JPH0434581Y2 - - Google Patents
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- JPH0434581Y2 JPH0434581Y2 JP4288487U JP4288487U JPH0434581Y2 JP H0434581 Y2 JPH0434581 Y2 JP H0434581Y2 JP 4288487 U JP4288487 U JP 4288487U JP 4288487 U JP4288487 U JP 4288487U JP H0434581 Y2 JPH0434581 Y2 JP H0434581Y2
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
- H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
- H03J5/244—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection using electronic means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J3/00—Continuous tuning
- H03J3/02—Details
- H03J3/16—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability
- H03J3/18—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance
- H03J3/185—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance with varactors, i.e. voltage variable reactive diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J7/00—Automatic frequency control; Automatic scanning over a band of frequencies
- H03J7/02—Automatic frequency control
- H03J7/04—Automatic frequency control where the frequency control is accomplished by varying the electrical characteristics of a non-mechanically adjustable element or where the nature of the frequency controlling element is not significant
- H03J7/08—Automatic frequency control where the frequency control is accomplished by varying the electrical characteristics of a non-mechanically adjustable element or where the nature of the frequency controlling element is not significant using varactors, i.e. voltage variable reactive diodes
Landscapes
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Television Receiver Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、複数のバンド用に複数の局部発振信
号を出力し、しかもそれぞれの局部発振信号が自
動微同調（以後AFTと称する）制御がなされる
局部発振器に関するものである。
号を出力し、しかもそれぞれの局部発振信号が自
動微同調（以後AFTと称する）制御がなされる
局部発振器に関するものである。
（従来の技術）
TVやVTR等の受信器のチユーナにおいて、
周囲温度や電源電圧および受信周波数とその信号
レベル等の変化にかかわらず安定した受信を行う
