JPH1065443A - チューナの局部発振回路 - Google Patents
チューナの局部発振回路Info
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- JPH1065443A JPH1065443A JP21739396A JP21739396A JPH1065443A JP H1065443 A JPH1065443 A JP H1065443A JP 21739396 A JP21739396 A JP 21739396A JP 21739396 A JP21739396 A JP 21739396A JP H1065443 A JPH1065443 A JP H1065443A
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- capacitor
- capacitance
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 同調電圧の可変範囲に対応する局部発振周波
数の変化範囲を拡大させ、かつ、局部発振回路の発振安
定度の確保が可能なチューナの局部発振回路を提供す
る。 【解決手段】 局部発振用トランジスタ１と、トランジ
スタ１のベースと基準電位点間にインダクタ３とともに
直列接続され、同調電圧によって容量値が制御される可
変容量ダイオード２及び一端がベースに接続された第１
固定コンデンサ４等からなる同調回路と、トランジスタ
１のベースとエミッタ間に接続される第２固定コンデン
サ６及び一端がエミッタに接続された第３固定コンデン
サ７等からなる帰還容量と、第１固定コンデンサの他端
及び第３固定コンデンサ７の他端と基準電位点との間に
接続され、同調電圧によって容量値が制御される第２可
変容量ダイオード１４とを備えている。
数の変化範囲を拡大させ、かつ、局部発振回路の発振安
定度の確保が可能なチューナの局部発振回路を提供す
る。 【解決手段】 局部発振用トランジスタ１と、トランジ
スタ１のベースと基準電位点間にインダクタ３とともに
直列接続され、同調電圧によって容量値が制御される可
変容量ダイオード２及び一端がベースに接続された第１
固定コンデンサ４等からなる同調回路と、トランジスタ
１のベースとエミッタ間に接続される第２固定コンデン
サ６及び一端がエミッタに接続された第３固定コンデン
サ７等からなる帰還容量と、第１固定コンデンサの他端
及び第３固定コンデンサ７の他端と基準電位点との間に
接続され、同調電圧によって容量値が制御される第２可
変容量ダイオード１４とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＵＨＦチューナに
好適なチューナの局部発振回路に係わり、特に、同調電
圧の変化範囲に対する局部発振周波数の変化範囲を拡大
させ、かつ、局部発振周波数の発振安定度を向上させた
チューナの局部発振回路に関する。
好適なチューナの局部発振回路に係わり、特に、同調電
圧の変化範囲に対する局部発振周波数の変化範囲を拡大
させ、かつ、局部発振周波数の発振安定度を向上させた
チューナの局部発振回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＵＨＦチューナに用いるトランジ
スタ局部発振回路は、局部発振用トランジスタと、トラ
ンジスタのベースに接続された１つの可変容量ダイオー
ドを含む同調回路と、トランジスタのベース及びエミッ
タに接続された帰還容量とによって構成されていた。
スタ局部発振回路は、局部発振用トランジスタと、トラ
ンジスタのベースに接続された１つの可変容量ダイオー
ドを含む同調回路と、トランジスタのベース及びエミッ
タに接続された帰還容量とによって構成されていた。
【０００３】図２は、従来のチューナの局部発振回路の
構成の一例を示す回路図である。
構成の一例を示す回路図である。
【０００４】図２に示されるように、局部発振回路は、
局部発振用トランジスタ１と、可変容量ダイオード２
と、インダクタ３と、同調用第１コンデンサ４と、同調
用第２コンデンサ５と、帰還用第１コンデンサ６と、帰
還用第２コンデンサ７と、結合コンデンサ８と、バッフ
ァ抵抗９と、同調電圧供給端子１０と、電源電圧供給端
子１１と、バイパスコンデンサ１２とからなっている。
