JPH0152930B2 - - Google Patents
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- JPH0152930B2 JPH0152930B2 JP59117495A JP11749584A JPH0152930B2 JP H0152930 B2 JPH0152930 B2 JP H0152930B2 JP 59117495 A JP59117495 A JP 59117495A JP 11749584 A JP11749584 A JP 11749584A JP H0152930 B2 JPH0152930 B2 JP H0152930B2
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- JP
- Japan
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- pin
- agc
- diodes
- diode
- circuit
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 16
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
- H03H7/255—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode the element being a PIN diode
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明はダブルスーパーヘテロダイン方式のコ
ンバータや電子同調チユーナの入力回路、さらに
はブースターやアンテナ回路系においてよく用い
られるPINダイオードを用いたRF可変減衰回路
に関するものである。
ンバータや電子同調チユーナの入力回路、さらに
はブースターやアンテナ回路系においてよく用い
られるPINダイオードを用いたRF可変減衰回路
に関するものである。
一般に使用されている広帯域のRF可変減衰回
路としてはπ型、Ｌ型、逆Ｌ型等種々の形態の可
変減衰器があり、これは通常PINダイオードを用
いて構成されることが多く、その動作は入力信号
レベルに応じてAGC端子にAGC電圧が印加され
これに基いて減衰量が可変制御され常時適正レベ
ルのRF信号が出力されるものである。
路としてはπ型、Ｌ型、逆Ｌ型等種々の形態の可
変減衰器があり、これは通常PINダイオードを用
いて構成されることが多く、その動作は入力信号
レベルに応じてAGC端子にAGC電圧が印加され
これに基いて減衰量が可変制御され常時適正レベ
ルのRF信号が出力されるものである。
＜従来技術＞
一例として第４図に従来から使用されているπ
型RF可変減衰回路を示す。ここでは入力端子１
及び出力端子２間の信号線路に３個の直流阻止用
コンデンサ３，４，５とPINダイオード６とを直
列に挿入し、またコンデンサ３とダイオード５と
の直列回路に並列に２個のPINダイオード６，７
を直列接続し、この両ダイオード６，７の中間接
続点は接地用コンデンサ８を介して接地し、また
ダイオード６の陽極には電源端子１４よりバイア
ス用抵抗１０を介して正電源電圧＋Ｂを印加し、
一方ダイオード７の陰極はバイアス用抵抗１０を
介して接地している。さらにまた上記PINダイオ
ード５の陽極にはAGC端子１５よりピーキング
コイル１１を介してAGC電圧VAGCを印加してい
る。なお第４図において１２，１３はともに接地
用コンデンサである。
型RF可変減衰回路を示す。ここでは入力端子１
及び出力端子２間の信号線路に３個の直流阻止用
コンデンサ３，４，５とPINダイオード６とを直
列に挿入し、またコンデンサ３とダイオード５と
の直列回路に並列に２個のPINダイオード６，７
を直列接続し、この両ダイオード６，７の中間接
続点は接地用コンデンサ８を介して接地し、また
ダイオード６の陽極には電源端子１４よりバイア
ス用抵抗１０を介して正電源電圧＋Ｂを印加し、
一方ダイオード７の陰極はバイアス用抵抗１０を
介して接地している。さらにまた上記PINダイオ
ード５の陽極にはAGC端子１５よりピーキング
コイル１１を介してAGC電圧VAGCを印加してい
る。なお第４図において１２，１３はともに接地
用コンデンサである。
上記のように構成された従来の可変減衰回路で
は、３個のPINダイオード５，６，７によつてπ
型抵抗回路網が形成され、いま最大利得時には
AGC端子１５に比較的大きな正電圧が印加され、
このときPINダイオード５の内部抵抗値V5は数
Ωになるのに対し、他のPINダイオード６，７の
各内部抵抗値V6，V7は数百Ωとなり、この場合
入力端子１から供給されたRF入力信号は殆んど
減衰されずに出力端子２に出力される。
は、３個のPINダイオード５，６，７によつてπ
型抵抗回路網が形成され、いま最大利得時には
AGC端子１５に比較的大きな正電圧が印加され、
このときPINダイオード５の内部抵抗値V5は数
Ωになるのに対し、他のPINダイオード６，７の
各内部抵抗値V6，V7は数百Ωとなり、この場合
入力端子１から供給されたRF入力信号は殆んど
減衰されずに出力端子２に出力される。
逆に最小利得時にはAGC端子１５に印加され