には、局部発振器の発振周波数が設定された値に
安定していなければならない。そこで、局部発振
器は一般的に発振周波数を微調整するための
AFT回路が備えられている。
周囲温度や電源電圧および受信周波数とその信号
レベル等の変化にかかわらず安定した受信を行う
には、局部発振器の発振周波数が設定された値に
安定していなければならない。そこで、局部発振
器は一般的に発振周波数を微調整するための
AFT回路が備えられている。
第４図は、受信器のチユーナ部と中間周波増幅
部のブロツク回路図である。アンテナ１で受信さ
れたTV信号がチユーナ部２の高周波増幅回路３
を介して混合回路４に与えられ、局部発振器５か
ら発振される局部発振信号と混合され、中間周波
信号に変換されて中間周波増幅部６の映像検波回
路７に与えられる。そして、この映像検波回路７
から中間周波信号のレベルに応じたAGC電圧が
高周波増幅回路３に与えられて利得制御がなされ
る。また、中間周波信号の周波数1が基準周波数
0からずれると、第５図のごときAFT電圧が局
部発振器５に与えられ、中間周波信号の周波数1
が基準周波数0に一致するよう発振周波数の微調
整がなされる。第５図において、±△ｆは基準周
波数0に対する中間周波信号の周波数1のずれで
あり、このずれに対応してAFT電圧がAFT中心
電圧V0（例えば6.5V）を中心として上下に変動す
る。
部のブロツク回路図である。アンテナ１で受信さ
れたTV信号がチユーナ部２の高周波増幅回路３
を介して混合回路４に与えられ、局部発振器５か
ら発振される局部発振信号と混合され、中間周波
信号に変換されて中間周波増幅部６の映像検波回
路７に与えられる。そして、この映像検波回路７
から中間周波信号のレベルに応じたAGC電圧が
高周波増幅回路３に与えられて利得制御がなされ
る。また、中間周波信号の周波数1が基準周波数
0からずれると、第５図のごときAFT電圧が局
部発振器５に与えられ、中間周波信号の周波数1
が基準周波数0に一致するよう発振周波数の微調
整がなされる。第５図において、±△ｆは基準周
波数0に対する中間周波信号の周波数1のずれで
あり、このずれに対応してAFT電圧がAFT中心
電圧V0（例えば6.5V）を中心として上下に変動す
る。
ここで、複数のバンド用に複数の局部発振信号
を出力するための従来の局部発振器の一例の回路
図を第６図に示す。第６図において、第１のバン
ドであるVHFバンド用の第１の選局用可変容量
ダイオード１０および第１のAFT用可変容量ダ
イオード１１が備えられ、第２のバンドである
UHFバンド用の第２の選局用可変容量ダイオー
ド１２および第２のAFT用可変容量ダイオード
１３が備えられる。そして、第１の選局用可変容
量ダイオード１０のアノードが接地され、カソー
ドが結合容量１４と１５を直列に介して図示しな
いVHF局部発振用トランジスタに接続される。
また、第１のAFT用可変容量ダイオード１１の
アノードが接地され、カソードが他の結合容量１
６を介して結合容量１４と１５の接続点に接続さ
れるとともに、別の結合容量１７を介してハイバ
ンドコイル１８とローバンドコイル１９の接続点
に接続される。このハイバンドコイル１８の他端
が、結合容量１４と１５の接続点に接続されると
ともに、結合容量２０を介して図示しないVHF
混合回路に接続される。さらに、ローバンドコイ
ル１９は他端が接地されるとともにバンド切換ス
イツチ２１が並列に接続される。
を出力するための従来の局部発振器の一例の回路
図を第６図に示す。第６図において、第１のバン
ドであるVHFバンド用の第１の選局用可変容量
ダイオード１０および第１のAFT用可変容量ダ
イオード１１が備えられ、第２のバンドである
UHFバンド用の第２の選局用可変容量ダイオー
ド１２および第２のAFT用可変容量ダイオード
１３が備えられる。そして、第１の選局用可変容
量ダイオード１０のアノードが接地され、カソー
ドが結合容量１４と１５を直列に介して図示しな
いVHF局部発振用トランジスタに接続される。
また、第１のAFT用可変容量ダイオード１１の
アノードが接地され、カソードが他の結合容量１
６を介して結合容量１４と１５の接続点に接続さ
れるとともに、別の結合容量１７を介してハイバ
ンドコイル１８とローバンドコイル１９の接続点
に接続される。このハイバンドコイル１８の他端
が、結合容量１４と１５の接続点に接続されると