ここで、可変容量ダイオード２、インダクタ３、同調用
第１コンデンサ４、同調用第２コンデンサ５は、全体で
同調回路を構成し、帰還用第１コンデンサ６及び帰還用
第２コンデンサ７は、帰還容量を構成している。また、
局部発振用トランジスタ１は、他の回路素子（図示な
し）とともに集積回路（ＩＣ）１３内に集積配置されて
おり、トランジスタ１の直流バイアス抵抗や負荷抵抗に
ついては図示を省略している。
局部発振用トランジスタ１と、可変容量ダイオード２
と、インダクタ３と、同調用第１コンデンサ４と、同調
用第２コンデンサ５と、帰還用第１コンデンサ６と、帰
還用第２コンデンサ７と、結合コンデンサ８と、バッフ
ァ抵抗９と、同調電圧供給端子１０と、電源電圧供給端
子１１と、バイパスコンデンサ１２とからなっている。
ここで、可変容量ダイオード２、インダクタ３、同調用
第１コンデンサ４、同調用第２コンデンサ５は、全体で
同調回路を構成し、帰還用第１コンデンサ６及び帰還用
第２コンデンサ７は、帰還容量を構成している。また、
局部発振用トランジスタ１は、他の回路素子（図示な
し）とともに集積回路（ＩＣ）１３内に集積配置されて
おり、トランジスタ１の直流バイアス抵抗や負荷抵抗に
ついては図示を省略している。
【０００５】前記構成による局部発振回路において、局
部発振用トランジスタ１は、帰還用第１コンデンサ６と
帰還用第２コンデンサ７の接続によって、ベースとエミ
ッタ間が正帰還接続され、結合コンデンサ８を介してベ
ースに接続された同調回路のインダクタンス値及びキャ
パシタンス値によって決まる局部発振周波数の局部発振
信号を発振する。この場合、同調回路のインダクタンス
値は、インダクタ３の固有のインダクタンス値によって
設定され、同調回路のキャパシタンス値は、同調用第２
コンデンサ５の固有のキャパシタンス値が微小であるこ
とから、主として、可変容量ダイオード２のキャパシタ
ンス値と同調用第１コンデンサ４の固有のキャパシタン
ス値によって設定される。そして、可変容量ダイオード
２のキャパシタンス値は、同調電圧供給端子１０からバ
ッファ抵抗９及びインダクタ３を介して可変容量ダイオ
ード２に供給される同調電圧ＴU の大きさによって可変
にされ、それにより局部発振回路の局部発振周波数は、
チューナの受信信号周波数の変化に応じて調整される。
部発振用トランジスタ１は、帰還用第１コンデンサ６と
帰還用第２コンデンサ７の接続によって、ベースとエミ
ッタ間が正帰還接続され、結合コンデンサ８を介してベ
ースに接続された同調回路のインダクタンス値及びキャ
パシタンス値によって決まる局部発振周波数の局部発振
信号を発振する。この場合、同調回路のインダクタンス
値は、インダクタ３の固有のインダクタンス値によって
設定され、同調回路のキャパシタンス値は、同調用第２
コンデンサ５の固有のキャパシタンス値が微小であるこ
とから、主として、可変容量ダイオード２のキャパシタ
ンス値と同調用第１コンデンサ４の固有のキャパシタン
ス値によって設定される。そして、可変容量ダイオード
２のキャパシタンス値は、同調電圧供給端子１０からバ
ッファ抵抗９及びインダクタ３を介して可変容量ダイオ
ード２に供給される同調電圧ＴU の大きさによって可変
にされ、それにより局部発振回路の局部発振周波数は、
チューナの受信信号周波数の変化に応じて調整される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のチューナの
局部発振回路は、帰還容量となる帰還用第１コンデンサ
６及び帰還用第２コンデンサ７がいずれも固定容量のも
ので構成されており、また、同調回路内の容量素子も、
可変容量ダイオード２を除けばいずれも固定容量のもの
で構成されているので、同調電圧ＴU の可変範囲に対応
する局部発振周波数の変化範囲には自ずと制限があると
いう問題を有しており、また、局部発振周波数の変化範
囲を拡大させるために、同調電圧ＴU の可変範囲を拡げ
ると、同調電圧ＴU の極限値近傍において局部発振回路
の発振安定度が劣化してしまうという問題を有してい
る。
局部発振回路は、帰還容量となる帰還用第１コンデンサ
６及び帰還用第２コンデンサ７がいずれも固定容量のも
ので構成されており、また、同調回路内の容量素子も、
可変容量ダイオード２を除けばいずれも固定容量のもの
で構成されているので、同調電圧ＴU の可変範囲に対応
