KR100691284B1 - 부성 저항의 미세 조정이 가능한 전압 제어 발진기 - Google Patents

부성 저항의 미세 조정이 가능한 전압 제어 발진기 Download PDF

Info

Publication number
KR100691284B1
KR100691284B1 KR1020040079768A KR20040079768A KR100691284B1 KR 100691284 B1 KR100691284 B1 KR 100691284B1 KR 1020040079768 A KR1020040079768 A KR 1020040079768A KR 20040079768 A KR20040079768 A KR 20040079768A KR 100691284 B1 KR100691284 B1 KR 100691284B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage controlled
negative resistance
controlled oscillator
oscillation frequency
tuning
Prior art date
Application number
KR1020040079768A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060030932A (ko
Inventor
이용덕
정철오
은종원
이성팔
이호진
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020040079768A priority Critical patent/KR100691284B1/ko
Publication of KR20060030932A publication Critical patent/KR20060030932A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100691284B1 publication Critical patent/KR100691284B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1243Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00Resonators of the waveguide type
    • H01P7/10Dielectric resonators
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1805Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a coaxial resonator
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
    • H03B5/1847Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
    • H03B5/1852Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/02Varying the frequency of the oscillations by electronic means
    • H03B2201/0208Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 부성 저항의 미세 조정이 가능한 전압 제어 발진기에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 새로운 동조 형태 및 전기적 미세 조정이 가능한 부성 저항부를 포함함으로써, 품질 계수 특성이 우수하며 제작 후에도 부성 저항의 미세 조정이 가능한 전압 제어 발진기를 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 능동 소자를 포함하는 전압 제어 발진기에 있어서, 공진 용량에 의한 발진 주파수를 생성하기 위한 공진 수단; 상기 능동 소자의 소스(source) 단에 연결되어 상기 발진 주파수를 동조시키기 위한 주파수 동조 수단; 및 상기 능동 소자의 소스(source) 단에 연결되어 상기 발진 주파수를 조절하기 위한 부성 저항을 생성하며, 상기 부성 저항을 전기적으로 미세 조정하기 위한 바랙터 다이오드를 포함하는 부성 저항 조정 수단을 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 이동 통신 시스템 등에 이용됨.
전압 제어 발진기, 부성 저항, 바랙터 다이오드

