JPH08293758A - モノリシックｈｂｔ式能動同調可能帯域フィルタ - Google Patents
モノリシックｈｂｔ式能動同調可能帯域フィルタInfo
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- JPH08293758A JPH08293758A JP8081302A JP8130296A JPH08293758A JP H08293758 A JPH08293758 A JP H08293758A JP 8081302 A JP8081302 A JP 8081302A JP 8130296 A JP8130296 A JP 8130296A JP H08293758 A JPH08293758 A JP H08293758A
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- negative resistance
- tuning
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/04—Frequency selective two-port networks
- H03H11/10—Frequency selective two-port networks using negative impedance converters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H11/00—Networks using active elements
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- H03H11/04—Frequency selective two-port networks
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/46—One-port networks
- H03H11/52—One-port networks simulating negative resistances
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 抵抗損を補償するように受動帯域フィルタ構
造に対する負抵抗の同調可能量を生成する負抵抗回路を
有する能動同調可能帯域フィルタを提供する。 【解決手段】 負抵抗回路は、受動フィルタ構造にシャ
ントで接続されたベースとシャント誘導素子に接続され
たコレクタとを有するバイポーラトランジスタを有す
る。負抵抗は、トランジスタのベースで生成されかつ受
動フィルタ構造へ印加される。粗Ｑファクタ同調回路
は、トランジスタのエミッタに結合され、負抵抗の同調
の粗い量を供給する。また、エミッタ端子には、負抵抗
の微同調を供給する微同調回路が接続される。微同調
は、制御回路により手動的または自動的に達成されう
る。粗及び微同調機能は、改良されたＱファクタを実現
するために発振を除去しかつ抵抗損変化を補償する同調
可能負抵抗を供給する。
造に対する負抵抗の同調可能量を生成する負抵抗回路を
有する能動同調可能帯域フィルタを提供する。 【解決手段】 負抵抗回路は、受動フィルタ構造にシャ
ントで接続されたベースとシャント誘導素子に接続され
たコレクタとを有するバイポーラトランジスタを有す
る。負抵抗は、トランジスタのベースで生成されかつ受
動フィルタ構造へ印加される。粗Ｑファクタ同調回路
は、トランジスタのエミッタに結合され、負抵抗の同調
の粗い量を供給する。また、エミッタ端子には、負抵抗
の微同調を供給する微同調回路が接続される。微同調
は、制御回路により手動的または自動的に達成されう
る。粗及び微同調機能は、改良されたＱファクタを実現
するために発振を除去しかつ抵抗損変化を補償する同調
可能負抵抗を供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に帯域フィルタに
関し、特に、抵抗損を補償するための同調可能負性抵抗
回路を有するモノリシック的に一体化された能動帯域フ
ィルタに関する。
関し、特に、抵抗損を補償するための同調可能負性抵抗
回路を有するモノリシック的に一体化された能動帯域フ
ィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】低い挿入損及び良い形状因子（Ｑファク
タ）を実現させる狭帯域フィルタは、多くの商用アプリ
ケーションに必要である。迅速な技術進歩が通信産業に
おいて進んでいる情況で、無線携帯式小型通信システム
に使用する小型、低電力、高周波回路構成素子を供給す
ることが重要である。そのようなアプリケーションは、
全世界測位システム（ＧＰＳ）、直接放送システム（Ｄ
ＢＳ）、セルラー電話システム、ローカルエリアネット
ワーク（ＬＡＮ）、無線インタネットアプリケーション
及び種々の他のアプリケーションに使用する送信機及び
受信機を含む。回路構成素子の物理的大きさ及び電力消
費を低減するために、可能な場合に、フィルタ構成素子
を単一半導体チップ上に集積化することがしばしば望ま
しい。しかしながら、集積回路の低減された大きさは、
低減されたＱファクタを結果としてしばしば生じて、信
号対雑音比を劣化させかつフィルタの低品質な周波数選
択度を結果として生ずる。帯域フィルタ構造を一般的に
形成する受動回路構成素子は、ガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）基板または燐化インジウム（ＩｎＰ）基板のような
半絶縁体基板上に一般に組み立て製造される。帯域フィ
ルタ回路構成素子は、一般に半絶縁体基板上にプリン
ト、エッチング、またはさもなくば組み立て製造され
る、スパイラルインダクタ（渦巻誘導子）、コンデンサ
（キャパシタ）及び抵抗（レジスタ）を一般に含む。半
絶縁体材料は、完全な絶縁体ではないので、その上に形
成されるスパイラルインダクタ、コンデンサ及び他の受
動回路構成素子のＱファクタは、制限される。更に、抵
抗損は、一般に存在しかつそのような損失は、フィルタ
の性能に悪影響を及ぼす。加えて、多くのＧａＡｓ及び
ＩｎＰ半導体装置に用いられる金属相互接続は、抵抗損
全体に更に加わる、有限の抵抗を有する。補償されない
抵抗損は、フィルタのＱファクタ全体を劣化しかつ存在
し続ける(remain present)挿入損全体に加わる傾向があ
る。
タ）を実現させる狭帯域フィルタは、多くの商用アプリ
ケーションに必要である。迅速な技術進歩が通信産業に
おいて進んでいる情況で、無線携帯式小型通信システム
に使用する小型、低電力、高周波回路構成素子を供給す
ることが重要である。そのようなアプリケーションは、
全世界測位システム（ＧＰＳ）、直接放送システム（Ｄ
ＢＳ）、セルラー電話システム、ローカルエリアネット
ワーク（ＬＡＮ）、無線インタネットアプリケーション
及び種々の他のアプリケーションに使用する送信機及び
受信機を含む。回路構成素子の物理的大きさ及び電力消
費を低減するために、可能な場合に、フィルタ構成素子
を単一半導体チップ上に集積化することがしばしば望ま
しい。しかしながら、集積回路の低減された大きさは、
低減されたＱファクタを結果としてしばしば生じて、信
号対雑音比を劣化させかつフィルタの低品質な周波数選
択度を結果として生ずる。帯域フィルタ構造を一般的に
形成する受動回路構成素子は、ガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）基板または燐化インジウム（ＩｎＰ）基板のような
半絶縁体基板上に一般に組み立て製造される。帯域フィ
ルタ回路構成素子は、一般に半絶縁体基板上にプリン
ト、エッチング、またはさもなくば組み立て製造され
る、スパイラルインダクタ（渦巻誘導子）、コンデンサ
（キャパシタ）及び抵抗（レジスタ）を一般に含む。半
絶縁体材料は、完全な絶縁体ではないので、その上に形
成されるスパイラルインダクタ、コンデンサ及び他の受
動回路構成素子のＱファクタは、制限される。更に、抵
抗損は、一般に存在しかつそのような損失は、フィルタ
の性能に悪影響を及ぼす。加えて、多くのＧａＡｓ及び
ＩｎＰ半導体装置に用いられる金属相互接続は、抵抗損
全体に更に加わる、有限の抵抗を有する。補償されない
抵抗損は、フィルタのＱファクタ全体を劣化しかつ存在
し続ける(remain present)挿入損全体に加わる傾向があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの抵抗損を補償
するために、多数のアプローチは、受動フィルタ構造に
印加される負抵抗帰還信号を生成すべく能動素子の使用
を考えていた。過去において、通常のアプローチは、抵
抗損を補償すべく受動フィルタ構造に印加される負抵抗
を生成するための固定型負抵抗回路を採用していた。例
えば、ある通常のアプローチでは、抵抗損全体において
引き続き起こる変化の可能性にもかかわらず、固定量の
負抵抗が供給される。抵抗損における変化は、特に温度
変化及びフィルタのエージングにより発生しうる。従っ
て、抵抗損を補償するために受動帯域フィルタ構造に負
抵抗信号を供給する改良された能動帯域フィルタを提供
することが望ましい。抵抗損を打ち消しかつ良いＱファ
