KR940005371B1 - 국부 발진기 - Google Patents

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KR940005371B1
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사무엘 위그 닛트 리로이
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알 씨 에이 라이센싱 코포레이션
글렌 에이취. 브르스틀
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Abstract

내용 없음.

Description

국부 발진기
도면은 VHF 방송 및 케이블 채널을 동조하는 텔레비젼 동조기를 도시.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
30 : 대역 선택기 60 : 국부 발진기
100 : 증폭기 133 : 스위칭 다이오드
200 : 동조회로 205 : 바렉터 다이오드
221, 222, 223, 224 : 밴드스위칭 핀 다이오드
본 발명은 텔레비젼 동조기에서 사용하기에 적합한 비교적 광주파수 범위를 갖는 다대역 발진기에 관한 것이다.
배전 케이블 회로망의 사용이 증가함에 따라, 텔레비젼 동조기는 방송채널 뿐만 아니라 케이블을 동조시킬 수 있는 것이 바람직하다. 통상, 이러한 "케이블 레디 (ready)" (즉, 케이블 변환기 없이도 케이블 채널을 동조하기 위한)동조기는 주파수 범위 각각에 상응하는 부분으로 분할된다. 예를 들면, 케이블 레디동조기는 UHF 방송채널용 UHF 부분과 VHF 방송 및 케이블 채널용 VHF 부분을 포함할 수 있다. 신뢰성 및 코스트의 목적에 있어서, 동조기에서 사용된 부품의 수를 최소화하는 것이 바람직하다. 즉, 동조기의 각 부분에는 단지 하나의 국부 발진기만을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명은 일반적으로 모든 VHF 채널 및 케이블 채널에서 사용될 수 있는 국부 발진기에 관한 것이며, 상기 VHF 방송 및 케이블 채널은 예를 들어 미합중국에서는 101MHz와 509MHz 사이의 비교적 광주파수 범위에 걸쳐 있다. 이러한 국부발진기는 매우 바람직한 반면에 비교적 광주파수 범위로 인한 문제점들이 나타난다. 특히, 단지 단일 동조 전압응답 바렉터 다이오드만을 갖는 주파수 결정 동조회로를 사용하는 비교적 광주파수 범위에 적합하기 위해서는, 선택된 채널의 주파수 대역에 좌우되어 바렉터 다이오드를 갖는 동조회로에 포함하기 위해 다른 인덕터를 선택하는 밴드스위칭 설비를 포함하는 것이 필요한 것으로 알려져 있다. 이러한 밴드스위칭 설비는 국부발진기를 바람직하지 않은 주파수에서 발진하게끔 만드는 기생소자가 도입되는 것으로 알려져 있다.
본 발명은 다수의 주파수 대역행을 포함하는 비교적 광주파수 범위 전체를 통하여 발진할 수 있는 국부발진기에서 이러한 바람직하지 못한 발진을 금지시키는 설비에 관한 것이며, 상기 형은 트랜지스터, 궤환 회로망 및 동조회로를 구비하고 있으며, 상기 트랜지스터는 제어가능 전류 경로의 단에 연결된 제1 및 제2전극과 제어전극을 갖으며, 상기 트랜지스터는 동작전위원에 결합된 제1전극과 기준전위원에 결합된 제2전극을 갖는 증폭기로서 구성되며, 상기 제한 회로망은 증폭기가 광주파수 범위에 걸쳐서 발진하도록 조건부여되며, 상기 동조회로는 다수의 인덕터, 바렉터 다이오드와 같은 가변 용량성 소자 및 밴드스위칭 신호에 응답하여 서로 다른 주파수 대역에 대해 동조회로를 구성하는 밴드스위칭 소자를 포함한다. 특히, 바람직하지 못한 발진을 금지시키는 설비는 제한 회로망에 결합된 수단을 포함하여 다른 소정의 대역이 선택된 대역에 상응하는 밴드스위칭 신호에 응답하여 동조하도록 선택될때 소정의 대역에서 증폭기가 발진하는 것을 디스에이블시킨다.
