JPS6119166B2 - - Google Patents

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JPS6119166B2
JPS6119166B2 JP17259779A JP17259779A JPS6119166B2 JP S6119166 B2 JPS6119166 B2 JP S6119166B2 JP 17259779 A JP17259779 A JP 17259779A JP 17259779 A JP17259779 A JP 17259779A JP S6119166 B2 JPS6119166 B2 JP S6119166B2
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JP
Japan
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circuit
diode
local oscillation
capacitor
band
Prior art date
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JP17259779A
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English (en)
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JPS5696504A (en
Inventor
Sadakimi Ooyama
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Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5696504A publication Critical patent/JPS5696504A/ja
Publication of JPS6119166B2 publication Critical patent/JPS6119166B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03JTUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J5/00Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
    • H03J5/24Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
    • H03J5/242Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
    • H03J5/244Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection using electronic means

Landscapes

  • Superheterodyne Receivers (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はオールチヤンネルチユーナにおける局
部発振回路に係り、局部発振回路のトランンジス
タをVHF帯受信時はエミツタ接地型とし、UHF
帯受信時はベース接地型として用いることによ
り、局部発振回路をVHF帯とUHF帯の各受信時
に共用でき、もつてオールチヤンネルチユーナの
回路構成を簡略化しうる局部発振回路を提供する
ことを目的とする。
第1図は従来のオールチヤンネルチユーナの一
例のブロツク系統図を示す。まずVHF帯受信時
の動作につき説明するに、入力端子1に入来した
VHF帯のテレビジヨン信号(VHF信号)は、入
力同調回路2で同調された後高周波増幅器3で増
幅され、更に段間同調回路4を経て所望受信チヤ
ンネルのVHF信号が混合回路5に供給され、こ
こで局部発振回路6よりの局部発振周波数と混合
されて所定の一定周波数の中間周波信号とされ
る。この中間周波信号はIF出力回路7を経て所
定の後段回路へ出力される。このときUIF出力回
路14の出力が混合回路5に供給されないよう構
成されている。
次にUHF帯受信時の動作につき説明するに、
入力端子8に入来したUHF帯のテレビジヨン信
号(UHF信号)は、入力同調回路9で同調され
た後高周波増幅器10で増幅され、更に段間同調
回路11を経て所望受信チヤンネルのUHF信号
が混合回路12に供給され、ここで局部発振回路
13よりの局部発振周波数と混合されて所定の一
定周波数の中間周波信号とされる。この中間周波
信号はUIF出力回路14を経てUHF帯受信時は
増幅回路としての動作を行なう混合回路5に供給
され、ここで増幅された後IF出力回路7を通し
て後段回路へ出力される。なお、このとき局部発
振回路6の動作は停止せしめられており、段間同