する局部発振周波数の変化範囲には自ずと制限があると
いう問題を有しており、また、局部発振周波数の変化範
囲を拡大させるために、同調電圧ＴU の可変範囲を拡げ
ると、同調電圧ＴU の極限値近傍において局部発振回路
の発振安定度が劣化してしまうという問題を有してい
る。
【０００７】本発明は、これらの問題点を解決するもの
で、その目的は、同調電圧の可変範囲に対応する局部発
振周波数の変化範囲を拡大させ、かつ、局部発振回路の
発振安定度の確保が可能なチューナの局部発振回路を提
供することにある。
で、その目的は、同調電圧の可変範囲に対応する局部発
振周波数の変化範囲を拡大させ、かつ、局部発振回路の
発振安定度の確保が可能なチューナの局部発振回路を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明によるチューナの局部発振回路は、同調回路
を構成する一部の固定容量（第１固定容量）及び帰還容
量を構成する１つの帰還用固定容量（第３固定容量）と
基準電位点との間に、同調電圧によって容量値が制御さ
れる第２電圧可変容量素子を接続し、この第２電圧可変
容量素子を同調回路と帰還容量に共用させた手段を具備
する。
に、本発明によるチューナの局部発振回路は、同調回路
を構成する一部の固定容量（第１固定容量）及び帰還容
量を構成する１つの帰還用固定容量（第３固定容量）と
基準電位点との間に、同調電圧によって容量値が制御さ
れる第２電圧可変容量素子を接続し、この第２電圧可変
容量素子を同調回路と帰還容量に共用させた手段を具備
する。
【０００９】かかる手段によれば、同調回路において
は、同調電圧の変化に対応して２つの電圧可変容量素子
の容量をそれぞれ変化させるようにしたので、同調電圧
の変化範囲に対応して局部発振周波数の可変範囲を拡大
することが可能になり、また、帰還容量においては、同
調電圧の変化に対応して帰還容量を可変させるようにし
ているので、同調電圧が変化範囲の極限の近傍にまで移
行したときでも、局部発振回路の発振安定度を確保でき
る。
は、同調電圧の変化に対応して２つの電圧可変容量素子
の容量をそれぞれ変化させるようにしたので、同調電圧
の変化範囲に対応して局部発振周波数の可変範囲を拡大
することが可能になり、また、帰還容量においては、同
調電圧の変化に対応して帰還容量を可変させるようにし
ているので、同調電圧が変化範囲の極限の近傍にまで移
行したときでも、局部発振回路の発振安定度を確保でき
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態において、チ
ューナの局部発振回路は、局部発振用トランジスタと、
トランジスタのベースと基準電位点間にインダクタとと
もに直列接続され、同調電圧によって容量値が制御され
る電圧可変容量素子及び一端がベースに接続された第１
固定容量を含む同調回路と、トランジスタのベースとエ
ミッタ間に接続される第２固定容量及び一端がエミッタ
に接続された第３固定容量を含む帰還容量とを備え、第
１固定容量の他端及び第３固定容量の他端と基準電位点
との間に接続され、同調電圧によって容量値が制御され
る第２電圧可変容量素子を、同調回路と帰還容量に共用
させた構成になっている。
ューナの局部発振回路は、局部発振用トランジスタと、
トランジスタのベースと基準電位点間にインダクタとと
もに直列接続され、同調電圧によって容量値が制御され
る電圧可変容量素子及び一端がベースに接続された第１
固定容量を含む同調回路と、トランジスタのベースとエ
ミッタ間に接続される第２固定容量及び一端がエミッタ
に接続された第３固定容量を含む帰還容量とを備え、第
１固定容量の他端及び第３固定容量の他端と基準電位点
との間に接続され、同調電圧によって容量値が制御され
る第２電圧可変容量素子を、同調回路と帰還容量に共用
させた構成になっている。
【００１１】本発明の実施の形態の１つの好適例とし
て、電圧可変容量素子及び第２電圧可変容量素子は、類
似の電圧−容量変化特性を有する可変容量ダイオードを
用いている。
て、電圧可変容量素子及び第２電圧可変容量素子は、類
似の電圧−容量変化特性を有する可変容量ダイオードを
用いている。
【００１２】本発明の実施の形態の他の好適例として、
チューナは、ＵＨＦチューナを構成しているものであ
る。
チューナは、ＵＨＦチューナを構成しているものであ
る。