Description

부성 저항의 미세 조정이 가능한 전압 제어 발진기{Voltage Controlled Oscillator Capable of Tuning Negative Resistance}
도 1은 종래의 일반적인 전압 제어 발진기의 회로도,
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 전압 제어 발진기의 회로도,
도 3은 도 1의 종래 전압 제어 발진기의 출력 스펙트럼을 나타낸 그래프,
도 4는 도 2의 전압 제어 발진기의 출력 스펙트럼을 나타낸 그래프,
도 5는 도 1의 종래 전압 제어 발진기의 위상 잡음 특성을 나타낸 그래프,
도 6은 도 2의 전압 제어 발진기의 위상 잡음 특성을 나타낸 그래프,
도 7은 도 2의 전압 제어 발진기의 동조 스펙트럼을 나타낸 그래프,
도 8은 도 2의 전압 제어 발진기의 부성 저항 변화량을 나타낸 그래프이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
210 : 공진부 220 : 주파수 동조부
230 : 출력 정합부 240 : 부성 저항 조정부
250 : 능동 소자 222, 242 : 바랙터 다이오드
본 발명은 전압 제어 발진기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 새로운 동조 형태 및 전기적 미세 조정이 가능한 부성 저항부를 포함한 전압 제어 발진기에 관한 것이다.
전압 제어 발진기는 외부에서 인가된 전압으로 원하는 발진 주파수를 출력할 수 있게 해주는 장치로서, RF 신호를 변·복조할 때 효율과 안정성 확보에 가장 큰 영향을 미치는 회로이다.
전압 제어 발진기의 공진부에는 안정성이 뛰어나며 온도 변화에 따른 영향이 적고 품질 계수 값이 높은 유전체 공진기가 일반적으로 사용되었으나, 최근 RF 부품들의 소형화, 경량화, 고집적화, 경제성 등의 요구에 따라 헤어 핀과 같은 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)화 하기에 적합한 평면 구조의 공진기가 주로 사용되고 있다.
도 1은 종래의 일반적인 전압 제어 발진기의 회로도로서, 단일 발진기에 바랙터 다이오드를 병렬 형태로 추가한 전압 제어 발진기이다.
도시된 바와 같이, 종래의 전압 제어 발진기는 상하부가 전송 선로와 결합된 공진기(110), 공진기(110) 부분에 주파수를 변화시키기 위한 바랙터 다이오드(120), 능동 소자(130), DC 차폐를 위한 대역 통과 필터(140) 및 부성 저항을 발생시키기 위한 오픈 스터브(150)를 포함하여 구성되어 있다.
공진기(110)는 대역 통과 필터 특성을 갖고, 공진기(110)의 상하부는 커플링 갭(160, 170)이 존재하며, 도 1의 전압 제어 발진기는 공진기(110)와 능동 소자(130) 사이의 길이와 오픈 스터브(150)의 길이 조절을 통해 발진 주파수가 변화한다.
이와 같이, RF/Microwave 대역에서 주로 사용하는 일반적인 전압 제어 발진기에서는 부성 저항을 발생시키기 위해 능동 소자(130)의 소스(source) 단에 오픈 스터브(150)를 연결하며, 부성 저항의 조정을 위해 물리적으로 오픈 스터브(150) 주변에 패드(PAD)를 추가하거나, 오픈 스터브(150)의 길이를 조금씩 조절하며 부성 저항을 조정한다.
이러한 종래의 전압 제어 발진기는 품질 계수 특성이 우수하지 못하며, 또한 부성 저항의 조정 과정에서 큰 오차가 발생하는 문제점이 있다. 또한 MMIC 발진기의 경우에는 제작이 완료된 후 부성 저항 조정이 불가능한 문제점이 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 새로운 동조 형태 및 전기적 미세 조정이 가능한 부성 저항부를 포함함으로써, 품질 계수 특성이 우수하며 제작 후에도 부성 저항의 미세 조정이 가능한 전압 제어 발진기를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있으며, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 능동 소자를 포함하는 전압 제어 발진기에 있어서, 공진 용량에 의한 발진 주파수를 생성하기 위한 공진 수단; 상기 능동 소자의 소스(source) 단에 연결되고 품질 