JPS58989Y2 - 同調回路 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案はテレビジョン受像機の電子同調チューナ等に
使用される局部発振回路に用いられ、特にその発振出力
の周波数帯域を切換える部分を構成する同調回路に関す
るものである。

テレビジョン受像機の電子同調チューナにおいてＶＨＦ
帯受信回路は基本的には第１図の如く構成されている。

す女わち、アンテナ出力は入力端子１１を介して人力同
調回路１２に導入される。

この入力同調回路１２の出力は高周波増幅回路１３によ
って増幅されたのち、段間同調結合回路１４を介して混
合回路１５に加えられる。

この混合回路１５に対しては局部発振回路１６の出力も
導入されるもので、出力端子１７には中間周波を導出す
ることができる。

ところでテレビジョン電波を受信するにあたっては、ｖ
ＨＦ帯の帯域は広範囲であるため、テヤンネルをロウチ
ャンネルとハイチャンネルとに区分し、各部の周波数帯
域を切換えており、これは、切換えが必要な回路にスイ
ッチングダイオードを設けてこれをオンオフ制御するこ
とによって回路特性を切換えている。

この特性切換え電圧は、スイツナング回路１８から発生
するもので、たとえば、正電源＋■、負電源−Ｖが選択
的に切換えられるようになされている。

このようにロウチャンネルとハイチャンネルとで切換え
られるバンド切換え電圧は、局部発振回路１６の同調回
路にも加えられ発振周波数の帯域特性を切換えることが
できる。

すなわち、局部発振回路１６は、発振トランジスタ部１
と、コイル２，３、コンデンサ４゜５．６，７、スイッ
チングダイオード８、可変容量ダイオード９等による同
調回路部によって構成されている。

そして、バンド切換え電圧は、コイル２とコンデンサ４
の接続点に加えられる。

ここで、スイッチ回路１８において正電源＋Ｖが選択さ
れていれば、発振回路１６のスイッチングダイオード８
はオンとなり、図示Ａ点とアース（基準電位）間の容量
及びハイチャンネルコイル２によって決オる周波数で発
振し、・・イテヤンネル帯域に必要な発振周波数帯域特
性となる。

発振周波数が可変される場合は、同調電圧入力端子１９
から受信チャンネルに対応する同調電圧が印加され、可
変容量ダイオード９の容量を設定する。

ロウチャンネル受信時はスイッチ回路１８は負電源−■
側を選択するため、スイッチングダイオード８はオフと
なり、図示Ａ点と基準電位間の容量、コイル２，３の和
、コンデンサ４によって決する周波数で発振する。

ところが、ハイチャンネル受信時には、スイッチングダ
イオード８の順方向抵抗ｒＦ（約０．６Ω）が同調回路
に直列に加わるため無負荷Ｑが低下し、ロウチャンネル
受信時に比べて発振電圧が低くなってし捷う。

このためナユーナ装置全体から見れば、利得偏差が大き
くなったり、特にロウチャンネル受信時の局部発振電圧
の漏洩が犬きくなる等の不具合がある。

これを解決するために第２図、第３図に示すような回路
が考えられるが、満足できる結果が得られない。

この回路について説明すると、１ず第２図の回路は、バ
イパスコンデンサ２１を抵抗２０の一端と接地間に設け
たもので、第３図の回路は、コイル３に並列にダンピン
グ抵抗２３を設けたものである。

しかしながら、これらの回路においては以下に述べるよ
うな２つの欠点がある。

その１つは、コンデンサ又はダンピング抵抗が余分に必
要でその接続作業も要することである。

更に第２の欠点としては、・・イテヤンネル受信時の発
振出力を更に低下させてし１うことである。

つ１す、第４図に示す回路は・・イテヤンネル受信時に
おける等価的な回路であり、２４はスイッチングダイオ
ード８のリードインダクタンス、２５はスイッチングダ
イオード８の順方向抵抗、２６はダンピング抵抗である
。

したがって、この回路から理解できるように厳密に言え
ばこの場合のインダクタンスはハイチャンネルコイル２
とスイッチングダイオード８のリードインダクタンス２
４の和である。

ところが第２図又は第３図の方法によりダンピングをか
ける方法は、第４図でダンピング抵抗２６をインダクタ
ー２４に並列に接続することであり、これはとりもなお
さず・・イテヤンネル受信時にもダンピングをかけるこ
ととなり、ハイチャンネルでの発振電圧が更に低くなっ
てし捷う。

この考案は上記の事情に鑑みてなされたもので、Ｑの低
い（直列抵抗の大きい）容量を使用し、バンド切換えに
おけるハイチャンネル受信時の悪影響を無くシ、ロウチ
ャンネル受信時のみ同調回路のＱを低下ならしめる同調
回路を提供することを目的とするものである。