【００１３】かかる本発明の実施の形態によれば、同調
回路に付加接続された第２電圧可変容量素子によって、
同調電圧の変化に対応して電圧可変容量素子の容量値及
び第２電圧可変容量素子の容量値をそれぞれ変化させる
ようにしているので、同調電圧の変化範囲に対応した局
部発振周波数の可変範囲をこれまでのものよりも拡大す
ることが可能になり、また、帰還容量に付加接続された
第２電圧可変容量素子によって、同調電圧の変化に対応
して第２電圧可変容量素子の容量値を変化させるように
しているので、同調電圧が変化範囲の極限の近傍に移行
したときにおいても、局部発振回路の発振安定度を充分
確保することが可能になる。
回路に付加接続された第２電圧可変容量素子によって、
同調電圧の変化に対応して電圧可変容量素子の容量値及
び第２電圧可変容量素子の容量値をそれぞれ変化させる
ようにしているので、同調電圧の変化範囲に対応した局
部発振周波数の可変範囲をこれまでのものよりも拡大す
ることが可能になり、また、帰還容量に付加接続された
第２電圧可変容量素子によって、同調電圧の変化に対応
して第２電圧可変容量素子の容量値を変化させるように
しているので、同調電圧が変化範囲の極限の近傍に移行
したときにおいても、局部発振回路の発振安定度を充分
確保することが可能になる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１５】図１は、本発明によるチューナの局部発振
回路の一実施例の構成を示す回路図であって、チューナ
がＵＨＦチューナである例を示すものである。
回路の一実施例の構成を示す回路図であって、チューナ
がＵＨＦチューナである例を示すものである。
【００１６】図１において、図２に示された構成要素と
同じ構成要素については同じ符号を付けている。
同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【００１７】本実施例の局部発振回路は、図２に示され
た従来の局部発振回路に、新たに、可変容量ダイオード
２と類似の電圧−容量変化特性を有する第２可変容量ダ
イオード１４と同調電圧供給抵抗１５とを付加している
ものである。
た従来の局部発振回路に、新たに、可変容量ダイオード
２と類似の電圧−容量変化特性を有する第２可変容量ダ
イオード１４と同調電圧供給抵抗１５とを付加している
ものである。
【００１８】そして、局部発振用トランジスタ１におい
て、コレクタは、電源電圧供給端子１１に接続され、バ
イパスコンデンサ１２を介して接地接続されている。ベ
ースは、結合コンデンサ８を介して図１に図示の結合点
ａに接続され、帰還用第１コンデンサ６を介してエミッ
タに接続されている。エミッタは、帰還用第２コンデン
サ７を介して図１に図示の結合点ｂに接続されている。
可変容量ダイオード２は、カソードがインダクタ３を介
して結合点ａに接続され、アノードが接地接続されてい
る。同調用第１コンデンサ４は、結合点ａと結合点ｂ間
に接続され、同調用第２コンデンサ５は、可変容量ダイ
オード２に並列接続され、バッファ抵抗９は、結合点ａ
と同調電圧供給端子１０間に接続されている。第２可変
容量ダイオード１４は、カソードが結合点ｂに接続さ
れ、アノードが接地接続されている。同調電圧供給抵抗
１５は、同調用第１コンデンサ４に並列接続されてい
る。
て、コレクタは、電源電圧供給端子１１に接続され、バ
イパスコンデンサ１２を介して接地接続されている。ベ
ースは、結合コンデンサ８を介して図１に図示の結合点
ａに接続され、帰還用第１コンデンサ６を介してエミッ
タに接続されている。エミッタは、帰還用第２コンデン
サ７を介して図１に図示の結合点ｂに接続されている。
可変容量ダイオード２は、カソードがインダクタ３を介
して結合点ａに接続され、アノードが接地接続されてい
る。同調用第１コンデンサ４は、結合点ａと結合点ｂ間
に接続され、同調用第２コンデンサ５は、可変容量ダイ
オード２に並列接続され、バッファ抵抗９は、結合点ａ
と同調電圧供給端子１０間に接続されている。第２可変
容量ダイオード１４は、カソードが結合点ｂに接続さ
れ、アノードが接地接続されている。同調電圧供給抵抗
１５は、同調用第１コンデンサ４に並列接続されてい
る。
【００１９】ここでも、可変容量ダイオード２、インダ
クタ３、同調用第１コンデンサ４、同調用第２コンデン
サ５、第２可変容量ダイオード１４は、全体で同調回路