본 발명은 단일 도면으로 구성된 첨부된 도면을 참조하여 기술될 것이다. 통상적인 성분값이 표시되어 있으며, 만약 다른 방식으로 표시되지 않으면 성분값은Ω, PF이다.
도면에서는 VHF 방송 및 케이블 채널 동조용 텔레비젼 동조기를 도시한 것이다. 일례로, 미합중국에서 사용하는 동조기는 RF 화상 반송주파수 및 국부 발진기 주파수가 다음표에서 상세된 채널을 동조시킬 수 있다.
Figure kpo00001
이것으로 다음과 같은 것을 알 수 있을 것이다. 즉 대역 B1은 저 VHF 방송대역(즉,채널 2 내지 6)의 채널에 상당하고, 대역 B2는 미드밴드(midband) 케이블 대역의 하단부의 채널에 상당하고, 대역 B3는 미드밴드 케이블 대역의 나버지부의 채널과 고 VHF 방송 대역내의 채널(즉,채널 7 내지 13)과 수퍼밴드(superband) 케이블 대역의 하단부의 채널에 상당하고, 대역 B4는 수퍼밴드 케이블 대역의 나머지부의 채널과 하이퍼밴드(hyperband) 케이블 대역의 채널에 상당한다.
UHF 방송 채널(14 내지 69)의 제5대역에 대한 분리구간은 도시되지 않는다.
사용자가 희망채널에 상당하는 두 디지트 숫자를 기입할 수 있는 예를 들어 계산기형 키보드를 포함하는 채널선택기(10)가 제공된다. 채널번호 디지털 코드 형태로 예를 들어 위상고정루프를 포함하는 동조전압 발생기(20)로 전달되며, 발생기(20)는 채널번호를 선택된 채널에 상당하는 크기를 갖는 동조 전압 VT로 변환시킨다. 채널번호는 또한 대역 선택기(30)로 전달되며, 선택기(30)는 선택된 채널의 대역을 명시하는 대역선택 또는 밴드스위칭신호를 발생한다. 도시된 실시예에 있어서, 대역선택기(30)에 의해 발생된 밴드스위칭 신호 B1, B2, B3, 및 B4의 활성상태는 예를 들어 +18V인 고정전압이다. 비활성 상태는 접지전위에 가까운 전압이다. 대역선택기(30)는 모든 다른 밴드스위칭 신호와는 독립적인 유일한 밴드스위칭 신호를 각 대역에서 발생한다. 즉, 각각의 대역은 단지 하나의 밴드스위칭 신호에만 상당한다. 이러한 목적을 위하여, 대역선택기(30)는 간단히 희망채널의 코드명시가 각 대역에 상당하는 범위값내에 있을 때를 판단하는 논리 비교기를 구비할 수 있다.
동조전압 및 밴드스위칭 신호는 VHF RF 입력에서 수신된 복수개의 RF 신호로부터 선택채널에 상당하는 RF 신호를 선택하여 선택된 RF 신호를 혼합기(50)로 공급하는 RF 단(40)에 결합된다.
동조전압 및 밴드스위칭 신호는 또한 국부발진기(60)에 결합되며, 발진기(60)는 선택채널에 상당하는 주파수를 갖는 국부발진기 신호를 발생한다. 국부 발진기 신호는 또한 혼합기(50)에 결합되며 혼합기(50)에서 상기 신호는 선택 RF 신호와 조합되어 합 및 차 주파수 신호를 공급한다. 국부 발진기 신호의 주파수는 차주파수 신호가 미합중국에서는 예를 들어 45.75MHz인 명목 화상반송주파수를 갖도록 제어된다.
동조제어장치(20)가 위상고정루프를 포함하면, 국부발진기 신호는 또한 통상 "프리스 케일러(prescaler)"로 명명되는 분주기(70)를 통하여 동조제어장치(20)에 결합되며, 상기 프리스 케일러는 국부발진기 신호의 비교적 고주파수를 분할하여 위상고정루프의 동작주파수 범위에 필적하는 주파수를 갖는 신호를 공급한다.