クタ及び近ゼロ挿入損を達成するために正確に調整する
ことができるような帯域フィルタを提供することが更に
望ましい。向上したＱファクタ同調可能性を許容しかつ
引き続いて同調する機能を供給する負抵抗回路を有する
能動帯域フィルタを供給することも望ましい。また、最
小の大きさ要求を許容すべく回路構成素子を単一チップ
上にモノリシックに集積しかつ低い電力消費を実現する
能動同調可能帯域フィルタを供給することも望ましい。
するために、多数のアプローチは、受動フィルタ構造に
印加される負抵抗帰還信号を生成すべく能動素子の使用
を考えていた。過去において、通常のアプローチは、抵
抗損を補償すべく受動フィルタ構造に印加される負抵抗
を生成するための固定型負抵抗回路を採用していた。例
えば、ある通常のアプローチでは、抵抗損全体において
引き続き起こる変化の可能性にもかかわらず、固定量の
負抵抗が供給される。抵抗損における変化は、特に温度
変化及びフィルタのエージングにより発生しうる。従っ
て、抵抗損を補償するために受動帯域フィルタ構造に負
抵抗信号を供給する改良された能動帯域フィルタを提供
することが望ましい。抵抗損を打ち消しかつ良いＱファ
クタ及び近ゼロ挿入損を達成するために正確に調整する
ことができるような帯域フィルタを提供することが更に
望ましい。向上したＱファクタ同調可能性を許容しかつ
引き続いて同調する機能を供給する負抵抗回路を有する
能動帯域フィルタを供給することも望ましい。また、最
小の大きさ要求を許容すべく回路構成素子を単一チップ
上にモノリシックに集積しかつ低い電力消費を実現する
能動同調可能帯域フィルタを供給することも望ましい。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、同
調可能負抵抗を有する能動帯域フィルタであって、入力
及び出力を有している受動フィルタ回路と、帯域フィル
タに結合され、受動フィルタ回路により示される望まし
くない抵抗損を補償するように負抵抗を生成する負抵抗
回路とを備え、負抵抗回路は、ベース、コレクタ及びエ
ミッタを有し、該ベースが受動フィルタ回路に負抵抗を
供給するために該受動フィルタ回路に接続されている、
トランジスタと、トランジスタのコレクタに結合された
誘導分流器と、トランジスタのエミッタに結合され、該
トランジスタのベースで生成された負抵抗の大きさを調
整する同調手段とを備えている能動帯域フィルタによっ
て達成される。本発明では、同調手段は、粗同調回路と
微同調回路とを備えて構成してもよい。本発明では、粗
同調回路は、トランジスタのエミッタ少なくとも一つの
ＰＩＮダイオードと選択可能粗同調電圧入力とを備えて
構成してもよい。本発明では、微同調回路は、選択可能
微同調電圧入力を含んで構成してもよい。
調可能負抵抗を有する能動帯域フィルタであって、入力
及び出力を有している受動フィルタ回路と、帯域フィル
タに結合され、受動フィルタ回路により示される望まし
くない抵抗損を補償するように負抵抗を生成する負抵抗
回路とを備え、負抵抗回路は、ベース、コレクタ及びエ
ミッタを有し、該ベースが受動フィルタ回路に負抵抗を
供給するために該受動フィルタ回路に接続されている、
トランジスタと、トランジスタのコレクタに結合された
誘導分流器と、トランジスタのエミッタに結合され、該
トランジスタのベースで生成された負抵抗の大きさを調
整する同調手段とを備えている能動帯域フィルタによっ
て達成される。本発明では、同調手段は、粗同調回路と
微同調回路とを備えて構成してもよい。本発明では、粗
同調回路は、トランジスタのエミッタ少なくとも一つの
ＰＩＮダイオードと選択可能粗同調電圧入力とを備えて
構成してもよい。本発明では、微同調回路は、選択可能
微同調電圧入力を含んで構成してもよい。
【０００５】本発明では、選択された微同調電圧入力
は、所望の負抵抗を保持するように制御回路に応じて自
動的に調整されるように構成してもよい。本発明では、
受動フィルタ回路に結合されたバラクタ周波数同調回路
を更に備えて構成してもよい。本発明では、受動フィル
タ回路は、半絶縁体基板上に組み立て製造されかつ当該
回路の構成素子は、負抵抗による実質的に補償される抵
抗損を示すように構成してもよい。また、本発明の上記
目的は、受動回路構成素子で存在しうる抵抗損を補償す
る能動帯域フィルタであって、入力及び出力を有してい
る受動フィルタ回路と、帯域フィルタに結合され、望ま
しくない抵抗損を補償するように負抵抗を生成する負抵
抗回路とを備えて、負抵抗回路は、フィルタ回路へ負抵
抗を供給するために受動フィルタ回路に接続された第１
の端子を有している３端子装置と、ダイオード及び受動
フィルタ回路に印加された負抵抗を粗く同調するために
選択可能な電圧入力を有している粗同調回路と、受動フ
ィルタ回路に印加された負抵抗を微細に同調するために
選択可能な電圧入力を有している微同調回路とを備えて
いる能動帯域フィルタによって達成される。
は、所望の負抵抗を保持するように制御回路に応じて自
動的に調整されるように構成してもよい。本発明では、
受動フィルタ回路に結合されたバラクタ周波数同調回路
を更に備えて構成してもよい。本発明では、受動フィル
タ回路は、半絶縁体基板上に組み立て製造されかつ当該
回路の構成素子は、負抵抗による実質的に補償される抵
抗損を示すように構成してもよい。また、本発明の上記
目的は、受動回路構成素子で存在しうる抵抗損を補償す
る能動帯域フィルタであって、入力及び出力を有してい
る受動フィルタ回路と、帯域フィルタに結合され、望ま
しくない抵抗損を補償するように負抵抗を生成する負抵
抗回路とを備えて、負抵抗回路は、フィルタ回路へ負抵
抗を供給するために受動フィルタ回路に接続された第１
の端子を有している３端子装置と、ダイオード及び受動
フィルタ回路に印加された負抵抗を粗く同調するために
選択可能な電圧入力を有している粗同調回路と、受動フ
ィルタ回路に印加された負抵抗を微細に同調するために
選択可能な電圧入力を有している微同調回路とを備えて
いる能動帯域フィルタによって達成される。
【０００６】本発明では、３端子装置は、ベース、コレ
クタ及びエミッタを有しているバイポーラトランジスタ
を備え、ベースが受動フィルタ回路に接続されかつエミ
ッタが粗及び微同調回路に接続されて構成されてもよ
い。本発明では、トランジスタのエミッタは、容量分流
器に結合されて構成されてもよい。本発明では、トラン
ジスタのコレクタは、誘導分流器に結合されて構成され
てもよい。本発明では、受動フィルタ回路に結合され、
周波数同調を供給するバラクタ周波数回路を更に備えて
構成されてもよい。更に、本発明の上記目的は、負抵抗
を生成する同調可能負抵抗回路であって、ベース、コレ
クタ及びエミッタを有しているバイポーラトランジスタ
と、バイポーラトランジスタのコレクタに結合された誘
導分流器と、バイポーラトランジスタのベースに結合さ
れ、負抵抗の同調可能な量を出力する出力と、バイポー
ラトランジスタのエミッタに結合され、ダイオード及び
負抵抗の粗い同調を供給する選択可能電圧入力を有して
いる粗同調回路と、バイポーラトランジスタのエミッタ
に結合され、ダイオード及び負抵抗の微細な同調を供給
する選択可能電圧入力を有している微同調回路とを備え
ている同調可能負抵抗回路によっても達成される。
クタ及びエミッタを有しているバイポーラトランジスタ
を備え、ベースが受動フィルタ回路に接続されかつエミ
ッタが粗及び微同調回路に接続されて構成されてもよ
い。本発明では、トランジスタのエミッタは、容量分流
器に結合されて構成されてもよい。本発明では、トラン
ジスタのコレクタは、誘導分流器に結合されて構成され
てもよい。本発明では、受動フィルタ回路に結合され、
周波数同調を供給するバラクタ周波数回路を更に備えて
構成されてもよい。更に、本発明の上記目的は、負抵抗
を生成する同調可能負抵抗回路であって、ベース、コレ
クタ及びエミッタを有しているバイポーラトランジスタ
と、バイポーラトランジスタのコレクタに結合された誘
導分流器と、バイポーラトランジスタのベースに結合さ
れ、負抵抗の同調可能な量を出力する出力と、バイポー
ラトランジスタのエミッタに結合され、ダイオード及び
負抵抗の粗い同調を供給する選択可能電圧入力を有して
いる粗同調回路と、バイポーラトランジスタのエミッタ
に結合され、ダイオード及び負抵抗の微細な同調を供給
する選択可能電圧入力を有している微同調回路とを備え
ている同調可能負抵抗回路によっても達成される。
【０００７】本発明では、微同調回路の選択可能電圧入
力は、負抵抗の自動微同調を供給するために自動的に制
御された電圧を受け取るように構成してもよい。本発明
の上述した目的は、抵抗損を補償するために帯域フィル
タに対する同調可能負抵抗を生成する方法であって、入
力及び出力を有している受動フィルタ回路を供給し、ベ
ース、コレクタ及びエミッタを有するトランジスタを有
している負抵抗回路を供給し、トランジスタのベースで
負抵抗を生成し、負抵抗の粗調整を供給するようにトラ
ンジスタのエミッタに結合されるダイオードを通る電流
を調整し、負抵抗の微同調を供給するためにトランジス
タのコレクタへの電流を調整する段階を具備する方法に
よっても達成される。本発明では、帯域フィルタの中心
周波数を同調する段階を更に具備するように構成しても