계수의 저하를 최소화하기 위해 커플링 선로 및 바랙터 다이오드를 포함하여 상기 소스 단의 공진 용량을 변화시켜 상기 발진 주파수를 동조시키기 위한 주파수 동조 수단; 및 인터디지털 캐패시턴스를 포함하고, 상기 주파수 동조부와 결합하여 상기 발진 주파수를 조절하기 위한 부성 저항을 생성하며, 상기 부성 저항을 전기적으로 미세 조정하기 위한 바랙터 다이오드를 포함하는 부성 저항 조정 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 전압 제어 발진기의 회로도로서, 단일 발진기에 주파수 동조부 및 부성 저항 조정부를 추가한 형태이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전압 제어 발진기는 공진부(210), 주파수 동조부(220), 출력 정합부(230) 및 부성 저항 조정부(240)를 포함한다.
이 때, 공진부(210)는 능동 소자(250)의 게이트 단에 열결되어 공진 용량에 따른 발진 주파수를 생성하며, 주파수 동조부(220) 능동 소자(250)의 소스 단에 연결되어 상기 발진 주파수를 동조시키고, 부성 저항 조정부(240)는 주파수 동조부(220)와 결합하여 상기 발진 주파수를 조절하며, 출력 정합부(230)는 능동 소자(250)의 드레인 단에 연결되어 상기 발진 주파수를 대역 통과 필터링하고 DC 성분을 제거하여 발진 주파수를 출력한다. 본 실시예에서 상기 능동 소자(250)로 HEMT 소자를 이용한다.
구체적으로 살펴보면, 능동 소자(250)의 게이트 단은 공진기(211)와 커플링된 전송 선로(212)와 연결하고, 기생 발진과 히스테리시스를 억제하기 위하여 50Ω으로 종단시킨다. 또한, 게이트 바이어스는 자기 바이어스(Self bias) 형태를 취하여 단일 전원으로 한다.
이 때, 공진기(211)는 대역 저지 필터로서 원하는 주파수를 전송 선로(212)로 충분히 반사 시켜야 한다. 대역 저지 필터의 반사 손실과 반사 선택도는 부하로 전달되는 에너지와 위상 잡음 특성에 영향을 끼치며 이는 공진기(211)의 품질 계수와 직접적인 관계가 있다. 따라서, 전압 제어 발진기의 선형 설계 뿐 아니라 출력과 위상 잡음 등을 예측하는 비선형 설계시 실제 사용되는 헤어-핀 공진기의 정확한 구현이 반드시 필요하다. 본 실시예에서는 일반적인 헤어-핀 공진기에 비해 작고 우수한 품질 계수 값을 갖는 공진기(211)를 사용한다.
공진기(211)와 전송 선로(212) 사이의 커플링 갭을 최적화하여 공진기(211)의 품질 계수가 최적화 되도록 하고, 능동 소자(250)의 소스 단에 연결된 주파수 동조부(220)는 품질 계수의 저하를 최소화 하도록 50Ω의 커플링 선로(221) 및 바랙터(varactor) 다이오드(222)를 포함한다.
한편, 부성 저항 조정부(240)는 부성 저항을 발생시키기 위한 인터디지털 캐패시턴스(241)를 포함하고, 인터디지털 캐패시턴스(241)는 부성 저항을 미세 조정하기 위한 바랙터 다이오드(242)와 연결한다. 이 때, 바랙터 다이오드(242)의 캐패시턴스 변화 및 공진기(211)와 능동 소자(250) 사이의 길이 변화에 따라 능동 소자(250)의 소스 단의 전기적 길이가 변하여 부성 저항 값이 변하고, 이에 따라 초기 발진 조건이 만족되면 전압 제어 발진기는 정상 상태 발진에 도달하게 된다.
또한, 출력 정합부(230)는 DC 차폐와 대역 통과 필터 역할을 하는 마이크로 스트립 선로를 포함한다.
이하에서는 RF 회로 디자인 툴(CAD Tool)인 ADS 2003으로 도 1 및 도 2의 전압 제어 발진기를 시뮬레이션한 결과에 대해서 설명하도록 한다.
도 3은 도 1의 종래 전압 제어 발진기의 출력 스펙트럼을 나타낸 그래프이고, 도 4는 도 2의 전압 제어 발진기의 출력 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 종래 전압 제어 발진기는 기본 주파수 성분(m1)과 두번째 하모닉(harmonic) 성분(m2)의 출력이 약 -65 ㏈c 차이를 나타내며, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전압 제어 발진기는 기본 주파수 성분(m1)과 두 번재 하모닉 성분(m2)의 출력이 약 -62 ㏈c 차이를 나타낸다.
