CN101142752A - 天线阻尼电路与使用该电路的高频接收器 - Google Patents

Abstract

本发明是在利用施加一控制电压Vc来改变电阻值的PIN二极管D1、D2与电容性虚拟天线电路10之间，设置有一电阻Ra，且此Ra电阻值若从PIN二极管D1、D2侧往虚拟天线电路10端来看时，就能够通过完全忽略虚拟天线电路10的电容量的较高值，而几乎不会受到虚拟天线电路10所持有的电容量的影响，又可以略为均匀化衰减量的频率特性。

Description

天线阻尼电路与使用该电路的高频接收器

技术领域

本发明涉及的是一种天线阻尼电路与使用所述的电路的高频接收器，特别涉及的一种将较强的讯号输入到无线电接收器的类的无线通讯装置时，可进行AGC动作的电路来抑制讯号的失真。

背景技术

一般而言，在无线电接收器的类的无线通讯装置中，都会安装一用来调整接收讯号的增益的AGC(Automatic Gain Control：自动增益控制)电路。其中天线阻尼电路乃为AGC电路的其中一种电路。天线阻尼电路的功能是在于降低以无线电所接收到信号准位。若天线输入讯号的接收强度不太大时，则天线阻尼电路就不会动作，且也不会降低收讯讯号的准位。但是，若将较强电场的讯号输入到天线时，则天线阻尼电路就为动作，也也不会将过大的电力施加到无线通讯装置中。

图1为表示传统天线阻尼电路的构造例子图。图1中图号10为一虚拟天线电路，其包含有：从天线阻尼电路的输入端Input直到输出端Output的旁路(pass)串联连接的电阻R1和电容C1、与针对所述的旁路所并联连接的电容C2。

图号L1是一用来去除来自高压电线的交流声噪声(hum noise)的线圈，图号I1为一通过控制电压Vc来控制的定电流源，图号D1、D2为一PIN二极管，图号C3、C4为一电容，图号R2为一输出电阻。在所述的天线阻尼电路的输出端，连接有一未图示的RF(Radio Frequency)放大器。

在如此构造的传统天线阻尼电路中，输入到输入端Input的天线输入讯号的收讯强度不会太大且也不会衰减而当从输出端Output取出信号时，会将控制电压Vc归零，如此电流就不会从定电流源I1流入至PIN二极管D1、D2。如此，PIN二极管D1、D2的阻抗将变成无限大，且通过虚拟天线电路10的天线输入讯号，也不会通过PIN二极管D1、D2的旁路且就直接传送到输出端Output。因此，就不需进行天线输入讯号的衰减。

此外，输入到输入端Input的天线输入讯号的收讯强度很大且若衰减此收讯强度后再从输出端Output取出信号时，则要施加控制电压Vc，再从定电流源I1将电流供应到PIN二极管D1、D2。如此，就会缩小PIN二极管D1、D2的阻抗，通过虚拟天线电路10的天线输入讯号也是通过PIN二极管D1、D2而流到接地电位点。通过此时所产生的PIN二极管D1、D2的电阻量，就会让天线输入讯号受到很大的衰减而传送到输入端Input。

又，利用PIN二极管来衰减天线输入讯号的技术，例如在日本专利文献1、2中也有记载的。

专利文献1：日本专利特开平5-121907号公报

专利文献2：日本专利特开平9-135180号公报

也有以「利用必要的高频带来均匀衰减量的频率特性」来作为在天线阻尼电路中所要求的一般特性。其中在日本专利文献1、2中也有记载均匀化衰减量的频率特性的技术。

也就是说，在日本专利文献1中，是在PIN二极管D1、D2中串联或并联连接有一可变电容组件，且通过控制PIN二极管的可变电阻值的电压来改变可变电容组件的电容，进而均匀化在频带范围内的频率振幅特性。另外，在日本专利文献2中，形成有天线偶合电容与电阻所组成的高通滤波器，且在天线输入电路中通过设置的线圈来防止电线干扰对策以及其它的天线电容组件来去除所形成的频率峰值所形成的震荡电路，进而达到频率特性的平均性。