るAGC電圧は零ボルトとなり、このときPINダ
イオード５の内部抵抗値V5は数KΩになるのに対
し、他のPINダイオード６，７の内部抵抗値V6，
V7は数十Ωとなり、従つてこの場合入力端子１
に供給されたRF入力信号は３個のPINダイオー
ド５，６，７によつて形成されるπ型抵抗回路網
によつて30dB以上減衰されることになる。
るAGC電圧は零ボルトとなり、このときPINダ
イオード５の内部抵抗値V5は数KΩになるのに対
し、他のPINダイオード６，７の内部抵抗値V6，
V7は数十Ωとなり、従つてこの場合入力端子１
に供給されたRF入力信号は３個のPINダイオー
ド５，６，７によつて形成されるπ型抵抗回路網
によつて30dB以上減衰されることになる。
こうして上記のRF可変減衰回路では、AGC端
子１５に印加されるAGC電圧VAGCの大きさに応
じてPINダイオード５の導通度が可変制御され、
この結果RF入力信号が所定量だけ減衰されるも
のである。
子１５に印加されるAGC電圧VAGCの大きさに応
じてPINダイオード５の導通度が可変制御され、
この結果RF入力信号が所定量だけ減衰されるも
のである。
ところが上記のような従来のRF可変減衰回路
では、特に最小利得時にPINダイオード５自身の
接合容量C5が通常IPF前後あり、これがダイオー
ド５自身の内部抵抗V5と並列に挿入されて並列
インピーダンス回路網を形成し、このため伝送信
号の周波数が高くなるにつれてこの回路網のイン
ピーダンスが著しく減少し、この結果RF減衰量
が低下してしまう欠点があつた。本出願人の実験
によれば、例えば100MHzの周波数附近において
は30dB以上の減衰量が得られるのに対し、周波
数が500MHz近辺になると15dB前後しか得られ
なかつた。
では、特に最小利得時にPINダイオード５自身の
接合容量C5が通常IPF前後あり、これがダイオー
ド５自身の内部抵抗V5と並列に挿入されて並列
インピーダンス回路網を形成し、このため伝送信
号の周波数が高くなるにつれてこの回路網のイン
ピーダンスが著しく減少し、この結果RF減衰量
が低下してしまう欠点があつた。本出願人の実験
によれば、例えば100MHzの周波数附近において
は30dB以上の減衰量が得られるのに対し、周波
数が500MHz近辺になると15dB前後しか得られ
なかつた。
＜目的＞
本発明は上記のような従来回路の欠点に鑑みな
されたものであり、周波数によつて減衰量が余り
変化することのないように広帯域に亘つて減衰特
性を改善したRF可変減衰回路を提供するもので
ある。
されたものであり、周波数によつて減衰量が余り
変化することのないように広帯域に亘つて減衰特
性を改善したRF可変減衰回路を提供するもので
ある。
＜実施例＞
以下図面に示す本発明の実施例に従つて説明す
る。第１図は本発明の１実施例の回路図を示し、
ここでは入力端子１６及び出力端子１７間の信号
線路に２個の直流阻止用コンデンサ１８，１９と
２個のPINダイオード２０，２１とを直列に挿入
し、この両ダイオード２０，２１の中間接続点は
小容量のコンデンサ２２を介して接地し、ダイオ
ード２０の陽極にはAGC端子２３よりピーキン
グコイル２４を介してAGC電圧VAGCを印加し、
一方ダイオード２１の陰極には第３のPINダイオ
ード２５の陰極を接続するとともにバイアス抵抗
２６を介して接地し、またこのダイオード２５の
陽極にはバイアス抵抗２７を介して正電源電圧を
印加してなるものである。なお２８，２９はとも
に接地用コンデンサである。
る。第１図は本発明の１実施例の回路図を示し、
ここでは入力端子１６及び出力端子１７間の信号
線路に２個の直流阻止用コンデンサ１８，１９と
２個のPINダイオード２０，２１とを直列に挿入
し、この両ダイオード２０，２１の中間接続点は
小容量のコンデンサ２２を介して接地し、ダイオ
ード２０の陽極にはAGC端子２３よりピーキン
グコイル２４を介してAGC電圧VAGCを印加し、
一方ダイオード２１の陰極には第３のPINダイオ
ード２５の陰極を接続するとともにバイアス抵抗
２６を介して接地し、またこのダイオード２５の
陽極にはバイアス抵抗２７を介して正電源電圧を
印加してなるものである。なお２８，２９はとも
に接地用コンデンサである。
上記のように構成されたRF可変減衰回路では、
３個のPINダイオード２０，２１，２５によつて
Ｌ型抵抗回路網が形成され、いま最大利得時には
AGC端子２３に比較的大きな正電圧が印加され、
このときPINダイオード２０，２１の内部抵抗値
V20，V21はともに数Ωとなるのに対し、PINダ
イオード２５の内部抵抗値V25は数百Ωとなり、
この場合入力端子１６から入力されたRF信号は
殆んど減衰されずにコンデンサ１８、ダイオード
２０，２１及びコンデンサ１９を介して出力端子
１７に出力される。
３個のPINダイオード２０，２１，２５によつて
Ｌ型抵抗回路網が形成され、いま最大利得時には
AGC端子２３に比較的大きな正電圧が印加され、
このときPINダイオード２０，２１の内部抵抗値
V20，V21はともに数Ωとなるのに対し、PINダ
イオード２５の内部抵抗値V25は数百Ωとなり、
この場合入力端子１６から入力されたRF信号は
殆んど減衰されずにコンデンサ１８、ダイオード
２０，２１及びコンデンサ１９を介して出力端子
１７に出力される。