본 발명의 주제는 국부 발진기(60)의 구성에 관한 것으로 지금부터 상세히 기술될 것이다.
국부 발진기(60)는 증폭기(100) 및 동전기회로(200)를 구비하고 있다. 증폭기(100)는 공통 콜렉터 구성인 NPN 트랜지스터(101)를 포함하여 상기 트랜지스터(101)의 콜렉터는 저항(103)을 통하여 공급전압 +VS원에 연결되고, 에미터는 저항(105)를 통하여 신호접지로서 도시된 기준전위원에 연결되고, 베이스전극은 동조회로(200)에 결합된다. 베이스와 에미터 전극사이에 연결된 캐패시터(107)와, 에미터와 콜렉터 전극 사이에 연결된 캐패시터(109)와, 콜렉터 전극과 신호접지사이에 결합된 캐패시터(111)와, 콜렉터와 베이스전극사이에 연결된 캐패시터(113)를 구비하는 궤환 회로망은 증폭기(100)가 주파수 대역 B1, B2, B3 및 B4를 포함하는 예를 들어 101 내지 509MHz의 주파수 범위 전체에 걸쳐서 발진하도록 조건부여 된다.
발진기(100)가 101 내지 509MHz 사이의 비교적 광주파수 범위 전체에 걸쳐서 확실하게 발진하는 것을 보장하기 위해서는, 동조 전압에 응답하여 궤환을 변형하는 것이 바람직한 것으로 알려져 있다. 특히, 이러한 것은 캐패시터(115)와, 바렉터 다이오드(117)와, 캐패시터(107)와 병렬로 트랜지스터(101)의 베이스와 에미터 전극 사이에서 직렬로 연결된 캐패시터(119)를 포함하는 동조전압응답 용량성 회로망을 연결함으로써 달성된다. 캐패시터(115 및 119)는 비교적 큰 값을 가지며 궤환 변형 회로망의 용량 범위에 대하여 실제로 영향은 주지 않으며 우선적으로 DC 블로킹 소자로서 동작한다. 저항(121 및 123)은 바렉터 다이오드(117) 양단에 동조전압 VT의 일부를 인가하도록 제공된다. 주파수가 동조전압의 감소에 응답하여 감소할때 바렉터 다이오드(117)는 베이스와 에미터 전극간의 용량이 증가되도록 폴(pole)된다.
동조회로(200)는 4개의 인덕터(201,202,203 및 204)와, 캐패시터(206)를 통하여 신호접지와 트랜지스터(101)의 베이스 전극사이에서 이상에서 열거한 순서대로 직렬로 연결된 바렉터 다이오드(205)를 포함한다.
동조전압 VT는 절연저항(207)를 통하여 바렉터 다이오드(205)의 음극에 결합된다. 바렉터 다이오드(205)의 양극과 신호접지사이에 연결된 저항(209)은 바렉터 다이오드(205)에 귀환경로를 제공한다. 분로 연결된 캐패시터(211)는 동조전압을 필터한다. 작은 값의 캐패시터(213)는 바렉터 다이오드(205) 양단에서 결합되어 동조회로의 가변 용량범위를 설정하는 것을 도와준다. 비교적 큰 값의 캐패시터(215 및 217)는 바렉터 다이오드(205)와 직렬로 연결되어 인덕터(204)의 우측단과 트랜지스터(101)의 베이스 전극에서 발생된 DC 전압에서 음극 및 양극을 절연시킨다. 캐패시터(215 및 217)는 동조회로의 용량범위에는 중대하게 영향을 미치치 않는다.
밴드스위칭은 다음과 같이 성취된다.
밴드스위칭 핀 다이오드(211,222,223 및 224)의 음극은 인덕터(201)의 좌측단과, 인덕터(201 과 202)간의 접합점과, 인덕터(202 와 203)간의 접합점과, 인덕터 (203 과 204)간의 접합점에 연결된다.
