号が高周波増幅回路５
に供給され、高周波増幅回路５により増幅された
信号が複同調回路７に供給される。複同調回路７
により選択されたテレビジヨン信号が混合回路８
に供給される。

混合回路８には、局部発振回路９或は１０から
局部発振出力が供給される。局部発振回路９は、
VHFローバンド及びハイバンドの２つのバンド
をカバーする発振回路で、ダイオードなどを用い
た半導体スイツチによりインダクタンス成分を制
御することで、発振周波数が変えられバンドが切
り換えられる。VHFローバンド及びミツドバン
ドのテレビジヨン信号に対しては局部発振回路９
が作動し、局部発振回路９からの発振出力が混合
回路８に供給される。局部発振回路１０はハイバ
ンドをカバーする発振回路で、VHFハイバンド
のテレビジヨン信号に対しては局部発振回路１０
が作動し、局部発振回路１０からの発振出力が混
合回路８に供給される。

混合回路８によりVHF帯のローバンド、ミツ
ドバンド及びハイバンドのテレビジヨン信号が映
像中間周波信号に変換され、映像中間周波増幅回
路１１に供給される。映像中間周波増幅回路１１
により増幅され、出力端子１２に取り出される。

上述の構成のテレビジヨンチユーナは、局部発
振回路としてVHFローバンド及びミツドバンド
をカバーする局部発振回路９と、VHFハイバン
ドをカバーする局部発振回路１０の２つの局部発
振回路が必要であるという欠点があつた。そこ
で、VHFローバンドからハイバンドまで、３つ
のバンドをカバーできる局部発振回路として、第
２図に示す構成の局部発振回路が考えられる。

第２図において１３はNPN型のトランジスタ
を示し、トランジスタ１３のエミツタがコンデン
サ１４を介してトランジスタ１３のコレクタに接
続されると共に、抵抗器１５及びコンデンサ１６
を介して接地される。トランジスタ１３のベース
が抵抗器１７及びコンデンサ１８を介して接地さ
れると共に、抵抗器１９の一端に接続される。抵
抗器１９の他端が直流電源端子２０及びコイル２
１の一端に接続される。コイル２１の他端がトラ
ンジスタ１３のコレクタに接続される。

トランジスタ１３のコレクタが出力端子２２及
びコンデンサ２３に接続されると共に、トランジ
スタ１３のコレクタ及び接地間にコンデンサ２４
及び可変容量ダイオード２５の直列接続が挿入さ
れ、この直列接続の接続点に抵抗器２６を介して
同調電圧供給端子２７が接続される。同調電圧供
給端子２７には、可変容量ダイオード２５に対す
る同調電圧が印加される。

コンデンサ２３がコイル２８，２９，３０の直
列接続の一端に接続され、この直列接続の他端が
コンデンサ３１を介して接地される。コイル２８
と２９の接続点がダイオード３２のカソードに接
続され、ダイオード３２のアノードがコンデンサ
３３を介して接地されると共に、抵抗器３４を介
して端子３５に接続される。コイル２９と３０の
接続点がダイオード３６のカソードに接続され、
ダイオード３６のアノードがコンデンサ３７を介
して接地されると共に、抵抗器３８を介して端子
３９に接続される。コイル３０とコンデンサ３１
の接続点がダイオード４０のカソードに接続さ
れ、ダイオード４０のアノードが抵抗器４１を介
して端子４２に接続される。