逆に最小利得時にはAGC端子１６に印加され
るAGC電圧は零ボリトとなり、このときPINダ
イオード２０，２１の内部抵抗値V20，V21はと
もに数KΩになるのに対しPINダイオード２５の
内部抵抗値は数十Ωとなり、この場合入力端子１
６に供給されたRF信号は３個のPINダイオード
２０，２１，２５によつて形成されるＬ型抵抗回
路網によつて30dB以上減衰されることになる。
るAGC電圧は零ボリトとなり、このときPINダ
イオード２０，２１の内部抵抗値V20，V21はと
もに数KΩになるのに対しPINダイオード２５の
内部抵抗値は数十Ωとなり、この場合入力端子１
６に供給されたRF信号は３個のPINダイオード
２０，２１，２５によつて形成されるＬ型抵抗回
路網によつて30dB以上減衰されることになる。
こうして本実施例のRF可変減衰回路において
は、AGC端子２３に印加されるAGC電圧の大き
さに応じて２個のPINダイオード２０，２１の導
通度が制御され、その結果入力端子１６に供給さ
れたRF入力信号が所定量だけ減衰され出力端子
１７に導出される。
は、AGC端子２３に印加されるAGC電圧の大き
さに応じて２個のPINダイオード２０，２１の導
通度が制御され、その結果入力端子１６に供給さ
れたRF入力信号が所定量だけ減衰され出力端子
１７に導出される。
ところで上記のようなRF可変減衰回路におい
ては、特に最小利得時の抵抗回路網の簡易等価回
路は第３図ａに示す如くなり、この場合可変減衰
回路網はPINダイオード２０，２１の内部抵抗
V20，V21及び接合容量C20，C21と小容量コンデ
ンサ２２の容量値C22とによつて形成される。こ
の第３図ａに示す等価回路は周知の通り第３図
ｂ、第３図ｃに示す如くＹ→Δ等価変換でき、こ
の場合変換後のYbについてのみ記すと Yb＝Z3／Z1Z3＋Z3Z2＋Z2Z1 で表わされる。
ては、特に最小利得時の抵抗回路網の簡易等価回
路は第３図ａに示す如くなり、この場合可変減衰
回路網はPINダイオード２０，２１の内部抵抗
V20，V21及び接合容量C20，C21と小容量コンデ
ンサ２２の容量値C22とによつて形成される。こ
の第３図ａに示す等価回路は周知の通り第３図
ｂ、第３図ｃに示す如くＹ→Δ等価変換でき、こ
の場合変換後のYbについてのみ記すと Yb＝Z3／Z1Z3＋Z3Z2＋Z2Z1 で表わされる。
上式を参照すればPINダイオード２０，２１の
接合容量C20，C21はコンデンサ２２の容量成分
C22により打消されて実質的に減少されることが
理解されるであろう。
接合容量C20，C21はコンデンサ２２の容量成分
C22により打消されて実質的に減少されることが
理解されるであろう。
以上の結果、本実施例のようにPINダイオード
２０，２１の中間接続点を小容量コンデンサ２２
を介して接地することにより、特に最小利得時に
おけるPINダイオード２０，２１の接合容量成分
による高域周波数での特性の劣化を改善すること
ができる。
２０，２１の中間接続点を小容量コンデンサ２２
を介して接地することにより、特に最小利得時に
おけるPINダイオード２０，２１の接合容量成分
による高域周波数での特性の劣化を改善すること
ができる。
本出願人は実験により第１図に示す実施例の回
路において最小利得時に50MHz〜500MHzの広
帯域に亘つて一様に30dB以上の減衰を得ること
が確認できた。
路において最小利得時に50MHz〜500MHzの広
帯域に亘つて一様に30dB以上の減衰を得ること
が確認できた。
第２図は本発明の他の実施例を示すものであ
り、ここで第１図に示す実施例と同一部分には同
一符号を附記している。ここでは特にトランジス
タ３０、抵抗３１，３２及びコンデンサ３３から
なるバツフア用の増幅回路を追加して構成したも
のであり、AGC端子２３より抵抗３１を介して
トランジスタ３０のベースにAGC電圧VAGCを印
加することにより、このトランジスタ３０の導通
度を制御し、これによつてPINダイオード２０の
陽極にピーキングコイル２４を介してAGC電圧
VAGCに応じた直流電圧を供給するようにしたも
のである。
り、ここで第１図に示す実施例と同一部分には同
一符号を附記している。ここでは特にトランジス
タ３０、抵抗３１，３２及びコンデンサ３３から
なるバツフア用の増幅回路を追加して構成したも
のであり、AGC端子２３より抵抗３１を介して
トランジスタ３０のベースにAGC電圧VAGCを印
加することにより、このトランジスタ３０の導通
度を制御し、これによつてPINダイオード２０の
陽極にピーキングコイル２４を介してAGC電圧
VAGCに応じた直流電圧を供給するようにしたも
のである。
本実施例のRF信号の減衰動作は既述した第１
図の実施例の動作と略同一であるため、その詳細
については省略するが、この場合比較的小さな
AGC電圧VAGCの変化に対しても有効に可変減衰
動作を行なわせることが可能となる。
図の実施例の動作と略同一であるため、その詳細
については省略するが、この場合比較的小さな
AGC電圧VAGCの変化に対しても有効に可変減衰
動作を行なわせることが可能となる。
＜効果＞
本発明によれば、上記のように信号線路にPIN
ダイオードを挿入しAGC電圧に基いてそのダイ
オードの導通度を可変制御しこれによりRF入力
信号を適正量だけ減衰するRF可変減衰回路にお
