JP2001177342A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
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- JP2001177342A JP2001177342A JP36033899A JP36033899A JP2001177342A JP 2001177342 A JP2001177342 A JP 2001177342A JP 36033899 A JP36033899 A JP 36033899A JP 36033899 A JP36033899 A JP 36033899A JP 2001177342 A JP2001177342 A JP 2001177342A
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- Japan
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- diode
- switching
- switch diode
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成によって発振周波数の偏移を少な
くすると共に部品点数の増加と大型化を最小限に押さえ
る。 【解決手段】 発振トランジスタ１と、発振トランジス
タ１のベース・コレクタ間に高周波的に接続される共振
回路８とを備え、共振回路８には共振周波数を切り替え
る第一のコンデンサ８ｂと第一のコンデンサ８ｂに直列
に接続されたスイッチダイオード８ｄとを設けると共
に、スイッチダイオード８ｄのカソードを直接接地し、
スイッチダイオード８ｄに並列に第二のコンデンサ８ｃ
を接続してスイッチダイオード８ｄのアノードにハイレ
ベルの切替電圧又はローレベルの切替電圧を印加するこ
とによってスイッチダイオード８ｄを導通状態又は非導
通状態に切り替えた。
くすると共に部品点数の増加と大型化を最小限に押さえ
る。 【解決手段】 発振トランジスタ１と、発振トランジス
タ１のベース・コレクタ間に高周波的に接続される共振
回路８とを備え、共振回路８には共振周波数を切り替え
る第一のコンデンサ８ｂと第一のコンデンサ８ｂに直列
に接続されたスイッチダイオード８ｄとを設けると共
に、スイッチダイオード８ｄのカソードを直接接地し、
スイッチダイオード８ｄに並列に第二のコンデンサ８ｃ
を接続してスイッチダイオード８ｄのアノードにハイレ
ベルの切替電圧又はローレベルの切替電圧を印加するこ
とによってスイッチダイオード８ｄを導通状態又は非導
通状態に切り替えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、二つの周波数バン
ドで発振するように構成された発振器に関する。
ドで発振するように構成された発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の発振器の構成を示す。発振
トランジスタ３１のベースとエミッタとにはそれぞれ所
定のバイアス電圧が与えられ、電源電圧（Ｖｂ）が印加
されるコレクタは直流カットコンデンサ３２によって高
周波的に接地される。そして、ベースとエミッタとの
間、及びエミッタとグランドとの間にそれぞれ帰還コン
デンサ３３、３４が接続される。また、ベースとグラン
ドとの間に共振回路３５が設けられる。
トランジスタ３１のベースとエミッタとにはそれぞれ所
定のバイアス電圧が与えられ、電源電圧（Ｖｂ）が印加
されるコレクタは直流カットコンデンサ３２によって高
周波的に接地される。そして、ベースとエミッタとの
間、及びエミッタとグランドとの間にそれぞれ帰還コン
デンサ３３、３４が接続される。また、ベースとグラン
ドとの間に共振回路３５が設けられる。
【０００３】共振回路３５はクラップコンデンサ３５
ａ、第一のコンデンサ３５ｂ、スイッチダイオード３５
ｃ、第二のコンデンサ３５ｄ、インダクタンス素子３５