以下この考案の実施例を第５図乃至第７図を参照して詳
細に説明する。

すなわち第５図に示す回路は、テレビジョン受像機の電
子同調チューナ装置に使用され、■ＨＦ帯受信時に発振
出力が得られる局部発振回路である。

この回路において３０は発振トランジスタ部でアリ、発
振トランジスタＴ、のベースには、結合容量３１を介し
て同調回路部が接続されている。

同調回路部は、前記容量３１の一方の端子に、方の端子
が接続された容量３２．３３及びインダクタ３４等から
成るもので、前記容量３２の他方の端子は、可変容量ダ
イオード３５を介して接地されている。

更に、前記容量３２と可変容量ダイオード３５の接続点
には、抵抗３６を介して同調電圧印加用の端子３７が接
続されている。

また、前記容量３３の他方の端子は、スイツテングダイ
オード３８を介して接地されるとともに、前記・インダ
クタ３４の他方の端子及びインダクタ３９の一方の端子
に接続されている。

そして前記インダクタ３９の他方の端子は、Ｑの低い容
量４０を介して接地されている。

そして、前記インダクタ３９と容量４０の接続点には、
抵抗４１を介してスイッチ回路４２の出力端子が接続さ
れている。

このスイッチ回路４２は出力端子ａに正あるいは負の電
源＋Ｖ、−Ｖの電圧（バンド切換電圧）を選択的に導出
することができるもので、前記スイッチングダイオード
３８をオンあるいはオフ制御することができる。

上記発振回路は発振トランジスタのスイッチング動作と
同調回路の充放電動作によって発振し、容量３１と３２
の接続点から出力が得られるが、その発振周波数帯域特
性を切換える場合はスイッチ回路４２の出力が正電源＋
Ｖ側の出力を導出しスイッチングダイオード３８をオン
状態にする。

この状態は・・イテヤンネル受信状態における発振周波
数特性となる。

ここで容量４０は、Ｑの低いたとえばパラジウムｐｄを
内部電極とする積層タイプのものである。

パラジウムは銀に比べ極端に抵抗値が高いため、容量の
等個直列抵抗が増加するためである。

第５図においてスイッチングダイオード３８がオンのと
きは、容量４０の影響はインダクタ３９が充分太きいた
め無視することができる。

このとき、インダクタ３４に並列に接続されている容量
３３は容量４０に比較して直列抵抗値がはるかに低いも
のである。

次にロウチャンネル受信のためスイッチ回路４−２が切
換えられ負電源−Ｖ側の出力を導出すると、スイッチン
グダイオード３８はオフし容量４０の直列抵抗が同調回
路に直列に加わるため、同調回路の無負荷Ｑが低下し、
損失は大きくなる。