例如，AM无线电接收器的情况时，具备有如图1所示的电容C1、C2的虚拟天线电路10。当具备有类似此虚拟天线电路10的天线阻尼电路的情况时，由于所述的虚拟天线电路10持有电容性，故所述的电容量会受到很大的影响且也不会化衰减量的频率特性。换言之，会产生流过PIN二极管D1、D2的电流为一定，且在AM播放的接收频带范围内衰减量也会产生不稳定的现象。

图2A～图2C为表示在传统的天线阻尼电路中的衰减量的频率特性图。如第2A图所示，当将控制电压Vc归零之后从定电流源I1电流不会流过PIN二极管D1、D2的情况(没有设置AGC的情况)下，AM频带范围内的准位差为1dB以内，几乎没有频率依存特性。反之，若施加控制电压Vc的后再将100μA、1mA的电流从定电流源I1流过PIN二极管D1、D2的情况(设置有AGC的情况)下，就如第2B图和第2C图所示，在AM频带范围内会增加每一频率的准位差，且最大会产生10dB左右的阻尼误差。

发明内容

发明的欲解决的问题

对此，就会考虑到能适用上述的日本专利文献1、2所记载的技术。不过上述日本专利文献1的发明乃有鉴于会大幅影响具有PIN二极管的寄生电抗且无法均匀化衰减量的频率特性而发明的。另外，上述日本专利文献2的发明则是有鉴于通过设置在天线输入电路的线圈及其它的天线电容组件，在既定的频带范围内产生峰值所形成震荡电路而发明的。由于两者对于虚拟天线电路10所具有的电容性的影响都没有考虑到，即使适用这些技术，也无法改善因为虚拟天线电路10的电容性所导致的衰减量的频率依存性。

解决问题的手段

发明为了解决这些问题而发明的，其目的是在输入段且持有电容性电路的天线阻尼电路中，来改善必要频带范围内的衰减量的频率依存性，进而均匀化衰减量的频率依存性。

为了解决上述的课题，在本发明的天线阻尼电路上，在可变电阻组件与连接到所述的前端的电容性电路(例如，具有AM的高频接收器的虚拟天线电路)之间，设置有一电阻或MOS晶体管。

本发明的另一个形态是针对电容性电路，设置复数个输出旁路，且针对所述的一部分的输出旁路设置有电阻和可变电阻组件。

本发明的另一个形态为能够可变控制MOS晶体管的导通电阻。

若依据上述构造的本发明的话，通过于可变电阻组件与电容性电路之间存在有一电阻，使得从可变电阻组件侧所看到的电容性电路电容几乎完全可忽略且减少影响力，且可以改善因为电容性所导致的衰减量的频率依存性，进而略为均匀化频率特性。

另外，针对电容性电路设置复数个输出旁路，当对所述的一部分的输出旁路来设置电阻和可变电阻组件的情况时，若无设置增益控制时，则在传送天线输入讯号的输出旁路就没有存在电阻，故能够把噪声特性的劣化压制到最小限度。

另外，当能够可变控制MOS晶体管的导通电阻的情况时，若设置有增益控制时则通过增大MOS晶体管的导通电阻，就可使得从可变电阻组件侧所看到的电容性电路降低到几乎可忽略所具有的电容影响力，来改善因为电容性导致的衰减量的依存性，进而可略为均匀化频率特性。此外，当没有设置增益控制时，则通过减小MOS晶体管的导通电阻，就可将噪声特性的劣化压制到最小限度。