を構成し、帰還用第１コンデンサ６、帰還用第２コンデ
ンサ７、第２可変容量ダイオード１４は、全体で帰還容
量を構成している。また、局部発振用トランジスタ１
は、他の回路素子（図示なし）とともに集積回路（Ｉ
Ｃ）１３内に集積配置されており、トランジスタ１の直
流バイアス抵抗や負荷抵抗については図示を省略してい
る。
クタ３、同調用第１コンデンサ４、同調用第２コンデン
サ５、第２可変容量ダイオード１４は、全体で同調回路
を構成し、帰還用第１コンデンサ６、帰還用第２コンデ
ンサ７、第２可変容量ダイオード１４は、全体で帰還容
量を構成している。また、局部発振用トランジスタ１
は、他の回路素子（図示なし）とともに集積回路（Ｉ
Ｃ）１３内に集積配置されており、トランジスタ１の直
流バイアス抵抗や負荷抵抗については図示を省略してい
る。
【００２０】前記構成による本実施例の局部発振回路に
おいて、局部発振用トランジスタ１は、ベースとエミッ
タ間に帰還用第１コンデンサ６が接続され、エミッタと
接地点間に帰還用第２コンデンサ７と第２可変容量ダイ
オード１４との直列回路が接続されたことにより、ベー
スとエミッタ間で正帰還結合が行われ、結合コンデンサ
８を介してベースに接続された同調回路のインダクタン
ス値及びキャパシタンス値によって決まる局部発振周波
数の局部発振信号を発振する点は、従来の局部発振回路
の動作と同じである。
おいて、局部発振用トランジスタ１は、ベースとエミッ
タ間に帰還用第１コンデンサ６が接続され、エミッタと
接地点間に帰還用第２コンデンサ７と第２可変容量ダイ
オード１４との直列回路が接続されたことにより、ベー
スとエミッタ間で正帰還結合が行われ、結合コンデンサ
８を介してベースに接続された同調回路のインダクタン
ス値及びキャパシタンス値によって決まる局部発振周波
数の局部発振信号を発振する点は、従来の局部発振回路
の動作と同じである。
【００２１】この場合、同調回路のインダクタンス値
は、インダクタ３の固有のインダクタンス値によって設
定されるのに対し、同調回路のキャパシタンス値は、同
調用第２コンデンサ５の固有のキャパシタンス値が微小
であることから除外し、主として、可変容量ダイオード
２のキャパシタンス値と、第２可変容量ダイオード１４
のキャパシタンス値と、同調用第１コンデンサ４の固有
のキャパシタンス値によって設定される。そして、可変
容量ダイオード２のキャパシタンス値は、同調電圧供給
端子１０からバッファ抵抗９及びインダクタ３を介して
可変容量ダイオード２に供給される同調電圧ＴU の大き
さによって、また、第２可変容量ダイオード１４のキャ
パシタンス値は、同じく同調電圧供給端子１０からバッ
ファ抵抗９及び同調電圧供給抵抗１５を介して第２可変
容量ダイオード１４に供給される同調電圧ＴU の大きさ
によってそれぞれ可変にされ、それによって局部発振回
路の局部発振周波数は、チューナの受信信号周波数の変
化に応じて調整される。
は、インダクタ３の固有のインダクタンス値によって設
定されるのに対し、同調回路のキャパシタンス値は、同
調用第２コンデンサ５の固有のキャパシタンス値が微小
であることから除外し、主として、可変容量ダイオード
２のキャパシタンス値と、第２可変容量ダイオード１４
のキャパシタンス値と、同調用第１コンデンサ４の固有
のキャパシタンス値によって設定される。そして、可変
容量ダイオード２のキャパシタンス値は、同調電圧供給
端子１０からバッファ抵抗９及びインダクタ３を介して
可変容量ダイオード２に供給される同調電圧ＴU の大き
さによって、また、第２可変容量ダイオード１４のキャ
パシタンス値は、同じく同調電圧供給端子１０からバッ
ファ抵抗９及び同調電圧供給抵抗１５を介して第２可変
容量ダイオード１４に供給される同調電圧ＴU の大きさ
によってそれぞれ可変にされ、それによって局部発振回
路の局部発振周波数は、チューナの受信信号周波数の変
化に応じて調整される。
【００２２】また、帰還容量のキャパシタンス値は、帰
還用第２コンデンサ７に第２可変容量ダイオード１４が
直列接続され、前述のように、第２可変容量ダイオード
１４のキャパシタンス値が同調電圧供給端子１０からバ
ッファ抵抗９及び同調電圧供給抵抗１５を介して第２可
変容量ダイオード１４に供給される同調電圧ＴU の大き
さによって可変にされるので、局部発振用トランジスタ
１の正帰還量も同調電圧ＴU の大きさによって可変にさ