ともに、結合容量２０を介して図示しないVHF
混合回路に接続される。さらに、ローバンドコイ
ル１９は他端が接地されるとともにバンド切換ス
イツチ２１が並列に接続される。
また、第２の選局用可変容量ダイオード１２の
アノードが接地され、カソードが共振線路２２の
一端に接続されるとともに補正容量２３を介して
接地される。そして、第２のAFT用可変容量ダ
イオード１３のアノードが接地され、カソードが
結合容量２４と２５を直列に介して図示しない
UHF局部発振用トランジスタに接続される。こ
の結合容量２４と２５の接続点が、共振線路２２
の他端に接続されるとともに同調容量２６を介し
て接地される。さらに、共振線路２２に電磁結合
する結合ループ２７の一端が接地され、他端が図
示しないUHF混合回路に接続される。
アノードが接地され、カソードが共振線路２２の
一端に接続されるとともに補正容量２３を介して
接地される。そして、第２のAFT用可変容量ダ
イオード１３のアノードが接地され、カソードが
結合容量２４と２５を直列に介して図示しない
UHF局部発振用トランジスタに接続される。こ
の結合容量２４と２５の接続点が、共振線路２２
の他端に接続されるとともに同調容量２６を介し
て接地される。さらに、共振線路２２に電磁結合
する結合ループ２７の一端が接地され、他端が図
示しないUHF混合回路に接続される。
そして、内部抵抗２８を有する選局制御電源２
９が、給電抵抗３０を介して第１の選局用可変容
量ダイオード１０のカソードに接続されるととも
に、給電抵抗３１を介して共振線路２２と同調容
量２６の接続点に接続される。また、内部抵抗３
２を有するAFT電源３３が、給電抵抗３４と３
５をそれぞれに介して第１と第２のAFT用可変
容量ダイオード１１と１３のカソードに接続され
るとともに、重畳用抵抗３６を介して第１の選局
用可変容量ダイオード１０のカソードに接続され
る。
９が、給電抵抗３０を介して第１の選局用可変容
量ダイオード１０のカソードに接続されるととも
に、給電抵抗３１を介して共振線路２２と同調容
量２６の接続点に接続される。また、内部抵抗３
２を有するAFT電源３３が、給電抵抗３４と３
５をそれぞれに介して第１と第２のAFT用可変
容量ダイオード１１と１３のカソードに接続され
るとともに、重畳用抵抗３６を介して第１の選局
用可変容量ダイオード１０のカソードに接続され
る。
ここで、例えば内部抵抗２８，３２および給電
抵抗３１，３４，３５は30KΩ、給電抵抗３０は
2KΩ、重畳用抵抗３６は2MΩにそれぞれ設定さ
れる。
抵抗３１，３４，３５は30KΩ、給電抵抗３０は
2KΩ、重畳用抵抗３６は2MΩにそれぞれ設定さ
れる。
第７図は、上記した第６図の回路図の直流電圧
に対する等価回路図である。第７図において、
AFT電源３３が内部抵抗３２と重畳用抵抗３６
と給電抵抗３０および内部抵抗２８を直列に順次
介して選局制御電源２９に接続される。そして、
内部抵抗３２と重畳用抵抗３６の接続点が給電抵
抗３４と第１のAFT用可変容量ダイオード１１
を直列に介して接地されるとともに、給電抵抗３
５と第２のAFT用可変容量ダイオード１３を直
列に介して接地される。また、重畳用抵抗３６と
給電抵抗３０の接続点が第１の選局用可変容量ダ
イオード１０を介して接地され、給電抵抗３０と
内部抵抗２８の接続点が給電抵抗３１と第２の選
局用可変容量ダイオード１２を直列に介して接地
される。
に対する等価回路図である。第７図において、
AFT電源３３が内部抵抗３２と重畳用抵抗３６
と給電抵抗３０および内部抵抗２８を直列に順次
介して選局制御電源２９に接続される。そして、
内部抵抗３２と重畳用抵抗３６の接続点が給電抵
抗３４と第１のAFT用可変容量ダイオード１１
を直列に介して接地されるとともに、給電抵抗３
５と第２のAFT用可変容量ダイオード１３を直
列に介して接地される。また、重畳用抵抗３６と
給電抵抗３０の接続点が第１の選局用可変容量ダ
イオード１０を介して接地され、給電抵抗３０と
内部抵抗２８の接続点が給電抵抗３１と第２の選
局用可変容量ダイオード１２を直列に介して接地
される。
かかる構成において、選局制御電源２９の選局
制御電圧とAFT電源３３のAFT電圧との差電圧
が、内部抵抗３２と重畳用抵抗３６と給電抵抗３
０および内部抵抗２８によつて分圧され、この差
電圧の分圧電圧がAFT電圧および選局制御電圧
に重畳されて第１と第２の選局用可変容量ダイオ