上述の構成の局部発振回路は、トランジスタ１
３によるコルピツツ発振回路で、発振周波数は主
にコンデンサ２３，２４、可変容量ダイオード２
５及びコイル２８，２９，３０で決められる。バ
ンドの切り換えは、コイル２８，２９，３０によ
るインダクタンスを切り換えることにより行なわ
れ、そのための切り換え電圧が夫々端子３５，３
９，４２より供給される。VHFハイバンド受信
時には端子３５のみに正の直流電圧が供給され、
ミツドバンド受信時には端子３９のみに正の直流
電圧が供給され、ローバンド受信時には端子４２
のみに正の直流電圧が供給される。つまり、
VHFハイバンド受信時には端子３５に電圧が供
給されることでダイオード３２がオン状態とな
り、コイル２８と２９の接続点がダイオード３
２、コンデンサ３３を介して交流的に接地され
る。従つて発振周波数を決めるインダクタンス成
分はコイル２８に依るものとなり、ハイバンド領
域の局部発振出力が出力端子２２より取り出され
る。

VHF・ミツドバンド受信時には端子３９に電
圧が供給されることでダイオード３６がオン状態
となり、コイル２９と３０の接続点がダイオード
３６及びコンデンサ３７を介して交流的に接地さ
れる。従つて発振周波数を決めるインダクタンス
成分はコイル２８とコイル２９の直列接続のもの
となり、ミツドバンド領域の発振出力が出力端子
２２より取り出される。

VHFローバンド受信時には端子４２に電圧が
供給され、ダイオード３２，及び３６に逆バイア
スがかけられる。コイル３０の一端はコンデンサ
３１を介して交流的に接地されているので、発振
周波数を決めるインダクタンス成分はコイル２
８，２９，３０の直列接続のものとなり、ローバ
ンド領域の発振出力が出力端子２２より取り出さ
れる。なお、各バンドにおけるチヤンネル切換え
は、端子２７より供給される同調電圧により、可
変容量ダイオード２５の容量を可変させることで
行なわれる。

上述の従来の局部発振回路は、VHFハイバン
ド受信時に発振周波数が変化したり、発振が停止
したりする問題点があるものであつた。その原因
について第３図に示す等価回路を参照して説明す
る。

第３図は、第２図に示す局部発振回路において
VHFハイバンド受信時におけるコンデンサ２３
とコイル２８の接続点と接地間の交流的等価回路
である。第３図においてL₁，L₂，L₃が夫々コイ
ル２８，２９，３０のインダクタンスを示す。ハ
イバンド受信時は、ダイオード３２がオン状態と
なるがダイオード３２にはリードインダクタンス
Ld₁及び順方向抵抗Rsが存在している。従つてコ
イル２８と２９の接続点はリードインダクタンス
Ld₁、順方向抵抗Rsを介して接地されるものとな
る。

ハイバンド受信時は、ダイオード３６はオフ状
態となるが、ダイオード３６には接合容量Cj₁が
あり、またリードインダクタンスLd₂が存在して
いる。従つてコイル２９と３０の接続点は接合容
量Cj₁及びリードインダクタンスLd₂を介して接地
されているものとなる。

ハイバンド受信時は、ダイオード４０はオフ状
態となるが、ダイオード４０には接合容量Cj₂が
あり、またリードインダクタンスLd₃が存在して
いるが、コイル３０の一端と接地間にはコンデン
サ３１が接続され、コンデンサ３１によりコイル
３０の一端は交流的に接地されている。

上述の等価回路で示すコイル２９のインダクタ
ンスL₂と、ダイオード３６の接合容量Cj₁、リー
ドインダクタンスLd₂は、共振回路を形成してい
る。この共振点はVHFハイバンドの帯域内のも
ので、この共振回路によりハイバンド受信時の局
部発振が影響される。コイル３０のインダクタン
スL₃及びダイオード４０の接合容量Cj₂、リード
インダクタンスLd₃による回路は、コイル３０の
一端がコンデンサ３１を介して交流的に接地され
ているので、VHFハイバンド時の局部発振に影
響を与えることはない。

「考案の目的」従つてこの考案は、１つの回路で広い周波数を
カバーでき、しかも安定した発振出力が得られる
テレビジヨンチユーナの局部発振回路などに用い
られる、テレビジヨンチユーナの同調回路の提供
を目的とするものである。