스위칭 다이오드의 양극은 저항/캐패시터 회로망(231/232,233/234,235/236 및 237/238)을 각각 통하여 밴드스위칭 신호 B1, B2, B3, 및 B4를 수신한다. 캐패시터(232,234,236 및 238)는 필터 캐패시터이다. 스위칭 다이오드(222,223 및 224)의 양극은 또한 캐패시터(242,243 및 244)를 통하여 신호접지에 연결된다. 캐패시터(242 및 244)는 비교적 큰 값을 가지며 실제로 바이패스 필터이다.
캐패시터(234)는 아래에서 설명된 바와 같은 이유로 해서 캐패시터(242 및 244)보다 작은 값을 갖는다.
다이오드(221)과 인덕터(201)간의 접합점과 신호 접지간에서 연결된 저항(251)은 밴드스위칭 다이오드(221,222,223 및 224)에 대해 귀환으로서 동작한다. 다이오드(221,222,223 및 224)중 하나가 예를 들어 +18V인 비교적 활성고정전압에 있는 밴드스위칭 신호 B1, B2, B3 및 B4의 각각에 응답하여 턴온되도록 순방향 바이어스될때, 전류는 저항(251)을 통하여 흐르게 되며 나머지 다이오드를 턴 오프하는 역바이어스 전압이 저항(251) 양단에서 발생된다.
인덕터(204) 및 트랜지스터(101)의 베이스와 바이패스 캐패시터(215), 바렉터 다이오드(205) 및 캐패시터(217) 사이에 연결되는 베이스 바이어스 회로망은 직렬 연결저항(261)과 분로연결저항(263)를 포함한다.
대역 B1에서 채널이 선택되면, 밴드스위치신호 B1은 활성상태와 상응하는 예를 들어 +18V인 비교적 활성 고정전압 레벨로 되어지며, 트랜지스터(101)를 턴온하는 정바이어스 전압은 저항(213), 스위칭 다이오드(221), 인덕터(201,202,203 및 204) 및 베이스 바이어스 회로망(261/263)에 결합된다. 최저 주파수 대역인 대역 B1에서 채널이 선택되면, 스위칭 다이오드(222,223 및 224)는 모두 턴오프되고 대역 B1에서 모든 인덕터(201,202,203 및 204)를 포함하는 최대의 동조 인덕턴스를 갖는 동조회로가 형성된다. 대역 B2에서 채널이 선택되면, 스위칭 다이오드(222)는 턴온됨으로써 효율적으로 인덕터(201 및 202)의 접합점을 신호접지에 연결합여 대역 B2에서 인덕터(202,203 및 204)를 포함하는 동조회로가 형성된다. 대역 B3에서 채널이 선택되면, 스위칭 다이오드(223)는 턴온되어 대역 B3에서 인덕터(203 및 204)를 포함하는 동조회로를 형성한다. 동이한 방식으로 최고 주파수 대역인 B4에서 채널이 선택되면, 스위칭 다이오드(224)는 턴온되어 대역 B4에서(이하에서 기술되어질 기생소자의 효과를 감소시키는) 단지 인덕터(204)만을 포함하는 최대의 동조 인덕턴스를 갖는 동조회로를 형성한다. 대역(B2,B3 및 B4) 각각에 대하여, 베이스 바이어스 전압은 저항(223,235 및 237) 각각을 통하여 공급된다.
국부 발진기의 비교적 광주파수 범위로 인하여 동조회로(200)에 연관된 어떠한 기생소자는 국부 발진기를 바람직하지 못한 주파수에서 발진시키려 한다고 알려져 있다. 이러한 상태를 금지시키는 설비가 기술된 것이다.
기술된 바와 같이 대역 B1이 선택되면, 스위칭 다이오드(222,223 및 224)는 턴오프된다.