したがって、ロウチャンネル受信時とハイチャンネル受
信時との出力の差が無く使用しやすい局部発振回路とな
る。

この考案は、更に第６図に示すように構成しても同様の
目的を遠戚することができる。

すなわち、第５図と同一部は同符号を付して説明は省略
するが、インダクタ３９と並列に容量４５を設けたもの
である。

この回路において容量３３は直流阻止用のコンデンサと
して作用し、容量４５は直列抵抗の大きな容量である。

容量４５の容量値は小さいのでインピーダンスは充分大
きく、ハイチャンネル受信時（スイッチングダイオード
がオン）には悪影響は与えない。

また、ロウチャンネル受信時（スイッチングダイオード
がオフ）には、容量４５の直列抵抗が同調回路に直列に
加わり同様に損失が増加する。

この結果、ロウチャンネル受信時と・・イテヤンネル受
信時どのナユーナ装置全体の利得偏差が無く使用しやす
く、性能的にも向上を得る。

更にこの考案を説明するのに第７図を参照して説明する
。

今、第５図に示す図示Ａ点から右側の総合容量をＣＴと
する。

なおこの総合容量ＣＴば、コンデンサ３３の容量も含む
ものとする。

第７図ａは、ハイチャンネル受信時、の基本的な等価回
路である。

スイッチングダイオード３８はオンである。

この等価回路において、ＬＨはハイチャンネルコイル３
４のインダクタンス、ｒＬＨはこのコイルの等個直列抵
抗、ｒＤはダイオード３８の等個直列抵抗である。

また、ｒｃＴは前記総合容量の等個直列抵抗である。

この場合の無負荷ＱをＱＵＨとするとこれは、 となる。

一方、第７図すば、スイッチングダイオード３８がオフ
となりローチャンネル受信状態となった場合を示す。

この等価回路にむいて、ＣＴ′はローチャンネル受信時
における第５図の図示Ａ点から右側をみた場合の総合容
量、ｒＣＴ’はこの容量の等個直列抵抗である。

またＬＬはローチャンネルコイル３４．３９のインダク
タンス、ｒＬＬはコイルの等個直列抵抗、ｒｃｓは容量
４０の等個直列抵抗である。

この場合の無負荷ＱをＱＴＴＴ、とするとここで前記式
（ＩＸ２）を比較すると、 ＬＬ＞ＬＨ、ＣＴ＞ＣＴ’ 、ｒＬＬ＞ｒｔ、ｎ 。

ｒＣＴ’ ＞ｒｃ’ｒ である。

ところが、直列抵抗ｒＬＬ 、ｒＣＴ’は高高６０ｍ
Ω程度であるのに比しｒＤ（スイッチングダイオードの
等個直列抵抗）は６００ｍΩ位ある。

従って、 としてみることができる。

ここでＱＵＬ触ＱＵＨとするには、 とおき、 であればよい。

（３）式においてＣＴ１ＣＴ′は選局による可変容量ダ
イオードの値によって変わる変数である。

従って、ハイチャンネル、ローチャンネルの同調周波数
を、ｆＨＸ ｆＬとすると上記のことから、局部発振周
波数が ローチャンネル周波数ｆＬ＝１５０〜１５６ＭＨｚハイ
チャンネル周波数ｆＨ−２３０〜２７６ＭＨ２とすると
、 となる。

また、高周波増幅段におけるパン して適用されるならば、 ド切換回路と ｆＬ＝ ９１．２５〜１０３．２５ ＭＨ２ｆＨ＝ １
７１．２５〜２１７．２５ＭＨ２として、 となる。

従って、バンド切換部における一般的な容量４０の直列
抵抗を設定するには、 但し、ｆＬＭＩＮ−ローチャンネルの低い周波数ｆＬＭ
ＡＸ＝ローチャソロ−の高い周波数ｆＨＭＩＮ ＝ハイ
チャンネルの低い周波数ｆＨＩＭＡｘ−ハイナヤンネル
の高い周波数としてｒｃｓを決定すればよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の局部発振回路の回路図、第２図、第３図
はこの考案に供する局部発振回路に釦ける同調回路の回
路図、第４図は同調回路におけるハイチャンネル受信状
態の等価回路図、第５図及び第６図はこの考案の実施例
を示す回路図、第７図ａ、ｂはそれぞれ第６図の回路の
素子の設定を説明するのに示した基本的な原理図である
。 ３０・・・・・・発振トランジスタ部、３１３２３３・
・・・・・容量、３４．３９・・・・・・インダクタ、
３５・・・・・・可変容量ダイオード、３８・・・・・
・スイッチングダイオード、４０・・・・・・容量、４
２・・・・・・スイッチ回路。

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. （１）一方の端子が互いに共通に接続された第１の容量
   及び第１のインダクタと、この第１のインダクタ及び第
   １の容量の他方の端子の共通接続点と基準電位間に順方
   向に接続されたスイッチングダイオードと、同じく前記
   第１のインダクタ及び第１の容量の他方の端子の共通接
   続点に一端が接続された第２のインダクタと、この第２
   のインダクタの他方の端子と基準電位間に接続され、導
   通時の等個直列抵抗が使用周波数帯の範囲に釦いて前記
   スイッチングダイオードの等個直列抵抗に略相当する第
   ２の容量と、この容量と前記第２のインダクタの接続点
   間に前記スイッチングダイオードをオンオフ制御するた
   めの電圧を印加する手段とを具備したことを特徴とする
   同調回路。
2. （２）前記第２の容量として、導通時の等個直列抵抗が
   次式を満足する値に設定したことを特徴とする実用新案
   登録請求の範囲第（１）項記載の同調回路。 但し ｒｃｓ Ｌ ：第２の容量の等個直列抵抗 ：前記スイッチングダイオード がオンしたときの第１の第２ のインダクタの合計インダン タンス Ｈ ：前記スイッチングダイオード がオンしたときの第１のイン ダクタのインダクタンス ｆ ＬＭ Ｉ Ｎ ：使用周波数帯の第１の帯域 （ローチャンネル）にむける 低い周波数 ＬＭＡＸ 二使用周波数帯の第１の帯域 （ローチャンネル）に訃ける 高い周波数 ＨＭＩＮ ：使用周波数帯の第２の帯域 （ハイチャンネル）にトける 低い周波数 ＨＭＡＸ ：使用周波数帯の第２の帯域 （ハイチャンネル）における 高い周波数 Ｄ ：前記スイッチングダイオード の等個直列抵抗