附图说明

图1为表示传统天线阻尼电路的构造例子图；

图2A为表示传统的天线阻尼电路的衰减量的频率特性图；

图2B为表示传统的天线阻尼电路的衰减量的频率特性图；

图2C为表示传统的天线阻尼电路的衰减量的频率特性图；

图3为表示本实施形态的天线阻尼电路的构造例子图；

图4为连接到本实施形态的天线阻尼电路的输出电路的构造例子图；

图5A为表示本实施形态的天线阻尼电路的衰减量的频率特性图；

图5B为表示本实施形态的天线阻尼电路的衰减量的频率特性图；

图5C为表示本实施形态的天线阻尼电路的衰减量的频率特性图；

图5D为表示本实施形态的天线阻尼电路的衰减量的频率特性图；

图6为使用本实施形态的天线阻尼电路的AGC所形成的衰减准位与阻尼误差的关系特性图；

图7为使用本实施形态的天线阻尼电路的AGC所形成的衰减准位与AGC电流的关系特性图；

图8为为使用本实施形态的天线阻尼电路的AGC所形成的衰减准位与噪声准位的关系特性图；

图9为表示第2实施形态的天线阻尼电路的构造例子图；

图10为表示第3实施形态的天线阻尼电路的构造例子图；

图11为表示第4实施形态的天线阻尼电路的构造例子图。

附图标记说明：10-虚拟天线电路；L1-线圈；I1-定电流源；Vc-控制电压；D1-PIN二极管；D2-PIN二极管；C5-电容；C6-电容；R3-输出电阻；R4-输出电阻；Ra-电阻；P1-第1旁路；P2-第2旁路。

具体实施方式

以下结合附图，对本发明上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。

(第1实施形态)

以下，将根据图面来说明本发明的其中一个实施形态。图3为表示本实施形态的天线阻尼电路的构造例子图。图3所示的天线阻尼电路是用在譬如AM接收器且具备有虚拟天线电路10(相当在本发明的电容性电路)。所述的虚拟天线电路10的构造包含有：电阻R1和电容C1以及电容C2，其中电阻R1和电容C1是从天线阻尼电路的输入端Input到输出端Output的旁路来串联连接，而电容C是对所述的旁路来并联连接。

L1是一用来除去来自高压电线的交流声噪声的线圈，I1为通过控制电压Vc来控制的定电流源，D1、D2为PIN二极管(相当在本发明的可变电阻组件)，C5、C6为电容，R3、R4为输出电阻，Ra为连接在虚拟天线电路10与PIN二极管D1、D2之间的电阻。PIN二极管D1、D2为施加有控制电压Vc，依据从定电流源I1所供应的定电流的大小来改变电阻值的可变电阻组件。

如图3所示的第1实施形态的天线阻尼电路，在虚拟天线电路10的输出侧设置有2个输出旁路P1、P2。第1输出旁路P1是当AGC为非动作状态时，则天线输入讯号将会传送到第1输出端Output1的电路系统。第2输出旁路P2仅在AGC为动作状态时，天线输入讯号才会传送到第2输出端Output2的电路系统。

电阻Ra和PIN二极管D1、D2是针对第2输出旁路P2来设置的。具体而言是在定电流源I1与接地之间串联连接有2个PIN二极管D1、D2。而且，在前段侧的PIN二极管D1的输入端与虚拟天线电路10之间不但连接有电阻Ra，并且将前段侧的PIN二极管D1的输出端(后端侧的PIN二极管D2的输入端)连接到第2输出端Output2。此处，电阻Ra是一高电阻值，此高电阻值是当从PIN二极管D1、D2侧来看虚拟天线电路10时，可完成忽略所述的虚拟天线电路10的电容量。

图4为连接到本实施形态的天线阻尼电路输出的电路构造例子图。如图4所示，在天线阻尼电路的2个输出端Output1、输出端Output2，分别连接有一RF放大器(高频放大电路)11、12。所述的2个RF放大器的动作是通过一开关电路13来控制的。

开关电路13是依照AGC的动作状态而让第1RF放大器11或第2RF放大器12的任一来进行选择性动作。也就是说，AGC为非动作状态时，会通过开关电路13来使第1RF放大器11进行动作，如此选择第1输出旁路P1。此外，当AGC为动作状态时，将通过开关电路13来使第2RF放大器12进行动作，如此选择第2输出旁路P2。