도시된 구성으로부터 대역 B1에서 인덕터(201,202,203 및 204) 각각의 양단에서 존재하는 기생용량과 "오프"스위칭 다이오드(222,223 및 224)는 (1차적으로 대역 B1에서 희망 주파수 이외에도)국부 발진기가 발진할 수 있는 약 470MHz의 대역 B4에서 2차적으로 바람직하지 않은 공진주파수를 발생시킨다. 이러한 문제점에 대한 해결방법은 대역 B1에서 증폭기(100)가 발진하도록 조건된 용량성 궤환 회로망을 선택적으로 변경하여 발진범위를 바람직하지 않은 주파수 이하가 되도록 제한하는 것으로 알려져 있다. 특히, 이것은 캐패시터(109)와 병렬로 트랜지스터(101)의 에미터와 콜렉터사이에 캐패시터(131) 및 스위칭 다이오드(133)를 연결함으로써 성취된다.
B1 밴드스위칭 신호는 직렬 연결저항(135) 및 분로 연결 캐패시터(137)를 포함하는 절연/필터 회로망에 의해 스위칭 다이오드(133)의 양극에 결합된다. 밴드스위칭 신호 B1에 대한 귀환은 트랜지스터(101)의 에미터와 스위칭 다이오드(133)의 음극에 연결된 저항(105)으로 제공된다. 대역 B1에서 채널이 선택되면, 스위칭 다이오드(133)는 턴온되고 캐패시터(109)와 병렬로 결합되어 트랜지스터(101)의 에미터와 콜렉터사이의 용량을 증가시킨다. 트랜지스터(101)의 바이어스를 변환시키는 트랜지스터(101)의 에미터 전압도 또한 증가된다.
스위치 용량성 회로망(131/133)에 바람직하지 못한 대역을 벗어난 발진을 금지시키는 반면에, 국부발진기(60)의 기본 동작모드를 변경시키지 못하지만 그 대신에 수행에 있어서는 비교적 단순하다는 것에 주목된다.
또한, 대역 B1과 다른 대역사이에서 상술된 방법으로 궤환을 스위칭하면 변환 손실이 감소되어 대역 B1과 B4에 대한 필요조건사이에서 절충으로서 선택된 트랜지스터(101)에 에미터와 콜렉터간의 용량 값일 수 있는 대역 B4에서의 전체 동조기 이득이 증가된다. 이들 라인에 따라, 스위칭 용량성 회로망(131/133)은 또한 다른 설계 제한을 완화시킨다는 점에 있어서, 유리한 대역 B1에서 동조범위를 확장하는 것으로 알려져 있다.
다른 바람직하지 못한 주파수는 스위칭 다이오드(221,222,223 및 224)의 기생 유도인덕턴스로 인하여 발생될 수 있다. 특히, 대역 B4에서 채널이 선택되고 스위칭 다이오드(224)가 턴온되어 대역 B4에 대한 동조회로에서 인덕터(204)의 좌측까지 동조회로(200)의 부를 포함하면, 다이오드(224)의 유도인덕턴스는 인덕터(204)의 좌측에 속한 동조회로(200)의 소자와 이들에 연관된 기생소자를 효율적으로 고려하기 위해서 대역 B4용 동조회로에서 결합되어 있는 인덕터(201,202 및 203) 양단간의 기생 용량과 같은 최고주파수 대역인 대역 B4에서 충분히 큰 임피던스를 나타내는 것으로 알려져 있다. 즉, "온"스위칭 다이오드(224)는 인덕터(204)의 좌측에 속한 동조회로(200)의 부를 효과적으로 단락시키지는 않으므로 신호전류가 바람직하지 않게 흐르게 된다. 이것으로 국부발진기(60)는 바람직하지 못한 주파수 공진으로 발진하게끔 된다.