調回路4の出力信号が遮断される。
上記従来のオールチヤンネルチユーナにおける
局部発振回路は、UHF帯受信用とVHF帯受信用
に夫々専用に別個設けられていたため、回路構成
が複雑となり、チユーナも高価となるという欠点
があつた。
本発明は上記欠点を除去したものであり、以下
第2図乃至第7図と共にその一実施例について説
明する。
第2図は本発明になるオールチヤンネルチユー
ナにおける局部発振回路の一実施例の具体的回路
図を示す。Q1はNPNトランジスタで、そのコレ
クタはLRを通して直流電源電圧入力端子15に
接続される一方、コンデンサC2、同軸共振線路
L1,L2を介してUHF帯選局時の局部発振周波数
出力端子16に接続されている。またトランジス
タQ1のエミツタはコンデンサC3を介してバラク
タダイオードCV1のカソードとコンデンサC4の非
接地側端子との接続点に接続されている。このバ
ラクタダイオードCV1のカソードはUHF帯発振
時のバラクタダイオードCV1の容量可変電圧入力
端子17に接続される一方、コンデンサC5を介
してバラクタダイオードCV3のカソード及び抵抗
を介してAFC端子18に接続されている。
一方、トランジスタQ1のベースはコンデンサ
C6,C7を夫々直列に介して接地される一方、ベ
ースバイアス抵抗R2,R3に接続されている。コ
ンデンサC6とC7との接続点はバラクタダイオー
ドCV2及びコンデンサC8を夫々直列に介して接地
され、コンデンサC8とCV2のカソードとの接続点
は抵抗を介してVHF発振時のバラクタダイオー
ドの容量可変電圧入力端子20に接続されてい
る。またトランジスタQ1のベースはコンデンサ
C10を介してVHF帯選局時の局部発振周波数出力
端子19に接続されている。またコンデンサC7
の非接地側端子はコイルL3,L4を夫々直列に介
して接地されている。コンデンサC7とコイルL3
との接続点はスイツチング用ダイオードD1及び
抵抗R1を夫々直列に介してUHF帯−VHF帯選局
バンド切換用電圧入力端子21に接続され、また
ダイオードD1のアノードはコンデンサC1を介し
て接地されている。更にコイルL3とL4との接続
点にはダイオードD2及び抵抗R4を夫々直列に介
してVHF帯選局時のハイチヤンネルとローチヤ
ンネルの切換用電圧入力端子22に接続され、ま
たダイオードD2のアノードはコンデンサC9を介
して接地されている。そして更にコイルL3の両
端子は夫々コンデンサを介してバラクタダイオー
ドCV4のカソードに接続される一方、抵抗を介し
てVHF発振時のAFC端子23に接続されてい
る。
上記構成の局部発振回路において、まずUHF
帯受信時の動作につき説明するに、このとき入力
端子21より正の直流電圧が抵抗R1を通してダ
イオードD1のアノードに印加される。このた
め、ダイオードD1は導通状態となり、コイル
L3,L4を介して電流が流れ、ダイオードD1の導
通インピーダンスは極めて低くなり丁度D1とL3
の接続点はコンデンサC1を介して接地されたこ
とになる。すなわちコンデンサC1の容量値は大
きいため、ダイオードD1とコイルL3の接続点は
高周波的に接地されたことになる。従つて、この
場合における第2図示回路は第3図に示す回路と
同等となる。
第3図において、同軸共振線路L1、コンデン
サC2,C3、バラクタダイオードCV1及びコンデン
サC4が発振回路のタンク回路を構成する。すな
わち、第3図示の回路の等価回路は第4図に示す
如くになり、トランジスタQ1のベースがコンデ
ンサC7を介して接地され、コルピツツ発振回路
となる。この発振回路の発振周波数、すなわち
UHF帯受信時の局部発振回路の出力局部発振周
波数fUHFとなる。この局部発振周波数fUHFは第2図示の
出力端子16より出力される。
またUHF帯受信時に入力端子17よりバラク
タダイオードCV1に印加される逆バイアス電圧が
大きくなるほどCV1の容量値(これも説明の便宜
上CV1で示す)が小となり、上式より明らかなよ
うに局部発振周波数fUHFが高くなり、また上記
入力端子17の入力逆バイアス電圧が小さくなる
ほどCV1の容量値が大となり、上式より局部発振
周波数fUHFが低くなる。なお、ここではAFC端
子18からの電圧によつて実際はバラクタダイオ
ードCV3によつて局部発振周波数fUHFも変化す
るが、ここでは動作原理の説明上、バラクタダイ
オードCV3は無視してある。
次にVHF帯受信時の動作につき説明する。こ
のときは第2図示の入力端子21には正の直流電
圧の供給が断たれる。このため、ダイオードD1
はオフとなり、ダイオードD1のカソードとコイ
ルL3との接続点は高周波的に非接地の状態とな
る。一方、トランジスタQ1のベース・エミツタ
間の浮遊容量C0は小さくなり、エミツタからベ
ースへ帰還がかからなくなり、回路のインピーダ
ンスが高くなり、よつて第3図示の発振回路の動
作が停止する。
従つて、このときの第2図示の局部発振回路は
第5図に示す回路と同等となる。第5図に示す発
振回路のタンク回路は、コイルL3,L4、コンデ