ｅ、直流カットコンデンサ３５ｆ、バラクタダイオード
３５ｇを有し、それらは図示の通りに接続されている。
ａ、第一のコンデンサ３５ｂ、スイッチダイオード３５
ｃ、第二のコンデンサ３５ｄ、インダクタンス素子３５
ｅ、直流カットコンデンサ３５ｆ、バラクタダイオード
３５ｇを有し、それらは図示の通りに接続されている。
【０００４】そして、スイッチダイオード３５ｃのアノ
ードには抵抗３５ｈを介してハイレベル又はローレベル
の切替電圧（Ｖｓ）が印加されるようになっており、バ
ラクタダイオード３５ｇのカソードにはチョークインダ
クタｉを介して同調電圧（Ｖｔ）が印加される。
ードには抵抗３５ｈを介してハイレベル又はローレベル
の切替電圧（Ｖｓ）が印加されるようになっており、バ
ラクタダイオード３５ｇのカソードにはチョークインダ
クタｉを介して同調電圧（Ｖｔ）が印加される。
【０００５】スイッチダイオード３５ｃはハイレベルの
切替電圧が印加されると導通し第一のコンデンサ３５ｂ
と第二のコンデンサ３５ｄとが高周波的に並列に接続さ
れて共振回路３５の共振周波数は低くなる。そして、帰
還コンデンサ３３、３４を含めた第一の共振周波数で発
振する。この発振周波数はほぼ１ＧＨｚ〜２ＧＨｚであ
り、同調電圧を変えることによって変化する。
切替電圧が印加されると導通し第一のコンデンサ３５ｂ
と第二のコンデンサ３５ｄとが高周波的に並列に接続さ
れて共振回路３５の共振周波数は低くなる。そして、帰
還コンデンサ３３、３４を含めた第一の共振周波数で発
振する。この発振周波数はほぼ１ＧＨｚ〜２ＧＨｚであ
り、同調電圧を変えることによって変化する。
【０００６】一方、スイッチダイオード３５ｃのアノー
ドにローレベルの切替電圧を印加したときには、スイッ
チダイオード３５ｃは非導通となる。この結果、第一の
コンデンサ３５ｂは共振回路３５から回路的に切り離さ
れ、共振回路３５の共振周波数は高くなり、発振周波数
もほぼ倍の２ＧＨｚに高くなる。そして、発振周波数は
同調電圧によって変化する。
ドにローレベルの切替電圧を印加したときには、スイッ
チダイオード３５ｃは非導通となる。この結果、第一の
コンデンサ３５ｂは共振回路３５から回路的に切り離さ
れ、共振回路３５の共振周波数は高くなり、発振周波数
もほぼ倍の２ＧＨｚに高くなる。そして、発振周波数は
同調電圧によって変化する。
【０００７】発振信号は発振トランジスタ３１のエミッ
タから出力され、バッファ増幅器３６で増幅された後、
図示しないＰＬＬ回路等の分周器などに入力される。
タから出力され、バッファ増幅器３６で増幅された後、
図示しないＰＬＬ回路等の分周器などに入力される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】スイッチダイオード３
５ｃを導通又は非導通にする切替電圧は図示しないスイ
ッチ回路から印加されるが、切替電圧には数１０ｍＶ
（ミリボルト）のリップルが重畳されている。このリッ
プルは抵抗３５ｈに接続されている直流カットコンデン
サ３５ｊによっても除去できずにスイッチダイオード３
５ｃのアノードに印加される。
５ｃを導通又は非導通にする切替電圧は図示しないスイ
ッチ回路から印加されるが、切替電圧には数１０ｍＶ
（ミリボルト）のリップルが重畳されている。このリッ
プルは抵抗３５ｈに接続されている直流カットコンデン
サ３５ｊによっても除去できずにスイッチダイオード３
５ｃのアノードに印加される。
【０００９】一方、スイッチ回路から出力されるローレ
ベルの切替電圧は完全に０ボルトにはならずほぼ０．３
ボルトの残留電圧を有している。そのため、非導通状態
のスイッチダイオードは約１ｐｆ（ピコファラッド）の
容量を有する容量素子と等価となって、しかもその容量
がリップルによって変化することになる。この結果、発
振周波数はリップルによって変化してＦＭ変調され、Ｐ
ＬＬ回路の動作を不安定なものにする。実験によれば１
００ｍＶのリップルによって約１２０ＫＨｚの周波数偏
移が生じた。
ベルの切替電圧は完全に０ボルトにはならずほぼ０．３