其次，将说明如上述所构成的第1实施形态的天线阻尼电路的动作。其中，当施加到输入端Input的天线输入讯号的收讯强度不大情况时，会使AGC成为非动作状态，而不让天线输入讯号衰减。此情况就会使控制电压Vc归零，且电流不会从定电流源I1来流过PIN二极管D1、D2。另外，通过开关电路13来选择性使第1RF放大器11动作并选择第1输出旁路P1。

在于所述的状态下，PIN二极管D1、D2的阻抗将变为无限大且会通过虚拟天线电路10的天线输入讯号就不会通过有PIN二极管D1、D2的第2输出旁路P2，而是通过第1输出旁路P1来传送到第1输出端Output1。如此不会衰减到天线输入讯号。

此外，输入到输入端Input的天线输入讯号的强度很大情况时，会使AGC成为动作状态来衰减天线输入讯号。此情况，施加有一控制电压Vc，电流会从定电流源I1而对PIN二极管D1、D2来供电。另外，通过开关电路13来选择性使第2RF放大器12进行动作并选择第2输出旁路P2。

在于此状态下，PIN二极管D1、D2的阻抗会变小，通过虚拟天线电路10的天线输入讯号将通过有PIN二极管D1、D2的第2输出旁路P2，而传送到第2输出端Output2。此时会通过所产生的PIN二极管D1、D2的电阻量，来让大幅衰减天线输入讯号，从第2输出端Output2输出。

图5A～图5D为表示第1实施形态的天线阻尼电路的衰减量的频率特性图。其中的第5A图为表示使控制电压Vc归零且电流不会从定电流源I1流过PIN二极管D1、D2的情况(没有施加AGC的情况)的特性。第5B图为表示施加有控制电压Vc且10μA电流将从定电流源I1流过PIN二极管D1、D2的情况(0.6MHz的衰减准位ATT＝13dB的情况)的特性。第5C图为表示施加有控制电压Vc且100μA的电流将从定电流源I1流过PIN二极管D1、D2的情况(0.6MHz的衰减准位ATT＝30dB的情况)的特性。第5D图为表示施加有控制电压Vc且500μA的电流将从定电流源I1流过PIN二极管D1、D2的情况(0.6MHz的衰减准位ATT＝45dB的情况)的特性。

从图5A～图5D可知，不管有没有施予AGC的情况，AM频带范围内的准位差仍为1dB以内，几乎没有频率依存性。换言之，几乎不会产生每个频率的阻尼误差且可均匀化衰减量的频率特性。

图6为表示当改变因为AGC所形成的衰减准位ATT(增益调整量)时，如何改变阻尼误差的特性图。此处所示的阻尼误差为表示在AM频带范围内所产生最大的准位差，也就是说，表示频率最低时的输出准位与最高时的输出准位的差量。另外，此处也表示改变几个电阻Ra值的情况特性。

如图6所示，当不存在电阻Ra的情况(当使用图1所示传统的天线阻尼电路情况)，就不会依据AGC的衰减准位来产生10dB大的阻尼误差。反之，若使用有如图3所设置电阻Ra的第1实施形态的天线阻尼电路情况时，相较于传统可减小阻尼误差。

但是，当电阻Ra值小于1KΩ程度的情况时，就会随着因为AGC所形成的衰减准位ATT增加而也会增加阻尼误差。反之，若增大电阻Ra值，即使因为AGC所形成的衰减准位ATT变大，仍然不太会增加阻尼误差。直到电阻Ra值大于等于10KΩ的情况时，才不会依据AGC的衰减准位ATT，让阻尼误差随时都保持有小于等于1dB以下的极小值。实用上若阻尼误差为小于等于2dB程度以下的话就能使用。因此，为了要减少在实用上所承受阻尼误差的程度，故电阻值Ra最好是大于等于大约5KΩ以上。

图7为表示当改变因为AGC所形成的衰减准位ATT时，会如何改变AGC电流的特性图。此处也是表示有改变几个电阻Ra值的情况特性。如图7所示，当电阻Ra值为1KΩ的情况时，相较于无电阻Ra时传统技术的AGC电流还要还大。反之可知，当电阻Ra值为大于等于5KΩ以上时，则AGC电流比传统技术还要小，且当电阻Ra值越大，则越减小AGC电流。因此，为了要减少AGC电流来降低消耗电流，最好是尽可能增大电阻Ra值。

