JPH0115237Y2

JPH0115237Y2 -

Info

Publication number: JPH0115237Y2
Application number: JP20259083U
Authority: JP
Priority date: 1983-12-27
Filing date: 1983-12-27
Publication date: 1989-05-08
Also published as: JPS60111122U

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野本考案は、ラジオ受信機等のバンド切換え回路
に関する。 (ロ) 従来技術発振回路は、一般に第１図に示す如く、増幅部
１と帰還部２とから成り、正弦波を発生する発振
回路の帰還部２は、コイル、コンデンサ及び抵抗
から成る共振回路で構成されている。そして、前
記増幅部１の増幅率をＫとし、前記帰還部２の帰
還率をβとすれば、｜Kβ｜１を満たした時に
発振回路は発振する。その際、出力端子３に得ら
れる出力信号は、前記帰還部２の共振回路の共振
周波数に応じたものとなる。第１図の如き発振回路を多バンド受信機の局部
発振器として使用する場合は、バンド切換えを行
なわなければならない。第２図は、その様なバン
ド切換え回路を備える発振回路の一例を示すもの
で、４は発振回路、５は該発振回路４の発振周波
数を決定する為の発振周波数決定回路である。前
記発振周波数決定回路５は、可変容量素子６、第
１及び第２コイル７及び８、及び切換え回路部９
から成り、前記可変容量素子６は端子２０に印加
されるチユーニング電圧の大きさにより容量が設
定される様に成されている。上述の発振回路でバンド１を選択する場合は、
切換え回路部９の可動接片１０を直流電源１１の
正端子１２に接続し、ダイオード１３に順方向電
圧を印加し、該ダイオード１３を導通状態にす
る。すると、第１及び第２コイル７及び８の接続
点が、コンデンサ１４及び１５を介して高周波的
に接地されるので、発振周波数は、可変容量素子
６及び第１コイル７により決定され、バンド１の
受信が可能となる。また、バンド２を選択する場
合は、前記可動接片１０を直流電源１１の負端子
１６に接続して、ダイオード１３に逆方向電圧を
印加し、該ダイオード１３を遮断状態にする。チ
ヨークコイル１７のインダクタンスを十分大きい
値にしておけば、発振周波数は、可変容量素子
６、第１及び第２コイル７及び８により決定さ
れ、バンド２の受信が可能となる。したがつて可
変範囲の狭い可変容量素子６１つで、高低２つの
バンドを受信することが出来る。しかしながら、第２図の回路は、第１及び第２
バンドのいずれに切換えられた場合でも、２点ト
ラツキング調整しか行い得ないので、トラツキン
グ・エラーが大となり易く、精度を要求される受
信機に使用するのに好ましいものではなかつた。しかして、精度を要求される受信機、例えば
AMラジオ受信機には、従来から第３図に示す如
きバンド切換え回路が用いられていた。第３図に
おいて、１８は発振回路、１９は前記発振回路１
８の発振周波数を決定する為の発振周波数決定回
路である。前記発振周波数決定回路１９は、第１
及び第２共振回路２１及び２２と、第１及び第２
スイツチング回路２３及び２４を有し、前記第１
共振回路２１は第１同調用コイル２５、第１パデ
イング・コンデンサ２６、第１コンデンサ２７、
第１トリマ・コンデンサ２８及び第１可変容量素
子２９から成り、前記第２共振回路２２は第２同
調用コイル３０、第２パデイング・コンデンサ３
１、第２コンデンサ３２、第２トリマ・コンデン
サ３３及び第２可変容量素子３４から成る。そし
て、前記第１及び第２可変容量素子２９及び３４
は、端子３５に印加されるチユーニング電圧の大
きさにより容量が設定される。上述の回路でバンド１を選択する場合、バンド
端子３６に正の直流電圧を印加する。すると、電
流がダイオード３７及至３９を通つてアースに流
れるので、点ａは高周波的に接地されることにな
り、発振回路１８の端子４０ａ及び４０ｂに接続
された一次側の第１及び第２コイル４１及び４２
のうち、第２コイル４２の両端が高周波的に接地
される。その結果、発振周波数を決定する回路