ボルトの残留電圧を有している。そのため、非導通状態
のスイッチダイオードは約１ｐｆ（ピコファラッド）の
容量を有する容量素子と等価となって、しかもその容量
がリップルによって変化することになる。この結果、発
振周波数はリップルによって変化してＦＭ変調され、Ｐ
ＬＬ回路の動作を不安定なものにする。実験によれば１
００ｍＶのリップルによって約１２０ＫＨｚの周波数偏
移が生じた。
【００１０】リップルを完全になくすためには、スイッ
チダイオードに逆バイアス電圧を印加して非導通にすれ
ばよいが、そうするためには、バイアス回路が必要とな
るので部品点数が増加し、コストアップを招来し、また
大型化するという問題がおきる。そこで、本発明の発振
器は、簡単な構成によって発振周波数の偏移を少なくす
ると共に部品点数の増加と大型化を最小限に押さえるこ
とを目的とする。
チダイオードに逆バイアス電圧を印加して非導通にすれ
ばよいが、そうするためには、バイアス回路が必要とな
るので部品点数が増加し、コストアップを招来し、また
大型化するという問題がおきる。そこで、本発明の発振
器は、簡単な構成によって発振周波数の偏移を少なくす
ると共に部品点数の増加と大型化を最小限に押さえるこ
とを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する手段
として、本発明の発振器は、発振トランジスタと、前記
発振トランジスタのベース・コレクタ間に高周波的に接
続される共振回路とを備え、前記共振回路には前記共振
周波数を切り替える第一のコンデンサと前記第一のコン
デンサに直列に接続されたスイッチダイオードとを設け
ると共に、前記スイッチダイオードのカソードを直接接
地し、前記スイッチダイオードに並列に第二のコンデン
サを接続して前記スイッチダイオードのアノードにハイ
レベルの切替電圧又はローレベルの切替電圧を印加する
ことによって前記スイッチダイオードを導通状態又は非
導通状態に切り替えた。
として、本発明の発振器は、発振トランジスタと、前記
発振トランジスタのベース・コレクタ間に高周波的に接
続される共振回路とを備え、前記共振回路には前記共振
周波数を切り替える第一のコンデンサと前記第一のコン
デンサに直列に接続されたスイッチダイオードとを設け
ると共に、前記スイッチダイオードのカソードを直接接
地し、前記スイッチダイオードに並列に第二のコンデン
サを接続して前記スイッチダイオードのアノードにハイ
レベルの切替電圧又はローレベルの切替電圧を印加する
ことによって前記スイッチダイオードを導通状態又は非
導通状態に切り替えた。
【００１２】また、本発明の発振器は、前記第二のコン
デンサの容量値を０．５ピコファラッド以上１０ピコフ
ァラッド以下とした。
デンサの容量値を０．５ピコファラッド以上１０ピコフ
ァラッド以下とした。
【００１３】また、本発明の発振器は、直列に接続され
た前記第一のコンデンサ及び前記スイッチダイオードの
全体に対して第三のコンデンサを並列に接続した。
た前記第一のコンデンサ及び前記スイッチダイオードの
全体に対して第三のコンデンサを並列に接続した。
【００１４】また、本発明の発振器は、前記発振トラン
ジスタのコレクタ又はベースを高周波的に接地した。
ジスタのコレクタ又はベースを高周波的に接地した。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の発振器の構成を図１及び
図２に示す。図１は本発明の発振器をコレクタ接地型で
構成したものであり、発振トランジスタ１のベースとエ
ミッタとにはバイアス抵抗２、３、４によってそれぞれ
所定のバイアス電圧が与えられる。また、電源電圧（Ｖ
ｂ）が印加されるコレクタは直流カットコンデンサ５に
よって高周波的に接地される。そして、ベースとエミッ
タとの間、及びエミッタとグランドとの間にそれぞれ帰
還コンデンサ６、７が接続され、さらに、ベースとグラ
ンドとの間に共振回路８が設けられる。
図２に示す。図１は本発明の発振器をコレクタ接地型で