图8为表示当改变因为AGC所形成衰减准位ATT时，如何改变电流噪声的特性图。此处也有表示改变几个电阻Ra值的情况特性。如图8所示，当电阻Ra值为1KΩ、5KΩ较小的情况时，噪声准位比没有电阻值Ra的传统技术还要还大。若电阻Ra值为大于等于5KΩ以上时，则噪声准位与没有存在电阻Ra的传统技术几乎相同。

另外，当电阻Ra值为10KΩ、15KΩ较大情况时，噪声准位比没有电阻值Ra的传统技术还要还大。因此，为了要降低噪声准位，电阻Ra值最好是设为大约5KΩ以上。但是，若在天线阻尼电路中设置有AGC时，位于后段的RF放大器12大多会降低增益，所以即使些许增加噪声准位，仍不会有很大的影响。因此，即使将电阻Ra值设为1KΩ、5KΩ较大的情况下，实用上仍不太会造成问题。

若综合以上的图6～图8的特性来看的话，则电阻Ra值最好是大约5～15KΩ。当然，要依据看重视哪种阻尼误差特性、AGC电流特性、电流噪声特性的协调，来决定电阻Ra的理想值即可，且依情况也可以设为5～15KΩ以外的值。

如同以上详细说明所述，在第1实施形态的虚拟天线电路10的输出侧，设置有当AGC为非动作状态时，天线输入讯号传送到第1输出端Output1的第1输出旁路P1、与当AGC为动作状态时，天线输入讯号传送到第2输出端Output2的第2输出旁路P2，这当中只针对进行AGC动作的第2输出旁路P2，会在PIN二极管D1、D2与虚拟天线电路10之间来设置电阻Ra。

利用这种构造，当从PIN二极管D1、D2侧来看虚拟天线电路10时，其中电容的影响力将减小到几乎可完全忽略的程度，且能改善因为电容性所造成的衰减量的频率依存性且可以大约可均匀化频率特性。另外，当无施加AGC时在传送天线输入讯号的第1输出旁路P1，由于没有不存在电阻Ra，故能够最小限来控制在AGC非动作时的噪声特性的劣化。再者，通过决定电阻Ra值的适当值(约5～15KΩ)，则即在AGC动作时，也可保持良好的对AGC衰减准位的阻尼误差特性、AGC电流特性、噪声特性。

(第2实施形态)

其次，说明本发明的第2实施形态。图9为表示第2实施形态的天线阻尼电路构造例子图。图9中所示的天线阻尼电路，也是用在譬如AM接收器。又，在所述的图9中，凡具有与图3或图1所示的图号相同的图号则是具有相同的功能，此处则省略重复的说明。

图9中，ASW1、ASW2为模拟开关。第1模拟开关ASW1为依据从第1AGC控制端AGC1所输入的控制讯号来导通或为非导通。第2模拟开关ASW2则为依据从第2AGC控制端AGC2所输入的控制讯号来导通或为非导通。

第2实施形态的天线阻尼电路是在虚拟天线电路10的输出侧，设置2个输出旁路P3、P4。第1输出旁路P3为在AGC为非动作状态时，天线输入讯号传送到输出端Output的电路系统，且是迂回电阻Ra的旁路。第2输出旁路P4为AGC为动作状态时，天线输入讯号传送到输出端Output的电路系统，且通过电阻Ra的旁路。两种输出旁路P3、P4都共同连接到1个输出端Output。

其次，说明以上所构成的第2实施形态的天线阻尼电路的动作。输入到输入端Input的天线输入讯号的收讯强度不太大的情况，使AGC成为非动作状态，不让天线输入讯号衰减。

此情况，第1模拟开关ASW1成为导通，第2模拟开关ASW2成为非导通。通过此方式，选择第1输出旁路P3，通过了虚拟天线电路10的天线输入讯号则通过第1输出旁路P1，传送到后段。