は、第１コイル４１に相互誘導結合されている第
１共振回路２１となる為、バンド１の発振周波数
₀₁はとなる。ただし、L₁は第１同調用コイル２５の
インダクタンス、C_P1，C₁，C_T1及びC_V1はそれぞ
れ第１パデインク・コンデンサ２６、第１コンデ
ンサ２７、第１トリマ・コンデンサ２８、及び第
１可変容量素子２９の容量である。また、バンド２を選択する場合、バンド端子４
３に正の直流電圧を印加する。すると、電流がダ
イオード４４乃至４７を通つてアースに流れるの
で、点ｂは接地されることになり、第１同調用コ
イル２５の両端が高周波的に接地される。その結
果、第１共振回路２１は、発振回路１８から切り
離され、発振周波数を決定する回路は、第２共振
回路となる為、バンド２の発振周波数₀₂はとなる。ただし、L₂は第２同調用コイル３０の
インダクタンス、C_P2，C₂，C_T2及びC_V2はそれぞ
れ第２パデイング・コンデンサ３１、第２コンデ
ンサ３２、第２トリマ・コンデンサ３３、及び第
２可変容量素子３４の容量である。上述のバンド切換え回路では、バンド１とバン
ド２とで独立の共振回路を用いている為、第１及
び第２同調用コイル２５及び３０と直列にそれぞ
れ第１及び第２パデイング・コンデンサ２６及び
３１を接続することが可能となり、バンド１及び
２の両バンドで３点トラツキングを行えるのでト
ラツキング・エラーの小さいバンド切換え回路を
設計することが出来る。しかしながら、上述の回
路は、バンド１とバンド２２とで独立の共振回路
を用いている為に可変容量素子を２つ必要とする
ので、回路構成が複雑に成り、コスト高を招くと
いう欠点を有していた。 (ハ) 考案の目的本考案は上述の点に鑑み成されたもので、単一
の可変容量素子で、かつトラツキング・エラーの
小さいバンド切換え回路を提供せんとするもので
ある。 (ニ) 考案の構成本考案に係るバンド切換え回路は、単一の同調
用可変容量素子と、第１、第２同調用コイル及び
第１、第２パデイング・コンデンサから成り、前
記可変容量素子に並列接続される直列回路と、前
記可変容量素子の一端に接続される第１及び第２
トリマ・コンデンサと、前記第１及び第２同調用
コイルの接続点に接続される第１スイツチング回
路と、前記第２トリマ・コンデンサの他端に接続
される第２スイツチング回路とを備える。 (ホ) 実施例第４図は本考案の一実施例を示すもので、４８
は同調用の可変容量素子、４９及び５０は前記可
変容量素子４８に並列接続される第１及び第２の
同調用コイル、５１及び５２はそれぞれ前記第１
及び第２同調用コイル４９及び５０に直列接続さ
れる第１及び第２パデイング・コンデンサ、５３
及び５４は前記可変容量素子４８の一端に接続さ
れる第１及び第２トリマ・コンデンサ、５５及び
５６はそれぞれ前記第１及び第２トリマ・コンデ
ンサ５３及び５４に並列接続された第１及び第２
コンデンサ、５２は前記第１及び第２同調用コイ
ル４９及び５０の接続点に接続され、ダイオード
５８乃至６１から成る第１スイツチング回路、６
２は前記第２トリマ・コンデンサ５４及び第２コ
ンデンサ５６の接続点に接続され、ダイオード６
３乃至６６から成る第２スイツチング回路、６７
は結合コンデンサ６８を介して、前記可変容量素
子４８にベースが接続される発振用トランジス
タ、６９及び７０は前記トランジスタ６７のベー
ス・バイアスを設定する抵抗、及び７１は前記ト
ラジスタ６７の入力容量の影響を減少させるコン
デンサである。そして、前記第１及び第２同調用
コイル４９及び５０、前記第１及び第２パデイン
グ・コンデンサ５１及び５２は直列回路７２を構
成し、該直列回路７２、前記可変容量素子４８、
前記第１及び第２トリマ・コンデンサ５３及び５
４、前記第１及び第２コンデンサ５５及び５６、
前記第１及び第２スイツチング回路５２及び６２
は発振周波数決定回路７３を構成し、前記トラン
ジスタ６７、前記抵抗６９及び７０、及び前記コ
ンデンサ７１は発振回路７４を構成する。上述の発振回路はクラツプ型のものであり、発
振周波数決定回路７３の第１及び第２スイツチン
グ回路５２及び６２をオン・オフさせることによ
り、バンド１及び２を選択出来る様に成されてい
る。すなわち、バンド１を選択する場合、第１端
