JP3105079U

JP3105079U - 発振回路

Info

Publication number: JP3105079U
Application number: JP2004002521U
Authority: JP
Inventors: 山本　正喜
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2004-05-07
Filing date: 2004-05-07
Publication date: 2004-10-21
Anticipated expiration: 2010-05-07

Abstract

【課題】周波数帯域幅の異なる２つのバンドにそれぞれ使用する発振回路の各発振周波数の可変範囲を適正にする。
【解決手段】第１の共振回路５０は、第１のバラクタダイオード５１ａと第１の容量素子５１ｂとの直列接続回路からなる第１の容量手段５１と、これに並列接続された第１のインダクタンス素子５２とを有し、第２の共振回路６０は、第２のバラクタダイオード６１ａと第２の容量素子６１ｂとの直列接続回路からなる第２の容量手段６１と、これに並列接続された第２のインダクタンス素子６２とを有し、第１のバラクタダイオード５１ａの一端を接地すると共に、第２の容量素子６１ｂの一端を接地し、第１のバラクタダイオード５１ａと第１の容量素子５１ｂとの接続点と第２のバラクタダイオード６１ａと第２の容量素子６１ｂとの接続点とを第３の容量素子７２によって結合した。
【選択図】図１

Description

本考案は、テレビジョンチューナ等の局部発振用として使用される発振回路に関する。

図２は従来の発振回路を示す。集積回路部品１内にはエミッタ同士が接続された第一及び第二の発振トランジスタ２、３が構成される。各発振トランジスタ２、３のエミッタ同士は定電流源４に接続される。また、各コレクタにはそれぞれ給電用の抵抗５、６を介して電圧が印加される。此によって各発振トランジスタ２、３は差動的に動作する。

集積回路部品１内には１乃至２ｐＦ（ピコファラッド）程度の第一の結合コンデンサ７と第二の結合コンデンサ８とが形成され、集積回路部品１には第一の端子９が設けられる。そして、第一の端子９には第一のトランジスタ２のコレクタが第一の結合コンデンサ７を介して結合され、第二のトランジスタ３のベースが第二の結合コンデンサ８を介して結合される。また、第一のトランジスタ２のベースは集積回路部品１内に形成された直流カットコンデンサ１０によって集積回路部品１内で高周波的に接地される。

集積回路部品１の外部には共振回路１１が設けられる。共振回路１１はインダクタンス素子１１ａとバラクタダイオード１１ｂとを有し、バラクタダイオード１１ｂはコンデンサ１１ｃによってインダクタンス素子１１ａに並列に接続される。そして、共振回路１１の一端が第一の端子９に接続され、他端は接地される。これによって、共振回路１１は第一のトランジスタ２のコレクタとベースとの間に結合される。また、バラクタダイオード１１ｂのアノードはインダクタンス素子１１ａを介して直流的に接地され、カソードには電圧が印加される。以上のことから、第一及び第二の発振トランジスタ２、３と共振回路１１とによって不平衡型の発振回路が構成され、バラクタダイオード１１ｂのカソードに印加する電圧を変えれば発振周波数が変化する。

以上の構成では、第一のトランジスタ２のコレクタが直接第一の端子９に接続されることなく、第一の結合コンデンサ７を介して接続され、同様に、第二のトランジスタ３のベースも直接第一の端子９に接続されることなく第二の結合コンデンサ８を介して接続される。従って、静電気が第一の端子９に印加された場合でも、結合コンデンサ７、８によって阻止されて発振トランジスタ２、３は静電破壊から保護される（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００２−３７４１２５号公報（図１）

そして、ＶＨＦ帯のテレビジョン信号を受信する際には、ローバンドとハイバンドとに対応してこのような発振回路が２つ同一のチューナ内に組み込まれて使用される。

ＶＨＦ帯のテレビジョン信号を２つのバンドに分割して受信する場合、ＣＡＴＶのチャンネルを考慮して分割するので、ローバンドの帯域よりもハイバンドの帯域が広くなる。その結果、発振回路の発振周波数の可変範囲をハイバンドでは広くし、ローバンドでは狭くする必要があるが、上記の発振回路ではハイバンドでは可変範囲が不足し、ローバンドでは広すぎるという問題があった。