도 5는 도 1의 종래 전압 제어 발진기의 위상 잡음 특성을 나타낸 그래프이고, 도 6은 도 2의 전압 제어 발진기의 위상 잡음 특성을 나타낸 그래프이다.
도 5에 도시된 바와 같이 종래 전압 제어 발진기는 오프셋 1 ㎑에서 -73.39 ㏈c, 오프셋 10 ㎑에서 -93.39 ㏈c, 오프셋 100 ㎑에서 -73.39 ㏈c의 위상 잡음 특성을 나타내며, 도 6에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 전압 제어 발진기는 오프셋 1 ㎑에서 -91.84 ㏈c, 오프셋 10 ㎑에서 -111.8 ㏈c, 오프셋 100 ㎑에서 -131.8 ㏈c의 위상 잡음 특성을 나타내어 종래 전압 제어 발진기보다 우수한 특성을 나타낸다.
도 7은 도 2의 전압 제어 발진기의 동조 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전압 제어 발진기는 주파수 8.8 ㎓를 중심으로 25 ㎒의 동조 대역폭에서 ±0.4의 평탄도(Flatness)의 결과를 나타낸다. 즉, 도 2의 주파수 동조부(220)에 의한 전압 제어 발진기의 동조 주파수는 평탄도 특성이 우수하다.
도 8은 도 2의 전압 제어 발진기의 부성 저항 변화량을 나타낸 일실시예 그래프이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 도 2의 전압 제어 발진기는 바랙터 다이오드(242) 의 캐패시턴스 값의 변화에 따라 소드 단의 전기적 길이가 변하여 부성 저항 값이 변한다. 도 8의 그래프에서 m1 부분이 부성 저항 값의 변화량을 나타낸다.
상기와 같은 본 발명은, 인터디지털 캐패시턴스와 바랙터 다이오드의 결합을 통해 전기적으로 부성 저항 값을 미세 조정함으로써 품질 계수의 저하없이 발진 주파수를 변화시킬 수 있다. 따라서, 본 발명은 전압 제어 발진기가 MMIC로 제작된 후에도 물리적 조정이 가능한 효과가 있다.
또한, 본 발명은 능동 소자의 소스 단에 커플드 라인과 바랙터 다이오드를 위치시켜 바이어스 전압에 따른 주파수 동조를 원활히 할 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 능동 소자를 포함하는 전압 제어 발진기에 있어서,
    공진 용량에 의한 발진 주파수를 생성하기 위한 공진 수단;
    상기 능동 소자의 소스(source) 단에 연결되고 품질 계수의 저하를 최소화하기 위해 커플링 선로 및 바랙터 다이오드를 포함하여 상기 소스 단의 공진 용량을 변화시켜 상기 발진 주파수를 동조시키기 위한 주파수 동조 수단; 및
    인터디지털 캐패시턴스를 포함하고, 상기 주파수 동조부와 결합하여 상기 발진 주파수를 조절하기 위한 부성 저항을 생성하며, 상기 부성 저항을 전기적으로 미세 조정하기 위한 바랙터 다이오드를 포함하는 부성 저항 조정 수단
    을 포함하는 전압 제어 발진기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발진 주파수 성분을 대역 통과 필터링하고 DC 성분을 제거하여 원하는 발진 주파수 성분을 출력하기 위한 출력 정합 수단
    을 더 포함하는 전압 제어 발진기.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 부성 저항 조정 수단은,
    상기 바랙터 다이오드의 캐패시턴스 값의 변화에 따라 상기 소스 단의 전기적 길이를 가변하여 부성 저항 값을 조정하는
    전압 제어 발진기.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 공진 수단은,
    동축형 공진기(Coaxial Resonator), 헤어-핀 공진기(Hair-Pin Resonator), 유전체 공진기(Dielectric Resonator) 중 어느 하나를 사용하는
    전압 제어 발진기.
KR1020040079768A 2004-10-07 2004-10-07 부성 저항의 미세 조정이 가능한 전압 제어 발진기 KR100691284B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040079768A KR100691284B1 (ko) 2004-10-07 2004-10-07 부성 저항의 미세 조정이 가능한 전압 제어 발진기

