JPS6327453Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、例えばCATV（共同聴視テレビ）の
チユーナの局部発振回路に適用して好適な発振回
路に関する。

背景技術とその問題点 近年、各国共にCATVの普及が急増しており、
CATVの受信周波数範囲も毎年拡大の方向にあ
る。これに伴いCATVチユーナも広帯域受信の
要請が強く、新たな回路方式が必要となつて来て
いる。特に、局部発振回路として広帯域で安定な
発振出力を得ることができる回路が望まれてい
る。

第１図は、従来一般のチユーナの局部発振回路
の例を示すものである。この例はnpn形トランジ
スタ１よりなるベース接地型発振回路よりなるも
のであり、トランジスタ１のエミツタとベース間
には帰還用のコンデンサ２が接続されている。端
子３には正の直流電圧＋Ｂが供給される。この端
子３と接地間には抵抗器４及び５の直列回路が接
続され、この抵抗器４及び５の接続点よりトラン
ジスタ１のベースにバイアスが与えられている。
また、端子６には、同調電圧発生回路（図示せ
ず）より同調電圧V_Cが供給され、この同調電圧
V_Cに応じて可変容量ダイオード７の容量が変え
られ、発振周波数が変えられるようになされてい
る。また、端子８には、ローバンド・ハイバンド
切換電圧が供給され、ハイバンド時にはダイオー
ド９が導通とされ、コイル１０及び１１の接続点
が交流的に接地されるようになされている。ま
た、１２は発振出力が得られる出力端子であり、
この発振出力は混合回路（図示せず）に供給され
る。

このような局部発振回路においては、帰還用の
コンデンサ２が固定であるために、広帯域に亘つ
て安定した発振出力を得ることは困難で、その発
振周波数範囲には限界があつた。

そこで従来、帰還容量を、例えばバラクターダ
イオードを用いて周波数と共に変化するように
し、広帯域で安定した発振出力を得ることができ
るようにしたものが提案されている。しかし、こ
れは安定した発振出力が得られる周波数範囲は拡
大するが、発振出力のレベルの均一化が困難であ
つた。

また、安定した発振回路を複数個用意し、これ
を切換えて使用することで、広帯域に亘つて安定
した発振出力を得ることが提案されているが、コ
スト高となる不都合があつた。

考案の目的 本考案は斯る点に鑑み、広帯域に亘つて安定
で、しかもレベルの均一な発振出力を得ることが
できるようにしたものである。

考案の概要 本考案は、トランジスタ１のコレクタと接地と
の間に、同調電圧によつて容量が変えられる可変
容量ダイオード７と、高周波帯と低周波帯とでイ
ンダクタンスが切換えられる並列共振コイル１
０，１１とが接続され、このトランジスタ１のベ
ースとエミツタとの間に第１のコンデンサ２が接
続され、第１の端子１３ａとベースとの間に第１
の抵抗器１４及びスイツチング素子１５の直列回
路が接続され、この第１の抵抗器１４及びスイツ
チング素子１５の接続点とエミツタとの間に第２
のコンデンサ１６が接続され、第２の端子１３ｂ
とベースとの間に第２の抵抗器１７が接続され、
ベースと接地間に第３の抵抗器５が接続され、高
周波帯に含まれる高周波を発振させるときには第
２の端子１３ｂにインダクタンス切換と同時に切
換えられるスイツチング手段１３により所定電圧
を供給してスイツチング素子１５を遮断させ、帰
還容量を第１のコンデンサ２で決定すると共に、
ベースに所定電圧が第２の抵抗器１７と第３の抵
抗器５で分圧された第１のバイアスを与え、一方
低周波帯に含まれる低周波を発振させるときに
は、スイツチング手段１３により第１の端子１３
ａに所定電圧を供給してスイツチング素子１５を
導通させ、帰還容量を第１及び第２のコンデンサ
２及び１６の並列回路で決定すると共に、ベース
に所定電圧が第１の抵抗器１４と第３の抵抗器５
で分圧された第１のバイアスより低い第２のバイ
アスを与えるようにしたものである。

本考案はこのように構成され、高周波を発振さ
せるときは、帰還容量が小とされると共にトラン
ジスタの入力電極のバイアスが高くされ、低周波
を発振させるときは、帰還容量が大とされると共
にトランジスタの入力電極のバイアスが低くさ
れ、夫々最適化されるので、広帯域に亘つて安定
で、しかもレベルの均一な発振出力を得ることが
できる。

実施例 以下、第２図を参照しながら本考案の一実施例
について説明しよう。この第２図において第１図
と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説
明は省略する。

この第２図において、切換スイツチ１３の一方
の固定端子１３ａは、抵抗器１４及びスイツチン
グ素子を構成するダイオード１５の直列回路を介
してトランジスタ１のベースに接続され、この抵
抗器１４及びダイオード１５の接続点はコンデン
サ１６を介してトランジスタ１のエミツタに接続
される。また、切換スイツチ１３の他方の固定端
子１３ｂは、抵抗器１７を介してトランジスタ１
のベースに接続される。また、切換スイツチ１３
の可動端子１３ｃは電源端子３に接続される。