子７５に正の直流電圧を印加して、電流をダイオ
ード５８乃至６１を通してアースに流れる様に
し、点Ｃを高周波的に接地する。そうすると、第
２同調用コイル５０及び第２パデイング・コンデ
ンサ５２の両端が接地されるので、該第２同調用
コイル５０及び該第２パデイング・コンデンサ５
２は働らかなくなる。また、この時、第２端子７
６には正の直流電圧が印加されていず、第２スイ
ツチング回路６２はオフしているので、第２トリ
マ・コンデンサ５４及び第２コンデンサ５６が開
放されている。この結果、発振周波数は、可変容
量素子４８、第１同調用コイル４９、第１パデイ
ング・コンデンサ５１、第１トリマ・コンデンサ
５３、及び第１コンデンサ５５で決定され、バン
ド１の発振周波数₀₁はとなる。ただし、L₃は第１同調用コイル４９の
インダクタンス、C_P3，C_T3，C₃及びC_Vはそれぞ
れ第１パデイング・コンデンサ５１、第１トリ
マ・コンデンサ５３、第１コンデンサ５５及び可
変容量素子４８の容量である。また、バンド２を選択する場合、第２端子７６
に正の直流電圧を印加して、電流をダイオード６
３乃至６６を通してアースに流れる様にし、点ｄ
を高周波的に接地する。そうすると、第２トリ
マ・コンデンサ５４及び第２コンデンサ５６の他
端ｄが接地されるので、該第２トリマ・コンデン
サ５４及び該第２コンデンサ５６が可変容量素子
４８、第１トリマ・コンデンサ５３及び第１コン
デンサ５５に並列接続されることになる。また、
この時、第１端子７５には正の直流電圧が印加さ
れていず、第１スイツチング回路５２はオフして
いるので、第２同調用コイル５０及び第２パデイ
ング・コンデンサ５２が第１同調用コイル４９及
び第１パデイング・コンデンサ５１に直列接続さ
れることになる。この結果、発振周波数は、可変
容量素子４８、第１及び第２同調用コイル４９及
び５０、第１及び第２パデイング・コンデンサ５
１及び５２、第１及び第２トリマ・コンデンサ５
３及び５４、第１及び第２コンデンサ５５及び５
６で決定され、バンド２の発振周波数₀₂はとなる。ただし、C_P＝C_P3・C_P4／C_P3＋C_P4、L₄は第２同
調用コイル５０のインダクタンス、C_P4，C_T4及びC₄
はそれぞれ第２パデイング・コンデンサ５２、第
２トリマ・コンデンサ５４及び第２コンデンサ５
６の容量である。上述の回路は、バンド１を高い周波数帯とし、
バンド２を低い周波数帯としてあり、バンド１及
びバンド２の両方で３点トラツキングを行う様に
成されている。３点トラツキングは、同調範囲の
３点で受信周波数と発振周波数との差を中間周波
数に正しく一致させることが出来る方法で、同調
用コイルのインダクタンスと直列に容量を入れる
ことにより達成される。その場合、前記容量の値
は、可変容量素子及び周波数の同調範囲によつて
選択される。すなわち、第４図の場合、バンド１を選択した
時は、第１同調用コイル４９に第１パデイング・
コンデンサ５１が直列接続されていることによ
り、バンド２を選択した時は、第１及び第２同調
用コイル４９及び５０に第１及び第２パデイン
グ・コンデンサ５１及び５２が直列接続されてい
ることにより、３点トラツキングが達成されてい
る。この場合、前記第１パデイング・コンデンサ
５１としては、バンド１において最小のトラツキ
ング・エラーとなる様に算出された容量のものが
使用され、前記第２パデイング・コンデンサ５２
としては、前記第１パデイング・コンデンサ５１
との合成容量がバンド２において最小のトラツキ
ング・エラーとなる様に算出された容量のものが
使用されている。そして、上述の様に成された回路は、バンド
１、バンド２の順番にトラツキング調整が行なわ
れる。前記トラツキング調整は、バンド１の時、
同調範囲の低い周波数を第１同調用コイル４９の
インダクタンスで、高い周波数を第１トリマ・コ
ンデンサ５３の容量で設定することにより行なわ
れ、バンド２の時、前記第１同調用コイル４９の
インダクタンス及び前記第１トリマ・コンデンサ
５３の容量をバンド１の時に調整したままの値に
固定しておき、第２同調用コイル５０のインダク
タンス及び第２トリマ・コンデンサ５４の容量
で、バンド１の時と同様により高低両周波数の設