れる。即ち、第２可変容量ダイオード１４（可変容量ダ
イオード２）のキャパシタンス値は、同調電圧（負極
性）ＴU が小さいとき（チューナの受信周波数が各受信
周波数バンドの低域側周波数にあるとき）に大きくなっ
て、正帰還量が減少し、一方、同調電圧（負極性）ＴU
が大きいとき（同受信周波数が各受信周波数バンドの高
域側周波数にあるとき）に小さくなって、正帰還量が増
大する。
還用第２コンデンサ７に第２可変容量ダイオード１４が
直列接続され、前述のように、第２可変容量ダイオード
１４のキャパシタンス値が同調電圧供給端子１０からバ
ッファ抵抗９及び同調電圧供給抵抗１５を介して第２可
変容量ダイオード１４に供給される同調電圧ＴU の大き
さによって可変にされるので、局部発振用トランジスタ
１の正帰還量も同調電圧ＴU の大きさによって可変にさ
れる。即ち、第２可変容量ダイオード１４（可変容量ダ
イオード２）のキャパシタンス値は、同調電圧（負極
性）ＴU が小さいとき（チューナの受信周波数が各受信
周波数バンドの低域側周波数にあるとき）に大きくなっ
て、正帰還量が減少し、一方、同調電圧（負極性）ＴU
が大きいとき（同受信周波数が各受信周波数バンドの高
域側周波数にあるとき）に小さくなって、正帰還量が増
大する。
【００２３】このように、本実施例によれば、同調回路
に付加接続された第２可変容量ダイオード１４により、
同調電圧の変化に対応して可変容量ダイオード２のキャ
パシタンス値及び第２可変容量ダイオード１４のキャパ
シタンス値がそれぞれ変化するので、同調電圧ＴU の変
化範囲に対応した局部発振信号の周波数可変範囲をこれ
までのものよりも拡大することが可能になる。
に付加接続された第２可変容量ダイオード１４により、
同調電圧の変化に対応して可変容量ダイオード２のキャ
パシタンス値及び第２可変容量ダイオード１４のキャパ
シタンス値がそれぞれ変化するので、同調電圧ＴU の変
化範囲に対応した局部発振信号の周波数可変範囲をこれ
までのものよりも拡大することが可能になる。
【００２４】また、本実施例によれば、帰還容量として
付加接続された第２可変容量ダイオード１４により、同
調電圧の変化に対応して第２可変容量ダイオード１４の
キャパシタンス値が変化するので、同調電圧ＴU の変化
範囲に応じて局部発振用トランジスタ１の正帰還量が制
御され、局部発振回路の発振安定度を充分に確保するこ
とができる。
付加接続された第２可変容量ダイオード１４により、同
調電圧の変化に対応して第２可変容量ダイオード１４の
キャパシタンス値が変化するので、同調電圧ＴU の変化
範囲に応じて局部発振用トランジスタ１の正帰還量が制
御され、局部発振回路の発振安定度を充分に確保するこ
とができる。
【００２５】なお、前記実施例においては、チューナが
ＵＨＦチューナである場合を例に挙げて説明している
が、本発明によるチューナはＵＨＦチューナである場合
に限られず、ＶＨＦチューナのように他の周波数帯の信
号を受信するチューナにおいても同様に適用可能であ
る。
ＵＨＦチューナである場合を例に挙げて説明している
が、本発明によるチューナはＵＨＦチューナである場合
に限られず、ＶＨＦチューナのように他の周波数帯の信
号を受信するチューナにおいても同様に適用可能であ
る。
【００２６】また、前記実施例においては、電圧可変容
量素子及び第２電圧可変容量素子がそれぞれ可変容量ダ
イオード２及び第２可変容量ダイオード１４である場合
を例に挙げて説明しているが、本発明による電圧可変容
量素子及び第２電圧可変容量素子はそれぞれ可変容量ダ
イオード２及び第２可変容量ダイオード１４である場合
に限られず、印加電圧によって容量が変化する他の電圧
可変容量素子であってもよい。
量素子及び第２電圧可変容量素子がそれぞれ可変容量ダ
イオード２及び第２可変容量ダイオード１４である場合
を例に挙げて説明しているが、本発明による電圧可変容
量素子及び第２電圧可変容量素子はそれぞれ可変容量ダ
イオード２及び第２可変容量ダイオード１４である場合
に限られず、印加電圧によって容量が変化する他の電圧
可変容量素子であってもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、同調回
路に第２電圧可変容量素子を付加接続し、同調電圧の変
化に対応して電圧可変容量素子の容量値及び第２電圧可