よい。本発明では、コレクタへの電流を調整する段階
は、自動的に制御された電圧に応じるように構成しても
よい。
力は、負抵抗の自動微同調を供給するために自動的に制
御された電圧を受け取るように構成してもよい。本発明
の上述した目的は、抵抗損を補償するために帯域フィル
タに対する同調可能負抵抗を生成する方法であって、入
力及び出力を有している受動フィルタ回路を供給し、ベ
ース、コレクタ及びエミッタを有するトランジスタを有
している負抵抗回路を供給し、トランジスタのベースで
負抵抗を生成し、負抵抗の粗調整を供給するようにトラ
ンジスタのエミッタに結合されるダイオードを通る電流
を調整し、負抵抗の微同調を供給するためにトランジス
タのコレクタへの電流を調整する段階を具備する方法に
よっても達成される。本発明では、帯域フィルタの中心
周波数を同調する段階を更に具備するように構成しても
よい。本発明では、コレクタへの電流を調整する段階
は、自動的に制御された電圧に応じるように構成しても
よい。
【０００８】
【作用】本発明の教示によれば、能動帯域フィルタは、
半絶縁体基板上に形成されるのが好ましい。能動帯域フ
ィルタは、フィルタ構造に関連した抵抗損を補償すべく
同調負抵抗を生成するために受動帯域フィルタ構造にシ
ャントで接続された同調可能負抵抗回路を含む。負抵抗
回路は、受動帯域フィルタ構造にシャントで接続された
ベース端子を有するバイポーラ・トランジスタであるの
が好ましい、３端子装置を有する。トランジスタのコレ
クタ端子に結合されるのは、シャント誘導性素子であ
る。負抵抗回路は、トランジスタのエミッタ端子に結合
された粗同調回路及び微同調回路も含む。粗同調回路
は、粗Ｑファクタ同調を供給し、微同調回路は、負抵抗
のＱファクタ同調を許容する。本発明の他の目的及び利
点は、以下の実施例を読みかつ添付した図面を参照する
ことにより当業者にとって明らかになるであろう。
半絶縁体基板上に形成されるのが好ましい。能動帯域フ
ィルタは、フィルタ構造に関連した抵抗損を補償すべく
同調負抵抗を生成するために受動帯域フィルタ構造にシ
ャントで接続された同調可能負抵抗回路を含む。負抵抗
回路は、受動帯域フィルタ構造にシャントで接続された
ベース端子を有するバイポーラ・トランジスタであるの
が好ましい、３端子装置を有する。トランジスタのコレ
クタ端子に結合されるのは、シャント誘導性素子であ
る。負抵抗回路は、トランジスタのエミッタ端子に結合
された粗同調回路及び微同調回路も含む。粗同調回路
は、粗Ｑファクタ同調を供給し、微同調回路は、負抵抗
のＱファクタ同調を許容する。本発明の他の目的及び利
点は、以下の実施例を読みかつ添付した図面を参照する
ことにより当業者にとって明らかになるであろう。
【０００９】
【実施例】ここで図１を参照すると、能動同調可能帯域
フィルタ１０が、本発明の一実施例による２区間フィル
タ(two-section filter)構成で示されている。特に、能
動帯域フィルタ１０は、入力１４と出力１６との間で直
列に接続された一対の一極受動帯域フィルタ構造１２を
有して示されている。各受動帯域フィルタ構造１２は、
入力２２を介して周波数同調電圧Ｖf を受け取るバラク
タ周波数同調回路１８に接続される。更に、各受動帯域
フィルタ構造１２は、対応している負抵抗回路２０にも
接続される。各負抵抗回路２０は、対応する入力２４及
び２６を介してＱファクタ入力電圧Ｖq 及びＶqqを受け
取る。一緒に、バラクタ周波数同調回路１８を有する受
動帯域フィルタ構造１２と負抵抗回路２０の各組合せ
は、能動帯域フィルタ１０の一区間(one section) を形
成する。図１に示すように本発明の一つの好ましい実施
例が一対の受動帯域フィルタ構造１２を有すると同時
に、本発明の教示は、種々の単一または多極(multi-pol
e)または多重区間(multi-section) 受動帯域フィルタ構
造に適用可能である。多極または多重区間アプリケーシ
ョンに対して、各受動帯域フィルタ構造１２がそれ自体
の対応バラクタ周波数回路１８及び負抵抗回路２０に接
続されるということが一般に好ましい。次に、本発明の
能動帯域フィルタ１０の詳細な説明を図２及び図３に示
すような単一極単一区間受動帯域フィルタ構造１２に関
して詳細に説明する。
フィルタ１０が、本発明の一実施例による２区間フィル
タ(two-section filter)構成で示されている。特に、能
動帯域フィルタ１０は、入力１４と出力１６との間で直
列に接続された一対の一極受動帯域フィルタ構造１２を
有して示されている。各受動帯域フィルタ構造１２は、
入力２２を介して周波数同調電圧Ｖf を受け取るバラク
タ周波数同調回路１８に接続される。更に、各受動帯域
フィルタ構造１２は、対応している負抵抗回路２０にも
接続される。各負抵抗回路２０は、対応する入力２４及
び２６を介してＱファクタ入力電圧Ｖq 及びＶqqを受け
取る。一緒に、バラクタ周波数同調回路１８を有する受
動帯域フィルタ構造１２と負抵抗回路２０の各組合せ
は、能動帯域フィルタ１０の一区間(one section) を形
成する。図１に示すように本発明の一つの好ましい実施
例が一対の受動帯域フィルタ構造１２を有すると同時
に、本発明の教示は、種々の単一または多極(multi-pol
e)または多重区間(multi-section) 受動帯域フィルタ構
造に適用可能である。多極または多重区間アプリケーシ
ョンに対して、各受動帯域フィルタ構造１２がそれ自体
の対応バラクタ周波数回路１８及び負抵抗回路２０に接
続されるということが一般に好ましい。次に、本発明の
能動帯域フィルタ１０の詳細な説明を図２及び図３に示
すような単一極単一区間受動帯域フィルタ構造１２に関
して詳細に説明する。
【００１０】図２及び図３を参照すると、本発明の単一
区間実施例による単一極受動帯域フィルタ構造１２を有
する能動帯域フィルタ１０が示されている。一般的に言
えば、受動帯域フィルタ構造１２は、ガリウム砒素（Ｇ
ａＡｓ）基板上に組み立て製造された複数の誘導性及び
静電容量性回路構成素子で一般に構成されたＬＣ回路で
ある。特に、受動帯域フィルタ構造１２は、コンデンサ
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３及びＣ４、スピイラルインダクタＬ１
及び伝送線路ＴＬ１を含む。伝送線路ＴＬ１は、インダ
クタンスを供給するマイクロストリップ構成線路であ
る。受動帯域フィルタ構造１２は、広い種類の既存フィ
ルタ構成を含みうる。しかしながら、本発明は、ある抵
抗損を一般に示す半導体半絶縁体基板の最上部に形成さ
れた受動帯域フィルタを使用するのに特に適している。
バラクタ周波数同調回路１８は、ＰＩＮダイオードＤ３
と抵抗Ｒ５を含む。ダイオードＤ３のアノード端子は、
フィルタ構造１２のコンデンサＣ２に接続され、カソー
ド端子は、接地に結合される。ＰＩＮダイオードＤ３の
アノード端子は、入力パッド２３に接続される抵抗Ｒ５
にも結合される。入力パッド２３は、入力２２を介して
周波数同調電圧Ｖf を受け取る。バラクタ周波数同調回
路１８は、帯域フィルタ構造１２の中心周波数ｆo を同
調する。これは、当業者には自明であるように周波数同
調電圧Ｖf を制御することによって一般に達成される。
区間実施例による単一極受動帯域フィルタ構造１２を有
する能動帯域フィルタ１０が示されている。一般的に言
えば、受動帯域フィルタ構造１２は、ガリウム砒素（Ｇ
ａＡｓ）基板上に組み立て製造された複数の誘導性及び
静電容量性回路構成素子で一般に構成されたＬＣ回路で
ある。特に、受動帯域フィルタ構造１２は、コンデンサ
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３及びＣ４、スピイラルインダクタＬ１
及び伝送線路ＴＬ１を含む。伝送線路ＴＬ１は、インダ
クタンスを供給するマイクロストリップ構成線路であ
る。受動帯域フィルタ構造１２は、広い種類の既存フィ
ルタ構成を含みうる。しかしながら、本発明は、ある抵
抗損を一般に示す半導体半絶縁体基板の最上部に形成さ
れた受動帯域フィルタを使用するのに特に適している。
バラクタ周波数同調回路１８は、ＰＩＮダイオードＤ３
と抵抗Ｒ５を含む。ダイオードＤ３のアノード端子は、
フィルタ構造１２のコンデンサＣ２に接続され、カソー
ド端子は、接地に結合される。ＰＩＮダイオードＤ３の
アノード端子は、入力パッド２３に接続される抵抗Ｒ５
にも結合される。入力パッド２３は、入力２２を介して
周波数同調電圧Ｖf を受け取る。バラクタ周波数同調回
路１８は、帯域フィルタ構造１２の中心周波数ｆo を同
調する。これは、当業者には自明であるように周波数同
調電圧Ｖf を制御することによって一般に達成される。
【００１１】図２に示されるような、負抵抗回路２０
は、ヘテロ接合型バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）
Ｑ１のような三端子装置３０、シャント誘導性素子３
２、微Ｑファクタ同調回路素子３４及び粗Ｑファクタ同
調回路素子３６で一般に構成される。微Ｑファクタ同調
回路素子３４は、負抵抗調整の微同調分解能(fine tuni
ngresolution)を達成するために入力２４を介して微同