ード１０，１２および第１と第２のAFT用可変
容量ダイオード１１，１３に与えられる。なお、
重畳用抵抗３６が、給電抵抗３０および内部抵抗
２８，３２に比較して高抵抗値であり、AFT電
圧および選局制御電圧に重畳される差電圧の分圧
された電圧は僅かなものである。
制御電圧とAFT電源３３のAFT電圧との差電圧
が、内部抵抗３２と重畳用抵抗３６と給電抵抗３
０および内部抵抗２８によつて分圧され、この差
電圧の分圧電圧がAFT電圧および選局制御電圧
に重畳されて第１と第２の選局用可変容量ダイオ
ード１０，１２および第１と第２のAFT用可変
容量ダイオード１１，１３に与えられる。なお、
重畳用抵抗３６が、給電抵抗３０および内部抵抗
２８，３２に比較して高抵抗値であり、AFT電
圧および選局制御電圧に重畳される差電圧の分圧
された電圧は僅かなものである。
ところで、第１と第２の選局用可変容量ダイオ
ード１０，１２に対して、選局制御電圧にAFT
電圧との差電圧に応じた電圧を重畳して与えるの
は、以下の理由からである。第１と第２のAFT
用可変容量ダイオード１１，１３は、それぞれに
小容量の結合容量１４，２４が直列接続されて合
成容量が第１と第２の選局用可変容量ダイオード
１０，１２より充分に小さなものとされ、共振回
路の合成容量の最小容量が小さくなるようにして
高い周波数まで発振できるように形成される。こ
のために、第１と第２のAFT用可変容量ダイオ
ード１１，１３の容量変化による共振回路の合成
容量の変化が小さく、充分なAFT制御が得られ
ない。そこで、AFT電圧と選局制御電圧の差電
圧に応じた電圧を第１と第２の選局用可変容量ダ
イオード１０，１２に与え、AFT電圧に応じて
第１と第２の選局用可変容量ダイオード１０，１
２の容量をも調整して充分なAFT制御が得られ
るよう構成される。
ード１０，１２に対して、選局制御電圧にAFT
電圧との差電圧に応じた電圧を重畳して与えるの
は、以下の理由からである。第１と第２のAFT
用可変容量ダイオード１１，１３は、それぞれに
小容量の結合容量１４，２４が直列接続されて合
成容量が第１と第２の選局用可変容量ダイオード
１０，１２より充分に小さなものとされ、共振回
路の合成容量の最小容量が小さくなるようにして
高い周波数まで発振できるように形成される。こ
のために、第１と第２のAFT用可変容量ダイオ
ード１１，１３の容量変化による共振回路の合成
容量の変化が小さく、充分なAFT制御が得られ
ない。そこで、AFT電圧と選局制御電圧の差電
圧に応じた電圧を第１と第２の選局用可変容量ダ
イオード１０，１２に与え、AFT電圧に応じて
第１と第２の選局用可変容量ダイオード１０，１
２の容量をも調整して充分なAFT制御が得られ
るよう構成される。
（考案が解決しようとする問題点）
上記した従来の局部発振器にあつては、充分な
AFT制御が得られるものの、局部発振信号の周
波数に応じてAFT制御による周波数可変範囲が
大幅に変化するという不具合を生じる。これは、
高い周波数の局部発振信号を出力させるべく選局
制御電圧が高く設定されると、第１と第２の選局
用可変容量ダイオード１０，１２の△Ｃ／△Ｖ
（△Ｃは容量の変化分であり、△Ｖは与えられる
電圧の変化分である。）が小さいために、AFT電
圧が変化しても、第１と第２の選局用可変容量ダ
イオード１０，１２の容量変化が小さいためであ
る。
AFT制御が得られるものの、局部発振信号の周
波数に応じてAFT制御による周波数可変範囲が
大幅に変化するという不具合を生じる。これは、
高い周波数の局部発振信号を出力させるべく選局
制御電圧が高く設定されると、第１と第２の選局
用可変容量ダイオード１０，１２の△Ｃ／△Ｖ
（△Ｃは容量の変化分であり、△Ｖは与えられる
電圧の変化分である。）が小さいために、AFT電
圧が変化しても、第１と第２の選局用可変容量ダ
イオード１０，１２の容量変化が小さいためであ
る。
また、選局制御電圧が高く設定されたさいは、
AFT電圧との差電圧により、第１と第２の選局
用可変容量ダイオード１０，１２に与えられる電
圧は選局制御電圧より低くなる。このために、そ
れだけ局部発振信号の周波数が低くなり、周波数
の変化範囲が狭くなるという不具合を生じる。
AFT電圧との差電圧により、第１と第２の選局
用可変容量ダイオード１０，１２に与えられる電
圧は選局制御電圧より低くなる。このために、そ
れだけ局部発振信号の周波数が低くなり、周波数