構成したものであり、発振トランジスタ１のベースとエ
ミッタとにはバイアス抵抗２、３、４によってそれぞれ
所定のバイアス電圧が与えられる。また、電源電圧（Ｖ
ｂ）が印加されるコレクタは直流カットコンデンサ５に
よって高周波的に接地される。そして、ベースとエミッ
タとの間、及びエミッタとグランドとの間にそれぞれ帰
還コンデンサ６、７が接続され、さらに、ベースとグラ
ンドとの間に共振回路８が設けられる。
【００１６】共振回路８はクラップコンデンサ８ａ、第
一のコンデンサ８ｂ、第二のコンデンサ８ｃ、スイッチ
ダイオード８ｄ、第三のコンデンサ８ｅ、インダクタン
ス素子８ｆ、バラクタダイオード８ｇ等を有している。
第一のコンデンサ８ｂは発振周波数を切り替えるための
ものであり、また、インダクタンス素子８ｆはプリント
基板（図示せず）上に形成されたストリップラインで構
成される。上記の各回路素子は図示の通りに接続されて
いる。
一のコンデンサ８ｂ、第二のコンデンサ８ｃ、スイッチ
ダイオード８ｄ、第三のコンデンサ８ｅ、インダクタン
ス素子８ｆ、バラクタダイオード８ｇ等を有している。
第一のコンデンサ８ｂは発振周波数を切り替えるための
ものであり、また、インダクタンス素子８ｆはプリント
基板（図示せず）上に形成されたストリップラインで構
成される。上記の各回路素子は図示の通りに接続されて
いる。
【００１７】即ち、第一のコンデンサ８ｂと第三のコン
デンサ８ｅとインダクタンス素子８ｆの各一端はクラッ
プコンデンサ８ａを介して発振トランジスタ１のベース
に接続され、第一のコンデンサ８ｂの他端にはスイッチ
ダイオード８ｄのアノードが接続され、そのカソードが
接地される。第二のコンデンサ８ｃは数ｐＦ（ピコファ
ラッド）の容量を有し、スイッチダイオード８ｄに並列
に接続される。また、第三のコンデンサ８ｅとインダク
タンス素子８ｆとの各他端は接地される。アノードが接
地されたバラクタダイオード８ｇが直流カットコンデン
サ８ｈを介してインダクタンス素子８ｆに並列に接続さ
れる。
デンサ８ｅとインダクタンス素子８ｆの各一端はクラッ
プコンデンサ８ａを介して発振トランジスタ１のベース
に接続され、第一のコンデンサ８ｂの他端にはスイッチ
ダイオード８ｄのアノードが接続され、そのカソードが
接地される。第二のコンデンサ８ｃは数ｐＦ（ピコファ
ラッド）の容量を有し、スイッチダイオード８ｄに並列
に接続される。また、第三のコンデンサ８ｅとインダク
タンス素子８ｆとの各他端は接地される。アノードが接
地されたバラクタダイオード８ｇが直流カットコンデン
サ８ｈを介してインダクタンス素子８ｆに並列に接続さ
れる。
【００１８】そして、スイッチダイオード８ｄのアノー
ドには抵抗８ｉを介してハイレベル（例えば５ボルト）
又はローレベル（例えば０ボルト）の切替電圧（Ｖｓ）
が印加されるようになっており、バラクタダイオード８
ｇのカソードには発振周波数をきめるための同調電圧
（Ｖｔ）がチョークインダクタ８ｊを介して印加され
る。
ドには抵抗８ｉを介してハイレベル（例えば５ボルト）
又はローレベル（例えば０ボルト）の切替電圧（Ｖｓ）
が印加されるようになっており、バラクタダイオード８
ｇのカソードには発振周波数をきめるための同調電圧
（Ｖｔ）がチョークインダクタ８ｊを介して印加され
る。
【００１９】切替電圧は図示しないスイッチ回路から供
給され、スイッチダイオード８ｄはハイレベルの切替電
圧が印加されると導通し、第二のコンデンサ８ｃの両端
が短絡されて第一のコンデンサ８ｂと第三のコンデンサ
８ｅとが高周波的に並列に接続される。この結果、共振
回路８の並列共振周波数は低くなる。そして、帰還コン
デンサ６、７を含めた第一の並列共振周波数で発振す
る。この発振周波数はほぼ１ＧＨｚであり、同調電圧を
変えることによって変化する。
給され、スイッチダイオード８ｄはハイレベルの切替電
圧が印加されると導通し、第二のコンデンサ８ｃの両端
が短絡されて第一のコンデンサ８ｂと第三のコンデンサ
８ｅとが高周波的に並列に接続される。この結果、共振