「考案の概要」この考案は、同調回路のインダクタンス成分と
して少なくとも第１、第２、第３のコイルを直列
接続し、この直列接続の一端を交流的に接地し、
第１及び第２のコイルの接続点に第１の半導体ス
イツチング素子を接続し、第２及び第３のコイル
の接続点に第２の半導体スイツチング素子を接続
し、第１及び第２の半導体スイツチング素子の導
通状態を制御することによりインダクタンス成分
を第１、第２または第３のコイルによるものに切
り替えてバンド切り替えを行なうようになし、オ
フ状態にある半導体スイツチング素子のリードイ
ンダクタンス及び接合容量の影響を小とする第３
の半導体スイツチング素子を挿入するようにした
テレビジヨンチユーナの同調回路である。

「実施例」この考案を局部発振回路に適用した一実施例に
ついて、図面を参照して説明する。第４図におい
て５０がNPN型のトランジスタを示し、トラン
ジスタ５０のエミツタがコンデンサ５１を介して
トランジスタ５０のコレクタに接続されると共
に、抵抗器５２及びコンデンサ５３を介して接地
される。トランジスタ５０のベースが抵抗器５４
及びコンデンサ５５を介して接地されると共に、
抵抗器５６の一端に接続される。抵抗器５６の他
端が直流電源端子５７及びコイル５８の一端に接
続される。コイル５８の他端がトランジスタ５０
のコレクタに接続される。

トランジスタ５０のコレクタが出力端子５９及
びコンデンサ６０に接続されると共に、トランジ
スタ５０のコレクタ及び接地間にコンデンサ６１
及び可変容量ダイオード６２の直列接続が挿入さ
れ、この直列接続の接続点に抵抗器６３を介して
端子６４が接続される。端子６４は、可変容量ダ
イオード６２に対する同調電圧が供給される端子
である。

コンデンサ６０がコイル６５，６６，６７の直
列接続の一端に接続され、この直列接続の他端が
コンデンサ６８を介して接地される。コイル６５
と６６の接続点がダイオード６９のカソードに接
続され、ダイオード６９のアノードがダイオード
７０のカソードに接続されると共に抵抗器７１を
介して端子７２に接続される。ダイオード６９及
び抵抗器７１の接続点が、コンデンサ７３を介し
て接地される。コイル６６と６７の接続点がダイ
オード７０及びダイオード７４のカソードに接続
される。ダイオード７４のアノードが抵抗器７５
を介して端子７６に接続されると共に、コンデン
サ７７を介して接地される。コイル６７とコンデ
ンサ６８の接続点がダイオード７８のカソードに
接続され、ダイオード７８のアノードが抵抗器７
９を介して端子８０に接続される。

上述のこの考案の一実施例による局部発振回路
は、トランジスタ５０によるコルピツツ発振回路
で、発振周波数は主にコンデンサ６０，６１、可
変容量ダイオード６２及びコイル６５，６６，６
７、により決められる。バンドの切り換えはコイ
ル６５，６６，６７によるインダクタンスを切り
換えることにより行なわれ、そのための切り換え
電圧が夫々端子７２，７６，８０より供給され
る。VHFハイバンド受信時には端子７２にのみ
バンド切り換え電圧が供給され、ミツドバンド受
信時には端子７６にのみバンド切り換え電圧が供
給され、ローバンド受信時には端子８０にのみバ
ンド切り換え電圧が供給される。つまり、VHF
ハイバンド受信時には端子７２に電圧が供給され
ることでダイオード６９がオン状態となり、コイ
ル６５と６６の接続点がダイオード６９及びコン
デンサ７３を介して交流的に接地される。従つて
発振周波数を決めるインダクタンス成分はコイル
６５に依るものとなり、ハイバンド領域の局部発
振出力が出力端子５９より取り出される。また、
この時、ダイオード７０もオン状態となるもので
ある。