の変化範囲が狭くなるという不具合を生じる。
そこで、本考案者は上記の従来の局部発振器の
不具合を改善するものとして、第８図および第９
図に示す局部発振器を提案している。第８図は、
改善された局部発振器の回路図であり、第９図
は、第８図の直流電圧に対する等価回路図であ
る。第８図および第９図において、第６図および
第７図と同一回路素子には同一符号を付けて重複
する説明を省略する。
不具合を改善するものとして、第８図および第９
図に示す局部発振器を提案している。第８図は、
改善された局部発振器の回路図であり、第９図
は、第８図の直流電圧に対する等価回路図であ
る。第８図および第９図において、第６図および
第７図と同一回路素子には同一符号を付けて重複
する説明を省略する。
第８図において、第６図と相違するところは、
重畳用抵抗３６と第１の選局用可変容量ダイオー
ド１０との間に、スイツチ用ダイオード４０をア
ノードが重畳用抵抗３６に接続されカソードが第
１の選局用可変容量ダイオード１０のカソードに
接続されて介装されたことにある。
重畳用抵抗３６と第１の選局用可変容量ダイオー
ド１０との間に、スイツチ用ダイオード４０をア
ノードが重畳用抵抗３６に接続されカソードが第
１の選局用可変容量ダイオード１０のカソードに
接続されて介装されたことにある。
そこで、第９図において、AFT電源３３が内
部抵抗３２と重畳用抵抗３６と順方向のスイツチ
用ダイオード４０と給電抵抗３０および内部抵抗
２８を直列に順次介して選局制御電源２９に接続
される。そして、スイツチ用ダイオード４０のカ
ソードと給電抵抗３０の接続点が第１の選局用可
変容量ダイオード１０を介して接地される。
部抵抗３２と重畳用抵抗３６と順方向のスイツチ
用ダイオード４０と給電抵抗３０および内部抵抗
２８を直列に順次介して選局制御電源２９に接続
される。そして、スイツチ用ダイオード４０のカ
ソードと給電抵抗３０の接続点が第１の選局用可
変容量ダイオード１０を介して接地される。
かかる構成において、選局制御電圧がAFT電
圧−0.7V（ここで0.7Vはスイツチ用ダイオード４
０の順方向降下電圧の一例である。）より高い電
圧に設定されれば、スイツチ用ダイオード３０は
非導通となり、第１と第２の選局用可変容量ダイ
オード１０，１２には選局制御電圧がそのまま与
えられ、AFT電圧による影響を受けない。この
ため、局部発振信号の最高周波数が従来より低い
選局制御電圧で得られる。さらに、AFT電圧に
よつて第１と第２のAFT用可変容量ダイオード
１１，１３のみが制御されるため、局部発振信号
の周波数変化に対してAFT制御による周波数変
化範囲の急激な変化は生じない。
圧−0.7V（ここで0.7Vはスイツチ用ダイオード４
０の順方向降下電圧の一例である。）より高い電
圧に設定されれば、スイツチ用ダイオード３０は
非導通となり、第１と第２の選局用可変容量ダイ
オード１０，１２には選局制御電圧がそのまま与
えられ、AFT電圧による影響を受けない。この
ため、局部発振信号の最高周波数が従来より低い
選局制御電圧で得られる。さらに、AFT電圧に
よつて第１と第２のAFT用可変容量ダイオード
１１，１３のみが制御されるため、局部発振信号
の周波数変化に対してAFT制御による周波数変
化範囲の急激な変化は生じない。
また、選局制御電圧がAFT電圧−0.7Vより低
い電圧に設定されれば、スイツチ用ダイオード４
０は導通し、従来の局部発振器と同様にAFT電
圧と選局制御電圧の差電圧に応じた電圧が選局制
御電圧に重畳され、AFT制御による周波数可変
範囲が拡大される。
い電圧に設定されれば、スイツチ用ダイオード４
０は導通し、従来の局部発振器と同様にAFT電
圧と選局制御電圧の差電圧に応じた電圧が選局制
御電圧に重畳され、AFT制御による周波数可変
範囲が拡大される。
ところで、AFT電圧と選局制御電圧の差電圧
に応じて選局制御電圧に重畳される電圧は、重畳
用抵抗３６と給電抵抗３０および内部抵抗２８，
３２によつて定められる。そして、重畳用抵抗３
６が第１のバンドであるVHFバンドに好適な値
に設定される。このために、第２のバンドである
UHFバンドにおける低い周波数の局部発振信号
においてAFT制御による周波数変化範囲が広す
ぎるという不具を生じる。
に応じて選局制御電圧に重畳される電圧は、重畳
用抵抗３６と給電抵抗３０および内部抵抗２８，
３２によつて定められる。そして、重畳用抵抗３