回路８の並列共振周波数は低くなる。そして、帰還コン
デンサ６、７を含めた第一の並列共振周波数で発振す
る。この発振周波数はほぼ１ＧＨｚであり、同調電圧を
変えることによって変化する。
【００２０】一方、スイッチダイオード８ｄのアノード
にローレベルの切替電圧を印加したときには、スイッチ
ダイオード８ｄは非導通となる。このとき、スイッチダ
イオード８ｄは約１ｐＦの容量を有する。そして、スイ
ッチダイオード８ｄと第二のコンデンサ８ｃとが互いに
並列となって第一のコンデンサに直列に接続されている
ので、共振回路８の並列共振周波数は高くなり、第二の
発振周波数もほぼ倍の２ＧＨｚに高くなる。そして、発
振周波数は同調電圧によって変えることができる。
にローレベルの切替電圧を印加したときには、スイッチ
ダイオード８ｄは非導通となる。このとき、スイッチダ
イオード８ｄは約１ｐＦの容量を有する。そして、スイ
ッチダイオード８ｄと第二のコンデンサ８ｃとが互いに
並列となって第一のコンデンサに直列に接続されている
ので、共振回路８の並列共振周波数は高くなり、第二の
発振周波数もほぼ倍の２ＧＨｚに高くなる。そして、発
振周波数は同調電圧によって変えることができる。
【００２１】この場合において、ローレベルの切替電圧
が完全に０ボルトとならずに０．３ボルト程度の残留電
圧となり、しかも、この残留電圧にリップルが重畳され
ていると、スイッチダイオード８ｄの容量はリップルに
よって変化するが、スイッチダイオード８ｄに第二のコ
ンデンサ８ｃが並列に接続されているので、リップルに
よる容量の変化の割合は見かけ上少なくなる。その結
果、発振周波数の偏移が少なくなる。第二のコンデンサ
８ｃの容量値が大きいほど見かけ上の容量の変化は少な
くなるが、あまり大きくすると第一の発振周波数と第二
の発振周波数との比を大きくできないので、実用的には
０．５ｐＦ以上１０ｐｆ以下が望ましい。
が完全に０ボルトとならずに０．３ボルト程度の残留電
圧となり、しかも、この残留電圧にリップルが重畳され
ていると、スイッチダイオード８ｄの容量はリップルに
よって変化するが、スイッチダイオード８ｄに第二のコ
ンデンサ８ｃが並列に接続されているので、リップルに
よる容量の変化の割合は見かけ上少なくなる。その結
果、発振周波数の偏移が少なくなる。第二のコンデンサ
８ｃの容量値が大きいほど見かけ上の容量の変化は少な
くなるが、あまり大きくすると第一の発振周波数と第二
の発振周波数との比を大きくできないので、実用的には
０．５ｐＦ以上１０ｐｆ以下が望ましい。
【００２２】実験によれば、第二のコンデンサ８ｃの容
量値を比較的小さな０．５ｐＦとした場合でも、周波数
偏移は約８０ＫＨｚとなり、第二のコンデンサ８ｃを有
していない従来の発振器の６７％に低下することが出来
た。なお、第一のコンデンサ８ｂとスイッチダイオード
８ｄとの直列回路に対して第三のコンデンサ８ｆが並列
に接続されていることによって、リップルによる容量変
化の割合を一層少なくすることができる。
量値を比較的小さな０．５ｐＦとした場合でも、周波数
偏移は約８０ＫＨｚとなり、第二のコンデンサ８ｃを有
していない従来の発振器の６７％に低下することが出来
た。なお、第一のコンデンサ８ｂとスイッチダイオード
８ｄとの直列回路に対して第三のコンデンサ８ｆが並列
に接続されていることによって、リップルによる容量変
化の割合を一層少なくすることができる。
【００２３】発振信号は発振トランジスタ１のエミッタ
から出力され、バッファ増幅器９で増幅された後、図示
しないＰＬＬ回路等の分周器などに入力される。周波数
偏移が少なくなったことで、ＰＬＬ回路の動作も安定し
た。
から出力され、バッファ増幅器９で増幅された後、図示
しないＰＬＬ回路等の分周器などに入力される。周波数
偏移が少なくなったことで、ＰＬＬ回路の動作も安定し
た。
【００２４】図３は本発明の発振器をベース接地型で構
成したものを示し、発振トランジスタのコレクタにはチ
ョークインダクタ１１を介して電源電圧が印加され、ベ