調入力電圧Ｖq を受け取る。微同調電圧Ｖq は、手動選
択または自動制御変動性(automaticaly controlledvari
ance)に応じて変化しうる。図３を特定参照すると、負
抵抗回路２０が更に詳細に示されている。負抵抗回路２
０の三端子装置３０は、ベース端子４０、コレクタ端子
３８及びエミッタ端子４２を含むヘテロ接合型バイポー
ラ・トランジスタ（ＨＢＴ）Ｑ１であるのが好ましい。
ＨＢＴＱ１が示されているが、電界効果型トランジスタ
ＦＥＴのような他の三端子固体(solid state) 装置をそ
の代わりに用いることができる。トランジスタＱ１のベ
ース端子４０は、接続線路１５を介してフィルタ構造１
２へ負抵抗を供給するために受動帯域フィルタ構造１２
にシャントで接続される。帰還抵抗Ｒ１は、トランジス
タＱ１のコレクタ端子３８とベース端子４０の間に接続
される。バイアス抵抗Ｒ２は、トランジスタＱ１のベー
ス端子４０と接地の間に接続される。バイアス抵抗Ｒ２
は、並列帰還経路を本質的に完了しかつトランジスタＱ
１のベース４０にＤＣバイアスを供給する。
は、ヘテロ接合型バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）
Ｑ１のような三端子装置３０、シャント誘導性素子３
２、微Ｑファクタ同調回路素子３４及び粗Ｑファクタ同
調回路素子３６で一般に構成される。微Ｑファクタ同調
回路素子３４は、負抵抗調整の微同調分解能(fine tuni
ngresolution)を達成するために入力２４を介して微同
調入力電圧Ｖq を受け取る。微同調電圧Ｖq は、手動選
択または自動制御変動性(automaticaly controlledvari
ance)に応じて変化しうる。図３を特定参照すると、負
抵抗回路２０が更に詳細に示されている。負抵抗回路２
０の三端子装置３０は、ベース端子４０、コレクタ端子
３８及びエミッタ端子４２を含むヘテロ接合型バイポー
ラ・トランジスタ（ＨＢＴ）Ｑ１であるのが好ましい。
ＨＢＴＱ１が示されているが、電界効果型トランジスタ
ＦＥＴのような他の三端子固体(solid state) 装置をそ
の代わりに用いることができる。トランジスタＱ１のベ
ース端子４０は、接続線路１５を介してフィルタ構造１
２へ負抵抗を供給するために受動帯域フィルタ構造１２
にシャントで接続される。帰還抵抗Ｒ１は、トランジス
タＱ１のコレクタ端子３８とベース端子４０の間に接続
される。バイアス抵抗Ｒ２は、トランジスタＱ１のベー
ス端子４０と接地の間に接続される。バイアス抵抗Ｒ２
は、並列帰還経路を本質的に完了しかつトランジスタＱ
１のベース４０にＤＣバイアスを供給する。
【００１２】バイポーラ・トランジスタＱ１のコレクタ
端子３８は、更にシャント誘導性素子３２に結合され
る。シャント誘導性素子３２は、入力２８を介して入力
バイアス電圧Ｖccを受け取る。一実施例によれば、シャ
ント誘導性素子３２は、コンデンサＣ５を通ってＡＣ接
地に短絡された一端を有するマイクロストリップ伝送線
路ＴＬ２を含む。マイクロストリップ伝送線路ＴＬ１
は、トランジスタＱ１のコレクタ端子３８で誘導性構成
素子を供給する。マイクロストリップ伝送線路ＴＬ１に
よって生成された誘導性構成素子は、大きな線路が、バ
イポーラトランジスタＱ１のベース端子４０にわたって
誘導された負抵抗の大きな絶対的大きさ(absolute magn
itude)をもたらす大きなインダクタンス構成素子を誘導
するので、マイクロストリップ素子の長さを変えること
によって変化させることができる。トランジスタＱ１の
エミッタ４２によって見られる、ＰＩＮダイオードＤ１
を介して粗Ｑファクタ回路３６により供給されたシャン
ト静電容量性素子に関連する伝送線路ＴＬ１の誘導性構
成素子は、負抵抗回路２０の基準負抵抗、それゆえに能
動帯域フィルタ１０の基準挿入損を設定するために用い
られる。バイポーラ・トランジスタＱ１のエミッタ端子
４２は、微Ｑファクタ同調回路３４及び粗Ｑファクタ同
調回路３６の両方に結合される。微Ｑファクタ同調回路
３４は、一対のヘテロ接合型バイポーラ・トランジスタ
（ＨＢＴｓ）Ｑ２及びＱ３、抵抗Ｒ３及び入力パッド２
５を含む。トランジスタＱ２及びＱ３は、一緒に接続さ
れる対応ベース端子５２及び４６を有する。トランジス
タＱ２は、トランジスタＱ１のエミッタ端子４２に直接
結合されたコレクタ端子５０を有する。トランジスタＱ
２及びＱ３は、両方が接地に結合される対応エミッタ端
子５４及び４８をそれぞれ有する。また、トランジスタ
Ｑ３は、抵抗Ｒ３及びトランジスタＱ３のベース端子４
６の両方に結合されたコレクタ端子４４を有する。
端子３８は、更にシャント誘導性素子３２に結合され
る。シャント誘導性素子３２は、入力２８を介して入力
バイアス電圧Ｖccを受け取る。一実施例によれば、シャ
ント誘導性素子３２は、コンデンサＣ５を通ってＡＣ接
地に短絡された一端を有するマイクロストリップ伝送線
路ＴＬ２を含む。マイクロストリップ伝送線路ＴＬ１
は、トランジスタＱ１のコレクタ端子３８で誘導性構成
素子を供給する。マイクロストリップ伝送線路ＴＬ１に
よって生成された誘導性構成素子は、大きな線路が、バ
イポーラトランジスタＱ１のベース端子４０にわたって
誘導された負抵抗の大きな絶対的大きさ(absolute magn
itude)をもたらす大きなインダクタンス構成素子を誘導
するので、マイクロストリップ素子の長さを変えること
によって変化させることができる。トランジスタＱ１の
エミッタ４２によって見られる、ＰＩＮダイオードＤ１
を介して粗Ｑファクタ回路３６により供給されたシャン
ト静電容量性素子に関連する伝送線路ＴＬ１の誘導性構
成素子は、負抵抗回路２０の基準負抵抗、それゆえに能
動帯域フィルタ１０の基準挿入損を設定するために用い
られる。バイポーラ・トランジスタＱ１のエミッタ端子
４２は、微Ｑファクタ同調回路３４及び粗Ｑファクタ同
調回路３６の両方に結合される。微Ｑファクタ同調回路
３４は、一対のヘテロ接合型バイポーラ・トランジスタ
（ＨＢＴｓ）Ｑ２及びＱ３、抵抗Ｒ３及び入力パッド２
５を含む。トランジスタＱ２及びＱ３は、一緒に接続さ
れる対応ベース端子５２及び４６を有する。トランジス
タＱ２は、トランジスタＱ１のエミッタ端子４２に直接
結合されたコレクタ端子５０を有する。トランジスタＱ
２及びＱ３は、両方が接地に結合される対応エミッタ端
子５４及び４８をそれぞれ有する。また、トランジスタ
Ｑ３は、抵抗Ｒ３及びトランジスタＱ３のベース端子４
６の両方に結合されたコレクタ端子４４を有する。
【００１３】微同調回路３４は、入力２４を介して微同
調電圧Ｖq を受け取る。微同調電圧Ｖq は、接触パッド
２５に印加されその後にトランジスタＱ２及びＱ３に印
加される。微同調電圧Ｖq を適切に変化することによっ
て、トランジスタＱ１のコレクタ端子３８に印加された
コレタク電流Ｉq を変えることができる。約６ＧＨｚ
（ギガヘルツ）の周波数動作を与えると、一例によりお
およそ１５Ω（オーム）の負抵抗の全微同調範囲が微同
調回路３４を介して達成されうる。微同調電圧Ｖ q は、
手動的に調整されうるかまたは図４に関して以下に説明
されるように制御回路により自動的に調整されうるとい
うことが理解されるべきである。粗同調回路３６は、ヘ
テロ接合型バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴｓ）Ｑ４
及びＱ５、一対のＰＩＮダイオードＤ１及びＤ２、抵抗
Ｒ４、接触パッド２７、及びバイパス・コンデンサＣ６
を含むエミッタ・シャント回路によって一般に供給され
る。粗同調電圧Ｖqqは、入力２６に供給されかつ接触パ
ッド２７によって受け取られる。粗同調電圧Ｖqqを選択
的に変えることによって、ＰＩＮダイオードＤ１を通る
バイアス電流Ｉqqは、同様に変えることができる。これ
は、結果として、ＰＩＮダイオードＤ１の接合静電容量
(junction capacitance)、それゆえにトランジスタＱ１
のベース端子４０で誘導された負抵抗を変化する。粗同
調回路３６は、微同調回路３４によって供給された微同
調に関して負抵抗のより大きな量の同調を供給する。例
えば、６ギガヘルツの周波数動作を与えると、上述した
微同調回路３４に対する１５Ωの微同調範囲とは対照的
に、負抵抗の３５オーム（Ω）以上の粗同調範囲を実現
することができる。
調電圧Ｖq を受け取る。微同調電圧Ｖq は、接触パッド
２５に印加されその後にトランジスタＱ２及びＱ３に印
加される。微同調電圧Ｖq を適切に変化することによっ
て、トランジスタＱ１のコレクタ端子３８に印加された
コレタク電流Ｉq を変えることができる。約６ＧＨｚ
（ギガヘルツ）の周波数動作を与えると、一例によりお
およそ１５Ω（オーム）の負抵抗の全微同調範囲が微同
調回路３４を介して達成されうる。微同調電圧Ｖ q は、
手動的に調整されうるかまたは図４に関して以下に説明
されるように制御回路により自動的に調整されうるとい
うことが理解されるべきである。粗同調回路３６は、ヘ
テロ接合型バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴｓ）Ｑ４
及びＱ５、一対のＰＩＮダイオードＤ１及びＤ２、抵抗
Ｒ４、接触パッド２７、及びバイパス・コンデンサＣ６