６が第１のバンドであるVHFバンドに好適な値
に設定される。このために、第２のバンドである
UHFバンドにおける低い周波数の局部発振信号
においてAFT制御による周波数変化範囲が広す
ぎるという不具を生じる。
本考案の目的は、上記した本考案者が提案する
局部発振器をより一層改善するためになされたも
ので、AFT制御による周波数可変範囲をバンド
毎に独立して調整できるようにした局部発振器を
提供することにある。
局部発振器をより一層改善するためになされたも
ので、AFT制御による周波数可変範囲をバンド
毎に独立して調整できるようにした局部発振器を
提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
かかる目的を達成するために、本考案の局部発
振器は、第１のバンド用の第１の選局用可変容量
ダイオードおよび第１の自動微同調制御用可変容
量ダイオードと、第２のバンド用の第２の選局用
可変容量ダイオードおよび第２の自動微同調制御
用可変容量ダイオードを備え、選局制御電圧を前
記第１と第２の選局用可変容量ダイオードに与
え、自動微同調制御電圧を前記第１の自動微同調
制御用可変容量ダイオードに与えるとともに、重
畳用抵抗と順方向のスイツチ用ダイオードを直列
に順次に介して前記第１の選局用可変容量ダイオ
ードに与え、前記重畳用抵抗と前記スイツチ用ダ
イオードの接続点の電圧を前記第２の自動微同調
制御用可変容量ダイオードに与えるように構成さ
れている。
振器は、第１のバンド用の第１の選局用可変容量
ダイオードおよび第１の自動微同調制御用可変容
量ダイオードと、第２のバンド用の第２の選局用
可変容量ダイオードおよび第２の自動微同調制御
用可変容量ダイオードを備え、選局制御電圧を前
記第１と第２の選局用可変容量ダイオードに与
え、自動微同調制御電圧を前記第１の自動微同調
制御用可変容量ダイオードに与えるとともに、重
畳用抵抗と順方向のスイツチ用ダイオードを直列
に順次に介して前記第１の選局用可変容量ダイオ
ードに与え、前記重畳用抵抗と前記スイツチ用ダ
イオードの接続点の電圧を前記第２の自動微同調
制御用可変容量ダイオードに与えるように構成さ
れている。
（作用）
選局制御電圧が高く設定されたさいは、スイツ
チ用ダイオードが非導通となつて第１と第２の選
局用可変容量ダイオードはAFT電圧の影響を受
けない。そして、選局制御電圧が低く設定された
さいは、スイツチ用ダイオードが導通となつて、
AFT電圧の変化により第１と第２のAFT用可変
容量ダイオードの容量が変化するとともに第１と
第２の選局用可変容量ダイオードの容量が変化し
てAFT制御による周波数可変範囲が拡大される
が、第２のAFT用可変容量ダイオードは重畳用
抵抗を介してAFT電圧が与えられているので
AFT電圧の変動による影響が小さく、第２のバ
ンドにおけるAFT制御による周波数可変範囲の
拡大が抑制される。
チ用ダイオードが非導通となつて第１と第２の選
局用可変容量ダイオードはAFT電圧の影響を受
けない。そして、選局制御電圧が低く設定された
さいは、スイツチ用ダイオードが導通となつて、
AFT電圧の変化により第１と第２のAFT用可変
容量ダイオードの容量が変化するとともに第１と
第２の選局用可変容量ダイオードの容量が変化し
てAFT制御による周波数可変範囲が拡大される
が、第２のAFT用可変容量ダイオードは重畳用
抵抗を介してAFT電圧が与えられているので
AFT電圧の変動による影響が小さく、第２のバ
ンドにおけるAFT制御による周波数可変範囲の
拡大が抑制される。
（実施例）
以下、本考案の実施例を第１図ないし第３図を
参照して説明する。第１図は、本考案の局部発振
器の一実施例の回路図であり、第２図は、第１図
の直流電圧に対する等価回路図であり、第３図
は、第１図のUHFバンドにおける局部発振信号
の周波数に対するAFT制御による周波数可変範
囲を示す特性図である。第１図および第２図にお
いて、第８図および第９図と同一回路素子には同
一符号を付けて重複する説明を省略する。
参照して説明する。第１図は、本考案の局部発振
器の一実施例の回路図であり、第２図は、第１図
の直流電圧に対する等価回路図であり、第３図
は、第１図のUHFバンドにおける局部発振信号
の周波数に対するAFT制御による周波数可変範
囲を示す特性図である。第１図および第２図にお
いて、第８図および第９図と同一回路素子には同