ースは直流カットコンデンサ１２によって高周波的に接
地される。そして、共振回路８は発振トランジスタ１の
コレクタとグランドおの間に設けられる。その他の構成
は図１に示した構成と同じであるので、詳細な説明は省
略する。この構成においても、第二のコンデンサ８ｃに
よって同様な効果がえられる。
成したものを示し、発振トランジスタのコレクタにはチ
ョークインダクタ１１を介して電源電圧が印加され、ベ
ースは直流カットコンデンサ１２によって高周波的に接
地される。そして、共振回路８は発振トランジスタ１の
コレクタとグランドおの間に設けられる。その他の構成
は図１に示した構成と同じであるので、詳細な説明は省
略する。この構成においても、第二のコンデンサ８ｃに
よって同様な効果がえられる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明の発振器は、共振
回路には共振周波数を切り替える第一のコンデンサと、
第一のコンデンサに直列に接続されたスイッチダイオー
ドとを設けると共に、スイッチダイオードのカソードを
直接接地し、スイッチダイオードに並列に第二のコンデ
ンサを接続してスイッチダイオードのアノードにハイレ
ベルの切替電圧又はローレベルの切替電圧を印加するこ
とによってスイッチダイオードを導通状態又は非導通状
態に切り替えたので、非導通時のスイッチダイオードの
容量が切替電圧に重畳されたリップルによって変化して
も、第二のコンデンサに並列に接続された第二のコンデ
ンサによって見かけ上の容量変化が少なくなる。従っ
て、簡単な構成によって発振周波数の偏移量を少なくす
ることができる。
回路には共振周波数を切り替える第一のコンデンサと、
第一のコンデンサに直列に接続されたスイッチダイオー
ドとを設けると共に、スイッチダイオードのカソードを
直接接地し、スイッチダイオードに並列に第二のコンデ
ンサを接続してスイッチダイオードのアノードにハイレ
ベルの切替電圧又はローレベルの切替電圧を印加するこ
とによってスイッチダイオードを導通状態又は非導通状
態に切り替えたので、非導通時のスイッチダイオードの
容量が切替電圧に重畳されたリップルによって変化して
も、第二のコンデンサに並列に接続された第二のコンデ
ンサによって見かけ上の容量変化が少なくなる。従っ
て、簡単な構成によって発振周波数の偏移量を少なくす
ることができる。
【００２６】また、本発明の発振器は、第二のコンデン
サの容量値を０．５ピコファラッド以上１０ピコファラ
ッド以下としたので、スイッチダイオードの導通時の発
振周波数と非導通時の発振周波数との比を大きく出来
る。
サの容量値を０．５ピコファラッド以上１０ピコファラ
ッド以下としたので、スイッチダイオードの導通時の発
振周波数と非導通時の発振周波数との比を大きく出来
る。
【００２７】また、本発明の発振器は、直列に接続され
た第一のコンデンサ及びスイッチダイオードの全体に対
して第三のコンデンサを並列に接続したので、見かけ上
の容量変化を一層少なくすることができる。
た第一のコンデンサ及びスイッチダイオードの全体に対
して第三のコンデンサを並列に接続したので、見かけ上
の容量変化を一層少なくすることができる。
【００２８】また、本発明の発振器は、発振トランジス
タのコレクタ又はベースを高周波的に接地したので、コ
レクタ接地型又はベース接地型の発振器におけるリップ
ルによる発振周波数の偏移量を少なくできる。
タのコレクタ又はベースを高周波的に接地したので、コ
レクタ接地型又はベース接地型の発振器におけるリップ
ルによる発振周波数の偏移量を少なくできる。
【図１】本発明の発振回路の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の発振回路の他の構成を示す回路図であ
る。
る。
【図３】従来の発振回路の構成を示す回路図である。