を含むエミッタ・シャント回路によって一般に供給され
る。粗同調電圧Ｖqqは、入力２６に供給されかつ接触パ
ッド２７によって受け取られる。粗同調電圧Ｖqqを選択
的に変えることによって、ＰＩＮダイオードＤ１を通る
バイアス電流Ｉqqは、同様に変えることができる。これ
は、結果として、ＰＩＮダイオードＤ１の接合静電容量
(junction capacitance)、それゆえにトランジスタＱ１
のベース端子４０で誘導された負抵抗を変化する。粗同
調回路３６は、微同調回路３４によって供給された微同
調に関して負抵抗のより大きな量の同調を供給する。例
えば、６ギガヘルツの周波数動作を与えると、上述した
微同調回路３４に対する１５Ωの微同調範囲とは対照的
に、負抵抗の３５オーム（Ω）以上の粗同調範囲を実現
することができる。
【００１４】同調可能負抵抗回路２０は、多極（多区
間）受動帯域フィルタ構造１２の各極または区間に適用
することができる。更に、負抵抗回路２０は、負インピ
ーダンスの粗及び微同調の組合せを供給することができ
る 受動帯域フィルタ構造１２で実施されたときに、本
発明の負抵抗回路２０は、能動帯域フィルタ１０の粗及
び微Ｑファクタ同調制御を供給する。この同調可能性機
能は、さもなくば受動帯域フィルタ、特にガリウム砒素
（ＧａＡｓ）のような半絶縁体基板材料上に構築された
フィルタによって示されるあらゆる不要な損失を追加の
自由度に訂正（修正）させる。上述したように、微同調
電圧Ｖq は、自動制御回路を介して供給することができ
る。可能な制御回路６８の一例が図４に与えられてい
る。図４に示したような制御回路６８は、1994年秋に出
版されたApplied Microwave and Wirelessの42頁〜49頁
に記載された、“Electronically Tuned L-S Band Filt
ers ”という題名のVladimir Aparin 及びPeter katzin
による技術文献に詳細に記載される既知の往復ループ・
マスタースレーブ・フィルタ制御スキームである。上記
文献は、ここに参考文献として示される。
間）受動帯域フィルタ構造１２の各極または区間に適用
することができる。更に、負抵抗回路２０は、負インピ
ーダンスの粗及び微同調の組合せを供給することができ
る 受動帯域フィルタ構造１２で実施されたときに、本
発明の負抵抗回路２０は、能動帯域フィルタ１０の粗及
び微Ｑファクタ同調制御を供給する。この同調可能性機
能は、さもなくば受動帯域フィルタ、特にガリウム砒素
（ＧａＡｓ）のような半絶縁体基板材料上に構築された
フィルタによって示されるあらゆる不要な損失を追加の
自由度に訂正（修正）させる。上述したように、微同調
電圧Ｖq は、自動制御回路を介して供給することができ
る。可能な制御回路６８の一例が図４に与えられてい
る。図４に示したような制御回路６８は、1994年秋に出
版されたApplied Microwave and Wirelessの42頁〜49頁
に記載された、“Electronically Tuned L-S Band Filt
ers ”という題名のVladimir Aparin 及びPeter katzin
による技術文献に詳細に記載される既知の往復ループ・
マスタースレーブ・フィルタ制御スキームである。上記
文献は、ここに参考文献として示される。
【００１５】一般的に言えば、制御回路６８は、位相周
波数検出器７２、帯電ポンプ７４、ＰＬＬバッファ７
６、マスター発振器７８、アンプ（増幅器）８０，８２
及びループ構造で結合されたディジタル分周器(divide
r) ８８を含む。また、制御回路６８は、マスター発振
器７８及びアンプ８０を有するＱ制御ループに形成され
たダイオード８４及びオペアンプ８６を含む。制御回路
６８の能動構成素子は、モノリシック・ミリ波集積回路
（ＭＭＩＣ）チップ上に形成されるのが好ましくかつ入
力７０を介して分数調波(subharmonic) 周波数基準入力
を受け取る。制御回路６８は、能動帯域フィルタ１０に
対して制御されたバイアス電圧を生成しかつゼロｄＢパ
ス帯域挿入損及びフィルタ１０の安定中心周波数ｆo を
維持すべくバイアス電圧を自動的に調整する。含まれて
いるのは、二つの出力、線路９０上の周波数制御電圧出
力Ｖf 及び線路９２上のＱファクタ制御電圧出力Ｖq で
ある。従って、制御回路６８は、周波数制御及び自動微
Ｑファクタ同調制御の両方を供給する。しかしながら、
図４に示されたこの制御スキームは、ほんの一例であ
り、微Ｑファクタ同調の自動制御を供給するために他の
制御スキームを採用することができ、受動帯域フィルタ
構造１２において示された抵抗損の後に続く変化を継続
的に補償するということが理解されなけらばならない。
波数検出器７２、帯電ポンプ７４、ＰＬＬバッファ７
６、マスター発振器７８、アンプ（増幅器）８０，８２
及びループ構造で結合されたディジタル分周器(divide
r) ８８を含む。また、制御回路６８は、マスター発振
器７８及びアンプ８０を有するＱ制御ループに形成され
たダイオード８４及びオペアンプ８６を含む。制御回路
６８の能動構成素子は、モノリシック・ミリ波集積回路
（ＭＭＩＣ）チップ上に形成されるのが好ましくかつ入
力７０を介して分数調波(subharmonic) 周波数基準入力
を受け取る。制御回路６８は、能動帯域フィルタ１０に
対して制御されたバイアス電圧を生成しかつゼロｄＢパ
ス帯域挿入損及びフィルタ１０の安定中心周波数ｆo を
維持すべくバイアス電圧を自動的に調整する。含まれて
いるのは、二つの出力、線路９０上の周波数制御電圧出
力Ｖf 及び線路９２上のＱファクタ制御電圧出力Ｖq で
ある。従って、制御回路６８は、周波数制御及び自動微
Ｑファクタ同調制御の両方を供給する。しかしながら、
図４に示されたこの制御スキームは、ほんの一例であ
り、微Ｑファクタ同調の自動制御を供給するために他の
制御スキームを採用することができ、受動帯域フィルタ
構造１２において示された抵抗損の後に続く変化を継続
的に補償するということが理解されなけらばならない。
【００１６】図５を参照すると、ＧａＡｓ半絶縁体チッ
プ１００上にモノリシックに集積された、図１の（機能
が）向上されたＱファクタ能動同調可能二極帯域フィル
タ１０が示されている。能動帯域フィルタ１０は、モノ
リシック・マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）チップ・レ
イアウト（構成・配置）で示されかつ約１．２ミリメー
トル×１．５ミリメートルの物理寸法を有しているチッ
プ上で組み立て製造されうる。能動帯域フィルタ１０の
動作は、本発明の二極フィルタ構造の例に従って図６〜
図１２を参照して説明する。動作において、入力信号Ｉ
Ｎが入力端子１４に印加されかつ能動帯域フィルタ１０
を介して供給された誘導性及び静電容量性構成素子に導
入される（取り入れられる）。入力信号ＩＮは、帯域フ
ィルタ１０を介してフィルタされ、かつ周波数通過域内
の電圧は、出力信号ＯＵＴで示されるように出力端子１
６を介して出力される。そのようにすることにより、能
動帯域フィルタ１０は、同調中心周波数ｆo のまわりに
中心を置いた周波数通過域を有する。同調周波数ｆ
o は、同調可能な周波数同調電圧Ｖf に応じてバラクタ
周波数同調回路１８によって決定される。
プ１００上にモノリシックに集積された、図１の（機能
が）向上されたＱファクタ能動同調可能二極帯域フィル
タ１０が示されている。能動帯域フィルタ１０は、モノ
リシック・マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）チップ・レ
イアウト（構成・配置）で示されかつ約１．２ミリメー
トル×１．５ミリメートルの物理寸法を有しているチッ
プ上で組み立て製造されうる。能動帯域フィルタ１０の
動作は、本発明の二極フィルタ構造の例に従って図６〜
図１２を参照して説明する。動作において、入力信号Ｉ
Ｎが入力端子１４に印加されかつ能動帯域フィルタ１０
を介して供給された誘導性及び静電容量性構成素子に導
入される（取り入れられる）。入力信号ＩＮは、帯域フ
ィルタ１０を介してフィルタされ、かつ周波数通過域内
の電圧は、出力信号ＯＵＴで示されるように出力端子１
６を介して出力される。そのようにすることにより、能
動帯域フィルタ１０は、同調中心周波数ｆo のまわりに
中心を置いた周波数通過域を有する。同調周波数ｆ
o は、同調可能な周波数同調電圧Ｖf に応じてバラクタ
周波数同調回路１８によって決定される。
【００１７】構造１２のような、受動帯域フィルタに一
般に存在する抵抗損を補償するために、本発明の同調可
能負抵抗回路は、そのような抵抗損を補償すべく同調可
能な量（大きさ）の負抵抗を受動帯域フィルタ構造１２
に供給する。これは、適切なシャント・インダクタンス
及びシャント・キャパシタンスを三端子装置３０に、よ
り特定的にはヘテロ接合バイポーラ・トランジスタＱ１
に供給することによって達成される。上述したように、
負抵抗回路２０は、トランジスタＱ１のエミッタ端子４
２に接続された粗同調回路３６を有する。粗Ｑファクタ
同調回路３６は、粗同調電圧Ｖqqを変化することにより
負抵抗の比較的粗い調整を許容する。これは、一般的に
能動帯域フィルタ１０の製造が終了した後で粗同調電圧