本考案は、周波数帯域幅の異なる２つのバンドにそれぞれ使用する発振回路の各発振周波数の可変範囲を適正にすることを目的とする。

上記課題を解決するため、一端が接地され、他端が第１の発振トランジスタに結合されて前記第１の発振トランジスタと共に第１の発振回路を構成する第１の共振回路と、一端が接地され、他端が第２の発振トランジスタに結合されて前記第２の発振トランジスタと共に第２の発振回路を構成する第２の共振回路とを備え、前記第１の共振回路は、第１のバラクタダイオードと第１の容量素子との直列接続回路からなる第１の容量手段と、前記第１の容量手段に並列接続された第１のインダクタンス素子とを有し、前記第２の共振回路は、第２のバラクタダイオードと第２の容量素子との直列接続回路からなる第２の容量手段と、前記第２の容量手段に並列接続された第２のインダクタンス素子とを有し、前記第１のバラクタダイオードの一端を接地すると共に、前記第２の容量素子の一端を接地し、前記第１のバラクタダイオードと前記第１の容量素子との接続点と前記第２のバラクタダイオードと前記第２の容量素子との接続点とを第３の容量素子によって結合し、前記第１のバラクタダイオードと前記第２のバラクタダイオードとの容量値を共通の同調電圧によって同一方向に変化させた。

また、前記第１のバラクタダイオードのアノードを接地すると共に、前記第２のバラクタダイオードのアノードを前記第２のインダクタンス素子を介して接地し、前記第１のバラクタダイオードのカソードと前記第２のバラクタダイオードのカソードとを前記第３の容量素子によって結合し、前記各カソードに前記同調電圧を印加した。

また、前記第２のバラクタダイオードと前記第２のインダクタンス素子との接続点を第４の容量素子を介して前記第２の発振トランジスタに結合した。

請求項１の考案によれば、第１の共振回路は、第１のバラクタダイオードと第１の容量素子との直列接続回路からなる第１の容量手段と、第１の容量手段に並列接続された第１のインダクタンス素子とを有し、第２の共振回路は、第２のバラクタダイオードと第２の容量素子との直列接続回路からなる第２の容量手段と、第２の容量手段に並列接続された第２のインダクタンス素子とを有し、第１のバラクタダイオードの一端を接地すると共に、第２の容量素子の一端を接地し、第１のバラクタダイオードと第１の容量素子との接続点と第２のバラクタダイオードと第２の容量素子との接続点とを第３の容量素子によって結合し、第１のバラクタダイオードと第２のバラクタダイオードとの容量値を共通の同調電圧によって同一方向に変化させたので、第１のバラクタダイオードの容量変化が第２の容量素子と第３の容量素子とによって緩和され、第１の共振回路の共振周波数の変化範囲が狭くなる。よって、第１の発振回路の発振周波数の変化範囲が狭くなる。
また、第１のバラクタダイオードの容量変化が第２のバラクタダイオードの容量変化に加算されることによって、第２の共振回路の共振周波数の変化範囲が広くなる。よって、第２の発振回路の発振周波数の変化範囲が広くなる。
したがって、ＶＨＦ帯をローバンドとハイバンドとに分割してテレビジョン信号を受信する際に、ローバンドよりもハイバンドの方が帯域が広い場合には、第１の発振回路をローバンドの受信の際の局部発振用として使用し、第２の発振回路をハイバンドの受信の際の局部発振用として使用すればそれぞれのバンドで適正な発振周波数の可変範囲が得られる。

また、請求項２の考案によれば、第１のバラクタダイオードのアノードを接地すると共に、第２のバラクタダイオードのアノードを第２のインダクタンス素子を介して接地し、第１のバラクタダイオードのカソードと第２のバラクタダイオードのカソードとを第３の容量素子によって結合し、各カソードに同調電圧を印加したので、共通の同調電圧によって、第１のバラクタダイオードと第２のバラクタダイオードとの容量値を同一方向に変化させることができる。

また、請求項３の考案によれば、第２のバラクタダイオードと第２のインダクタンス素子との接続点を第４の容量素子を介して第２の発振トランジスタに結合したので、第２の共振周波数の変化範囲をさらに広げることができる。