ンサC3,C4(これらの合成容量をC11で示す)、
C7,C0、バラクタダイオードCV2より構成され、
トランジスタQ1はエミツタ接地型で使用され
る。すなわち、第5図に示す発振回路の等価回路
は第6図に示す如くになり、クラツプ発振回路を
構成する。そこで、第6図につき更に詳細に説明
するに、入力端子22に正の直流電圧が印加され
た場合、ダイオードD2がオンとされるため、コ
イルL3とダイオードD2のカソードとの接続点が
コンデンサC9を介して高周波的に接地される。
従つて、この場合はコイルL4は発振回路のタン
ク回路を構成せず、タンク回路はコイルL3、コ
ンデンサC7,C0,C11、バラクタダイオードCV2
の可変容量値で構成した次式で示す発振周波数f
VHF-Hとなる。
他方、入力端子22への正の直流電圧供給を遮
断した場合は、ダイオードD2はオフとなり、コ
イルL3とダイオードD2のカソードとの接続点が
高周波的に非接地となり、コイルL4を介して接
地されることとなる。従つて、第6図示の発振回
路のタンク回路はコイルL3,L4、コンデンサ
C7,C0,C11、バラクタダイオードCV2の可変容
量値で構成され、その発振周波数fVHF-Lは次式
で示す如くになる。
すなわち、(2)式、(3)式よりわかるように、
VHF帯のハイチヤンネル受信時には入力端子2
2より正の直流電圧をダイオードD2に印加して
高い発振周波数を得ると共に、バラクタダイオー
ドCV2の容量値を入力端子20よりの電圧を制御
して所望の値とすることにより、ハイチヤンネル
の所望放送信号を選局受信するための局部発振周
波数信号fVHF-Hを第2図、第5図示の出力端子
19より出力でき、またVHF帯のローチヤンネ
ル受信時には入力端子22の入力電圧の供給を断
ちダイオードD2をオフとして低い発振周波数を
得ると共にバラクタダイオードCV2の容量値を制
御してローチヤンネルの所望放送信号を選局受信
するための局部発振周波数信号fVHF-Lを上記出
力端子19より出力できる。
なお、第5図、第6図においてバラクタダイオ
ードCV4は発振回路の動作原理の説明の便宜上、
省略した。また第2図及び第5図において、
VHF帯局部発振周波数は19の代りに19′又は
19″で示す出力端子より取り出すこともでき
る。
このように本発明回路によれば、VHF帯と
UHF帯の局部発振回路として共用できるので、
回路構成が従来に比し簡略化されると同時に、
VHF帯受信時の場合、UHF帯のタンク回路の容
量がVHF帯受信時のタンク回路に起因しない回
路にでき、またUHF帯受信時の場合、VHF帯の
タンク回路の容量がUHF帯受信時のタンク回路
に起因しない回路構成とできる。
次に本発明になる局部発振回路を適用したオー
ルチヤンネルチユーナの一実施例について第7図
のブロツク系統図と共に説明する。第7図におい
て、入力端子24より入来したUHF信号と入力
端子25より入来したVHF信号とは夫々入力同
調スイツチ回路26に供給され、ここでスイツチ
ングダイオード(図示せず)によつて希望する受
信帯の同調回路に切換えられて、その希望する受
信帯の高周波信号が選択同調された後高周波増幅
器27で増幅されてU−V段間同調回路28に供
給され、ここで希望する受信帯の所望チヤンネル
の高周波信号とされる。U−V段間同調回路28
の出力高周波信号はU−V帯域混合回路29に供
給され、ここでU−V局部発振回路30よりの所
定の局部発振周波数信号と混合(周波数変換)さ
れる。
上記のU−V局部発振回路30が第2図示の本
発明になる局部発振回路で、前記した動作により
UHF帯受信用局部発振周波数又はVHF帯局部発
振周波数をU−V帯域混合回路29へ出力する。
これにより、U−V帯域混合回路29より、周
波数fL±f0の2信号が取り出される(ただし、
Lは局部発振周波数、f0はU−V段間同調回路
28よりの信号周波数である。)。上記2信号のう
ちfL−f0の周波数成分が次段のIF出力回路31
により電流増幅されて出力され中間周波信号とし
て後段の回路へ導かれる。
このように、本発明になる局部発振回路をU−
V局部発振回路30として使用することにより、
オールチヤンネルチユーナにおける回路構成を第
1図示の従来のものに比し簡略化することができ
る。なお、コンデンサC7は省略することもでき
る。
上述の如く、本発明になるオールチヤンネルチ
ユーナにおける局部発振回路は、単一の高周波発
振用トランジスタのベースを、スイツチング用ダ
イオード及び第1のコンデンサを夫々直列に介し
て接地する一方、VHF帯同調用コイルを介して
接地し、該スイツチング用ダイオード及び第1の
コンデンサよりなる直列回路に並列にVHF帯同
調用可変容量ダイオード及び第2のコンデンサよ
りなる直列回路を接続し、上記トランジスタのコ
レクタをUHF帯同調用可変容量ダイオードを介
してトランジスタのエミツタに接続し、上記
UHF帯同調用可変容量ダイオードの一端をUHF
帯同調用共振線路を介して接地する一方、上記
UHF帯同調用可変容量ダイオードの他端を第3