Ｖqqを手動的に選択することによって一般的に達成され
うる。これは、存在しうる少なくとも抵抗損のあるもの
を補償しかつ能動帯域フィルタ１０のＱファクタを所望
の量に近づける。粗Ｑファクタ同調電圧Ｖqqが選択され
て、能動帯域フィルタ１０は、微同調回路３４を介して
更に調整されうる。微同調回路３４は、フィルタ１０の
総合Ｑファクタを変えうる温度作用（効果）または他の
可能な作用（効果）を補償するために電圧Ｖq を手動的
または自動的に調整することによってある一定のアプリ
ケーションに対する使用前または所与のアプリケーショ
ンに対する使用中に負抵抗の正確な調整を許容する。こ
れは、微Ｑファクタ同調回路３４に印加された微同調電
圧Ｖq を変えることによって一般的に達成される。従っ
て、正確なＱファクタ制御及び抵抗損補償を達成するこ
とができる。更に、発振及び調整は、粗及び微同調負抵
抗回路構成の両方の利用可能性によって除去することが
できる。
般に存在する抵抗損を補償するために、本発明の同調可
能負抵抗回路は、そのような抵抗損を補償すべく同調可
能な量（大きさ）の負抵抗を受動帯域フィルタ構造１２
に供給する。これは、適切なシャント・インダクタンス
及びシャント・キャパシタンスを三端子装置３０に、よ
り特定的にはヘテロ接合バイポーラ・トランジスタＱ１
に供給することによって達成される。上述したように、
負抵抗回路２０は、トランジスタＱ１のエミッタ端子４
２に接続された粗同調回路３６を有する。粗Ｑファクタ
同調回路３６は、粗同調電圧Ｖqqを変化することにより
負抵抗の比較的粗い調整を許容する。これは、一般的に
能動帯域フィルタ１０の製造が終了した後で粗同調電圧
Ｖqqを手動的に選択することによって一般的に達成され
うる。これは、存在しうる少なくとも抵抗損のあるもの
を補償しかつ能動帯域フィルタ１０のＱファクタを所望
の量に近づける。粗Ｑファクタ同調電圧Ｖqqが選択され
て、能動帯域フィルタ１０は、微同調回路３４を介して
更に調整されうる。微同調回路３４は、フィルタ１０の
総合Ｑファクタを変えうる温度作用（効果）または他の
可能な作用（効果）を補償するために電圧Ｖq を手動的
または自動的に調整することによってある一定のアプリ
ケーションに対する使用前または所与のアプリケーショ
ンに対する使用中に負抵抗の正確な調整を許容する。こ
れは、微Ｑファクタ同調回路３４に印加された微同調電
圧Ｖq を変えることによって一般的に達成される。従っ
て、正確なＱファクタ制御及び抵抗損補償を達成するこ
とができる。更に、発振及び調整は、粗及び微同調負抵
抗回路構成の両方の利用可能性によって除去することが
できる。
【００１８】微同調電圧Ｖq が一定に保持されると同時
に、粗Ｑファクタ同調回路３６は、種々の選択された粗
同調電圧Ｖqqで達成された負抵抗１０２Ａを表す図６に
示すように同調することができる。かなり大きな量の負
抵抗は、粗同調回路３６を変化することにより負抵抗回
路２０によって生成しうる。例えば、３５Ω以上の負抵
抗は、粗同調回路３６だけで達成しうる。対照的に、微
同調回路３４は、図７に示された負抵抗１０２Ｂによっ
て示されるように更に制限された負抵抗同調範囲を達成
する。例えば、約１５Ωの総合同調範囲は、粗同調電圧
Ｖqq を一定に保持すると同時に、微同調電圧Ｖq を変
化することによって達成しうる。一緒に、粗及び微抵抗
同調は、受動帯域フィルタ、特に半絶縁体基板上に一般
的に組み立て製造されるそれらのものに固有な望ましく
ない損失を補正するために付加自由度を許容する。図８
を参照すると、一般的なＧａＡｓ基板上の２極受動帯域
フィルタ構造の性能が負抵抗回路２０のアプリケーショ
ンなしで示されている。グラフから、７．５ｄＢの挿入
損１０４が存在する。この損失は、入力及び出力反射減
衰量(return loss) によっても示される。本発明の負抵
抗回路２０を組み込むことによって、ゼロｄＢの挿入損
１０４を有する向上したＱファクタフィルタ応答は、図
９に与えられたように、達成することができる。合成能
動帯域フィルタ１０は、０ｄＢ挿入損１０４、１２５メ
ガヘルツ３ｄＢ帯域幅を伴う２０ｄＢ反射減衰量１０６
を有する。５０ｄＢ除去率（ｆ0 ／ｆ50ｄＢ）は、１．
３５：１である。能動帯域フィルタ１０の選択性（度）
は、受動フィルタ設計だけと比較した場合にかなり改良
された。
に、粗Ｑファクタ同調回路３６は、種々の選択された粗
同調電圧Ｖqqで達成された負抵抗１０２Ａを表す図６に
示すように同調することができる。かなり大きな量の負
抵抗は、粗同調回路３６を変化することにより負抵抗回
路２０によって生成しうる。例えば、３５Ω以上の負抵
抗は、粗同調回路３６だけで達成しうる。対照的に、微
同調回路３４は、図７に示された負抵抗１０２Ｂによっ
て示されるように更に制限された負抵抗同調範囲を達成
する。例えば、約１５Ωの総合同調範囲は、粗同調電圧
Ｖqq を一定に保持すると同時に、微同調電圧Ｖq を変
化することによって達成しうる。一緒に、粗及び微抵抗
同調は、受動帯域フィルタ、特に半絶縁体基板上に一般
的に組み立て製造されるそれらのものに固有な望ましく
ない損失を補正するために付加自由度を許容する。図８
を参照すると、一般的なＧａＡｓ基板上の２極受動帯域
フィルタ構造の性能が負抵抗回路２０のアプリケーショ
ンなしで示されている。グラフから、７．５ｄＢの挿入
損１０４が存在する。この損失は、入力及び出力反射減
衰量(return loss) によっても示される。本発明の負抵
抗回路２０を組み込むことによって、ゼロｄＢの挿入損
１０４を有する向上したＱファクタフィルタ応答は、図
９に与えられたように、達成することができる。合成能
動帯域フィルタ１０は、０ｄＢ挿入損１０４、１２５メ
ガヘルツ３ｄＢ帯域幅を伴う２０ｄＢ反射減衰量１０６
を有する。５０ｄＢ除去率（ｆ0 ／ｆ50ｄＢ）は、１．
３５：１である。能動帯域フィルタ１０の選択性（度）
は、受動フィルタ設計だけと比較した場合にかなり改良
された。
【００１９】約１２ミリアンプに等しい固定微同調電流
Ｉq に対する２極フィルタ構造への粗Ｑファクタ同調の
作用（影響）は、図１０に示す。ＰＩＮダイオードＤ１
の種々の粗Ｑファクタ同調電圧Ｖqq及び対応粗同調電流
Ｉqqバイアスに対して、粗同調は、受動フィルタ構造１
２の１５ｄＢよりも大きい挿入損１０４を補償すること
ができる。図１１を参照すると、２極フィルタ１０への
Ｑファクタ同調の作用が０．７５ミリアンプに等しい固
定粗同調電流Ｉqqに対して示されている。トランジスタ
Ｑ１の微同調電圧Ｖq 及び対応微同調電流Ｉq バイアス
の種々の同調電圧に対して、微同調は、受動フィルタ構
造１２の挿入損１０４のおおよそ６ｄＢを補償すること
ができる。そして、図１２は、周波数同調電圧Ｖf を変
えることによりＰＩＮダイオードＤ３バラクタバイアス
電流を変化しかつ粗同調電圧Ｖqqを変えることにより粗
Ｑファクタ制御電流Ｉqqを再調整することによる能動帯
域フィルタ１０の同調可能性を示す。これは、約１．３
ＧＨｚの同調範囲またや約２０％同調範囲を供給する。
従って、本発明の粗及び微同調は、それに関連した抵抗
損における変化を補償するために周波数同調電圧Ｖf を
変化することに続いて実行されうる。
Ｉq に対する２極フィルタ構造への粗Ｑファクタ同調の
作用（影響）は、図１０に示す。ＰＩＮダイオードＤ１
の種々の粗Ｑファクタ同調電圧Ｖqq及び対応粗同調電流
Ｉqqバイアスに対して、粗同調は、受動フィルタ構造１
２の１５ｄＢよりも大きい挿入損１０４を補償すること
ができる。図１１を参照すると、２極フィルタ１０への
Ｑファクタ同調の作用が０．７５ミリアンプに等しい固
定粗同調電流Ｉqqに対して示されている。トランジスタ
Ｑ１の微同調電圧Ｖq 及び対応微同調電流Ｉq バイアス
の種々の同調電圧に対して、微同調は、受動フィルタ構
造１２の挿入損１０４のおおよそ６ｄＢを補償すること
ができる。そして、図１２は、周波数同調電圧Ｖf を変
えることによりＰＩＮダイオードＤ３バラクタバイアス
電流を変化しかつ粗同調電圧Ｖqqを変えることにより粗
Ｑファクタ制御電流Ｉqqを再調整することによる能動帯
域フィルタ１０の同調可能性を示す。これは、約１．３
ＧＨｚの同調範囲またや約２０％同調範囲を供給する。
従って、本発明の粗及び微同調は、それに関連した抵抗
損における変化を補償するために周波数同調電圧Ｖf を
変化することに続いて実行されうる。
【００２０】本発明の粗及び微Ｑファクタ同調機能は、
大量生産環境における能動帯域フィルタ回路１０を実現
する独自の解法を供給する。能動帯域フィルタ回路１０
は、処理変化に対して敏感でありかつ発振に対する必要
開始条件である負抵抗を生成することができるので、負
抵抗回路は、発振しがちである。粗Ｑファクタ同調制御
を有することによって、安定動作へのＱファクタの試作
同調(pre-productiontuning) は、達成することができ
る。これは、生成部分の見本に対して確かめられ、かつ
外部分圧器または同じウェーハロットラン(wafer lot r
un) から生成された後続部分に対する参照を用いて固定
することができる特定粗同調電圧制御Ｖ qqに対応する。
このように、各ウェーハロットランは、生成物変更のた
めに再設計を統合しかつ追加マスクを購入する代わり