이러한 문제점은 B4 밴드스위칭 제어 라인과 B3 밴드스위칭 제어라인 사이에 연결된 스위칭 다이오드(271)를 포함하는 보조 밴드스위칭 회로망에 의해서 해결된다. 대역 B4에서 채널이 선택되면, 밴드스위칭 신호 B4의 비교적 큰 활성정전압레벨은 대역 B4의 스위칭 다이오드(224) 뿐만 아니라 대역 B4의 스위칭 다이오드(223)를 턴온시킨다. 이것은 인덕터(204)의 좌측에 속하는 동조회로(200)의 그 부분을 대역 B4에 대해 동조된 회로(인덕터(203)의 우측에) 결합하는 것을 상당히 감소시키고, 바람직하지 못한 주파수 공진이 발생하는 것을 금지한다. 스위칭 다이오드(222)가 B4 밴드스위칭 제어라인과 B2 대역 스위칭 제어 라인 사이에서 또 다른 스위칭 다이오드의 연결에 의해 동일한 방법으로 유사한 이유로 도통되기도 하지만, 도시된 구조에서 이것이 꼭 필요하지는 않은 것으로 알려졌다. 결과적으로, 대역 B4에서 세 스위칭 다이오드(224), (223), (222)를 모두 도통시키는데 요구되는 여분의 전력은 유익하게 절약된다.
다이오드(271)는 대역 스위칭 신호 B4가 대역 B3 스위칭 다이오드(223)를 도통시키는 것을 허용하고 밴드스위칭 신호가 대역 B4 스위칭 다이오드(224)를 도통시키는 것을 방지하도록 극이 정해진다. 보조 밴드 스위칭 회로는 B3 밴드스위칭 제어 라인에 직렬로 연결된 스위칭 다이오드(273)를 포함하고, 밴드스위칭 신호 B3가 대역 B3 스위칭 다이오드(223)를 도통시키는 것을 허용하고 B3 밴드스위칭 제어라인에서의 전압이 밴드스위칭 신호 B4에 의해 영향을 받는 것을 막도록 극히 정해진다.
RF 단(40)에 포함된 것과 같이 서로에 대해 독립적으로, 다른 동조된 회로의 밴드스위칭을 제어하는 것이 바람직하므로 다이오드(271), (273)의 절연기능은 매우 바람직하다.
다이오드(271), (273)가 B3 및 B4 제어 라인으로부터 캐패시터(243)를 절연시키므로 큰 값의 저항(275)이 캐패시터(243)와 분로 연결되며, 캐패시터(243)가 방전할 수 있게 한다.
정상적으로 밴드스위칭 다이오드(221), (222), (223), (224)와 조합된 캐패시터(242), (243), (244)는 국부 발진기(60)의 주파수 법위를 통하여 무시할 수 있는 정도의 임피던스를 갖도록 하기 위하여 비교적 큰 값을 갖도록 모두 선택된다(예를 들면 모두 470pf 캐패시터가 되도록 선택될 것이다).
그러나, 그러한 캐패시터중 하나(또는 그 이상)는 상당히 낮은값(예를 들면 82pf)을 갖도록 선택되어, 그러한 캐패시터가 조합된 대역(또는 대역들)의 주파수 응답특성에 영향을 미치게 된다.
도시된 구조에서, 캐패시터(243)의 값은 RF 단(40)과 국부 발진기(60)의 동조된 회로가 대역 B3을 통하여 동조 전압에 응답하여 다른쪽을 추적하도록 하기 위해 S2 pf의 값을 갖도록 선택하는 것이 바람직한 것으로 발견되었다. 불행히도, 이러한 것은 인덕터(201), (202)와 관련 기생소자를 포함하는 좌측 다이오드(203)에 동조하는 회로(200)의 부분이 상기 설명된 보조 밴드스위칭의 제공에도 불구하고, 대역 B3에서의 채널이 선택되었을때 희망되지 않은 주파수 공진을 유발하는 것을 허용하는 역 영향을 갖는 것으로 발견되었다. 그러나 이는 저항(235)의 값을 비교적 높은 값(예를 들면 1000Ω에서 상당히 낮은 값(예를 들면, 330Ω으로 변경시킴으로써 치유되었다. 이 해결책은 국부 발진기(60)의 주파수 범위에서 무시할 수 있는 임피던스를 갖는 비교적 큰 값의 캐패시터(206), (236)(예를 들면, 470pf)로 인하여, 저항(235)이 캐패시터 (243)와, 인덕터(201), (202)의 직렬조합과 효과적으로 분로되는 것으로 고려함으로써 이해될 것이다. 그 결과, 인덕터(203)의 좌측과 동조된 회로(200)의 부분의 Q는 대역 B3에서의 채널이 선택될때 희망되지 않은 공진을 유발하지 않는 점으로 감소되었다.