另外，AGC非动作时使控制电压Vc成为零，不会从定电流源I1针对PIN二极管D1、D2流通电流。此状态下，PIN二极管D1、D2的阻抗变为无限大。通过了第1输出旁路P3的天线输入讯号，不通过有PIN二极管D1、D2的旁路直接传送到输出端Output。因而不会进行天线输入讯号的衰减。

此外，输入到输入端Input的天线输入讯号的收讯强度很大的情况，使AGC成为动作状态，来使天线输入讯号衰减。此情况，第1模拟开关ASW1成为非导通，第2模拟开关ASW2成为导通。通过此方式，选择第2输出旁路P4，通过了虚拟天线电路10的天线输入讯号则通过第4输出旁路P4，传送到后段。

另外，AGC动作时施加控制电压Vc，从定电流源I1针对PIN二极管D1、D2供应电流。此状态下，PIN二极管D1、D2的阻抗变小，通过了第4输出旁路的天线输入讯号，通过PIN二极管D1、D2也流到接地电位点。通过此时所产生的PIN二极管D1、D2的电阻分量，天线输入讯号受到很大的衰减，从输出端Output输出。

如此所构成的第2实施形态，可以达到与第5～8图同样的特性。即是AGC动作时使电阻Ra产生功效，则从PIN二极管D1、D2侧来看虚拟天线电路10时的电容的影响力减小到几乎可以忽视的程度，改善量性造成的衰减量的频率依存性，可以减小频率所造成的阻尼误差。另外，AGC非动作时使电阻Ra不产生功效，则可以将电流特性的劣化压制在最小限度。

另外，第2实施形态的天线阻尼电路，若有1个输入端Input即可，所以具有也可以如同图4不设置2个RF放大器11、12的优点。

(第3实施形态)

其次，说明本发明的第3实施形态。图10为表示第3实施形态的天线阻尼电路的构造例子图。图10中所示的天线阻尼电路，也是例如用在AM接收器。然而，所述的图10中，附注了与图3或图1所示的图号相同的图号则是具有相同的功能，此处则省略重复的说明。

图10中，M1为MOS晶体管，依照从AGC控制端所输入的控制讯号，来控制动作范围。即是MOS晶体管M1的控制是AGC为非动作状态时在饱和领域执行动作，AGC为动作状态时则在非饱和领域执行动作。

第3实施形态的天线阻尼电路，输出端Output只设有1个，从虚拟天线电路10往输出端Output的输出旁路只有1个系统。在所述的输出旁路上存在有MOS晶体管M1。

其次，说明以上所构成的第3实施形态的天线阻尼电路的动作。输入到输入端Input的天线输入讯号的收讯强度不太大的情况，使AGC成为非动作状态，不让天线输入讯号衰减。此情况，通过从AGC控制端所输入的控制讯号，来使MOS晶体管M1在饱和领域执行动作。通过此方式，MOS晶体管M1的导通电阻变小。

另外，AGC非动作时使控制电压Vc成为零，不会从定电流源I1针对PIN二极管D1、D2流通电流。此状态下，PIN二极管D1、D2的阻抗变为无限大，通过了MOS晶体管M1的天线输入讯号，不通过PIN二极管D1、D2，直接传送到输出端Output。因而，不会进行天线输入讯号的衰减。

此外，输入到输入端Input的天线输入讯号的收讯强度很大的情况，使AGC成为动作状态，来使天线输入讯号衰减。此情况，通过从AGC控制端所输入的控制讯号，使MOS晶体管M1在饱和领域执行动作。通过此方式，MOS晶体管M1的导通电阻变大。

另外，AGC动作时施加控制电压Vc，从定电流源I1针对PIN二极管D1、D2供应电流。此状态下，PIN二极管D1、D2的阻抗变小，通过了MOS晶体管M1的天线输入讯号，通过PIN二极管D1、D2也流到接地电点，通过此时所产生的PIN二极管D1、D2的电阻分量，天线输入讯号受到很大的衰减，从输出端Output输出。