に、サンプルが取られ、粗同調電圧Ｖqqが確かめられ、
かつ回路がアセンブリで調整されることができる。更
に、処理が固定負抵抗設計を組み込むために十分に安定
であるという保証が存在しないので、粗及び微同調調整
可能性は、温度変化、老朽化（エージング）または他の
原因による抵抗損における後続の変化を補償することを
利点的に許容する。それゆえに、本発明は、その特定な
例に関してここに開示されたが、添付した特許請求の範
囲で画定されたことを除きそれにより制限されることを
企図していない。これは、当業者が他の変更が明細書及
び図面を読んだ後にこの発明の精神から逸脱することな
くなされうるということを認識するからである。
大量生産環境における能動帯域フィルタ回路１０を実現
する独自の解法を供給する。能動帯域フィルタ回路１０
は、処理変化に対して敏感でありかつ発振に対する必要
開始条件である負抵抗を生成することができるので、負
抵抗回路は、発振しがちである。粗Ｑファクタ同調制御
を有することによって、安定動作へのＱファクタの試作
同調(pre-productiontuning) は、達成することができ
る。これは、生成部分の見本に対して確かめられ、かつ
外部分圧器または同じウェーハロットラン(wafer lot r
un) から生成された後続部分に対する参照を用いて固定
することができる特定粗同調電圧制御Ｖ qqに対応する。
このように、各ウェーハロットランは、生成物変更のた
めに再設計を統合しかつ追加マスクを購入する代わり
に、サンプルが取られ、粗同調電圧Ｖqqが確かめられ、
かつ回路がアセンブリで調整されることができる。更
に、処理が固定負抵抗設計を組み込むために十分に安定
であるという保証が存在しないので、粗及び微同調調整
可能性は、温度変化、老朽化（エージング）または他の
原因による抵抗損における後続の変化を補償することを
利点的に許容する。それゆえに、本発明は、その特定な
例に関してここに開示されたが、添付した特許請求の範
囲で画定されたことを除きそれにより制限されることを
企図していない。これは、当業者が他の変更が明細書及
び図面を読んだ後にこの発明の精神から逸脱することな
くなされうるということを認識するからである。
【００２１】
【発明の効果】本発明の能動帯域フィルタは、同調可能
負抵抗を有する能動帯域フィルタであって、入力及び出
力を有している受動フィルタ回路と、帯域フィルタに結
合され、受動フィルタ回路により示される望ましくない
抵抗損を補償するように負抵抗を生成する負抵抗回路と
を備え、負抵抗回路は、ベース、コレクタ及びエミッタ
を有し、該ベースが受動フィルタ回路に負抵抗を供給す
るために該受動フィルタ回路に接続されている、トラン
ジスタと、トランジスタのコレクタに結合された誘導分
流器と、トランジスタのエミッタに結合され、該トラン
ジスタのベースで生成された負抵抗の大きさを調整する
同調手段とを備えているので、抵抗損を補償するために
受動帯域フィルタ構造に負抵抗信号を供給し、最小の大
きさ要求を許容すべく回路構成素子を単一チップ上にモ
ノリシックに集積しかつ低い電力消費を実現する能動同
調可能帯域フィルタを供給する。また、本発明の能動帯
域フィルタは、受動回路構成素子で存在しうる抵抗損を
補償する能動帯域フィルタであって、入力及び出力を有
している受動フィルタ回路と、帯域フィルタに結合さ
れ、望ましくない抵抗損を補償するように負抵抗を生成
する負抵抗回路とを備えて、負抵抗回路は、フィルタ回
路へ負抵抗を供給するために受動フィルタ回路に接続さ
れた第１の端子を有している３端子装置と、ダイオード
及び受動フィルタ回路に印加された負抵抗を粗く同調す
るために選択可能な電圧入力を有している粗同調回路
と、受動フィルタ回路に印加された負抵抗を微細に同調
するために選択可能な電圧入力を有している微同調回路
とを備えているので、抵抗損を補償するために受動帯域
フィルタ構造に負抵抗信号を供給し、最小の大きさ要求
を許容すべく回路構成素子を単一チップ上にモノリシッ
クに集積しかつ低い電力消費を実現する能動同調可能帯
域フィルタを供給する。
負抵抗を有する能動帯域フィルタであって、入力及び出
力を有している受動フィルタ回路と、帯域フィルタに結
合され、受動フィルタ回路により示される望ましくない
抵抗損を補償するように負抵抗を生成する負抵抗回路と
を備え、負抵抗回路は、ベース、コレクタ及びエミッタ
を有し、該ベースが受動フィルタ回路に負抵抗を供給す
るために該受動フィルタ回路に接続されている、トラン
ジスタと、トランジスタのコレクタに結合された誘導分
流器と、トランジスタのエミッタに結合され、該トラン
ジスタのベースで生成された負抵抗の大きさを調整する
同調手段とを備えているので、抵抗損を補償するために
受動帯域フィルタ構造に負抵抗信号を供給し、最小の大
きさ要求を許容すべく回路構成素子を単一チップ上にモ
ノリシックに集積しかつ低い電力消費を実現する能動同
調可能帯域フィルタを供給する。また、本発明の能動帯
域フィルタは、受動回路構成素子で存在しうる抵抗損を
補償する能動帯域フィルタであって、入力及び出力を有
している受動フィルタ回路と、帯域フィルタに結合さ
れ、望ましくない抵抗損を補償するように負抵抗を生成
する負抵抗回路とを備えて、負抵抗回路は、フィルタ回
路へ負抵抗を供給するために受動フィルタ回路に接続さ
れた第１の端子を有している３端子装置と、ダイオード
及び受動フィルタ回路に印加された負抵抗を粗く同調す
るために選択可能な電圧入力を有している粗同調回路
と、受動フィルタ回路に印加された負抵抗を微細に同調
するために選択可能な電圧入力を有している微同調回路
とを備えているので、抵抗損を補償するために受動帯域
フィルタ構造に負抵抗信号を供給し、最小の大きさ要求
を許容すべく回路構成素子を単一チップ上にモノリシッ
クに集積しかつ低い電力消費を実現する能動同調可能帯
域フィルタを供給する。
【００２２】更に、本発明の同調可能負抵抗回路は、負
抵抗を生成する同調可能負抵抗回路であって、ベース、
コレクタ及びエミッタを有しているバイポーラトランジ
スタと、バイポーラトランジスタのコレクタに結合され
た誘導分流器と、バイポーラトランジスタのベースに結
合され、負抵抗の同調可能な量を出力する出力と、バイ
ポーラトランジスタのエミッタに結合され、ダイオード
及び負抵抗の粗い同調を供給する選択可能電圧入力を有
している粗同調回路と、バイポーラトランジスタのエミ
ッタに結合され、ダイオード及び負抵抗の微細な同調を
供給する選択可能電圧入力を有している微同調回路とを
備えているので、抵抗損を補償するために受動帯域フィ
ルタ構造に負抵抗信号を供給し、最小の大きさ要求を許
容すべく回路構成素子を単一チップ上にモノリシックに
集積しかつ低い電力消費を実現する能動同調可能帯域フ
ィルタを供給する。本発明の方法は、抵抗損を補償する
ために帯域フィルタに対する同調可能負抵抗を生成する
方法であって、入力及び出力を有している受動フィルタ
回路を供給し、ベース、コレクタ及びエミッタを有する
トランジスタを有している負抵抗回路を供給し、トラン
ジスタのベースで負抵抗を生成し、負抵抗の粗調整を供
給するようにトランジスタのエミッタに結合されるダイ
オードを通る電流を調整し、負抵抗の微同調を供給する
ためにトランジスタのコレクタへの電流を調整する段階
を具備するので、抵抗損を補償するために受動帯域フィ
ルタ構造に負抵抗信号を供給し、最小の大きさ要求を許
容すべく回路構成素子を単一チップ上にモノリシックに
集積しかつ低い電力消費を実現する能動同調可能帯域フ
ィルタを供給する。
抵抗を生成する同調可能負抵抗回路であって、ベース、
コレクタ及びエミッタを有しているバイポーラトランジ
スタと、バイポーラトランジスタのコレクタに結合され
た誘導分流器と、バイポーラトランジスタのベースに結
合され、負抵抗の同調可能な量を出力する出力と、バイ
ポーラトランジスタのエミッタに結合され、ダイオード
及び負抵抗の粗い同調を供給する選択可能電圧入力を有
している粗同調回路と、バイポーラトランジスタのエミ
ッタに結合され、ダイオード及び負抵抗の微細な同調を
供給する選択可能電圧入力を有している微同調回路とを
備えているので、抵抗損を補償するために受動帯域フィ
ルタ構造に負抵抗信号を供給し、最小の大きさ要求を許
容すべく回路構成素子を単一チップ上にモノリシックに
集積しかつ低い電力消費を実現する能動同調可能帯域フ
ィルタを供給する。本発明の方法は、抵抗損を補償する
ために帯域フィルタに対する同調可能負抵抗を生成する
方法であって、入力及び出力を有している受動フィルタ
回路を供給し、ベース、コレクタ及びエミッタを有する
トランジスタを有している負抵抗回路を供給し、トラン
ジスタのベースで負抵抗を生成し、負抵抗の粗調整を供
給するようにトランジスタのエミッタに結合されるダイ
オードを通る電流を調整し、負抵抗の微同調を供給する
ためにトランジスタのコレクタへの電流を調整する段階
を具備するので、抵抗損を補償するために受動帯域フィ
ルタ構造に負抵抗信号を供給し、最小の大きさ要求を許
容すべく回路構成素子を単一チップ上にモノリシックに
集積しかつ低い電力消費を実現する能動同調可能帯域フ
ィルタを供給する。
【図１】本発明の一実施例による能動二極モノリシック
帯域フィルタの全体的な構成・配置を示しているブロッ