のコンデンサを介して接地し、上記第1のコンデ
ンサとスイツチング用ダイオードとの接続点にこ
のスイツチング用ダイオードをオンとする電圧を
印加したときは上記トランジスタをベース接地と
し第1の発振回路を構成せしめてUHF帯受信時
の局部発振周波数を出力し、上記スイツチング用
ダイオードをオフとする電圧を印加したときは上
記トランジスタをエミツタ接地とし第2の発振回
路を構成せしめてVHF帯の受信時の局部発振周
波数を出力するよう構成したため、UHF帯受信
時の場合はVHF帯のタンク回路の容量がUHF帯
のタンク回路に起因せず、かつ、VHF帯受信時
の場合はUHF帯のタンク回路の容量がVHF帯の
タンク回路に起因しない構成とでき、VHF帯と
UHF帯受信時の局部発振周波数の一方を単一の
高周波発振用トランジスタを共用して得ることが
でき、よつて局部発振回路の構成を簡略にし得る
と共に安価に構成でき、更にオールチヤンネルチ
ユーナ全体を簡略な回路構成とすることができる
等の特長を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のオールチヤンネルチユーナの一
例を示すブロツク系統図、第2図は本発明回路の
一実施例を示す具体的回路図、第3図はUHF帯
受信時の第2図示回路を説明するための具体的回
路図、第4図は第3図の等価回路を示す図、第5
図はVHF帯受信時の第2図示回路を説明するた
めの具体的回路図、第6図は第5図の等価回路を
示す図、第7図は本発明回路を適用した場合のオ
ールチヤンネルチユーナの一実施例を示すブロツ
ク系統図である。 1,25……VHF信号入力端子、2,24…
…UHF信号入力端子、6,13……局部発振回
路、15……直流電源電圧入力端子、16……
UHF帯受信時の局部発振周波数出力端子、17
……UHF帯受信時の容量可変電圧入力端子、1
8……UHF帯受信時のAFC端子、19……VHF
帯受信時の局部発振周波数出力端子、20……
VHF帯受信時の容量可変電圧入力端子、21…
…UHF帯−VHF帯受信切換用電圧入力端子、2
2……ハイチヤンネル−ローチヤンネル切換用電
圧入力端子、23……VHF帯受信時のAFC端
子、30……U−V局部発振回路、Q1……高周
波発振用NPNトランジスタ、CV1……UHF帯同
調用バラクタダイオード、CV2……VHF帯同調用
バラクタダイオード、D1,D2……スイツチング
用ダイオード、L1,L2……同軸共振線路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 単一の高周波発振用トランジスタのベース
    を、スイツチング用ダイオード及び第1のコンデ
    ンサを夫々直列に介して接地する一方、VHF帯
    同調用コイルを介して接地し、該スイツチング用
    ダイオード及び第1のコンデンサよりなる直列回
    路に並列にVHF帯同調用可変容量ダイオード及
    び第2のコンデンサよりなる直列回路を接続し、
    該トランジスタのコレクタをUHF帯同調用可変
    容量ダイオードを介して該トランジスタのエミツ
    タに接続し、該UHF帯同調用可変容量ダイオー
    ドの一端をUHF帯同調用共振線路を介して接地
    する一方、該UHF帯同調用可変容量ダイオード
    の他端を第3のコンデンサを介して接地し、該第
    1のコンデンサと該スイツチング用ダイオードと
    の接続点に該スイツチング用ダイオードをオンす
    る電圧を印加したときは該トランジスタをベース
    接地とし第1の発振回路を構成せしめてUHF帯
    受信時の局部発振周波数を出力し、該第1のコン
    デンサと該スイツチング用ダイオードとの接続点
    に該スイツチング用ダイオードをオフとする電圧
    を印加したときは該トランジスタをエミツタ接地
    とし第2の発振回路を構成せしめてVHF帯受信
    時の局部発振周波数を出力するよう構成したこと
    を特徴とするオールチヤンネルチユーナにおける
    局部発振回路。
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JPS60233906A (ja) * 1984-05-07 1985-11-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発振回路
JPS615011U (ja) * 1984-06-14 1986-01-13 関西日本電気株式会社 局部発振回路
JPS6141206A (ja) * 1984-08-01 1986-02-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位相同期型周波数シンセサイザ
JPS62146308U (ja) * 1986-03-06 1987-09-16

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