変容量素子の容量値をそれぞれ変化しているので、同調
電圧の変化範囲に対応する局部発振周波数の可変範囲を
これまでのものよりも拡大することが可能になるという
効果がある。
路に第２電圧可変容量素子を付加接続し、同調電圧の変
化に対応して電圧可変容量素子の容量値及び第２電圧可
変容量素子の容量値をそれぞれ変化しているので、同調
電圧の変化範囲に対応する局部発振周波数の可変範囲を
これまでのものよりも拡大することが可能になるという
効果がある。
【００２８】また、本発明によれば、帰還容量に第２電
圧可変容量素子を付加接続し、同調電圧の変化に対応し
て第２電圧可変容量素子の容量値を変化しているので、
同調電圧が変化範囲の極限の近傍まで移行したときにお
いても、局部発振回路の発振安定度を充分に確保できる
という効果がある。
圧可変容量素子を付加接続し、同調電圧の変化に対応し
て第２電圧可変容量素子の容量値を変化しているので、
同調電圧が変化範囲の極限の近傍まで移行したときにお
いても、局部発振回路の発振安定度を充分に確保できる
という効果がある。
【図１】本発明によるチューナの局部発振回路の一実施
例の構成を示す回路図である。
例の構成を示す回路図である。
【図２】従来のチューナの局部発振回路の構成の一例を
示す回路図である。
示す回路図である。
１ 局部発振用トランジスタ ２ 可変容量ダイオード（電圧可変容量素子） ３ インダクタ ４ 同調用第１コンデンサ（第１固定容量） ６ 帰還用第１コンデンサ（第２固定容量） ７ 帰還用第２コンデンサ（第３固定容量） １４ 第２可変容量ダイオード（第２電圧可変容量素
子）
子）
Claims (3)
- 【請求項１】 局部発振用トランジスタと、前記トラン
ジスタのベースと基準電位点間にインダクタとともに直
列接続され、同調電圧によって容量値が制御される電圧
可変容量素子及び一端が前記ベースに接続された第１固
定容量を含む同調回路と、前記トランジスタのベースと
エミッタ間に接続される第２固定容量及び一端が前記エ
ミッタに接続された第３固定容量を含む帰還容量とを備
え、前記第１固定容量の他端及び前記第３固定容量の他
端と基準電位点との間に接続され、前記同調電圧によっ
て容量値が制御される第２電圧可変容量素子を、前記同
調回路と前記帰還容量に共用させたことを特徴とするチ
ューナの局部発振回路。 - 【請求項２】 前記電圧可変容量素子及び第２電圧可変
容量素子は、類似の電圧−容量変化特性を有する可変容
量ダイオードであることを特徴とする請求項１に記載の
チューナの局部発振回路。 - 【請求項３】 前記チューナは、ＵＨＦチューナである
ことを特徴とする請求項１または２に記載のチューナの
局部発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21739396A JPH1065443A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | チューナの局部発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21739396A JPH1065443A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | チューナの局部発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065443A true JPH1065443A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16703489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21739396A Pending JPH1065443A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | チューナの局部発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1065443A (ja) |
-
1996
- 1996-08-19 JP JP21739396A patent/JPH1065443A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021210 |