一符号を付けて重複する説明を省略する。
第１図において、第８図と相違するところは、
AFT電源３３が給電抵抗３５を介して第２の
AFT用可変容量ダイオード１３のカソードに接
続されずに、重畳用抵抗３６とスイツチ用ダイオ
ード４０の接続点が給電抵抗３５を介して第２の
AFT用可変容量ダイオード１３のカソードに接
続されたことにある。
AFT電源３３が給電抵抗３５を介して第２の
AFT用可変容量ダイオード１３のカソードに接
続されずに、重畳用抵抗３６とスイツチ用ダイオ
ード４０の接続点が給電抵抗３５を介して第２の
AFT用可変容量ダイオード１３のカソードに接
続されたことにある。
そこで、第２図において、重畳用抵抗３６とス
イツチ用ダイオード４０の接続点が給電抵抗３５
と第２のAFT用可変容量ダイオード１３を直列
に介して接地される。
イツチ用ダイオード４０の接続点が給電抵抗３５
と第２のAFT用可変容量ダイオード１３を直列
に介して接地される。
かかる構成において、選局制御電圧がAFT電
圧−0.7Vより低い電圧に設定されてスイツチ用
ダイオード４０が導通すると、AFT電圧と選局
制御電圧との差電圧が、内部抵抗３２と重畳用抵
抗３６と給電抵抗３０および内部抵抗２８によつ
て分圧されるが、重畳用抵抗３６の抵抗値が大き
いために、AFT電圧の変化により第１のAFT用
可変容量ダイオード１１に与えられる電圧は大き
く変化するのに対して、第２のAFT用可変容量
ダイオード１３に与えられる電圧は変化が小さ
い。このために、第２のAFT用可変容量ダイオ
ード１３の容量変化による周波数可変範囲が狭い
ものとなる。
圧−0.7Vより低い電圧に設定されてスイツチ用
ダイオード４０が導通すると、AFT電圧と選局
制御電圧との差電圧が、内部抵抗３２と重畳用抵
抗３６と給電抵抗３０および内部抵抗２８によつ
て分圧されるが、重畳用抵抗３６の抵抗値が大き
いために、AFT電圧の変化により第１のAFT用
可変容量ダイオード１１に与えられる電圧は大き
く変化するのに対して、第２のAFT用可変容量
ダイオード１３に与えられる電圧は変化が小さ
い。このために、第２のAFT用可変容量ダイオ
ード１３の容量変化による周波数可変範囲が狭い
ものとなる。
この結果、第２のバンドであるUHFバンドに
おいて、第３図に実線で示すごとく、局部発振信
号の周波数変化に対してAFT制御による周波数
可変範囲がほぼ一定となる。なお、第３図におけ
る破線は、第８図に示す局部発振器の特性を示
す。
おいて、第３図に実線で示すごとく、局部発振信
号の周波数変化に対してAFT制御による周波数
可変範囲がほぼ一定となる。なお、第３図におけ
る破線は、第８図に示す局部発振器の特性を示
す。
（考案の効果）
以上説明したように、本考案の局部発振器によ
れば、第１と第２のAFT用可変容量ダイオード
に与える電圧を相違させることで、AFT制御に
よる周波数可変範囲をバンド毎に独立して調整す
ることができ、第１と第２のバンドのいずれも局
部発振信号の周波数変化に対するAFT制御によ
る周波数可変範囲をほぼ一定にすることができる
という優れた効果を奏する。
れば、第１と第２のAFT用可変容量ダイオード
に与える電圧を相違させることで、AFT制御に
よる周波数可変範囲をバンド毎に独立して調整す
ることができ、第１と第２のバンドのいずれも局
部発振信号の周波数変化に対するAFT制御によ
る周波数可変範囲をほぼ一定にすることができる
という優れた効果を奏する。
第１図は、本考案の局部発振器の一実施例の回
路図であり、第２図は、第１図の直流電圧に対す
る等価回路図であり、第３図は、第１図のUHF
バンドにおける局部発振信号の周波数に対する
AFT制御による周波数可変範囲を示す特性図で
あり、第４図は、受信器のチユーナ部と中間周波
増幅部のブロツク回路図であり、第５図は、中間
周波信号の周波数の基準周波数からのずれに対す
るAFT電圧の出力特性図であり、第６図は、従
来の局部発振器の一例の回路図であり、第７図
は、第６図の直流電圧に対する等価回路図であ
り、第８図は、本考案者が提案する局部発振器の
回路図であり、第９図は、第８図の直流電圧に対
する等価回路図である。 １０……第１の選局用可変容量ダイオード、１
１……第１のAFT用可変容量ダイオード、１２
……第２の選局用可変容量ダイオード、１３……
第２のAFT用可変容量ダイオード、２９……選
局制御電源、３３……AFT電源、３６……重畳