定が行なわれる。第５図は、第４図で使用した発振回路とは異な
るコルピツツ型の発振回路を示すもので、７７は
発振回路の増幅器と成るトランジスタ、７８は前
記トランジスタ７７のコレクタ・エミツタ間に設
けられた同相帰還回路、及び７９は発振周波数を
決定する共振回路である。これは、共振回路７９の共振周波数成分だけを
トランジスタ７７及び同相帰還回路７８で構成さ
れたループ内に繰り返し通すことにより、前記周
波数成分の正弦波を発振出力として得る様にした
ものである。この様な発振回路をバンド切換え回路として使
用する場合は、第６図に示す如く構成すれば良
い。第６図において、発振回路８４は第５図に示
すコルピツツ型発振回路であり、発振周波数決定
回路９０は、第５図の共振回路７９に対応し、第
４図の発振周波数決定回路７３と基本的に同一の
ものである。第６図の発振周波数決定回路９０の
場合、スイツチング回路がダイオードからトラン
ジスタに置換され、可変容量素子がバリコンから
可変容量素子ダイオードに置換されたものであ
る。一般にトランジスタは高周波的なオン抵抗が
ダイオードに比べてかなり小さいので、第６図の
様にスイツチング回路にトランジスタを使用する
ことにより、前記オン抵抗の影響で発振周波数決
定回路９０のＱが低下し、発振回路の発振周波数
の安定性が損なわれる様なことが無くなる。この
場合、トランジスタのコレクタ容量が発振周波数
に影響を及ぼす可能性があるが、端子８０からト
ランジスタ８１乃至８３のコレクタに直流電圧を
印加すれば、前記コレクタ容量を減少させること
が出来る。また、トランジスタ８３はバンド１の
受信時に、バンド２の時に使用するコイル８５が
誤動作しない様に設けられており、トランジスタ
８１と共に端子８６に印加される電圧でオンする
様に成されている。尚、可変容量素子として可変
容量ダイオード８７を使用しているので、該可変
容量ダイオード８７の容量を変化させるチユーニ
ング用の直流電圧を印加する為の端子８８が設け
られている。また、第５図において、第４図と同
一の回路素子には同一の図番が付してある。更に、３バンド以上のバンド切換え回路を構成
する場合は、２バンドの直列回路７２に同調用コ
イル及びパデイング・コンデンサを更に直列接続
すると共にトリマ・コンデンサ及びコンデンサを
可変容量素子に並列接続し、前記同調用コイル及
びパデイング・コンデンサと前記トリマ・コンデ
ンサ及びコンデンサとを選択的に接地するスイツ
チング回路を設ければ良い。 (ヘ) 考案の効果以上述べた如く、本考案に依れば、単一の可変
容量素子で多バンドを受信出来る受信機のバンド
切換え回路が提供出来るという利点を有する。ま
た、それぞれのバンドに３点トラツキングを行う
為のパデイング・コンデンサを設けることが可能
であるので、トラツキング・エラーが小さく出来
るという利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は発振回路の原理を示す回路ブロツク
図、第２図及び第３図は従来例を示す回路図、第
４図は本考案の一実施例を示す回路図、第５図は
コルピツツ型発振回路を示す回路図、及び第６図
は本考案の別の実施例を示す回路図である。主な図番の説明、４８……可変容量素子、４
９，５０……同調用コイル、５１，５２……パデ
イング・コンデンサ、５３，５４……トリマ・コ
ンデンサ、５２，６２……スイツチング回路。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

多バンド受信機の受信バンドを切換える為のバ
ンド切換え回路であつて、単一の同調用可変容量
素子と、第１、第２同調用コイル及び第１、第２
パデイング・コンデンサから成り、前記可変容量
素子に並列接続される直列回路と、前記可変容量
素子の一端に接続される第１及び第２トリマ・コ
ンデンサと、前記第１及び第２同調用コイルの接
続点に接続される第１スイツチング回路と、前記
第２トリマ・コンデンサの他端に接続される第２
スイツチング回路とを備え、前記第１スイツチン
グ回路を導通状態にした時にバンド１を、前記第
２スイツチング回路を導通状態にした時にバンド
２を選択する様にしたことを特徴とする多バンド
受信機のバンド切換え回路。