１ 発振トランジスタ ２、３、４ 抵抗 ５ 直流カットコンデンサ ６、７ 帰還コンデンサ ８ 共振回路 ８ａ クラップコンデンサ ８ｂ 第一のコンデンサ ８ｃ 第二のコンデンサ ８ｄ スイッチダイオード ８ｅ 第三のコンデンサ ８ｆ インダクタンス素子 ８ｇ バラクタダイオード ８ｈ 直流カットコンデンサ ８ｉ 抵抗 ８ｊ チョークインダクタ ９ バッファ増幅器 １１ チョークインダクタ １２ 直流カットコンデンサ
Claims (4)
- 【請求項１】 発振トランジスタと、前記発振トランジ
スタのベース・コレクタ間に高周波的に接続される共振
回路とを備え、前記共振回路には前記共振周波数を切り
替える第一のコンデンサと前記第一のコンデンサに直列
に接続されたスイッチダイオードとを設けると共に、前
記スイッチダイオードのカソードを直接接地し、前記ス
イッチダイオードに並列に第二のコンデンサを接続して
前記スイッチダイオードのアノードにハイレベルの切替
電圧又はローレベルの切替電圧を印加することによって
前記スイッチダイオードを導通状態又は非導通状態に切
り替えたことを特徴とする発振器。 - 【請求項２】 前記第二のコンデンサの容量値を０．５
ピコファラッド以上１０ピコファラッド以下としたこと
を特徴とする請求項１記載の発振器。 - 【請求項３】 直列に接続された前記第一のコンデンサ
及び前記スイッチダイオードの全体に対して第三のコン
デンサを並列に接続したことを特徴とする請求項１又は
２記載の発振器。 - 【請求項４】 前記発振トランジスタのコレクタ又はベ
ースを高周波的に接地したことを特徴とする請求項１又
は２又は３記載の発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36033899A JP2001177342A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36033899A JP2001177342A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001177342A true JP2001177342A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18468974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36033899A Withdrawn JP2001177342A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001177342A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7002424B2 (en) | 2002-05-13 | 2006-02-21 | Fujitsu Media Devices Limited | Oscillator having voltage dividing circuit |
-
1999
- 1999-12-20 JP JP36033899A patent/JP2001177342A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7002424B2 (en) | 2002-05-13 | 2006-02-21 | Fujitsu Media Devices Limited | Oscillator having voltage dividing circuit |
| US7330083B2 (en) | 2002-05-13 | 2008-02-12 | Fujitsu Media Devices Limited | Oscillator having voltage dividing circuit |
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| Date | Code | Title | Description |
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