如此所构成的第3实施形态，也可以达到与图5～图8同样的特性。即是AGC动作时使MOS晶体管M1的导通电阻产生功效，则从PIN二极管D1、D2侧来看虚拟天线电路10时的电容的影响力减小到几乎可以忽视的程度，改善电容性导致的衰减量的频率依存性，可以减小频率所形成的阻尼误差。另外，AGC非动作时使MOS晶体管M1的导通电阻不产生功效，则可以将电流特性的劣化压制在最小限度。

另外，第3实施形态的天线阻尼电路也是与第2实施形态同样，有1个输入端Input即可，所以具有也可以如同图4不设置2个RF放大器11、12的优点。

(第4实施形态)

其次，说明本发明的第4实施形态。图11为表示第4实施形态的天线阻尼电路的构造例子图。图11中所示的天线阻尼电路，也是例如用在AM接收器。然而，所述的图1中，附注了与图9所示的图号相同的图号则是具有相同的功能，此处则省略重复的说明。

观察上述图6～图8的特性，电阻Ra值例如为5KΩ的情况，阻尼误差即使任何的衰减准位都是2dB以下，AGC电流比传统还好还小。至于电流噪声也比传统还好还小，只有些微而已。即是称得上任何的特性都比传统还加良好。特别是不论是否有加入电阻Ra，噪声特性都很良好。因此，若是电阻Ra值为5KΩ附近的值，则不一定要如同图3区分成2个系统(P1、P2)。

因此，第4实施形态是如图11所示，从虚拟天线电路10往输出端Output的输出旁路只有一个系统，且在为在所述的旁路上的虚拟天线电路10与PIN二极管D1、D2之间设置电阻Ra。只不过电阻Ra值要设为5KΩ附近的值。

如此所构成的第4实施形态，也是从PIN二极管D1、D2侧来看虚拟天线电路10时的电容的影响力减小到几乎可以忽视的程度，改善量性导致的衰减量的频率依存性，可以减小频率所造成的阻尼误差。另外，电流噪声特性的劣化也能够压制在对小限度。另外，有1个输出端Output即可，所以也可以如同图4不设置2个RF放大器11、12。

然而，上述第1～第4实施形态是用PIN二极管D1、D2来使天线输入讯号衰减。另外，上述第1～第4实施形态中，列举虚拟天线电路10来作为电容性电路的例子，不过也可以是除此的外的电容性电路。

另外，上述第1实施形态，已针对将虚拟天线电路10的输出侧，区分成第1和第2输出旁路P1、P2的2个系统，把第1输出旁路P1作为AGC非动作时的流排来使用，把第2输出旁路P2作为AGC动作时的流排来使用的例子进行说明过，不过本发明并不局限于此。例如，将输出旁路区分成3个系统以上，将其中1个作为AGC非动作时的旁路来使用，其余的旁路则作为AGC动作时的旁路来使用。然后，也可以使连接到AGC动作时的输出旁路的电阻Ra值各别不同，依照AGC所形成的衰减准位ATT来选用其中一个电阻Ra的输出旁路。

例如，设置没有存电阻Ra的第1输出旁路、电阻Ra值有1KΩ的第2输出旁路、电阻Ra值有10KΩ的第3输出旁路，AGC非动作时使用第1输出旁路，AGC的衰减准位ATT低到6dB以下时使用第2输出旁路，AGC的衰减准位ATT为6dB以上时使用第3输出旁路。

如图6和图7所示，AGC的衰减准位ATT为9dB以下的范围，即使电阻Ra值有1KΩ。阻尼误差，AGC电流都极小，故可以实用。而且，如图8所示，噪声准位比传统还要还小，所以电阻值采用10KΩ或15KΩ则还加理想。但是，AGC的衰减准位ATT比6dB还要还大，则噪声准位仍然比传统还要还小，阻尼误差或AGC电流则增大。因此，AGC的衰减准位ATT比6dB还要还大时，将电阻值例如改变为10KΩ，则可以将噪声准位压制在实用上不会有问题的范围，且抑制在小的阻尼误差或AGC电流。