切換スイツチ１３の切換は、ローバンド・ハイ
バンド切換と連動して行なわれる。ローバンド及
びハイバンドに切換えるとき、夫々その可動端子
１３ｃは一方の固定端子１３ａ及び他方の固定端
子１３ｂに接続されるように切換えられる。そし
て、ハイバンドに切換えられた時、ダイオード１
５は導通されず、帰還容量はコンデンサ２で決定
される。また、トランジスタ１のベースバイアス
は抵抗器５及び１７で決定され、トランジスタ１
が最適動作するように決定される。一方、ローバ
ンドに切換えられた時、ダイオード１５は導通さ
れ、コンデンサ１６がコンデンサ２に並列に入
り、帰還容量はこれらコンデンサ１６及び２の並
列回路で決定され増加される。また、トランジス
タ１のベースバイアスは抵抗器５及び１４で決定
される。この場合、帰還容量が増加されること
で、発振出力のレベルがハイバンドに切換えられ
た時に比べ増大される方向に働く。そこで、トラ
ンジスタ１のベースバイアスは、ハイバンドに切
換えられた時に比べ低くされ、発振出力のレベル
がハイバンドに切換えられた時と均一となるよう
に、トランジスタ１の電流を制御するように決定
される。

その他は第１図例と同様に構成される。

本例は以上のように構成され、コイル１１が短
絡され、ハイバンドに切換えられた時には、ダイ
オード１５は導通されず、帰還容量はコンデンサ
２で決定される。そして、トランジスタ１のベー
スバイアスは抵抗器５及び１７で決定され、トラ
ンジスタ１は最適動作をするようにされる。従つ
て、端子６に供給される同調電圧V_Cを順次変化
させることで、出力端子１２にはハイバンドの安
定した発振出力が得られる。一方、コイル１１が
短絡されず、ローバンドに切換えられた時には、
ダイオード１５は導通され、コンデンサ１６がコ
ンデンサ２に並列に入り、帰還容量はコンデンサ
２及び１６の並列回路で決定され増加される。従
つて、端子６に供給される同調電圧V_Cを順次変
化させることで、出力端子１２には低周波数領域
まで安定した発振出力を得ることができる。そし
てこの時、トランジスタ１のベースバイアスは抵
抗器５及び１４で決定され、ハイバンドに切換え
られた時に比べ低くされ、発振出力のレベルは、
ハイバンドに切換えられた時と均一レベルとされ
る。

このように、本例によればバンド切換に応じ
て、切換スイツチ１３によつて帰還容量とトラン
ジスタ１のベースバイアスが最適化されるので、
広帯域に亘つて安定で、しかも均一レベルの発振
出力を得ることができる。

次に第３図は本考案の他の実施例を示すもので
あり、第２図と対応する部分には同一符号を付し
て示す。

この第３図例においては、切換スイツチ１３の
一方の固定端子１３ａはダイオード１５及び抵抗
器１４の直列回路を介してトランジスタ１のベー
スに接続され、このダイオード１５及び抵抗器４
の接続点はコンデンサ１６を介してトランジスタ
１のエミツタに接続される。また、一方の固定端
子１３ａ及びダイオード１５の接続点はコンデン
サ１８を介して接地される。

その他は第２図例と同様に構成される。

この第３図例は第２図例に比べ抵抗器１４及び
ダイオード１５の接続位置が変えられたもので、
その動作は同じである。従つて、この第３図例も
第２図例と同様の作用効果を得ることができる。

考案の効果 以上述べた実施例からも明らかなように本考案
による発振回路は、高周波を発振させるときは、
帰還容量が小とされると共にトランジスタの入力
電極のバイアスが高くされ、低周波を発振させる
ときは、帰還容量が大とされると共にトランジス
タの入力電極のバイアスが低くされ、夫々最適化
されるので、広帯域に亘つて安定で、しかもレベ
ルの均一な発振出力を得ることができる。従つ
て、CATVのチユーナの局部発振回路に適用し
て好適なものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の発振回路の例を示す接続図、第
２図は本考案の一実施例を示す接続図、第３図は
本考案の他の実施例を示す接続図である。 １はトランジスタ、２及び１６は夫々帰還容量
を構成するコンデンサ、５，１４及び１７は夫々
バイアス設定用の抵抗器、１５はスイツチング素
子を構成するダイオードである。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. トランジスタのコレクタと接地との間に、同調
   電圧によつて容量が変えられる可変容量ダイオー
   ドと、高周波帯と低周波帯とでインダクタンスが
   切換えられる並列共振コイルとが接続され、この
   トランジスタのベースとエミツタとの間に第１の
   コンデンサが接続され、第１の端子と上記ベース
   との間に第１の抵抗器及びスイツチング素子の直
   列回路が接続され、この第１の抵抗器及びスイツ
   チング素子の接続点と上記エミツタとの間に第２
   のコンデンサが接続され、第２の端子と上記ベー
   スとの間に第２の抵抗器が接続され、上記ベース
   と接地間に第３の抵抗器が接続され、上記高周波
   帯に含まれる高周波を発振させるときには、上記
   第２の端子に上記インダクタンス切換と同時に切
   換えられるスイツチング手段により所定電圧を供
   給して上記スイツチング素子を遮断させ、帰還容
   量を上記第１のコンデンサで決定すると共に、上
   記ベースに上記所定電圧が上記第２の抵抗器と上
   記第３の抵抗器で分圧された第１のバイアスを与
   え、上記低周波帯に含まれる低周波を発振させる
   ときには、上記スイツチング手段により上記第１
   の端子に上記所定電圧を供給して上記スイツチン
   グ素子を導通させ、帰還容量を上記第１及び第２
   のコンデンサの並列回路で決定すると共に、上記
   ベースに上記所定電圧が上記第１の抵抗器と上記
   第３の抵抗器で分圧された上記第１のバイアスよ
   り低い第２のバイアスを与えるようにした発振回
   路。