いて、特に２個のPINダイオードを使用し、両ダ
イオードの中間接続点を小容量コンデンサを介し
て接地することにより、PINダイオードの接合容
量による高域成分の特性劣化現象を改善すること
ができ、例えば50MHz〜500MHzの広帯域に亘
つて損入損出30dB以上の減衰特性を得ることが
可能となる。
ダイオードを挿入しAGC電圧に基いてそのダイ
オードの導通度を可変制御しこれによりRF入力
信号を適正量だけ減衰するRF可変減衰回路にお
いて、特に２個のPINダイオードを使用し、両ダ
イオードの中間接続点を小容量コンデンサを介し
て接地することにより、PINダイオードの接合容
量による高域成分の特性劣化現象を改善すること
ができ、例えば50MHz〜500MHzの広帯域に亘
つて損入損出30dB以上の減衰特性を得ることが
可能となる。
第１図は本発明の１実施例の回路図、第２図は
本発明の他の実施例の回路図、第３図ａ，ｂ，ｃ
は第１図に示す実施例の簡易等価回路図、第４図
は従来回路の回路図である。 ２０，２１，２５…PINダイオード、２２…小
容量コンデンサ、２３…AGC端子、２４…ピー
キングコイル、２６，２７…バイアス抵抗。
本発明の他の実施例の回路図、第３図ａ，ｂ，ｃ
は第１図に示す実施例の簡易等価回路図、第４図
は従来回路の回路図である。 ２０，２１，２５…PINダイオード、２２…小
容量コンデンサ、２３…AGC端子、２４…ピー
キングコイル、２６，２７…バイアス抵抗。
Claims (1)
- １ 信号線路に２個のPINダイオードを直列に挿
入しこの両ダイオードの中間接続点を小容量コン
デンサを介して接地し、前記PINダイオードの直
列回路の一端に第３のPINダイオードとともにバ
イアス抵抗を接続してこの第３のPINダイオード
に固定バイアス電源を印加し、且つ前記PINダイ
オードの直列回路の他端に制御信号を供給してな
り、この制御信号に基いてPINダイオードの導通
度を制御することによつてRF入力信号の減衰す
ることを特徴とするRF可変減衰回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117495A JPS60260220A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | Ｒｆ可変減衰回路 |
| US06/741,596 US4668882A (en) | 1984-06-06 | 1985-06-05 | Radio frequency signal variable attenuation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117495A JPS60260220A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | Ｒｆ可変減衰回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60260220A JPS60260220A (ja) | 1985-12-23 |
| JPH0152930B2 true JPH0152930B2 (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=14713143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59117495A Granted JPS60260220A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | Ｒｆ可変減衰回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4668882A (ja) |
| JP (1) | JPS60260220A (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3612732A1 (de) * | 1986-04-16 | 1987-10-29 | Blaupunkt Werke Gmbh | Anordnung zum schalten von hochfrequenten signalen |
| FR2617655B1 (fr) * | 1987-06-30 | 1994-05-20 | Telecommunicat Radioelect Teleph | Dispositif d'attenuation variable destine a etre insere entre un circuit emetteur et un circuit de charge |
| JPH03135212A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変減衰器 |
| DE3937934A1 (de) * | 1989-11-15 | 1991-05-16 | Thomson Brandt Gmbh | Schaltungsanordnung zur durchschaltung von hf-signalen |
| US5140200A (en) * | 1990-07-17 | 1992-08-18 | General Instrument Corporation | Pin diode attenuator |