用抵抗、４０……スイツチ用ダイオード。
路図であり、第２図は、第１図の直流電圧に対す
る等価回路図であり、第３図は、第１図のUHF
バンドにおける局部発振信号の周波数に対する
AFT制御による周波数可変範囲を示す特性図で
あり、第４図は、受信器のチユーナ部と中間周波
増幅部のブロツク回路図であり、第５図は、中間
周波信号の周波数の基準周波数からのずれに対す
るAFT電圧の出力特性図であり、第６図は、従
来の局部発振器の一例の回路図であり、第７図
は、第６図の直流電圧に対する等価回路図であ
り、第８図は、本考案者が提案する局部発振器の
回路図であり、第９図は、第８図の直流電圧に対
する等価回路図である。 １０……第１の選局用可変容量ダイオード、１
１……第１のAFT用可変容量ダイオード、１２
……第２の選局用可変容量ダイオード、１３……
第２のAFT用可変容量ダイオード、２９……選
局制御電源、３３……AFT電源、３６……重畳
用抵抗、４０……スイツチ用ダイオード。
Claims (1)
- 第１のバンド用の第１の選局用可変容量ダイオ
ードおよび第１の自動微同調制御用可変容量ダイ
オードと、第２のバンド用の第２の選局用可変容
量ダイオードおよび第２の自動微同調制御用可変
容量ダイオードを備え、選局制御電圧を前記第１
と第２の選局用可変容量ダイオードに与え、自動
微同調制御電圧を前記第１の自動微同調制御用可
変容量ダイオードに与えるとともに、重畳用抵抗
と順方向のスイツチ用ダイオードを直列に順次に
介して前記第１の選局用可変容量ダイオードに与
え、前記重畳用抵抗と前記スイツチ用ダイオード
の接続点の電圧を前記第２の自動微同調制御用可
変容量ダイオードに与えることを特徴とする局部
発振器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4288487U JPH0434581Y2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | |
| GB8806714A GB2203006B (en) | 1987-03-24 | 1988-03-21 | Local oscillators |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4288487U JPH0434581Y2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63149632U JPS63149632U (ja) | 1988-10-03 |
| JPH0434581Y2 true JPH0434581Y2 (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=12648465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4288487U Expired JPH0434581Y2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0434581Y2 (ja) |
| GB (1) | GB2203006B (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0644185Y2 (ja) * | 1988-02-10 | 1994-11-14 | アルプス電気株式会社 | 電子同調チューナにおける局部発振回路 |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP4288487U patent/JPH0434581Y2/ja not_active Expired
-
1988
- 1988-03-21 GB GB8806714A patent/GB2203006B/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2203006A (en) | 1988-10-05 |
| GB2203006B (en) | 1991-06-19 |
| JPS63149632U (ja) | 1988-10-03 |
| GB8806714D0 (en) | 1988-04-20 |
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