국부 발진기(60)의 출력신호는 트랜지스터(101)의 에미터에서 채택된다. 국부 발진기(60)의 출력신호는 분압기(310)와 캐패시터(320)를 포함하는 결합회로(300)를 통하여 혼합기(50)에 결합된다.
국부 발진기(60)의 출력신호는 병렬의 동조된 회로(410)와 캐패시터(420)를 포함하는 결합회로(400)를 통해 프리스 케일러(70)에 결합된다.
병렬 동조된 회로(410)는 다음의 방식으로 프리스케일러(70)의 희망된 입력 주파수 응답을 조절한다는 점에 있어서 특별한 중요성을 갖는다. 뉴져지, 섬머빌 소재의 알 씨 에이 코포레이션에서 이용할 수 있는 CA―3163 집적회로와 같은 텔레비젼 동조기에 이용하기에 적합한 프리스 케일러는 중간 주파수에서 최대이고 저주파 및 고주파에서 열등한 입력 감도를 갖는다. 추가적으로 , 국부 발진기 신호가 예를 들면 채널 2와 같은 최저주파수 채널에서와 같이 비교적 낮은 진폭과 중대한 제2고조파 성분을 갖는다면 프리스케일러는 제2고조파 성분에 바람직하지 못하게 응답함으로써, 프리스 케일러의 출력이 결합되는 위상 고정루프의 작동을 혼란하게 만든다. 병렬 동조된 회로(410)는 채널 2에 대한 제2고조파 즉, 202MHz 근방에서 최저이고 더 높거나 더 낮은 주파수에서 더 높은 전달 특성(즉, 출력 전압대 입력 전압의 비)을 제공함으로써 이 문제점을 해결한다.
이러한 것을 해결하기 위하여, 동조된 회로(410)의 인덕터(411)와 캐패시터 (413)는 채널(2)에 대한 국부 발진기 신호의 제2고조파 주파수 즉, 202MHz에서 공진하도록 선택된다. 바람직스럽게, 캐패시터(413)는 인덕터(411)의 기생 분로 캐패시턴스이다. 병렬 연결 저항(415)은 국부 발진기(60)의 주파수 범위에 대해 동조된 회로(410)에 대역폭을 맞춘다.

Claims (14)

  1. 텔레비젼 수상기용 동조 시스템에서 사용하기 적합하며, 다수의 주파수 대역을 포함하는 비교적 광주파수 범위 전체를 통하여 발진할 수 있는 국부 발진기(60)로서, 제어 가능 전류 경로의 양단에 연결된 제1 및 제2전극과 상기 전류 경로에서 흐르는 전류를 제어하는 제어전극을 갖되, 상기 제1전극은 동작 전압원에 결합되고 상기 제2전극은 기준전위원에 결합된 증폭기로서 구성되는 트랜지스터(101)와; 상기 증폭기가 상기 주파수 범위 전체를 통하여 발진하도록 상기 증폭기를 상태조절하는 수단 (107,109,111,113)과, 가변용량성 소자(205)와, 직렬연결된 다수의 인덕터 (201,202,203,204)와, 대역선택신호원(30)과, 상기 인덕터 각각에 결합되어, 상기 대역선택신호 각각에 응답해서 상기 가변용량성 수단을 갖는 동조회로에서 상기 인덕터를 선택적으로 결합하는 다수의 스위치 수단(221,222,223,224)과, 상기 동조회로를 상기 제어전극에 결합하는 수단(215,217)을 구비하는 국부 발진기에 있어서, 상기 대역중 하나의 소정의 대역이 상기 선택된 대역에 상응하는 대역선택 신호에 응답하여 동조하도록 선택될때 상기 상태조절 수단에 결합되어 상기 대역중의 다른 소정의 대역에서 상기 증폭기가 발진하는 것을 디스에이블시키는 수단(131,133)을 구비하는 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
  2. 상기 상태조절 수단이 상기 트랜지스터의 상기 두 전극사이에 결합된 용량성 궤환수단을 포함하는 제1항에 있어서, 상기 디스에이블링 수단은 상기 용량성 궤환 수단의 상기 용량성 특성을 변형하는 용량성 변형수단(131,133)을 포함하는 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