| FI88564C (fi) * | 1991-01-14 | 1993-05-25 | Nokia Mobile Phones Ltd | Styrbar hoegfrekvensdaempare |
| US5852367A (en) * | 1992-09-01 | 1998-12-22 | International Business Machines Corporation | Speed enhanced level shifting circuit utilizing diode capacitance |
| US5345123A (en) * | 1993-07-07 | 1994-09-06 | Motorola, Inc. | Attenuator circuit operating with single point control |
| JP3063513B2 (ja) * | 1994-02-10 | 2000-07-12 | 松下電器産業株式会社 | マイクロ波検波給電回路 |
| DE4426015B4 (de) * | 1994-07-22 | 2006-01-12 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh | Schaltung zum Umschalten eines Ausgangs zwischen zwei HF-Signal-Eingängen |
| JPH09214278A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-15 | Nec Corp | Ｐｉｎダイオード可変減衰器 |
| FR2763763B1 (fr) * | 1997-05-23 | 1999-07-30 | Trt Lucent Technologies | Attenuateur variable a commande electronique |
| JP3831127B2 (ja) * | 1998-09-29 | 2006-10-11 | 一夫 大坪 | 交流電力波形中のノイズを除去する装置 |
| FI105613B (fi) * | 1998-10-07 | 2000-09-15 | Nokia Multimedia Terminals Oy | Vaimentimen säätöominaisuuksia parantava kytkentä |
| JP3896962B2 (ja) * | 2002-12-17 | 2007-03-22 | 株式会社村田製作所 | チューナ回路 |
| JP3107071U (ja) * | 2004-08-06 | 2005-01-27 | アルプス電気株式会社 | 可変減衰回路 |
| CN101142752A (zh) * | 2005-03-14 | 2008-03-12 | 新潟精密株式会社 | 天线阻尼电路与使用该电路的高频接收器 |
| JP4732032B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2011-07-27 | 株式会社ゼネラル リサーチ オブ エレクトロニックス | 可変抵抗回路 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3577103A (en) * | 1969-04-01 | 1971-05-04 | Zenith Radio Corp | Variable attenuator for a wave signal receiver |
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| US4097827A (en) * | 1977-02-04 | 1978-06-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Constant impedance, constant phase pin diode with attenuator |
| US4220874A (en) * | 1977-02-15 | 1980-09-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | High frequency semiconductor devices |
| US4224583A (en) * | 1978-11-29 | 1980-09-23 | Raytheon Company | Linear rf attenuator |
-
1984
- 1984-06-06 JP JP59117495A patent/JPS60260220A/ja active Granted
-
1985
- 1985-06-05 US US06/741,596 patent/US4668882A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60260220A (ja) | 1985-12-23 |
| US4668882A (en) | 1987-05-26 |
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