以下、図１にしたがって本考案の発振回路を説明する。集積回路部品２０内には差動接続された一対の第１の発振トランジスタ２１、２２が構成される。第１の発振トランジスタ２１、２２の各エミッタは共通の第１の定電流源２３を介して接地される。一方の発振トランジスタ２１のベースと他方の発振トランジスタ２２のコレクタとはそれぞれ直流カットコンデンサ２４、２５を介して高周波的に接地される。また、各コレクタはそれぞれ給電抵抗２６、２７によって電源端２８にプルアップされる。そして、一方の発振トランジスタ２１のコレクタと他方の発振トランジスタ２２のベースとがそれぞれ、帰還用のコンデンサ２９、３０を介して集積回路２０の第１の端子２０ａに結合される。

同様に、集積回路部品２０内には差動接続された一対の第２の発振トランジスタ３１、３２が構成される。第２の発振トランジスタ３１、３２の各エミッタは共通の第２の定電流源３３を介して接地される。一方の発振トランジスタ３１のベースと他方の発振トランジスタ３２のコレクタとはそれぞれ直流カットコンデンサ３４、３５を介して高周波的に接地される。また、各コレクタはそれぞれ給電抵抗３６、３７によって電源端３８にプルアップされる。そして、一方の発振トランジスタ３１のコレクタと他方の発振トランジスタ３２のベースとがそれぞれ、帰還用のコンデンサ３９、４０を介して集積回路２０の第２の端子２０ｂに結合される。

集積回路２０の外部には、第１の端子２０ａに結合された第１の共振回路５０と、第２の端子２０ｂに結合された第２の共振回路６０とが設けられる。第１の共振回路５０は第１の発振トランジスタ２１、２２に結合されてＶＨＦ帯のローバンドの受信に使用される第１の発振回路４１を構成し、第２の共振回路６０は第２の発振トランジスタ３１、３２に結合されてＶＨＦ帯のハイバンドの受信に使用される第２の発振回路４２を構成する。

第１の共振回路５０は、第１のバラクタダイオード５１ａと第１の容量素子５１ｂとの直列接続回路からなる第１の容量手段５１と、第１の容量手段５１に並列接続された第１のインダクタンス素子５２とを有する。そして、第１のバラクタダイオードの一端（アノード）と第１のインダクタンス素子５２の一端とが接地され、第１のインダクタンス素子５２の他端とそこに接続された第１の容量素子５１ｂとの接続点が第１の端子２０ａに接続される。第１のバラクタダイオード５１ａの他端（カソード）には同調電圧Ｖｔが印加される。

第２の共振回路６０は、第２のバラクタダイオード６１ａと第２の容量素子６１ｂとの直列接続回路からなる第２の容量手段６１と、第２の容量手段６１に並列接続された第２のインダクタンス素子６２とを有する。そして、第２の容量素子６１ｂの一端と第１のインダクタンス素子６２の一端とが接地され、第２のインダクタンス素子６２の他端とそこに接続された第２のバラクタダイオード６１ａの一端（アノード）との接続点が第４の容量素子７１を介して第２の端子２０ｂに接続される。第２のバラクタダイオード６１ａのアノードは第２のインダクタンス素子６２を介して接地されることになる。第２のバラクタダイオード６１ａの他端（カソード）には同調電圧Ｖｔが印加される。

ここで、第１のバラクタダイオード５１ａと第１の容量素子５１ｂとの接続点と第２のバラクタダイオード６１ａと第２の容量素子６１ｂとの接続点との間が第３の容量素子７２によって結合される。すなわち、第１のバラクタダイオード５１ａのカソードと第２のバラクタダイオード６１ａのカソードとが第３の容量素子７２によって結合される。

以上の２つの共振回路５０、６０においては、第１のバラクタダイオード５１ａのカソードと第２のバラクタダイオード６１ａのカソードとに共通の同調電圧Ｖｔが印加されるので、同調電圧の変化に対応して互いに同一方向に共振周波数が増減する。

そして、第１の共振回路５０についての共振周波数の変化範囲を見ると、第１のバラクタダイオード５１ａに対して、第２の共振回路６０側の第２の容量素子６１ｂが第３の容量素子７２を介して並列に接続されていることから、第１のバラクタダイオード５１ａの容量変化が第２の容量素子６１ｂと第３の容量素子７２とによって緩和され、第１の共振回路５０の共振周波数の変化範囲が狭くなる。よって、第１の発振回路４１の発振周波数の変化範囲が狭くなる。