  3. 상기 상태조절 수단이 상기 제1 및 제2전극 사이에 결합된 제1캐패시터를 포함하는 제2항에 있어서, 상기 디스에이블링 수단은 상기 제1전극과 제2전극 사이에 직렬로 결합된 제2캐패시터(131) 및 스위치 수단(133)을 포함하여, 상기 스위치 수단은 상기 선택된 대역에 상응하는 상기 대역 선택신호에 응답하여 상기 제1캐패시터와 병렬로 상기 제2캐패시터를 결합하는 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 인덕터(201,202,203,204)는 상기 기준전위점과 상기 제어전극사이의 상기 가변 용량성 소자(205)와 직렬로 결합되는 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
  5. 제4항에 있어서, 상기 트랜지스터(101)는 바이폴라 트랜지스터이며, 상기 제1, 제2 및 제어전극은 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터, 에미터 및 베이스 전극인 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 스위치 수단은 다이오드(221,222,223,224)를 구비하는 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
  7. 제2항에 있어서, 상기 용량성 궤환수단은 상기 제어전극과 제2전극 사이에 결합된 제1캐패시터(107)와, 상기 제1전극과 제2전극 사이에 결합된 제2캐패시터(109)와, 상기 제1전극과 상기 기준전위점 사이에 결합된 제3캐패시터(111)를 포함하는 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
  8. 제1항에 있어서, 출력은 상기 제1 및 제2전극중 한 전극에 결합하는 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
  9. 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터는 공통 콜렉터 증폭기를 형성하도록 연결된 베이스, 에미터 및 콜렉터 전극을 갖는 바이폴라 트랜지스터(101)이며, 상기 트랜지스터의 상기 두 전극간에 결합되어 상기 공통 콜렉터 증폭기가 상기 주파수 범위를 통하여 발진하도록 상기 증폭기를 상태조절하는 용량성 궤환수단(109)을 갖는 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
  10. 제1항에 있어서, 상기 디스에이블링 수단은 상기 선택된 대역에 상응하는 상기 대역선택신호에 응답하여 상기 용량성 궤환수단의 용량특성을 변형시키는 용량성 변형수단(131,133)을 포함하는 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
  11. 제10항에 있어서, 상기 상태조절수단은 상기 베이스 전극과 에미터 전극사이에 결합된 제1캐패시터(107)와, 상기 에미터 전극과 콜렉터 전극 사이에 결합된 제2캐패시터(109)와, 상기 콜렉터 전극과 기준전위점 사이에 결합된 제3캐패시터(111)를 포함하고, 상기 디스에이블링 수단은 상기 에미터 전극과 콜렉터 전극 사이에 직렬로 결합된 제4캐패시터(131)와 스위치 수단(133)을 포함하며, 상기 스위치 수단은 상기 선택된 대역에 상응하는 대역선택신호에 응답하여 상기 제2캐패시터와 병렬로 상기 제4캐패시터를 결합하는 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
  12. 제11항에 있어서, 상기 인덕터는 상기 기준전위점과 상기 베이스 전극 사이에서 상기 바렉터 다이오드와 직렬로 결합되는 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
  13. 제9항에 있어서, 출력은 상기 콜렉터 및 에미터 전극중 한 전극에 결합되는 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
  14. 제10항에 있어서, 상기 출력은 상기 에미터 전극에 결합되는 것을 특징으로 하는 국부 발진기.
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