ミツドバンド受信時には端子７６に電圧が供給
されることでダイオード７４がオン状態となり、
コイル６６と６７の接続点がダイオード７４及び
コンデンサ７７を介して交流的に接地される。従
つて発振周波数を決めるインダクタンス成分はコ
イル６５とコイル６６の直列接続のものとなり、
ミツドバンド領域の発振出力が出力端子５９より
取り出される。

ローバンド受信時には端子８０に電圧が供給さ
れ、ダイオード６９，７０，７４に逆バイアスが
かけられる。コイル６７の一端はコンデンサ６８
を介して交流的に接地されているので、発振周波
数を決めるインダクタンス成分はコイル６５，６
６，６７の直列接続のものとなり、ローバンド領
域の発振出力が出力端子５９より取り出される。
なお、各バンドにおけるチヤンネル切り換えは、
端子６４より供給される同調電圧により、可変容
量ダイオード６２の容量を可変させることで行な
われる。

上述のこの考案の一実施例のハイバンド受信時
におけるコンデンサ６０とコイル６５の接続点と
接地間の交流的等価回路を第５図に示す。

第５図においてL₁₁，L₁₂，L₁₃が夫々コイル６
５，６６，６７のインダクタンスを示す。ハイバ
ンド受信時はダイオード６９がオン状態となる
が、ダイオード６９にはリードインダクタンス
Ld₁₁及び順方向抵抗Rs₁₁が存在している。従つ
て、コイル６５と６６の接続点はリードインダク
タンスLd₁₁、順方向抵抗Rs₁₁を介して接地される
ものとなる。

ハイバンド受信時は、ダイオード７４はオフ状
態となるが、ダイオード７４には接合容量Cj₁₁が
あり、また、リードインダクタンスLd₁₂が存在し
ている。またコイル６６と６７の接続点とダイオ
ード６９のアノードとの間に接続されたダイオー
ド７０はオン状態となつているが、ダイオード７
０にはリードインダクタンスLd₁₄、順方向抵抗
Rs₁₂が存在している。従つて、コイル６６と６７
の接続点は、ダイオード７４の接合容量Cj₁₁、及
びリードインダクタンスLd₁₂を介して接地される
と共に、ダイオード７０のリードインダクタンス
Ld₁₄及び順方向抵抗Rs₁₂を介して接地されるもの
となる。従つて、リードインダクタンスLd₁₂，
Ld₁₄、接合容量Cj₁₁及び順方向抵抗Rs₁₂により構
成される共振回路のＱは、順方向抵抗Rs₁₂によつ
てダンピングされる。このためハイバンド受信時
に上述の共振回路の影響が除去される。

ハイバンド受信時、ダイオード７８はオフ状態
であり、ダイオード７８には接合容量Cj₁₂及びリ
ードインダクタンスLd₁₃が存在しているが、コイ
ル６７の一端と接地間にはコンデンサ６８が接続
され、コンデンサ６８により交流的に接地されて
いる。

この考案の他の実施例について第６図を参照し
て説明する。第６図に示すようにコイル９０，９
１，９２，９３が直列接続され、コイル９３の一
端がコンデンサ９４を介して接地される。コイル
９０の他端がコンデンサ９５，９６及び可変容量
ダイオード９７の直列接続の一端に接続され、こ
の直列接続の他端である可変容量ダイオード９７
のカソードが接地される。コンデンサ９６と可変
容量ダイオード９７のカソードとの接続点が、抵
抗器９８を介して端子９９に接続される。

直列に接続されたコイル９０，９１，９２，９
３において、コイル９０とコイル９１の接続点が
ダイオード１００のカソードに接続され、ダイオ
ード１００のアノードがコンデンサ１０１を介し
て接地されると共に、ダイオード１０２のアノー
ド及び抵抗器１０３の一端に接続される。抵抗器
１０３の他端が端子１０４に接続される。