また、第２の共振回路６０についての共振周波数の変化範囲を見ると、第２のバラクタダイオード６１ａに対して、第１の共振回路５０側の第１のバラクタダイオード５１ａが第３の容量素子７２を介して直列に接続されていることから、第１のバラクタダイオード５１ａの容量変化が第２のバラクタダイオード６１ａの容量変化に加算されることによって、第２の共振回路６０の共振周波数の変化範囲が広くなる。よって、第２の発振回路４２の発振周波数の変化範囲が広くなる。

さらに、第２の共振回路６０は第４の容量素子７１を介して第２の端子２０ｂに接続され、さらに、第２の端子２０ｂから第２の発振トランジスタ３１、３２に結合されるので、第２の端子２０ｂに現れる集積回路２０側の内部浮遊容量成分が直接第２の共振回路６０に並列接続されることなく、第４の容量素子によって見かけ上小さくなるので第２の共振回路の共振周波数の変化範囲が更に広くなる。

ＶＨＦ帯をローバンドとハイバンドとに分割してテレビジョン信号を受信する際に、ローバンドよりもハイバンドの方が帯域が広い場合には、第１の発振回路４１をローバンドの受信の際の局部発振用として使用し、第２の発振回路４２をハイバンドの受信の際の局部発振用として使用すればそれぞれのバンドで適正な発振周波数の可変範囲が得られる。

本考案の発振回路の構成を示す回路図である。従来の発振回路の構成を示す回路図である。

符号の説明

２０集積回路
２０ａ第１の端子
２０ｂ第２の端子
２１、２２第１の発振トランジスタ
２３第１の定電流源
２４、２５直流カットコンデンサ
２６、２７給電抵抗
２８電源端
２９、３０帰還用のコンデンサ
３１、３２第２の発振トランジスタ
３３第２の定電流源
３４、３５直流カットコンデンサ
３６、３７給電抵抗
３８電源端
３９、４０帰還用のコンデンサ
４１第１の発振回路
４２第２の発振回路
５０第１の共振回路
５１第１の容量手段
５１ａ第１のバラクタダイオード
５１ｂ第１の容量素子
５２第１のインダクタンス素子
６０第２の共振回路
６１第２の容量手段
６１ａ第２のバラクタダイオード
６１ｂ第２の容量素子
６２第２のインダクタンス素子
７１第４の容量素子
７２第３の容量素子

Claims

一端が接地され、他端が第１の発振トランジスタに結合されて前記第１の発振トランジスタと共に第１の発振回路を構成する第１の共振回路と、一端が接地され、他端が第２の発振トランジスタに結合されて前記第２の発振トランジスタと共に第２の発振回路を構成する第２の共振回路とを備え、前記第１の共振回路は、第１のバラクタダイオードと第１の容量素子との直列接続回路からなる第１の容量手段と、前記第１の容量手段に並列接続された第１のインダクタンス素子とを有し、前記第２の共振回路は、第２のバラクタダイオードと第２の容量素子との直列接続回路からなる第２の容量手段と、前記第２の容量手段に並列接続された第２のインダクタンス素子とを有し、前記第１のバラクタダイオードの一端を接地すると共に、前記第２の容量素子の一端を接地し、前記第１のバラクタダイオードと前記第１の容量素子との接続点と前記第２のバラクタダイオードと前記第２の容量素子との接続点とを第３の容量素子によって結合し、前記第１のバラクタダイオードと前記第２のバラクタダイオードとの容量値を共通の同調電圧によって同一方向に変化させたことを特徴とする発振回路。
前記第１のバラクタダイオードのアノードを接地すると共に、前記第２のバラクタダイオードのアノードを前記第２のインダクタンス素子を介して接地し、前記第１のバラクタダイオードのカソードと前記第２のバラクタダイオードのカソードとを前記第３の容量素子によって結合し、前記各カソードに前記同調電圧を印加したことを特徴とする請求項２に記載の発振回路。
前記第２のバラクタダイオードと前記第２のインダクタンス素子との接続点を第４の容量素子を介して前記第２の発振トランジスタに結合したことを特徴とする請求項３に記載の発振回路。