ク図である。
帯域フィルタの全体的な構成・配置を示しているブロッ
ク図である。
【図２】本発明の第２の実施例による能動一極モノリシ
ック帯域フィルタの全体的な構成・配置を示しているブ
ロック図である。
ック帯域フィルタの全体的な構成・配置を示しているブ
ロック図である。
【図３】本発明によるモノリシック一極能動帯域フィル
タを示しかつ同調可能負抵抗回路を詳細に示している回
路図である。
タを示しかつ同調可能負抵抗回路を詳細に示している回
路図である。
【図４】一例による能動帯域フィルタ回路の周波数同調
及び微Ｑファクタ同調の自動制御を供給する制御回路の
ブロック図である。
及び微Ｑファクタ同調の自動制御を供給する制御回路の
ブロック図である。
【図５】半絶縁体基板上にモノリシックに集積された二
極能動帯域フィルタを含んでいる集積回路フィルタチッ
プの平面図である。
極能動帯域フィルタを含んでいる集積回路フィルタチッ
プの平面図である。
【図６】粗Ｑファクタ同調調整で生成された負抵抗のグ
ラフである。
ラフである。
【図７】微Ｑファクタ同調調整で生成された負抵抗のグ
ラフである。
ラフである。
【図８】非補償受動帯域フィルタで示された挿入損を表
している模擬性能のグラフである。
している模擬性能のグラフである。
【図９】抵抗損の補償を供給する本発明の同調可能能動
帯域フィルタの模擬性能のグラフである。
帯域フィルタの模擬性能のグラフである。
【図１０】粗Ｑファクタ同調中に本発明の能動帯域フィ
ルタで達成された模擬性能のグラフである。
ルタで達成された模擬性能のグラフである。
【図１１】微Ｑファクタ同調中に本発明の能動帯域フィ
ルタで達成された模擬性能のグラフである。
ルタで達成された模擬性能のグラフである。
【図１２】周波数及びＱファクタ同調の組合せ中の本発
明の能動帯域フィルタの模擬性能のグラフである。
明の能動帯域フィルタの模擬性能のグラフである。
１０ 能動同調可能帯域フィルタ １２ 単極受動帯域フィルタ構造 １４ 入力 １６ 出力 １８ バラクタ周波数同調回路 ２０ 負抵抗回路 ２２ 周波数同調電圧入力 ２４ 微同調電圧入力 ２６ 粗同調電圧入力
Claims (17)
- 【請求項１】 同調可能負抵抗を有する能動帯域フィル
タであって、 入力及び出力を有している受動フィルタ回路と、 前記帯域フィルタに結合され、受動フィルタ回路により
示される望ましくない抵抗損を補償するように負抵抗を
生成する負抵抗回路とを備え、 前記負抵抗回路は、 ベース、コレクタ及びエミッタを有し、該ベースが前記
受動フィルタ回路に負抵抗を供給するために該受動フィ
ルタ回路に接続されている、 トランジスタと、 前記トランジスタの前記コレクタに結合された誘導分流
器と、 前記トランジスタの前記エミッタに結合され、該トラン
ジスタの前記ベースで生成された負抵抗の大きさを調整
する同調手段と、 を備えていることを特徴とする能動帯域フィルタ。 - 【請求項２】 前記同調手段は、粗同調回路と、微同調
回路とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の
能動帯域フィルタ。 - 【請求項３】 前記粗同調回路は、前記トランジスタの
前記エミッタ少なくとも一つのＰＩＮダイオードと、選
択可能粗同調電圧入力とを備えていることを特徴とする
請求項２に記載の能動帯域フィルタ。 - 【請求項４】 前記微同調回路は、選択可能微同調電圧
入力を含んでいることを特徴とする請求項３に記載の能
動帯域フィルタ。 - 【請求項５】 前記選択された微同調電圧入力は、所望
の負抵抗を保持するように制御回路に応じて自動的に調
整されることを特徴とする請求項４に記載の能動帯域フ
ィルタ。 - 【請求項６】 前記受動フィルタ回路に結合されたバラ
クタ周波数同調回路を更に備えていることを特徴とする
請求項１に記載の能動帯域フィルタ。 - 【請求項７】 前記受動フィルタ回路は、半絶縁体基板
上に組み立て製造されかつ当該回路の構成素子は、前記
負抵抗による実質的に補償される抵抗損を示すことを特
徴とする請求項１に記載の能動帯域フィルタ。 - 【請求項８】 受動回路構成素子で存在しうる抵抗損を
補償する能動帯域フィルタであって、 入力及び出力を有している受動フィルタ回路と、 前記帯域フィルタに結合され、望ましくない抵抗損を補
償するように負抵抗を生成する負抵抗回路とを備えて、 前記負抵抗回路は、 前記フィルタ回路へ前記負抵抗を供給するために前記受
動フィルタ回路に接続された第１の端子を有している３
端子装置と、 ダイオード及び前記受動フィルタ回路に印加された前記
負抵抗を粗く同調するために選択可能な電圧入力を有し
ている粗同調回路と、 前記受動フィルタ回路に印加された前記負抵抗を微細に
同調するために選択可能な電圧入力を有している微同調
回路とを備えていることを特徴とする能動帯域フィル
タ。 - 【請求項９】 前記３端子装置は、ベース、コレクタ及
びエミッタを有しているバイポーラトランジスタを備
え、前記ベースが前記受動フィルタ回路に接続されかつ
前記エミッタが前記粗及び微同調回路に接続されている
ことを特徴とする請求項８に記載の能動帯域フィルタ。 - 【請求項１０】 前記トランジスタの前記エミッタは、
容量分流器に結合されることを特徴とする請求項９に記
載の能動帯域フィルタ。 - 【請求項１１】 前記トランジスタの前記コレクタは、
誘導分流器に結合されることを特徴とする請求項９に記
載の能動帯域フィルタ。 - 【請求項１２】 前記受動フィルタ回路に結合され、周
波数同調を供給するバラクタ周波数回路を更に備えてい
ることを特徴とする請求項８に記載の能動帯域フィル
タ。 - 【請求項１３】 負抵抗を生成する同調可能負抵抗回路
であって、 ベース、コレクタ及びエミッタを有しているバイポーラ
トランジスタと、 前記バイポーラトランジスタの前記コレクタに結合され
た誘導分流器と、 前記バイポーラトランジスタの前記ベースに結合され、
負抵抗の同調可能な量を出力する出力と、 前記バイポーラトランジスタの前記エミッタに結合さ
れ、ダイオード及び前記負抵抗の粗い同調を供給する選
択可能電圧入力を有している粗同調回路と、 前記バイポーラトランジスタの前記エミッタに結合さ
れ、ダイオード及び前記負抵抗の微細な同調を供給する
選択可能電圧入力を有している微同調回路とを備えてい
ることを特徴とする同調可能負抵抗回路。 - 【請求項１４】 前記微同調回路の前記選択可能電圧入
力は、前記負抵抗の自動微同調を供給するために自動的
に制御された電圧を受け取ることを特徴とする請求項１
３に記載の負抵抗回路。 - 【請求項１５】 抵抗損を補償するために帯域フィルタ
に対する同調可能負抵抗を生成する方法であって、 入力及び出力を有している受動フィルタ回路を供給し、 ベース、コレクタ及びエミッタを有するトランジスタを
有している負抵抗回路を供給し、 前記トランジスタの前記ベースで負抵抗を生成し、 前記負抵抗の粗調整を供給するように前記トランジスタ
の前記エミッタに結合されるダイオードを通る電流を調
整し、 前記負抵抗の微同調を供給するために前記トランジスタ
の前記コレクタへの電流を調整する段階を具備すること
を特徴とする方法。 - 【請求項１６】 前記帯域フィルタの中心周波数を同調
する段階を更に具備することを特徴とする請求項１５に
記載の方法。 - 【請求項１７】 前記コレクタへの電流を調整する段階
は、自動的に制御された電圧に応じることを特徴とする
請求項１５に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/420262 | 1995-04-11 | ||
| US08/420,262 US5550520A (en) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | Monolithic HBT active tuneable band-pass filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08293758A true JPH08293758A (ja) | 1996-11-05 |
| JP3002641B2 JP3002641B2 (ja) | 2000-01-24 |
Family
ID=23665752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8081302A Expired - Lifetime JP3002641B2 (ja) | 1995-04-11 | 1996-04-03 | モノリシックｈｂｔ式能動同調可能帯域フィルタ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5550520A (ja) |
| EP (1) | EP0738040B1 (ja) |
| JP (1) | JP3002641B2 (ja) |
| KR (1) | KR0184994B1 (ja) |
| DE (1) | DE69628611T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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