コイル９１とコイル９２の接続点がダイオード
１０２のカソードに接続され、コイル９２とコイ
ル９３の接続点がダイオード１０５のカソードに
接続される。ダイオード１０５のアノードがコン
デンサ１０６を介して接地されると共に、抵抗器
１０７を介して端子１０８に接続される。

コイル９３とコンデンサ９４の接続点がダイオ
ード１０９のカソードに接続され、ダイオード１
０９のアノードが抵抗器１１０を介して電源端子
１１１に接続される。

この他の実施例のバンド切り換えは、電源端子
１０４，１０８，１１１に供給される切り換え電
圧により行なわれる。VHFハイバンド受信時に
は、端子１０４より切り換え電圧が供給され、ミ
ツドバンド受信時には端子１０８より切り換え電
圧が供給され、ローバンド受信時には端子１１１
より切り換え電圧が供給される。

VHFハイバンド受信時には端子１０４に電圧
が供給されることでダイオード１００及び１０２
がオン状態となり、コイル９０の一端がダイオー
ド１００及びコンデンサ１０１を介して交流的に
接地される。従つてインダクタンス成分はコイル
９０に依るものとなる。この時、コイル９２及び
ダイオード１０５の接合容量、リードインダクタ
ンスにより共振回路はできるが、ダイオード１０
２によりコイル９２が共振に寄与しなくなるので
この共振周波数がVHFハイバンドの帯域より高
くなり、ハイバンド受信時の同調回路に影響を及
ぼすことがない。

図示せずも、オフ状態にあるダイオードのリー
ドインダクタンス、接合容量及びインダクタンス
成分により形成される共振回路の共振周波数を、
オン状態にあるダイオードによる同調回路の帯域
より低くすることにより、オン状態の同調回路に
対する影響をなくすことができる。

この考案の一実施例に用いた発振回路は、コル
ピツツ発振回路であるが、例えばICを用いた他
の構成の発振回路にも同様に用いられる。

「応用例」この考案はテレビジヨンチユーナの局部発振回
路ばかりでなく、段間同調回路にも同様に適用で
きる。また、４バンドのテレビジヨンチユーナに
も同様に適用できる。

「考案の効果」この考案に依れば、１つの同調回路で、VHF3
バンドの広い周波数をカバーすることができ、し
かも安定した同調出力が得られるテレビジヨンチ
ユーナの同調回路を実現することができる。この
考案によれば、１つのダイオード７０を配設する
だけで、ダイオード７４のリードインダクタンス
及び接合容量による悪影響を防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のテレビジヨンチユーナの説明に
用いるブロツク図、第２図は従来の局部発振回路
の接続図、第３図は従来の局部発振回路の説明に
用いる等価回路図、第４図はこの考案の一実施例
の接続図、第５図はこの考案の一実施例の説明に
用いる等価回路図、第６図はこの考案の他の実施
例の接続図である。６５，６６，６７……コイル、６９，７０，７
４，７８……ダイオード、７２，７６，８０……
バンド切り換え電圧の供給端子。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

同調回路のインダクタンス成分として少なくと
も第１、第２、第３のコイルを直列接続し、この
直列接続の一端を交流的に接地し、上記第１及び
第２のコイルの接続点に第１の半導体スイツチン
グ素子を接続し、上記第２及び第３のコイルの接
続点に第２の半導体スイツチング素子を接続し、
上記第１及び第２の半導体スイツチング素子の導
通状態を制御することにより上記インダクタンス
成分を上記第１、第２または第３のコイルによる
ものに切替えてバンド切替を行なうテレビジヨン
チユーナの同調回路において、オフ状態にある上
記第２の半導体スイツチング素子のリードインダ
クタンス及び接合容量の影響を小とするためにア
ノードを上記第１の半導体スイツチング素子のア
ノードに、又カソードを上記第２及び第３のコイ
ルの接続点に接続する第３の半導体スイツチング
素子を設けたことを特徴とするテレビジヨンチユ
ーナの同調回路。