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040079768A KR100691284B1 (ko) 2004-10-07 2004-10-07 부성 저항의 미세 조정이 가능한 전압 제어 발진기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060030932A KR20060030932A (ko) 2006-04-12
KR100691284B1 true KR100691284B1 (ko) 2007-03-12

Family

ID=37140790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040079768A KR100691284B1 (ko) 2004-10-07 2004-10-07 부성 저항의 미세 조정이 가능한 전압 제어 발진기

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100691284B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100874772B1 (ko) 2007-10-24 2008-12-19 한국정보통신대학교 산학협력단 스위치, 부성 저항부 및 이를 이용하는 차동 전압 제어발진기

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04354405A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電圧制御型発振器
JPH05259737A (ja) * 1992-03-16 1993-10-08 Tokimec Inc 誘電体発振器
US5550520A (en) 1995-04-11 1996-08-27 Trw Inc. Monolithic HBT active tuneable band-pass filter
JPH1093348A (ja) * 1996-09-13 1998-04-10 Denso Corp 電圧制御発振器
JP2001105082A (ja) * 1999-10-07 2001-04-17 Toyota Motor Corp 鍛造装置および鍛造方法
KR20040000930A (ko) * 2002-06-26 2004-01-07 주식회사 아모텍 부성 저항 능동 공진기 및 이를 이용한 고주파용 능동여파기

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04354405A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電圧制御型発振器
JPH05259737A (ja) * 1992-03-16 1993-10-08 Tokimec Inc 誘電体発振器
US5550520A (en) 1995-04-11 1996-08-27 Trw Inc. Monolithic HBT active tuneable band-pass filter
JPH1093348A (ja) * 1996-09-13 1998-04-10 Denso Corp 電圧制御発振器
JP2001105082A (ja) * 1999-10-07 2001-04-17 Toyota Motor Corp 鍛造装置および鍛造方法
KR20040000930A (ko) * 2002-06-26 2004-01-07 주식회사 아모텍 부성 저항 능동 공진기 및 이를 이용한 고주파용 능동여파기

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
공개특허 제2001-105082호 *
일본공개특허 평10-093348호 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060030932A (ko) 2006-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4666564B2 (ja) チューナブル電圧制御型発振器
US7449980B2 (en) Discrete voltage tunable resonator made of dielectric material
Tseng et al. Design of low phase-noise microwave oscillator and wideband VCO based on microstrip combline bandpass filters
EP0738040B1 (en) Monolithic HBT active tuneable band-pass filter
US7330083B2 (en) Oscillator having voltage dividing circuit
Chang et al. Design of low phase-noise oscillator and voltage-controlled oscillator using microstrip trisection bandpass filter
JPH07273545A (ja) 電圧制御形発振器
Kourani et al. A ku-band oscillator utilizing overtone lithium niobate RF-MEMS resonator for 5G
CN112702038A (zh) 可调谐的固贴式体声波谐振器
Nick et al. A very low phase-noise voltage-controlled-oscillator at X-band
KR100691284B1 (ko) 부성 저항의 미세 조정이 가능한 전압 제어 발진기
KR20090077510A (ko) Vlsrr을 이용한 전압 제어 발진기
JP5971838B2 (ja) 圧電発振器
US5473287A (en) Electronic oscillator with transmission line tuning of phase noise and linearity
US7760038B2 (en) Voltage controlled oscillator capable of tuning negative resistance
JP3923263B2 (ja) 複合型水晶振動子及びこれを用いたオーバトーン水晶発振器
RU2696207C1 (ru) Перестраиваемый генератор со связанными микрополосковыми линиями
KR20070057609A (ko) 전기적 기본주파수 조정이 가능한 전압제어 발진기
KR100285307B1 (ko) 동축공진기를이용한lc발진회로를구비하는전압제어발진기
EP1898520B1 (en) Voltage controlled oscillator with lc resonator circuit
Kourani Lithium niobate RF-MEMS oscillators for IoT, 5G and beyond
Grebennikov The frequency tuning characteristics of transistor voltage‐controlled oscillators with distributed parameters
US20080309422A1 (en) Oscillator
CN117595793A (zh) 振荡器及锁相环
KR100638642B1 (ko) 결합전송선로를 이용한 유전체 공진기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110131

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111208

Year of fee payment: 20