与此同样，第2实施形态也能够将输出旁路设成3个系统以上。然后，也可以使连接到AGC动作时的输出旁路的电阻Ra值各别不同，依照AGC所造成的衰减准位ATT来选用其中一个电阻Ra的输出旁路。

另外，第3实施形态，也能通过从AGC控制端输入到MOS晶体管M1的控制讯号，使MOS晶体管M1的导通电阻大小改变成3阶段以上。然后，也能依照AGC所形成的衰减准位ATT，将MOS晶体管M1的导通电阻可变控制在任何的电阻值。

其它，上述第1～第4实施形态都只不过是用来实施本发明的具体化的一个例子而已，因此并不是限定来解释本发明的技术。即是本发明只要不脱离所述的精神、或其其主要的特征，能够以种种的形式来实施。

[产业上利用的可能性]

本发明为用在于输入段备有含有电容等的电容性电路的天线阻尼电路。例如，AM接收器在天线输入段备有电容性的虚拟天线电路10，所以本发明的天线阻尼电路适合用在AM接收器。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，对本发明而言仅仅是说明性的，而非限制性的。本专业技术人员理解，在本发明权利要求所限定的精神和范围内可对其进行许多改变，修改，甚至等效，但都将落入本发明的保护范围内。

Claims (9)

1.一种天线阻尼电路，其具备有通过施加电压来改变电阻值的可变电阻组件，其中利用上述可变电阻组件就可衰减天线输入讯号，其特征在于：

在上述可变电阻组件与连接到所述的组件前段的电容性电路之间，设置有一电阻。

2.根据权利要求1所述的天线阻尼电路，其特征在于：对上述电容性电路设置有复数个输出旁路，且对所述的一部分的输出旁路设置有上述电阻与上述可变电阻组件。

3.根据权利要求2所述的天线阻尼电路，其特征在于：在通过上述施加电压来供应定电流的定电流源与接地之间，串联连接2个上述可变电阻组件，且在前段侧的可变电阻组件的输入端与上述电容性电路之间，连接有上述电阻并且在上述一部分的输出旁路的输出端中连接有上述前段侧的可变电阻组件的输出端。

4.根据权利要求2所述的天线阻尼电路，其特征在于：当存在复数个上述一部分的输出旁路的情况时，会让对上述一部分的输出旁路所连接的上述各电阻值为不相同。

5.根据权利要求1、2、3或4的任何1项所述的天线阻尼电路，其特征在于：上述电阻若从上述可变电阻组件侧来观看上述电容性电路时，具有一高电阻值，此电阻值为可完全忽略上述电容性电路的电容量。

6.一种天线阻尼电路，其具备有通过施加电压来改变电阻值的可变电阻组件，其中利用上述可变电阻组件就可衰减天线输入讯号，其特征在于：

在上述可变电阻组件与连接到所述的组件前段的电容性电路之间，设置有一MOS晶体管。

7.根据权利要求6所述的天线阻尼电路，其特征在于：所述的可变电阻组件控制上述MOS晶体管的导通电阻。

8.根据权利要求7所述的天线阻尼电路，其特征在于：具有通过于饱和领域让上述MOS晶体管动作来降低上述导通电阻的模式；以及使在非饱和领域让上述MOS晶体管动作来增大上述导通电阻的模式。

9.一种高频接收器，其特征在于：具备有：

含有通过施加电压来改变电阻值的可变电阻组件，其中利用上述可变电阻组件就可衰减天线输入讯号的天线阻尼电路；

在上述可变电阻组件与连接到所述的组件前段的电容性电路之间，设置有一电阻；

对上述电容性电路设置有复数个输出旁路，且对所述的一部分的输出旁路设置有上述电阻与上述可变电阻组件；与

对上述复数个的各别输出旁路所连接的复数个高频放大电路；以及因应在增益控制的动作状态来让上述复数个高频放大电路的任一个进行选择性动作的开关电路。

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